JP3565463B2 - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3565463B2 JP3565463B2 JP14651596A JP14651596A JP3565463B2 JP 3565463 B2 JP3565463 B2 JP 3565463B2 JP 14651596 A JP14651596 A JP 14651596A JP 14651596 A JP14651596 A JP 14651596A JP 3565463 B2 JP3565463 B2 JP 3565463B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- integer
- represent
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Cleaning In Electrography (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複写機やプリンタ、ファクシミリ等の電子写真装置に関し、特に帯電手段等としてのコロナ放電により感光体上に生成する硝酸イオンやアンモニウムイオン等のイオンを除去し、画像流れを防止するようにした電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真方法としては、カールソンプロセスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複写機やプリンタなどに広く使用されている。このような電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性などをメリットとして、近年使用され始めている。
【０００３】
これらの電子写真感光体において、電荷輸送層に用いられる電荷輸送材料は、多くが低分子化合物として開発されているが、低分子化合物は単独では成膜性がないため、通常不活性高分子に分散・混合して用いられる。しかるに、低分子電荷輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすい。更にこの構成の電荷輸送層は、電荷移動度に限界があり、カールソンプロセスの高速化或いは小型化の障害となっていた。これは、低分子電荷輸送材料の含有量比に限りがあり、通常、低分子電荷輸送材料の含有量が５０重量％以下で使用されることに起因している。低分子電荷輸送材料の含有量を増すことで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に成膜性は劣化する。
【０００４】
一方、高分子型の電荷輸送材料は、例えば、特開昭５０−８２０５６号公報、特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１９０４９号公報及び特開平３−５０５５５号公報などに開示されている。これらの高分子型の電荷輸送材料は、電荷輸送層が高分子だけで構成されるため、高い機械的強度が期待される。また、成膜性を損なうことなく電荷輸送を担う官能基を高密度に含有することが可能であり、高速応答性が期待される。
【０００５】
電子写真プロセスでのコロナ放電、特に帯電器からのコロナ放電では、硝酸イオンやアンモニウムイオン等の放電生成物が発生する。これらのイオンは、例えば放電で生成したオゾンが空気中の窒素を酸化してＮＯｘを発生し、ＮＯｘが感光体上の吸着水と反応して硝酸イオンとなること等により発生する。硝酸イオン、アンモニウムイオン等が感光体の表面に吸着し、大気中の水分を吸湿すると、感光体の表面電気抵抗は低下し、感光体は、静電潜像を維持できなくなり、画像流れが発生する。この現象は、低分子電荷輸送材料を不活性高分子に分散・混合して用いられる感光体では、感光体表面の膜削れの方が顕著であることより顕在化していなかった。
【０００６】
しかしながら、高分子型の電荷輸送材料を用いた感光体は長寿命化にともない感光体表面に硝酸イオンやアンモニウムイオン等の放電生成物が蓄積し画像流れが発生してしまい、この点の改良が強く望まれていた。
【０００７】
画像流れの防止のため、特開昭５１−６５９４１号公報、特開昭５２−１２９４３４号公報、特開昭５３−３２７４４号公報等で開示の技術においては、ヒータにより感光体を加熱し、吸着水を蒸発させることを提案している。ヒータによる感光体の加熱は一般に用いられている手段であるが、この方法では感光体表面へのトナーの固着が生じるという問題がある。また、ヒータで感光体を加熱することは、電子写真装置の消費電力を著しく増加させ、更に冷間からの使用開始時の待ち時間を延長させることになる。
【０００８】
特開昭６１−１１２１５３号公報、特開昭６２−１１９５６７号公報、特開昭６３−６０４７７号公報においては、研磨剤により放電生成物イオンを除去することを提案している。しかしながら研磨剤を用いることは感光体表面を傷つけ、研磨剤をトナーに混合する場合には現像特性を低下させる。
【０００９】
特開平２−２９３８８４号公報、特開平２−２９３８８５号公報は、水や多価アルコール、或いはその誘導体を用いて、該感光体表面に付着した放電生成物を除去することを提案している。しかし乾式のプロセスに湿式のプロセスを持ち込むことは、乾式の利点を損ない、電子写真装置を複雑化し、好ましくない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記従来技術における問題点を解決し、感光体表面に吸着した硝酸イオン、アンモニウムイオン等の放電生成物を複雑な手段を用いることなく簡単に除去し、電子写真装置の画像流れを防止することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような課題は本発明に係る、導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体の周囲に、帯電手段と露光手段現像手段、転写手段、及び残留トナーのクリーナーを配置した電子写真装置であって、前記帯電手段とクリーナーとの間に前記感光体の表面を空拭きするように、帯電手段でのコロナ放電に伴う放電生成物イオンを除去するための、クリーナーを設け、感光体に接触させるようにしたことを特徴とする電子写真装置、により解決される。
【００１２】
また、前記課題は本発明に係る、前記帯電手段とトナークリーナーとの間に、感光体表面を空拭きするように、帯電手段でのコロナ放電に伴う放電生成物イオンを除去するためのクリーナーと、該クリーナーを感光体に接触する位置と感光体から離れた位置との間で移動させる機構とを設け、前記クリーナーを間欠的に感光体に接触させて空拭きするようにしたことを特徴とする電子写真装置、により解決される。
【００１３】
以下、図面を用いて本発明の電子写真装置を詳細に説明する。図１は、本発明における電子写真装置の１例を示す概略構成図である。（１１）は導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体で、（１２）は帯電手段（帯電器）、（１３）は露光手段としての露光ビーム、（１４）は現像手段としての現像機、（１５）は転写手段の１例としての転写チャージャー、（１６）はトナークリーナーである。（１７）は、放電生成物除去クリーナーで、（１８）は例えば空気圧シリンダー、（１９）は空気圧ポンプ、（１Ａ）はカウンターで、このカウンター（１Ａ）により、感光体（１１）の使用回数をカウントし、例えば１００枚〜５万枚毎にシリンダー（１８）を作動させて、所定の圧力で放電生成物除去クリーナー（１７）を感光体（１１）の表面に押しつける。空気圧シリンダー（１８）に替え、バネやモーター等の任意のクリーナー移動手段を用い得る。（１Ｂ）は光除電ランプである。
【００１４】
放電生成物除去クリーナー（１７）の形状や種類、材質は任意である。放電生成物除去クリーナーとしてはブレードクリーナー、繊維クリーナー等、公知のものを使用することができる。このクリーナーの形状としては、織布状や不織布状、フェルト状、筆状、パッド状、タオル地状、或るいは紙状等の任意のものを用いることができ、材質には、綿、麻、紙、脱脂綿等の植物性繊維、羊や兎、馬等の獣毛、或るいはナイロン、ポリエステル、アクリル等の合成樹脂繊維、放電生成物に対する吸着能を有する活性炭素繊維や活性炭等をそのまま或いは他の材料と混合して用いることができる。図５〜図７にこのクリーナーの変形例を示す。
【００１５】
図５の放電生成物除去クリーナーでは、プラスチックの芯材（５１）の周囲に繊維布（５２）を貼り付けクリーナーとする。芯材（５１）は移動手段（５３）により前方の感光体方向に、好ましくは間欠的に、移動させられ芯材（５１）周囲の繊維布（５２）を感光体（１１）の最表面に押しつける。図６の放電生成物除去クリーナーでは、ローラ（６１）、（６３）、（６４）を利用して、布（６２）を送る。ローラ（６４）は移動手段（６５）により間欠的に前方に移動させられ、布（６２）をその都度感光体（１１）の最表面に押しつける。図７の放電生成物除去クリーナーでは、ローラ（７１）の周囲に巻き付けた布（７２）を用いて、放電生成物イオンの拭き取りを行なう。（７３）はローラ（７１）の移動手段である。
【００１６】
このクリーナーは常時感光体表面に接触させてもよいが、繊維屑の発生や、クリーナーのへこみによる拭き取り能力の低下を防止するため、好ましくは間欠的に感光体表面に接触させる。拭き取りの頻度は、例えば複写１００枚毎に１回〜５万枚毎に１回とする。
【００１７】
次に、図面を用いて本発明で用いられる電子写真感光体を詳細に説明する。図２は、本発明において用いられる電子写真感光体の１構成例の断面図であり、導電性支持体（２１）上に、感光層（２３）が形成されたものである。
【００１８】
図３は、別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に、電荷発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光層（２３）が形成されたものである。図４は、更に別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層（２３）との間に下引き層（２５）が形成されたものである。
【００１９】
次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送物質について説明する。本発明に用いられる高分子電荷輸送物質としては、公知の高分子型の電荷輸送材料を用いることができる。
【００２０】
例えば、
（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメチルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有する特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシアリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させることにより得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合物等が例示される。
（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロルメチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成されるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合により生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチレン化合物等が例示される。
（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎープロピルメチルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ（ｎープロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９７号公報記載の−（Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２））−、又は
【００２１】
【化３０】
の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基等）の化合物等が例示される。
（ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び特開平１−１９０４９号公報記載の一般式
【００２２】
【化３１】
を有するアリールアミン樹脂化合物
（ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−及び−（ＣＨ２）４−、Ｒ”は−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｙ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＯ−（Ｙは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｍｅ）２−等）、ｍは０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１−１７２８号公報記載の
Ｒ−［Ｏ−Ａ−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＲ）−ＣＨ２−Ｏ−Ｂ−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＲ）−ＣＨ２］ｍ−（ＲはＨ、−Ｍｅ、−Ｅｔ、ｍは４〜１０００、Ａは−Ａｒ−Ｎ（Ａｒ’）−［Ｚ］−［Ｎ（Ａｒ’）−Ａｒ］ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｍｅ）２−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公報記載の
【００２３】
【化３２】
（ｎ１は１〜１０、ｎ２は０〜４、ｎ３は０〜５、ｍは０〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、構造単位
【００２４】
【化３３】
（Ｒ１、Ｒ２はアルキル、アリール、アラルキル、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は２価の芳香族残基、ｌは０以上の整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜６の整数）を有する化合物等が例示される。
（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインドロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
【００２５】
本発明に使用される電子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような、
【００２６】
【化３４】
電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能である。
【００２７】
また本発明における高分子電荷輸送物質として、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を用いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なものとなる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示す。
【００２８】
【化３５】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ４は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ５、Ｒ６は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００２９】
【化３６】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ １０３ 、Ｒ １０４ は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ １０１ とＲ １０２ 、Ｒ １０３ とＲ １０４ は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００３０】
一般式１の具体例
Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００３１】
アルキル基として好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００３２】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ ４ は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては上記のＲ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ と同様のものが挙げられる。Ｒ ５ 、Ｒ ６ は置換若しくは無置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００３３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮 合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００３４】
上記のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ と同様のものが挙げられる。
【００３５】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １０５ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １０５ ）としては、Ｒ １０５ が上記（２）で定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００３６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００３７】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００３８】
【化３７】
一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。
１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチ レンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
【００３９】
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００４０】
【化３８】
式中、Ｒ ７ 、Ｒ ８ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 、Ａｒ ３ は同一又は異なるアリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００４１】
【化３９】
式中、Ｒ １０１ 、Ｒ １０２ は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ ２ −、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）または、
【００４２】
【化４０】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ １０３ 、Ｒ １０４ は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ １０１ とＲ １０２ 、Ｒ １０３ とＲ １０４ は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００４３】
一般式２の具体例
Ｒ ７ 、Ｒ ８ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は
【００４４】
【化４１】
（ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ ２ −、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）
【００４５】
【化４２】
【００４６】
【化４３】
【００４７】
【化４４】
【００４８】
【化４５】
を表わす。
【００４９】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 及びＡｒ ３ で示されるアリレン基としてはＲ ７ 及びＲ ８ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ １０６ 、Ｒ １０７ 、Ｒ １０８ と同じ意味を有する。
【００５０】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ １８ さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００５１】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １０９ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １０９ ）としては、Ｒ １０９ が（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニ ル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００５２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【００５３】
【化４６】
式中、Ｒ １１０ 及びＲ １１１ は各々独立に前記（２）で定義したアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐートリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
【００５４】
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等。
【００５５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００５６】
【化４７】
一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じものが挙げられる。
【００５７】
【化４８】
式中、Ｒ ９ 、Ｒ １０ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ４ 、Ａｒ ５ 、Ａｒ ６ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００５８】
一般式３の具体例
Ｒ ９ 、Ｒ １０ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００５９】
また、Ａｒ ４ 、Ａｒ ５ 及びＡｒ ６ で示されるアリレン基としてはＲ ９ 及びＲ １０ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６０】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１２ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１２ ）としては、Ｒ １１２ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００６１】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００６２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００６３】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００６４】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００６５】
【化４９】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００６６】
【化５０】
式中、Ｒ １１ 、Ｒ １２ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ７ 、Ａｒ ８ 、Ａｒ ９ は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００６７】
一般式４の具体例
Ｒ １１ 、Ｒ １２ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００６８】
また、Ａｒ ７ 、Ａｒ ８ 及びＡｒ ９ で示されるアリレン基としてはＲ １１ 及びＲ １２ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６９】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１３ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１３ ）としては、Ｒ １１３ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７０】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジ ルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００７１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００７２】
【化５１】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００７３】
【化５２】
式中、Ｒ １３ 、Ｒ １４ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ １０ 、Ａｒ １１ 、Ａｒ １２ は同一又は異なるアリレン基、Ｘ １ 、Ｘ ２ は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００７４】
一般式５の具体例
Ｒ １３ 、Ｒ １４ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００７５】
また、Ａｒ １０ 、Ａｒ １１ 及びＡｒ １２ で示されるアリレン基としてはＲ １３ 及びＲ １４ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。 上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有して もよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００７６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１４ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１４ ）としては、Ｒ １１４ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００７７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニル チオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００７９】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００８０】
前記Ｘ １ 、Ｘ ２ の構造部分は置換若しくは無置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ １３ 、Ｒ １４ のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げられる。
【００８１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８２】
【化５３】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００８３】
【化５４】
【００８４】
式中、Ｒ １５ 、Ｒ １６ 、Ｒ １７ 、Ｒ １８ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ １３ 、Ａｒ １４ 、Ａｒ １５ 、Ａｒ １６ は同一又は異なるアリレン基、Ｙ １ 、Ｙ ２ 、Ｙ ３ は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００８５】
一般式６の具体例
Ｒ １５ 、Ｒ １６ 、Ｒ １７ 、Ｒ １８ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００８６】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８７】
また、Ａｒ １３ 、Ａｒ １４ 、Ａｒ １５ 及びＡｒ １６ で示されるアリレン基としてはＲ １５ 、Ｒ １６ 、Ｒ １７ 、及びＲ １８ で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【００８８】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００８９】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１５ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１５ ）としては、Ｒ １１５ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００９０】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００９１】
前記Ｙ １ 、Ｙ ２ 、Ｙ ３ の構造部分は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なっていてもよい。
【００９２】
このアルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
【００９３】
同シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【００９４】
同アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【００９５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００９６】
【化５５】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００９７】
【化５６】
式中、Ｒ １９ 、Ｒ ２０ は水素原子、置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ １９ とＲ ２０ は環を形成していてもよい。Ａｒ １７ 、Ａｒ １８ 、Ａｒ １９ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００９８】
一般式７の具体例
Ｒ １９ 、Ｒ ２０ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００９９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１００】
また、Ｒ １９ 、Ｒ ２０ は環を形成する場合、９−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ １７ 、Ａｒ １８ 及びＡｒ １９ で示されるアリレン基としてはＲ １９ 及びＲ ２０ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１０１】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１０２】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１６ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１６ ）としては、Ｒ １１６ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１０３】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、 ６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１０４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１０５】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１０６】
【化５７】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１０７】
【化５８】
式中、Ｒ ２１ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ２０ 、Ａｒ ２１ 、Ａｒ ２２ 、Ａｒ ２３ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【０１０８】
一般式８の具体例
Ｒ ２１ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１０９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１１０】
また、Ａｒ ２０ 、Ａｒ ２１ 、Ａｒ ２２ 及びＡｒ ２３ で示されるアリレン基としてはＲ ２１ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても よい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
【０１１１】
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１１２】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１７ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１７ ）としては、Ｒ １１７ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１１３】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１１４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリ ールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１１５】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１１６】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１１７】
【化５９】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１１８】
【化６０】
式中、Ｒ ２２ 、Ｒ ２３ 、Ｒ ２４ 、Ｒ ２５ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ２４ 、Ａｒ ２５ 、Ａｒ ２６ 、Ａｒ ２７ 、Ａｒ ２８ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【０１１９】
一般式９の具体例
Ｒ ２２ 、Ｒ ２３ 、Ｒ ２４ 、Ｒ ２５ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１２０】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２１】
また、Ａｒ ２４ 、Ａｒ ２５ 、Ａｒ ２６ 、Ａｒ ２７ 、及びＡｒ ２８ で示されるアリレン基としては、Ｒ ２２ 、Ｒ ２３ 、Ｒ ２４ 、及びＲ ２５ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１２２】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１２３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１８ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１８ ）としては、Ｒ １１８ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１２４】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４ −メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１２５】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１２６】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１２７】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２８】
【化６１】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１２９】
【化６２】
式中、Ｒ ２６ 、Ｒ ２７ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ２９ 、Ａｒ ３０ 、Ａｒ ３１ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【０１３０】
一般式１０の具体例
Ｒ ２６ 、Ｒ ２７ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１３１】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１３２】
また、Ａｒ ２９ 、Ａｒ ３０ 、及びＡｒ ３１ で示されるアリレン基としては、Ｒ ２６ 及びＲ ２７ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１３３】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１３４】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１９ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１９ ）としては、Ｒ １１９ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ 基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１３５】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１３６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１３７】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３８】
【化６３】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１３９】
導電性支持体（２１）としては、体積抵抗１０ １０ Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【０１４０】
本発明における感光層（２３）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型について述べる。
はじめに、電荷発生層（３１）について説明する。電荷発生層（３１）は、電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【０１４１】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属 フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４２】
電荷発生層（３１）に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加してもよい。
【０１４３】
電荷発生層（３１）に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
【０１４４】
電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、１，３，７−ト リニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４５】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐージエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４６】
電荷発生層（３１）を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
【０１４７】
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【０１４８】
次に、電荷輸送層（３３）について説明する。電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０ ５ Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０ −５ ｃｍ ２ ／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。
【０１４９】
電荷輸送層（３３）に併用できるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１５０】
電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層（３３）の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。また、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
【０１５１】
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシ リコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１５２】
次に、感光層（２３）が単層構成の場合について述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用いることができる。また、必要により可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【０１５３】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【０１５４】
さらに、本発明における感光体の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルーゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。この他に、本発明の下引き層にはＡｌ２Ｏ３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ ２ 、ＴｉＯ ２ 、ＩＴＯ、ＣｅＯ ２ 等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１５５】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。本発明に用いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げられる。
【０１５６】
モノフェノール系化合物
２，６−ジ−ｔーブチル−ｐークレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔーブチル−４−エチルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔーブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなど。
【０１５７】
ビスフェノール系化合物
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔーブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔーブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔーブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔーブチルフェノール）など。
【０１５８】
高分子フェノール系化合物
１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔーブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔーブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（ ３’，５’−ジ−ｔーブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔーブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、トコフェノール類など。
【０１５９】
パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔーブチル−ｐーフェニレンジアミンなど。
【０１６０】
ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔーオクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔーオクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１６１】
有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１６２】
有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１６３】
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品として容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは２〜３ ０重量部である。
【０１６４】
発明の作用
本発明では、導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された感光体の表面に、クリーナーを接触させ、硝酸イオンやアンモニウムイオン等の放電生成物イオンを拭き取る。ここでの拭き取りの機構は、理論により本発明を拘束するつもりはないが、クリーナーと感光体表面との摩擦による帯電で電界を発生させ、放電生成物をクリーナーに移動させるものと考えられる。また、クリーナーに用いる繊維は、極性の高い基を含んでおり、かつ親水性基を含み空気中の水分を吸湿しているため、感光体表面からクリーナーに容易に放電生成物イオンが移動するのである。本発明では、感光体が硬質で、長寿命の導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された感光体を用いる。この感光体は硬質で、感光体表面が高分子電荷輸送物質で構成されているため、硬度が高く、クリーナーで強い圧力で擦り付けても摩耗することが少ない。逆に硬度が低く低寿命の低分子電荷輸送材料を不活性高分子に分散・混合して用いられる感光体では、膜削れによる感光体の損傷の方が顕著であることにより、イオンの蓄積自体があまり問題とはならない。
【０１６５】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算出して１００±２０の範囲であった。
【０１６６】
実施例１
φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明の電子写真感光体を得た。
【０１６７】
［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂 ６部
（ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂 ４部
（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
酸化チタン ４０部
メチルエチルケトン ２００部
【０１６８】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部
【０１６９】
【化６４】
ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０１７０】
［電荷輸送層用塗工液］
下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部
【０１７１】
【化６５】
塩化メチレン １００部
【０１７２】
以上のように作成した電子写真感光体を実装用にした後、繊維ブラシで感光体ドラムを擦り付け、放電生成物を摩擦帯電によりブラシに移動させて除去するように改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、３２℃、相対湿度８５％の環境で５万枚のランニングテストを行った。クリーナー（１７）には、綿布のソフトパッドを用い、１ｋｇ／ｃｍ ２ の圧力で感光体表面を擦った。
その際、１枚目及び５万枚目の画像を評価した。更に５万枚複写における感光体の膜厚減少量（摩耗量）を測定した。
【０１７３】
実施例２
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１７４】
【化６６】
【０１７５】
実施例３
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１７６】
【化６７】
【０１７７】
実施例４
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１７８】
【化６８】
【０１７９】
実施例５
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８０】
【化６９】
【０１８１】
実施例６
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８２】
【化７０】
【０１８３】
実施例７
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８４】
【化７１】
【０１８５】
実施例８
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８６】
【化７２】
【０１８７】
実施例９
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８８】
【化７３】
【０１８９】
実施例１０
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１９０】
【化７４】
【０１９１】
比較例１〜１０
実施例１〜１０と全く同様にして作成した電子写真感光体を実装用にした後、実施例１で使用した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、繊維ブラシが感光体表面を擦らないようクリーナーを作動させずに３２℃、相対湿度８５％の環境で５万枚のランニングテストを行った。その際、１枚目及び５万枚目の画像を評価した。更に５万枚複写における感光体の膜厚減少量（摩耗量）を測定した。
【０１９２】
比較例１１
実施例１における電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外は、全く同様に作製した。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
【０１９３】
【化７５】
塩化メチレン １００部
以上のように作成した比較例１１の電子写真感光体を実装用にした後、実施例１と同様にして複写テストを行った。これらの結果は表１にまとめて示される。
【０１９４】
【表１】
表１から明らかなように、クリーナーで感光体表面を拭き取ることにより、画像流れを防止できる。
【０１９５】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的に説明したように、本発明によれば、高分子型の電荷輸送材料を最表層に用いた感光体を搭載した電子写真装置における欠点である画像流れの発生を非常に簡易的な方法にて除去され、また、画像流れの主要因である放電生成物を布、綿等により拭き取り除去し長時間使用しても、さらに、高湿中でも、画像流れを防止できる。感光体には表面高度の高い高分子型の電荷輸送材料を用いるので、拭き取り時の圧力による感光体表面の損傷は少ない。本発明は上記の構成を有する結果、長時間にわたって安定した画像が得られる。さらにクリーナーを間欠的に、感光体に接触させるようにすれば、繊維屑の発生を防止し、かつクリーナーのへこみによる拭き取り効率の低下を防止できるという極めて優れた効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の電子写真装置に用いる電子写真感光体の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の電子写真装置に用いる電子写真感光体の別の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の電子写真装置に用いる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の電子写真装置に用いるクリーナーの側面図である。
【図６】本発明の電子写真装置に用いるクリーナーの別の側面図である。
【図７】本発明の電子写真装置に用いるクリーナーの更に別の側面図である。
【符号の説明】
１１ 感光体
１２ 帯電器
１３ 露光ビーム
１４ 現像器
１５ 転写器
１６ トナークリーナー
１７ クリーナー
１８ 空気シリンダー
１９ 空気圧ポンプ
２１ 導電性支持体
２３ 感光層
２５ 下引き層
３１ 電荷発生層
３３ 電荷輸送層
５１ 芯材
５２ 布
５３ 移動手段
６１ ローラ
６２ 布
６３ ローラ
６４ ローラ
６５ 移動手段
７１ ローラ
７２ 布
７３ 移動手段
１Ａ カウンター
１Ｂ 光除電ランプ
【発明の属する技術分野】
本発明は、複写機やプリンタ、ファクシミリ等の電子写真装置に関し、特に帯電手段等としてのコロナ放電により感光体上に生成する硝酸イオンやアンモニウムイオン等のイオンを除去し、画像流れを防止するようにした電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真方法としては、カールソンプロセスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複写機やプリンタなどに広く使用されている。このような電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性などをメリットとして、近年使用され始めている。
【０００３】
これらの電子写真感光体において、電荷輸送層に用いられる電荷輸送材料は、多くが低分子化合物として開発されているが、低分子化合物は単独では成膜性がないため、通常不活性高分子に分散・混合して用いられる。しかるに、低分子電荷輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすい。更にこの構成の電荷輸送層は、電荷移動度に限界があり、カールソンプロセスの高速化或いは小型化の障害となっていた。これは、低分子電荷輸送材料の含有量比に限りがあり、通常、低分子電荷輸送材料の含有量が５０重量％以下で使用されることに起因している。低分子電荷輸送材料の含有量を増すことで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に成膜性は劣化する。
【０００４】
一方、高分子型の電荷輸送材料は、例えば、特開昭５０−８２０５６号公報、特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１９０４９号公報及び特開平３−５０５５５号公報などに開示されている。これらの高分子型の電荷輸送材料は、電荷輸送層が高分子だけで構成されるため、高い機械的強度が期待される。また、成膜性を損なうことなく電荷輸送を担う官能基を高密度に含有することが可能であり、高速応答性が期待される。
【０００５】
電子写真プロセスでのコロナ放電、特に帯電器からのコロナ放電では、硝酸イオンやアンモニウムイオン等の放電生成物が発生する。これらのイオンは、例えば放電で生成したオゾンが空気中の窒素を酸化してＮＯｘを発生し、ＮＯｘが感光体上の吸着水と反応して硝酸イオンとなること等により発生する。硝酸イオン、アンモニウムイオン等が感光体の表面に吸着し、大気中の水分を吸湿すると、感光体の表面電気抵抗は低下し、感光体は、静電潜像を維持できなくなり、画像流れが発生する。この現象は、低分子電荷輸送材料を不活性高分子に分散・混合して用いられる感光体では、感光体表面の膜削れの方が顕著であることより顕在化していなかった。
【０００６】
しかしながら、高分子型の電荷輸送材料を用いた感光体は長寿命化にともない感光体表面に硝酸イオンやアンモニウムイオン等の放電生成物が蓄積し画像流れが発生してしまい、この点の改良が強く望まれていた。
【０００７】
画像流れの防止のため、特開昭５１−６５９４１号公報、特開昭５２−１２９４３４号公報、特開昭５３−３２７４４号公報等で開示の技術においては、ヒータにより感光体を加熱し、吸着水を蒸発させることを提案している。ヒータによる感光体の加熱は一般に用いられている手段であるが、この方法では感光体表面へのトナーの固着が生じるという問題がある。また、ヒータで感光体を加熱することは、電子写真装置の消費電力を著しく増加させ、更に冷間からの使用開始時の待ち時間を延長させることになる。
【０００８】
特開昭６１−１１２１５３号公報、特開昭６２−１１９５６７号公報、特開昭６３−６０４７７号公報においては、研磨剤により放電生成物イオンを除去することを提案している。しかしながら研磨剤を用いることは感光体表面を傷つけ、研磨剤をトナーに混合する場合には現像特性を低下させる。
【０００９】
特開平２−２９３８８４号公報、特開平２−２９３８８５号公報は、水や多価アルコール、或いはその誘導体を用いて、該感光体表面に付着した放電生成物を除去することを提案している。しかし乾式のプロセスに湿式のプロセスを持ち込むことは、乾式の利点を損ない、電子写真装置を複雑化し、好ましくない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記従来技術における問題点を解決し、感光体表面に吸着した硝酸イオン、アンモニウムイオン等の放電生成物を複雑な手段を用いることなく簡単に除去し、電子写真装置の画像流れを防止することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような課題は本発明に係る、導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体の周囲に、帯電手段と露光手段現像手段、転写手段、及び残留トナーのクリーナーを配置した電子写真装置であって、前記帯電手段とクリーナーとの間に前記感光体の表面を空拭きするように、帯電手段でのコロナ放電に伴う放電生成物イオンを除去するための、クリーナーを設け、感光体に接触させるようにしたことを特徴とする電子写真装置、により解決される。
【００１２】
また、前記課題は本発明に係る、前記帯電手段とトナークリーナーとの間に、感光体表面を空拭きするように、帯電手段でのコロナ放電に伴う放電生成物イオンを除去するためのクリーナーと、該クリーナーを感光体に接触する位置と感光体から離れた位置との間で移動させる機構とを設け、前記クリーナーを間欠的に感光体に接触させて空拭きするようにしたことを特徴とする電子写真装置、により解決される。
【００１３】
以下、図面を用いて本発明の電子写真装置を詳細に説明する。図１は、本発明における電子写真装置の１例を示す概略構成図である。（１１）は導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体で、（１２）は帯電手段（帯電器）、（１３）は露光手段としての露光ビーム、（１４）は現像手段としての現像機、（１５）は転写手段の１例としての転写チャージャー、（１６）はトナークリーナーである。（１７）は、放電生成物除去クリーナーで、（１８）は例えば空気圧シリンダー、（１９）は空気圧ポンプ、（１Ａ）はカウンターで、このカウンター（１Ａ）により、感光体（１１）の使用回数をカウントし、例えば１００枚〜５万枚毎にシリンダー（１８）を作動させて、所定の圧力で放電生成物除去クリーナー（１７）を感光体（１１）の表面に押しつける。空気圧シリンダー（１８）に替え、バネやモーター等の任意のクリーナー移動手段を用い得る。（１Ｂ）は光除電ランプである。
【００１４】
放電生成物除去クリーナー（１７）の形状や種類、材質は任意である。放電生成物除去クリーナーとしてはブレードクリーナー、繊維クリーナー等、公知のものを使用することができる。このクリーナーの形状としては、織布状や不織布状、フェルト状、筆状、パッド状、タオル地状、或るいは紙状等の任意のものを用いることができ、材質には、綿、麻、紙、脱脂綿等の植物性繊維、羊や兎、馬等の獣毛、或るいはナイロン、ポリエステル、アクリル等の合成樹脂繊維、放電生成物に対する吸着能を有する活性炭素繊維や活性炭等をそのまま或いは他の材料と混合して用いることができる。図５〜図７にこのクリーナーの変形例を示す。
【００１５】
図５の放電生成物除去クリーナーでは、プラスチックの芯材（５１）の周囲に繊維布（５２）を貼り付けクリーナーとする。芯材（５１）は移動手段（５３）により前方の感光体方向に、好ましくは間欠的に、移動させられ芯材（５１）周囲の繊維布（５２）を感光体（１１）の最表面に押しつける。図６の放電生成物除去クリーナーでは、ローラ（６１）、（６３）、（６４）を利用して、布（６２）を送る。ローラ（６４）は移動手段（６５）により間欠的に前方に移動させられ、布（６２）をその都度感光体（１１）の最表面に押しつける。図７の放電生成物除去クリーナーでは、ローラ（７１）の周囲に巻き付けた布（７２）を用いて、放電生成物イオンの拭き取りを行なう。（７３）はローラ（７１）の移動手段である。
【００１６】
このクリーナーは常時感光体表面に接触させてもよいが、繊維屑の発生や、クリーナーのへこみによる拭き取り能力の低下を防止するため、好ましくは間欠的に感光体表面に接触させる。拭き取りの頻度は、例えば複写１００枚毎に１回〜５万枚毎に１回とする。
【００１７】
次に、図面を用いて本発明で用いられる電子写真感光体を詳細に説明する。図２は、本発明において用いられる電子写真感光体の１構成例の断面図であり、導電性支持体（２１）上に、感光層（２３）が形成されたものである。
【００１８】
図３は、別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に、電荷発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光層（２３）が形成されたものである。図４は、更に別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層（２３）との間に下引き層（２５）が形成されたものである。
【００１９】
次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送物質について説明する。本発明に用いられる高分子電荷輸送物質としては、公知の高分子型の電荷輸送材料を用いることができる。
【００２０】
例えば、
（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメチルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有する特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシアリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させることにより得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合物等が例示される。
（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロルメチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成されるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合により生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチレン化合物等が例示される。
（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎープロピルメチルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ（ｎープロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９７号公報記載の−（Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２））−、又は
【００２１】
【化３０】
（ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び特開平１−１９０４９号公報記載の一般式
【００２２】
【化３１】
（ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−及び−（ＣＨ２）４−、Ｒ”は−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｙ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＯ−（Ｙは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｍｅ）２−等）、ｍは０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１−１７２８号公報記載の
Ｒ−［Ｏ−Ａ−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＲ）−ＣＨ２−Ｏ−Ｂ−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＲ）−ＣＨ２］ｍ−（ＲはＨ、−Ｍｅ、−Ｅｔ、ｍは４〜１０００、Ａは−Ａｒ−Ｎ（Ａｒ’）−［Ｚ］−［Ｎ（Ａｒ’）−Ａｒ］ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｍｅ）２−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公報記載の
【００２３】
【化３２】
【００２４】
【化３３】
（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインドロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
【００２５】
本発明に使用される電子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような、
【００２６】
【化３４】
【００２７】
また本発明における高分子電荷輸送物質として、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を用いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なものとなる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示す。
【００２８】
【化３５】
【００２９】
【化３６】
【００３０】
一般式１の具体例
Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００３１】
アルキル基として好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００３２】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ ４ は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては上記のＲ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ と同様のものが挙げられる。Ｒ ５ 、Ｒ ６ は置換若しくは無置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００３３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮 合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００３４】
上記のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ と同様のものが挙げられる。
【００３５】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １０５ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １０５ ）としては、Ｒ １０５ が上記（２）で定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００３６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００３７】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００３８】
【化３７】
１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチ レンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
【００３９】
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００４０】
【化３８】
【００４１】
【化３９】
【００４２】
【化４０】
【００４３】
一般式２の具体例
Ｒ ７ 、Ｒ ８ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は
【００４４】
【化４１】
【００４５】
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【化４５】
【００４９】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 及びＡｒ ３ で示されるアリレン基としてはＲ ７ 及びＲ ８ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ １０６ 、Ｒ １０７ 、Ｒ １０８ と同じ意味を有する。
【００５０】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ １８ さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００５１】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １０９ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １０９ ）としては、Ｒ １０９ が（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニ ル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００５２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【００５３】
【化４６】
【００５４】
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等。
【００５５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００５６】
【化４７】
【００５７】
【化４８】
【００５８】
一般式３の具体例
Ｒ ９ 、Ｒ １０ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００５９】
また、Ａｒ ４ 、Ａｒ ５ 及びＡｒ ６ で示されるアリレン基としてはＲ ９ 及びＲ １０ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６０】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１２ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１２ ）としては、Ｒ １１２ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００６１】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００６２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００６３】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００６４】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００６５】
【化４９】
【００６６】
【化５０】
【００６７】
一般式４の具体例
Ｒ １１ 、Ｒ １２ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００６８】
また、Ａｒ ７ 、Ａｒ ８ 及びＡｒ ９ で示されるアリレン基としてはＲ １１ 及びＲ １２ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６９】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１３ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１３ ）としては、Ｒ １１３ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７０】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジ ルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００７１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００７２】
【化５１】
【００７３】
【化５２】
【００７４】
一般式５の具体例
Ｒ １３ 、Ｒ １４ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００７５】
また、Ａｒ １０ 、Ａｒ １１ 及びＡｒ １２ で示されるアリレン基としてはＲ １３ 及びＲ １４ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。 上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有して もよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００７６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１４ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１４ ）としては、Ｒ １１４ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００７７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニル チオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００７９】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００８０】
前記Ｘ １ 、Ｘ ２ の構造部分は置換若しくは無置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ １３ 、Ｒ １４ のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げられる。
【００８１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８２】
【化５３】
【００８３】
【化５４】
式中、Ｒ １５ 、Ｒ １６ 、Ｒ １７ 、Ｒ １８ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ １３ 、Ａｒ １４ 、Ａｒ １５ 、Ａｒ １６ は同一又は異なるアリレン基、Ｙ １ 、Ｙ ２ 、Ｙ ３ は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００８５】
一般式６の具体例
Ｒ １５ 、Ｒ １６ 、Ｒ １７ 、Ｒ １８ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００８６】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８７】
また、Ａｒ １３ 、Ａｒ １４ 、Ａｒ １５ 及びＡｒ １６ で示されるアリレン基としてはＲ １５ 、Ｒ １６ 、Ｒ １７ 、及びＲ １８ で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【００８８】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００８９】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１５ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１５ ）としては、Ｒ １１５ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００９０】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００９１】
前記Ｙ １ 、Ｙ ２ 、Ｙ ３ の構造部分は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なっていてもよい。
【００９２】
このアルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
【００９３】
同シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【００９４】
同アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【００９５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００９６】
【化５５】
【００９７】
【化５６】
【００９８】
一般式７の具体例
Ｒ １９ 、Ｒ ２０ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００９９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１００】
また、Ｒ １９ 、Ｒ ２０ は環を形成する場合、９−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ １７ 、Ａｒ １８ 及びＡｒ １９ で示されるアリレン基としてはＲ １９ 及びＲ ２０ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１０１】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１０２】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１６ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１６ ）としては、Ｒ １１６ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１０３】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、 ６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１０４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１０５】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１０６】
【化５７】
【０１０７】
【化５８】
【０１０８】
一般式８の具体例
Ｒ ２１ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１０９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１１０】
また、Ａｒ ２０ 、Ａｒ ２１ 、Ａｒ ２２ 及びＡｒ ２３ で示されるアリレン基としてはＲ ２１ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても よい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
【０１１１】
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１１２】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１７ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１７ ）としては、Ｒ １１７ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１１３】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１１４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリ ールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１１５】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１１６】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１１７】
【化５９】
【０１１８】
【化６０】
【０１１９】
一般式９の具体例
Ｒ ２２ 、Ｒ ２３ 、Ｒ ２４ 、Ｒ ２５ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１２０】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２１】
また、Ａｒ ２４ 、Ａｒ ２５ 、Ａｒ ２６ 、Ａｒ ２７ 、及びＡｒ ２８ で示されるアリレン基としては、Ｒ ２２ 、Ｒ ２３ 、Ｒ ２４ 、及びＲ ２５ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１２２】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１２３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１８ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１８ ）としては、Ｒ １１８ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１２４】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４ −メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１２５】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１２６】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１２７】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２８】
【化６１】
【０１２９】
【化６２】
【０１３０】
一般式１０の具体例
Ｒ ２６ 、Ｒ ２７ は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１３１】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１３２】
また、Ａｒ ２９ 、Ａｒ ３０ 、及びＡｒ ３１ で示されるアリレン基としては、Ｒ ２６ 及びＲ ２７ で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１３３】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ １ 〜Ｃ １２ とりわけＣ １ 〜Ｃ ８ 、さらに好ましくはＣ １ 〜Ｃ ４ の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基若しくはＣ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１３４】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ １１９ ）。アルコキシ基（−ＯＲ １１９ ）としては、Ｒ １１９ が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ 基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１３５】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルコキシ基、Ｃ １ 〜Ｃ ４ のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１３６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１３７】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３８】
【化６３】
【０１３９】
導電性支持体（２１）としては、体積抵抗１０ １０ Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【０１４０】
本発明における感光層（２３）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型について述べる。
はじめに、電荷発生層（３１）について説明する。電荷発生層（３１）は、電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【０１４１】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属 フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４２】
電荷発生層（３１）に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加してもよい。
【０１４３】
電荷発生層（３１）に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
【０１４４】
電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、１，３，７−ト リニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４５】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐージエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４６】
電荷発生層（３１）を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
【０１４７】
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【０１４８】
次に、電荷輸送層（３３）について説明する。電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０ ５ Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０ −５ ｃｍ ２ ／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。
【０１４９】
電荷輸送層（３３）に併用できるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１５０】
電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層（３３）の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。また、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
【０１５１】
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシ リコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１５２】
次に、感光層（２３）が単層構成の場合について述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用いることができる。また、必要により可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【０１５３】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【０１５４】
さらに、本発明における感光体の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルーゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。この他に、本発明の下引き層にはＡｌ２Ｏ３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ ２ 、ＴｉＯ ２ 、ＩＴＯ、ＣｅＯ ２ 等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１５５】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。本発明に用いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げられる。
【０１５６】
モノフェノール系化合物
２，６−ジ−ｔーブチル−ｐークレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔーブチル−４−エチルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔーブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなど。
【０１５７】
ビスフェノール系化合物
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔーブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔーブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔーブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔーブチルフェノール）など。
【０１５８】
高分子フェノール系化合物
１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔーブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔーブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（ ３’，５’−ジ−ｔーブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔーブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、トコフェノール類など。
【０１５９】
パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔーブチル−ｐーフェニレンジアミンなど。
【０１６０】
ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔーオクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔーオクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１６１】
有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１６２】
有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１６３】
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品として容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは２〜３ ０重量部である。
【０１６４】
発明の作用
本発明では、導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された感光体の表面に、クリーナーを接触させ、硝酸イオンやアンモニウムイオン等の放電生成物イオンを拭き取る。ここでの拭き取りの機構は、理論により本発明を拘束するつもりはないが、クリーナーと感光体表面との摩擦による帯電で電界を発生させ、放電生成物をクリーナーに移動させるものと考えられる。また、クリーナーに用いる繊維は、極性の高い基を含んでおり、かつ親水性基を含み空気中の水分を吸湿しているため、感光体表面からクリーナーに容易に放電生成物イオンが移動するのである。本発明では、感光体が硬質で、長寿命の導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された感光体を用いる。この感光体は硬質で、感光体表面が高分子電荷輸送物質で構成されているため、硬度が高く、クリーナーで強い圧力で擦り付けても摩耗することが少ない。逆に硬度が低く低寿命の低分子電荷輸送材料を不活性高分子に分散・混合して用いられる感光体では、膜削れによる感光体の損傷の方が顕著であることにより、イオンの蓄積自体があまり問題とはならない。
【０１６５】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算出して１００±２０の範囲であった。
【０１６６】
実施例１
φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明の電子写真感光体を得た。
【０１６７】
［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂 ６部
（ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂 ４部
（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
酸化チタン ４０部
メチルエチルケトン ２００部
【０１６８】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部
【０１６９】
【化６４】
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０１７０】
［電荷輸送層用塗工液］
下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部
【０１７１】
【化６５】
【０１７２】
以上のように作成した電子写真感光体を実装用にした後、繊維ブラシで感光体ドラムを擦り付け、放電生成物を摩擦帯電によりブラシに移動させて除去するように改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、３２℃、相対湿度８５％の環境で５万枚のランニングテストを行った。クリーナー（１７）には、綿布のソフトパッドを用い、１ｋｇ／ｃｍ ２ の圧力で感光体表面を擦った。
その際、１枚目及び５万枚目の画像を評価した。更に５万枚複写における感光体の膜厚減少量（摩耗量）を測定した。
【０１７３】
実施例２
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１７４】
【化６６】
実施例３
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１７６】
【化６７】
実施例４
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１７８】
【化６８】
実施例５
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８０】
【化６９】
実施例６
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８２】
【化７０】
実施例７
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８４】
【化７１】
実施例８
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８６】
【化７２】
実施例９
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１８８】
【化７３】
実施例１０
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様に作製し、実施例１と同様にして複写テストを行った。
【０１９０】
【化７４】
比較例１〜１０
実施例１〜１０と全く同様にして作成した電子写真感光体を実装用にした後、実施例１で使用した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、繊維ブラシが感光体表面を擦らないようクリーナーを作動させずに３２℃、相対湿度８５％の環境で５万枚のランニングテストを行った。その際、１枚目及び５万枚目の画像を評価した。更に５万枚複写における感光体の膜厚減少量（摩耗量）を測定した。
【０１９２】
比較例１１
実施例１における電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外は、全く同様に作製した。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
【０１９３】
【化７５】
以上のように作成した比較例１１の電子写真感光体を実装用にした後、実施例１と同様にして複写テストを行った。これらの結果は表１にまとめて示される。
【０１９４】
【表１】
【０１９５】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的に説明したように、本発明によれば、高分子型の電荷輸送材料を最表層に用いた感光体を搭載した電子写真装置における欠点である画像流れの発生を非常に簡易的な方法にて除去され、また、画像流れの主要因である放電生成物を布、綿等により拭き取り除去し長時間使用しても、さらに、高湿中でも、画像流れを防止できる。感光体には表面高度の高い高分子型の電荷輸送材料を用いるので、拭き取り時の圧力による感光体表面の損傷は少ない。本発明は上記の構成を有する結果、長時間にわたって安定した画像が得られる。さらにクリーナーを間欠的に、感光体に接触させるようにすれば、繊維屑の発生を防止し、かつクリーナーのへこみによる拭き取り効率の低下を防止できるという極めて優れた効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の電子写真装置に用いる電子写真感光体の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の電子写真装置に用いる電子写真感光体の別の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の電子写真装置に用いる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の電子写真装置に用いるクリーナーの側面図である。
【図６】本発明の電子写真装置に用いるクリーナーの別の側面図である。
【図７】本発明の電子写真装置に用いるクリーナーの更に別の側面図である。
【符号の説明】
１１ 感光体
１２ 帯電器
１３ 露光ビーム
１４ 現像器
１５ 転写器
１６ トナークリーナー
１７ クリーナー
１８ 空気シリンダー
１９ 空気圧ポンプ
２１ 導電性支持体
２３ 感光層
２５ 下引き層
３１ 電荷発生層
３３ 電荷輸送層
５１ 芯材
５２ 布
５３ 移動手段
６１ ローラ
６２ 布
６３ ローラ
６４ ローラ
６５ 移動手段
７１ ローラ
７２ 布
７３ 移動手段
１Ａ カウンター
１Ｂ 光除電ランプ
Claims (10)
- 導電性支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体の周囲に、帯電手段と露光手段、現像手段、転写手段、及び残留トナーのクリーナーを配置した電子写真装置において、前記帯電手段とクリーナーとの間に、前記感光体表面を空拭きするように、帯電手段でのコロナ放電に伴う放電生成物イオンを除去するための第２のクリーナーと、該第２のクリーナーを感光体に接触する位置と感光体から離れた位置との間で移動させる機構とを設け、前記第２のクリーナーを間欠的に感光体に接触させて空拭きするようにした電子写真装置であって、電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式１で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式２で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式３で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式４で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式５で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式６で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式７で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式８で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式９で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
- 電子写真装置で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、上記一般式１に代わる下記一般式１０で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14651596A JP3565463B2 (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14651596A JP3565463B2 (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 電子写真装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09305083A JPH09305083A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3565463B2 true JP3565463B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=15409395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14651596A Expired - Fee Related JP3565463B2 (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3565463B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002258667A (ja) | 2000-12-28 | 2002-09-11 | Ricoh Co Ltd | 画像流れ物質除去方法、画像流れ物質除去装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| JP4678133B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-04-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置 |
| JP4760368B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-08-31 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置 |
| JP2007316135A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置及び残留現像剤回収方法 |
-
1996
- 1996-05-17 JP JP14651596A patent/JP3565463B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09305083A (ja) | 1997-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3565463B2 (ja) | 電子写真装置 | |
| JP3558146B2 (ja) | 電子写真画像形成装置 | |
| JP3852812B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3936774B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3594104B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP3558147B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP3736696B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP3709068B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP3859770B2 (ja) | 画像形成法 | |
| JP3643918B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP3900459B2 (ja) | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ | |
| JPH11344820A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH11344819A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH09319256A (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP2001235884A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH11305470A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH11258843A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP3736697B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP2001194815A (ja) | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ | |
| JPH11295911A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH09311492A (ja) | 画像形成法 | |
| JP2001296681A (ja) | 電子写真感光体、それを用いた電子写真方法、電子写真装置および電子写真装置用プロセスカートリッジ | |
| JPH09319118A (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP2001066810A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH09319116A (ja) | 電子写真プロセス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040311 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040506 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040603 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040604 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |