JP3736696B2 - 電子写真プロセス - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体及びそれを用いた電子写真プロセスに関し、より詳しくは長寿命電子写真感光体及びそれを用いた電子写真プロセスに関する。
本発明の電子写真感光体及びそれを用いた電子写真プロセスは、複写機、ファクシミリ、レーザープリンタ、ダイレクトデジタル製版機等に応用される。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真方法としては、カールソンプロセスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複写機やプリンタなどに広く使用されている。このような電子写真方法に用いられる像担持体（以下、感光体と記載する）の中でも、有機系の感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性などをメリットとして、近年使用され始めている。
【０００３】
有機系の電子写真感光体には、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型の感光体が注目されている。
【０００４】
この機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質は電荷単体を発生し、この電荷単体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外線部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られており、且つ有用である。
【０００５】
電荷輸送物質は多くが低分子化合物として開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用いられる。しかるに低分子電荷輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいという欠点がある。
【０００６】
本プロセスでは、感光体上に形成された可視画像を転写する被転写材としては、一般的には紙が多く用いられ、転写時に感光体と紙が擦り合うことにより、感光体表面が削られるという現象が発生している。紙は、表面の粗さや堅さなどが不均一である。また、紙を製造する工程で炭酸カルシウム等の無機充填材が添加されるが、これら添加剤の量や分散も不均一である。更に、これらは紙の種類によっても大きく異なるものである。このため、感光体表面が不均一に削られ、画像上にスジ等の異常画像が発生したり、地肌汚れが発生するという問題がある。
【０００７】
特に、近年においては、紙資源の保護という観点から、表面性の悪い低品質の紙や再生紙等も多く使用されたり、機械の性能の面でも、高速化、小型化が要求され、感光体表面にかかる負荷は一段と大きくなっている。
【０００８】
転写行程において、転写後定着前の転写紙の搬送性を安定化し、定着時のシワを防止する・感光体と転写紙に十分なニップを持たせ転写材全面に均一に転写する・オゾン発生を低減するなどの点で、特に転写ベルトを用いた転写方式が用いられている。
【０００９】
転写ベルトを用いた転写の場合、十分な転写性能を得るためにある程度広いニップ幅で感光体と常に接触させている。このために、感光体と紙との間に働く摩擦も当然ではあるが、感光体と転写ベルトとの間の摩擦による摩耗が発生する。更に、常時感光体と接触させるため、転写ベルトに含まれる不純物が感光体表面を汚染し、画像欠陥を引き起こす場合もある。
【００１０】
このような感光体表面の問題は、上述したとおり感光体表面を構成する電荷輸送層が、低分子量の電荷輸送物質と不活性高分子からなるためである。特に、低分子電荷輸送物質の含有量が５０重量％以上で使用されることに起因している。即ち低分子電荷輸送物質の含有量を増すことで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製膜性が劣化するためである。
【００１１】
これらの点を克服するために高分子型の電荷輸送物質が注目され、例えば特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示されている。
しかしながら、高分子電荷輸送物質からなる電荷輸送層と電荷発生層とを組み合わせた感光体の光感度は、上記の低分子電荷輸送物質を用いた場合に比べ著しく劣っており、この点の改良が強く望まれていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、繰り返し使用時においてもスジ等の異常画像や地肌汚れ等のない高品位画像を安定して提供できる電子写真プロセスを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、転写ベルトを用いた電子写真プロセスにおいて、繰り返し使用により発生するスジ等の異常画像は、転写ベルトと感光体とのニップ部において感光体と転写紙、感光体と転写ベルトとが擦れることによる感光体表面の不均一な摩耗が主要因であり、これら問題点は、本発明のごときプロセスにすることで改善できることを突き止め本発明を完成した。
【００１４】
すなわち、前記目的は、感光体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該感光体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該感光体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質を含有してなることを特徴とする電子写真プロセスにより達成される。
高分子電荷輸送物質としては、特にトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートがよい。
また、下記の一般式１〜１０で記載されるものがよい。
【００１５】
【化１３】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ5、Ｒ6は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００１６】
【化１４】
式中、Ｒ101、Ｒ102は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）または、
【００１７】
【化１５】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ103、Ｒ104は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ101とＲ102、Ｒ103とＲ104は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００１８】
【化１６】
式中、Ｒ7、Ｒ8は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００１９】
【化１７】
式中、Ｒ9、Ｒ10は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００２０】
【化１８】
式中、Ｒ11、Ｒ12は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００２１】
【化１９】
式中、Ｒ13、Ｒ14は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12は同一又は異なるアリレン基、Ｘ1、Ｘ2は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００２２】
【化２０】
式中、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、Ａｒ16は同一又は異なるアリレン基、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００２３】
【化２１】
式中、Ｒ19、Ｒ20は水素原子、置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ19とＲ20は環を形成していてもよい。Ａｒ17、Ａｒ18、Ａｒ19は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００２４】
【化２２】
式中、Ｒ21は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22、Ａｒ23は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００２５】
【化２３】
式中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、Ａｒ28は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００２６】
【化２４】
式中、Ｒ26、Ｒ27は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ29、Ａｒ30、Ａｒ31は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００２７】
次に、図面を用いて本発明の電子写真プロセスをさらに、詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は、本発明の電子写真プロセスを実行するための機構例を示す１概念図であり、この図において、帯電器（１）にて均一に帯電させられた感光体（１３）表面の画像部を像露光手段（２）により露光することにより静電潜像を形成した後、帯電したトナーを有する現像機（３）にて顕像化されたトナー画像を転写ベルト（６）上の転写紙（４）に転写する。
【００２８】
この転写ベルト（６）は、駆動ローラ（１０）と従動ローラ（５）とにより張架され、感光体（１３）と所定のニップ幅で接触されており、転写紙（４）の進行方向へと回転させられる。
【００２９】
転写時には、バイアス電源（８）からバイアスローラ（７）を介して転写ベルト（６）−感光体（１３）間に電流を流すことによりトナーが感光体（１３）より転写紙（４）へと転写され、感光体（１３）はその表面をクリーニング部材（１１）により清掃後、除電器（１２）により除電処理されて、次回のプロセスのために備えられる。
一方、本転写行程において転写ベルト裏面に付着したトナーや紙粉などの異物はクリーニング部材（９）にて取り除かれる。
トナー画像が転写された転写紙（４）は定着工程を経て最終印刷物として出力される。
【００３０】
図１に示す機構例による上記転写プロセスでは、バイアス電源（８）をバイアスローラ（７）を介して印加する方法を取っているが、コロナ帯電器を用いてもよい。しかし、オゾン発生量を低減できるという点で図１のようなバイアス印加方法が好ましい。
【００３１】
本プロセスに用いる転写ベルトとしては、クロロプレンゴム、ＥＰＤＭ、エピクロルヒドリンゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、シリコンゴム、フッ素ゴムなどのゴムやポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリケトンサルファイド、フッ素系樹脂などの樹脂が用いられる。
【００３２】
これら材料に、カーボンブラック、金属酸化物などの導電性粒子や導電性有機化合物、導電性高分子化合物などの抵抗調整材料を混合し、所望の抵抗値に調整する。
また、必要に応じて多層構成をとってもよい。
【００３３】
図２は、本発明において用いられる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体（２１）上に感光層（２３）が形成されたものである。
図３は、別の同電子写真感光体を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に電荷発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光層（２３）が形成されたものである。
図４は、さらに別の同電子写真感光体を示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層（２３）の電荷発生層（３１）との間に下引き層（２５）が形成されたものである。
【００３４】
次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送物質について述べる。
本発明に用いられる高分子電荷輸送物質としては、公知の高分子電荷輸送材料を用いることができる。
【００３５】
例えば、
（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメチルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有する特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシアリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させることにより得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合物等が例示される。
（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロルメチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成されるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合により生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチレン化合物等が例示される。
（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９７号公報記載の
−(Ｓｉ(R1)(R2)）−、又は
【００３６】
【化２５】
の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（R1、R2、R3、R4はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基等）の化合物等が例示される。
（ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び特開平１−１９０４９号公報記載の一般式
【００３７】
【化２６】
を有するアリールアミン樹脂化合物
（ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ2−、−(ＣＨ2)2−、−(ＣＨ2)3−及び−(ＣＨ2)4−、Ｒ”は−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ6Ｈ4−Ｙ−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−ＣＯ−（Ｙは−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)2−等）、ｍは０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１−１７２８号公報記載の
R-[O-A-O-CH2-CH(OR)-CH2-O-Ｂ-O-CH2-CH(OR)-CH2]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)2−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公報記載の
【００３８】
【化２７】
（ｎ1は１〜１０、ｎ2は０〜４、ｎ3は０〜５、ｍは０〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、構造単位
【００３９】
【化２８】
（Ｒ1、Ｒ2はアルキル、アリール、アラルキル、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は２価の芳香族残基、ｌは０以上の整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜６の整数）を有する化合物等が例示される。
（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインドロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
【００４０】
本発明に使用される電子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような、
【００４１】
【化２９】
電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能である。
【００４２】
また本発明における高分子電荷輸送物質として、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を用いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なものとなる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示す。
【００４３】
【化３０】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ5、Ｒ6は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００４４】
【化３１】
式中、Ｒ101、Ｒ102は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）又は、
【００４５】
【化３２】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ103、Ｒ104は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ101とＲ102、Ｒ103とＲ104は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００４６】
一般式１の具体例
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロ ゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００４７】
アルキル基として好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００４８】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ4は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
Ｒ5、Ｒ6は置換若しくは無置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００４９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００５０】
上記のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
【００５１】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ105）。アルコキシ基（−ＯＲ105）としては、Ｒ105が上記（２）で定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００５２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００５３】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００５４】
【化３３】
一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。
１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
【００５５】
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００５６】
【化３４】
式中、Ｒ7、Ｒ8は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００５７】
一般式２の具体例
Ｒ7、Ｒ8は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は
【００５８】
【化３５】
（ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）
【００５９】
【化３６】
【００６０】
【化３７】
【００６１】
【化３８】
【００６２】
【化３９】
を表わす。
【００６３】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3で示されるアリレン基としてはＲ7及びＲ8で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ106、Ｒ107、Ｒ108と同じ意味を有する。
【００６４】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ18さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６５】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ109）。アルコキシ基（−ＯＲ109）としては、Ｒ109が（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００６６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【００６７】
【化４０】
式中、Ｒ110及びＲ111は各々独立に前記（２）で定義したアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐートリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
【００６８】
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等。
【００６９】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００７０】
【化４１】
一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じものが挙げられる。
【００７１】
【化４２】
式中、Ｒ9、Ｒ10は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００７２】
一般式３の具体例
Ｒ9、Ｒ10は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００７３】
また、Ａｒ4、Ａｒ5及びＡｒ6で示されるアリレン基としてはＲ9及びＲ10で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００７４】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ112）。アルコキシ基（−ＯＲ112）としては、Ｒ112が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００７５】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００７７】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００７８】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００７９】
【化４３】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００８０】
【化４４】
式中、Ｒ11、Ｒ12は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００８１】
一般式４の具体例
Ｒ11、Ｒ12は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８２】
また、Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9で示されるアリレン基としてはＲ11及びＲ12で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００８３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ113）。アルコキシ基（−ＯＲ113）としては、Ｒ113が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００８４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００８５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８６】
【化４５】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００８７】
【化４６】
式中、Ｒ13、Ｒ14は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12は同一又は異なるアリレン基、Ｘ1、Ｘ2は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００８８】
一般式５の具体例
Ｒ13、Ｒ14は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８９】
また、Ａｒ10、Ａｒ11及びＡｒ12で示されるアリレン基としてはＲ13及びＲ14で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００９０】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ114）。アルコキシ基（−ＯＲ114）としては、Ｒ114が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００９１】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００９２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００９３】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００９４】
前記Ｘ1、Ｘ2の構造部分は置換若しくは無置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ13、Ｒ14のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げられる。
【００９５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００９６】
【化４７】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００９７】
【化４８】
【００９８】
式中、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、Ａｒ16は同一又は異なるアリレン基、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００９９】
一般式６の具体例
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１００】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１０１】
また、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15及びＡｒ16で示されるアリレン基としてはＲ15、Ｒ16、Ｒ17、及びＲ18で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１０２】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１０３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ115）。アルコキシ基（−ＯＲ115）としては、Ｒ115が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１０４】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１０５】
前記Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3の構造部分は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なっていてもよい。
【０１０６】
このアルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
【０１０７】
同シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【０１０８】
同アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【０１０９】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１１０】
【化４９】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１１１】
【化５０】
式中、Ｒ19、Ｒ20は水素原子、置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ19とＲ20は環を形成していてもよい。Ａｒ17、Ａｒ18、Ａｒ19は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１１２】
一般式７の具体例
Ｒ19、Ｒ20は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１１３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１１４】
また、Ｒ19、Ｒ20は環を形成する場合、９−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが挙げられる。
また、Ａｒ17、Ａｒ18及びＡｒ19で示されるアリレン基としてはＲ19及びＲ20で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１１５】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１１６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ116）。アルコキシ基（−ＯＲ116）としては、Ｒ116が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１１７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１１８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１１９】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２０】
【化５１】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１２１】
【化５２】
式中、Ｒ21は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22、Ａｒ23は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１２２】
一般式８の具体例
Ｒ21は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１２３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２４】
また、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22及びＡｒ23で示されるアリレン基としてはＲ21で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
【０１２５】
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１２６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ117）。アルコキシ基（−ＯＲ117）としては、Ｒ117が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１２７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１２８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１２９】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１３０】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３１】
【化５３】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１３２】
【化５４】
式中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、Ａｒ28は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１３３】
一般式９の具体例
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１３４】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１３５】
また、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、及びＡｒ28で示されるアリレン基としては、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１３６】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１３７】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ118）。アルコキシ基（−ＯＲ118）としては、Ｒ118が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１３８】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１３９】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１４０】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１４１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１４２】
【化５５】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１４３】
【化５６】
式中、Ｒ26、Ｒ27は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ29、Ａｒ30、Ａｒ31は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１４４】
一般式１０の具体例
Ｒ26、Ｒ27は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１４５】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１４６】
また、Ａｒ29、Ａｒ30、及びＡｒ31で示されるアリレン基としては、Ｒ26及びＲ27で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１４７】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１４８】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ119）。アルコキシ基（−ＯＲ119）としては、Ｒ119が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１４９】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１５０】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１５１】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１５２】
【化５７】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１５３】
導電性支持体（２１）としては、体積抵抗１０10Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【０１５４】
本発明における感光層（２３）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型について述べる。
はじめに、電荷発生層（３１）について説明する。電荷発生層（３１）は、電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【０１５５】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１５６】
電荷発生層（３１）に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加してもよい。
【０１５７】
電荷発生層（３１）に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
【０１５８】
電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１５９】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１６０】
電荷発生層（３１）を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
【０１６１】
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【０１６２】
次に、電荷輸送層（３３）について説明する。
電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０5Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。
【０１６３】
電荷輸送層（３３）に併用できるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１６４】
電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層（３３）の膜厚は、２０μｍ以下が適当であり、好ましくは１５μｍ以下である。この理由としては、先述のように静電潜像の解像性（原稿の再現性）の改良があげられ、２０μｍ以上の膜厚では解像性が低下することによる。解像度に関しては、膜厚が薄い方が良好な結果が得られるが、感光層の摩耗は静電疲労特性にも影響を及ぼすため、あらかじめ設定できる膜厚の下限値を調べることにより、上記範囲のうちで任意に設定できる。
また、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
【０１６５】
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１６６】
次に、感光層（２３）が単層構成の場合について述べる。
キャスティング法で単層感光層を設ける場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用いることができる。
また、必要により可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【０１６７】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【０１６８】
さらに、本発明における感光体の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。
この他に、本発明の下引き層にはＡｌ2Ｏ3を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、ＣｅＯ2等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１６９】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
本発明に用いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げられる。
【０１７０】
モノフェノール系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなど。
【０１７１】
ビスフェノール系化合物
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）など。
【０１７２】
高分子フェノール系化合物
１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、トコフェノール類など。
【０１７３】
パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１７４】
ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１７５】
有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１７６】
有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１７７】
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品として容易に入手できる。
本発明における酸化防止剤の添加量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは２〜３０重量部である。
【０１７８】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算出して１００±２０の範囲であった。
【０１７９】
参考例１
φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。
【０１８０】
［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂 ６部
（ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂 ４部
（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
酸化チタン ４０部
メチルエチルケトン ２００部
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部
【０１８１】
【化５８】
ポリビニルブチラール（ＵＣＣ：ＸＹＨＬ） ０．２５部
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
［電荷輸送層用塗工液］
下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部
【０１８２】
【化５９】
塩化メチレン １００部
【０１８３】
実施例１
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１８４】
【化６０】
【０１８５】
実施例２
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１８６】
【化６１】
【０１８７】
参考例２
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１８８】
【化６２】
【０１８９】
参考例３
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９０】
【化６３】
【０１９１】
実施例３
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９２】
【化６４】
【０１９３】
実施例４
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９４】
【化６５】
【０１９５】
実施例５
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９６】
【化６６】
【０１９７】
実施例６
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９８】
【化６７】
【０１９９】
参考例４
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０２００】
【化６８】
【０２０１】
比較例１
参考例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は、参考例１と全く同様にして本発明で使用する電子写真感光体を作成した。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
【０２０２】
【化６９】
塩化メチレン １００部
【０２０３】
以上のように作製した実施例１〜６、参考例１〜４及び比較例１の電子写真感光体を図１のごとき装置に装着し、５万枚のランニングテストを行なった。
ここで、図１における転写ベルト（６）としては、以下の構造のものを用いた。
クロロプレンゴムにカーボンブラックを混練し、加硫後研磨し、厚さ１．０ｍｍ、体積抵抗値２×１０８Ω・ｃｍのゴムベルトを得た。このゴムベルトに、厚さ５μｍのフッ素樹脂コート層を形成し、転写ベルトとした。
【０２０４】
このとき、実施例１〜６、参考例１〜４の各感光体を用いた場合には、すべての場合で５万枚ランニングにおいても初期と変わらぬ安定した高品位な画像であった。
一方、比較例１の感光体を用いた場合には、何ケ所かに黒スジ状の異常画像が発生し、かつ地汚れも多く発生した悪質な画像であった。
【０２０５】
【発明の効果】
以上、詳細且つ具体的に説明したように、本発明の電子写真プロセスは、像担持体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該像担持体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質を含有してなることを特徴とする電子写真プロセスとすることにより、繰り返し使用においてもスジ等の異常画像や地肌汚れ等のない高品位な画像を提供できる優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真プロセスを実行するための機構例を示す１模式図である。
【図２】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の別の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 帯電器
２ 露光手段
３ 現像機
４ 転写紙
５ 転写ベルト従動ローラ
６ 転写ベルト
７ バイアスローラ
８ バイアス電源
９ クリーニング部材
１０ 転写ベルト駆動ローラ
１１ クリーニング部材
１２ 除電器
１３ 感光体
２１ 導電性支持体
２３ 感光層
２５ 下引き層
３１ 電荷発生層
３３ 電荷輸送層
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体及びそれを用いた電子写真プロセスに関し、より詳しくは長寿命電子写真感光体及びそれを用いた電子写真プロセスに関する。
本発明の電子写真感光体及びそれを用いた電子写真プロセスは、複写機、ファクシミリ、レーザープリンタ、ダイレクトデジタル製版機等に応用される。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真方法としては、カールソンプロセスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複写機やプリンタなどに広く使用されている。このような電子写真方法に用いられる像担持体（以下、感光体と記載する）の中でも、有機系の感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性などをメリットとして、近年使用され始めている。
【０００３】
有機系の電子写真感光体には、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型の感光体が注目されている。
【０００４】
この機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質は電荷単体を発生し、この電荷単体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外線部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られており、且つ有用である。
【０００５】
電荷輸送物質は多くが低分子化合物として開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用いられる。しかるに低分子電荷輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいという欠点がある。
【０００６】
本プロセスでは、感光体上に形成された可視画像を転写する被転写材としては、一般的には紙が多く用いられ、転写時に感光体と紙が擦り合うことにより、感光体表面が削られるという現象が発生している。紙は、表面の粗さや堅さなどが不均一である。また、紙を製造する工程で炭酸カルシウム等の無機充填材が添加されるが、これら添加剤の量や分散も不均一である。更に、これらは紙の種類によっても大きく異なるものである。このため、感光体表面が不均一に削られ、画像上にスジ等の異常画像が発生したり、地肌汚れが発生するという問題がある。
【０００７】
特に、近年においては、紙資源の保護という観点から、表面性の悪い低品質の紙や再生紙等も多く使用されたり、機械の性能の面でも、高速化、小型化が要求され、感光体表面にかかる負荷は一段と大きくなっている。
【０００８】
転写行程において、転写後定着前の転写紙の搬送性を安定化し、定着時のシワを防止する・感光体と転写紙に十分なニップを持たせ転写材全面に均一に転写する・オゾン発生を低減するなどの点で、特に転写ベルトを用いた転写方式が用いられている。
【０００９】
転写ベルトを用いた転写の場合、十分な転写性能を得るためにある程度広いニップ幅で感光体と常に接触させている。このために、感光体と紙との間に働く摩擦も当然ではあるが、感光体と転写ベルトとの間の摩擦による摩耗が発生する。更に、常時感光体と接触させるため、転写ベルトに含まれる不純物が感光体表面を汚染し、画像欠陥を引き起こす場合もある。
【００１０】
このような感光体表面の問題は、上述したとおり感光体表面を構成する電荷輸送層が、低分子量の電荷輸送物質と不活性高分子からなるためである。特に、低分子電荷輸送物質の含有量が５０重量％以上で使用されることに起因している。即ち低分子電荷輸送物質の含有量を増すことで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製膜性が劣化するためである。
【００１１】
これらの点を克服するために高分子型の電荷輸送物質が注目され、例えば特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示されている。
しかしながら、高分子電荷輸送物質からなる電荷輸送層と電荷発生層とを組み合わせた感光体の光感度は、上記の低分子電荷輸送物質を用いた場合に比べ著しく劣っており、この点の改良が強く望まれていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、繰り返し使用時においてもスジ等の異常画像や地肌汚れ等のない高品位画像を安定して提供できる電子写真プロセスを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、転写ベルトを用いた電子写真プロセスにおいて、繰り返し使用により発生するスジ等の異常画像は、転写ベルトと感光体とのニップ部において感光体と転写紙、感光体と転写ベルトとが擦れることによる感光体表面の不均一な摩耗が主要因であり、これら問題点は、本発明のごときプロセスにすることで改善できることを突き止め本発明を完成した。
【００１４】
すなわち、前記目的は、感光体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該感光体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該感光体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質を含有してなることを特徴とする電子写真プロセスにより達成される。
高分子電荷輸送物質としては、特にトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートがよい。
また、下記の一般式１〜１０で記載されるものがよい。
【００１５】
【化１３】
【００１６】
【化１４】
【００１７】
【化１５】
【００１８】
【化１６】
【００１９】
【化１７】
【００２０】
【化１８】
【００２１】
【化１９】
【００２２】
【化２０】
【００２３】
【化２１】
【００２４】
【化２２】
【００２５】
【化２３】
【００２６】
【化２４】
【００２７】
次に、図面を用いて本発明の電子写真プロセスをさらに、詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は、本発明の電子写真プロセスを実行するための機構例を示す１概念図であり、この図において、帯電器（１）にて均一に帯電させられた感光体（１３）表面の画像部を像露光手段（２）により露光することにより静電潜像を形成した後、帯電したトナーを有する現像機（３）にて顕像化されたトナー画像を転写ベルト（６）上の転写紙（４）に転写する。
【００２８】
この転写ベルト（６）は、駆動ローラ（１０）と従動ローラ（５）とにより張架され、感光体（１３）と所定のニップ幅で接触されており、転写紙（４）の進行方向へと回転させられる。
【００２９】
転写時には、バイアス電源（８）からバイアスローラ（７）を介して転写ベルト（６）−感光体（１３）間に電流を流すことによりトナーが感光体（１３）より転写紙（４）へと転写され、感光体（１３）はその表面をクリーニング部材（１１）により清掃後、除電器（１２）により除電処理されて、次回のプロセスのために備えられる。
一方、本転写行程において転写ベルト裏面に付着したトナーや紙粉などの異物はクリーニング部材（９）にて取り除かれる。
トナー画像が転写された転写紙（４）は定着工程を経て最終印刷物として出力される。
【００３０】
図１に示す機構例による上記転写プロセスでは、バイアス電源（８）をバイアスローラ（７）を介して印加する方法を取っているが、コロナ帯電器を用いてもよい。しかし、オゾン発生量を低減できるという点で図１のようなバイアス印加方法が好ましい。
【００３１】
本プロセスに用いる転写ベルトとしては、クロロプレンゴム、ＥＰＤＭ、エピクロルヒドリンゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、シリコンゴム、フッ素ゴムなどのゴムやポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリケトンサルファイド、フッ素系樹脂などの樹脂が用いられる。
【００３２】
これら材料に、カーボンブラック、金属酸化物などの導電性粒子や導電性有機化合物、導電性高分子化合物などの抵抗調整材料を混合し、所望の抵抗値に調整する。
また、必要に応じて多層構成をとってもよい。
【００３３】
図２は、本発明において用いられる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体（２１）上に感光層（２３）が形成されたものである。
図３は、別の同電子写真感光体を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に電荷発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光層（２３）が形成されたものである。
図４は、さらに別の同電子写真感光体を示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層（２３）の電荷発生層（３１）との間に下引き層（２５）が形成されたものである。
【００３４】
次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送物質について述べる。
本発明に用いられる高分子電荷輸送物質としては、公知の高分子電荷輸送材料を用いることができる。
【００３５】
例えば、
（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメチルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有する特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシアリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させることにより得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合物等が例示される。
（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロルメチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成されるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合により生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチレン化合物等が例示される。
（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９７号公報記載の
−(Ｓｉ(R1)(R2)）−、又は
【００３６】
【化２５】
（ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び特開平１−１９０４９号公報記載の一般式
【００３７】
【化２６】
（ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ2−、−(ＣＨ2)2−、−(ＣＨ2)3−及び−(ＣＨ2)4−、Ｒ”は−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ6Ｈ4−Ｙ−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−ＣＯ−（Ｙは−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)2−等）、ｍは０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１−１７２８号公報記載の
R-[O-A-O-CH2-CH(OR)-CH2-O-Ｂ-O-CH2-CH(OR)-CH2]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)2−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公報記載の
【００３８】
【化２７】
【００３９】
【化２８】
（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインドロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
【００４０】
本発明に使用される電子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような、
【００４１】
【化２９】
【００４２】
また本発明における高分子電荷輸送物質として、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を用いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なものとなる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示す。
【００４３】
【化３０】
【００４４】
【化３１】
【００４５】
【化３２】
【００４６】
一般式１の具体例
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロ ゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００４７】
アルキル基として好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００４８】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ4は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
Ｒ5、Ｒ6は置換若しくは無置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００４９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００５０】
上記のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
【００５１】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ105）。アルコキシ基（−ＯＲ105）としては、Ｒ105が上記（２）で定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００５２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００５３】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００５４】
【化３３】
１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
【００５５】
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００５６】
【化３４】
【００５７】
一般式２の具体例
Ｒ7、Ｒ8は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は
【００５８】
【化３５】
【００５９】
【化３６】
【化３７】
【化３８】
【化３９】
【００６３】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3で示されるアリレン基としてはＲ7及びＲ8で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ106、Ｒ107、Ｒ108と同じ意味を有する。
【００６４】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ18さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６５】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ109）。アルコキシ基（−ＯＲ109）としては、Ｒ109が（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００６６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【００６７】
【化４０】
【００６８】
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等。
【００６９】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００７０】
【化４１】
【００７１】
【化４２】
【００７２】
一般式３の具体例
Ｒ9、Ｒ10は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００７３】
また、Ａｒ4、Ａｒ5及びＡｒ6で示されるアリレン基としてはＲ9及びＲ10で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００７４】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ112）。アルコキシ基（−ＯＲ112）としては、Ｒ112が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００７５】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００７７】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００７８】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００７９】
【化４３】
【００８０】
【化４４】
【００８１】
一般式４の具体例
Ｒ11、Ｒ12は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８２】
また、Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9で示されるアリレン基としてはＲ11及びＲ12で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００８３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ113）。アルコキシ基（−ＯＲ113）としては、Ｒ113が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００８４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００８５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８６】
【化４５】
【００８７】
【化４６】
【００８８】
一般式５の具体例
Ｒ13、Ｒ14は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８９】
また、Ａｒ10、Ａｒ11及びＡｒ12で示されるアリレン基としてはＲ13及びＲ14で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００９０】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ114）。アルコキシ基（−ＯＲ114）としては、Ｒ114が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００９１】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００９２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００９３】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００９４】
前記Ｘ1、Ｘ2の構造部分は置換若しくは無置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ13、Ｒ14のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げられる。
【００９５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００９６】
【化４７】
【００９７】
【化４８】
式中、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、Ａｒ16は同一又は異なるアリレン基、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００９９】
一般式６の具体例
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１００】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１０１】
また、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15及びＡｒ16で示されるアリレン基としてはＲ15、Ｒ16、Ｒ17、及びＲ18で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１０２】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１０３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ115）。アルコキシ基（−ＯＲ115）としては、Ｒ115が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１０４】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１０５】
前記Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3の構造部分は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なっていてもよい。
【０１０６】
このアルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
【０１０７】
同シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【０１０８】
同アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【０１０９】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１１０】
【化４９】
【０１１１】
【化５０】
【０１１２】
一般式７の具体例
Ｒ19、Ｒ20は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１１３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１１４】
また、Ｒ19、Ｒ20は環を形成する場合、９−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが挙げられる。
また、Ａｒ17、Ａｒ18及びＡｒ19で示されるアリレン基としてはＲ19及びＲ20で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１１５】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１１６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ116）。アルコキシ基（−ＯＲ116）としては、Ｒ116が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１１７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１１８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１１９】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２０】
【化５１】
【０１２１】
【化５２】
【０１２２】
一般式８の具体例
Ｒ21は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１２３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２４】
また、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22及びＡｒ23で示されるアリレン基としてはＲ21で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
【０１２５】
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１２６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ117）。アルコキシ基（−ＯＲ117）としては、Ｒ117が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１２７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１２８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１２９】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１３０】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３１】
【化５３】
【０１３２】
【化５４】
【０１３３】
一般式９の具体例
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１３４】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１３５】
また、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、及びＡｒ28で示されるアリレン基としては、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１３６】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１３７】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ118）。アルコキシ基（−ＯＲ118）としては、Ｒ118が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１３８】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１３９】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１４０】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１４１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１４２】
【化５５】
【０１４３】
【化５６】
【０１４４】
一般式１０の具体例
Ｒ26、Ｒ27は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１４５】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１４６】
また、Ａｒ29、Ａｒ30、及びＡｒ31で示されるアリレン基としては、Ｒ26及びＲ27で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１４７】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１４８】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ119）。アルコキシ基（−ＯＲ119）としては、Ｒ119が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１４９】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１５０】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１５１】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１５２】
【化５７】
【０１５３】
導電性支持体（２１）としては、体積抵抗１０10Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【０１５４】
本発明における感光層（２３）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型について述べる。
はじめに、電荷発生層（３１）について説明する。電荷発生層（３１）は、電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【０１５５】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１５６】
電荷発生層（３１）に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加してもよい。
【０１５７】
電荷発生層（３１）に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
【０１５８】
電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１５９】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１６０】
電荷発生層（３１）を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
【０１６１】
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【０１６２】
次に、電荷輸送層（３３）について説明する。
電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０5Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。
【０１６３】
電荷輸送層（３３）に併用できるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１６４】
電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層（３３）の膜厚は、２０μｍ以下が適当であり、好ましくは１５μｍ以下である。この理由としては、先述のように静電潜像の解像性（原稿の再現性）の改良があげられ、２０μｍ以上の膜厚では解像性が低下することによる。解像度に関しては、膜厚が薄い方が良好な結果が得られるが、感光層の摩耗は静電疲労特性にも影響を及ぼすため、あらかじめ設定できる膜厚の下限値を調べることにより、上記範囲のうちで任意に設定できる。
また、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
【０１６５】
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１６６】
次に、感光層（２３）が単層構成の場合について述べる。
キャスティング法で単層感光層を設ける場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用いることができる。
また、必要により可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【０１６７】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【０１６８】
さらに、本発明における感光体の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。
この他に、本発明の下引き層にはＡｌ2Ｏ3を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、ＣｅＯ2等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１６９】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
本発明に用いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げられる。
【０１７０】
モノフェノール系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなど。
【０１７１】
ビスフェノール系化合物
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）など。
【０１７２】
高分子フェノール系化合物
１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、トコフェノール類など。
【０１７３】
パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１７４】
ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１７５】
有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１７６】
有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１７７】
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品として容易に入手できる。
本発明における酸化防止剤の添加量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは２〜３０重量部である。
【０１７８】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算出して１００±２０の範囲であった。
【０１７９】
参考例１
φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。
【０１８０】
［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂 ６部
（ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂 ４部
（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
酸化チタン ４０部
メチルエチルケトン ２００部
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部
【０１８１】
【化５８】
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
［電荷輸送層用塗工液］
下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部
【０１８２】
【化５９】
【０１８３】
実施例１
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１８４】
【化６０】
実施例２
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１８６】
【化６１】
参考例２
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１８８】
【化６２】
参考例３
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９０】
【化６３】
実施例３
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９２】
【化６４】
実施例４
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９４】
【化６５】
実施例５
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９６】
【化６６】
実施例６
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０１９８】
【化６７】
参考例４
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【０２００】
【化６８】
比較例１
参考例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は、参考例１と全く同様にして本発明で使用する電子写真感光体を作成した。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
【０２０２】
【化６９】
【０２０３】
以上のように作製した実施例１〜６、参考例１〜４及び比較例１の電子写真感光体を図１のごとき装置に装着し、５万枚のランニングテストを行なった。
ここで、図１における転写ベルト（６）としては、以下の構造のものを用いた。
クロロプレンゴムにカーボンブラックを混練し、加硫後研磨し、厚さ１．０ｍｍ、体積抵抗値２×１０８Ω・ｃｍのゴムベルトを得た。このゴムベルトに、厚さ５μｍのフッ素樹脂コート層を形成し、転写ベルトとした。
【０２０４】
このとき、実施例１〜６、参考例１〜４の各感光体を用いた場合には、すべての場合で５万枚ランニングにおいても初期と変わらぬ安定した高品位な画像であった。
一方、比較例１の感光体を用いた場合には、何ケ所かに黒スジ状の異常画像が発生し、かつ地汚れも多く発生した悪質な画像であった。
【０２０５】
【発明の効果】
以上、詳細且つ具体的に説明したように、本発明の電子写真プロセスは、像担持体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該像担持体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質を含有してなることを特徴とする電子写真プロセスとすることにより、繰り返し使用においてもスジ等の異常画像や地肌汚れ等のない高品位な画像を提供できる優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真プロセスを実行するための機構例を示す１模式図である。
【図２】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の別の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 帯電器
２ 露光手段
３ 現像機
４ 転写紙
５ 転写ベルト従動ローラ
６ 転写ベルト
７ バイアスローラ
８ バイアス電源
９ クリーニング部材
１０ 転写ベルト駆動ローラ
１１ クリーニング部材
１２ 除電器
１３ 感光体
２１ 導電性支持体
２３ 感光層
２５ 下引き層
３１ 電荷発生層
３３ 電荷輸送層
Claims (6)
- 像担持体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該感光体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有されたものであって、該高分子電荷輸送物質が、下記一般式２で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする電子写真プロセス。
- 像担持体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該感光体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有されたものであって、該高分子電荷輸送物質が、下記一般式３で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする電子写真プロセス。
- 像担持体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該感光体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有されたものであって、該高分子電荷輸送物質が、下記一般式６で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする電子写真プロセス。
- 像担持体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該感光体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有されたものであって、該高分子電荷輸送物質が、下記一般式７で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする電子写真プロセス。
- 像担持体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該感光体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有されたものであって、該高分子電荷輸送物質が、下記一般式８で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする電子写真プロセス。
- 像担持体に静電潜像を形成し、これをトナーにより現像して顕像化した可視画像を、被転写材を介して該感光体と対向して配置されている転写ベルトにより、被転写材に転写する電子写真プロセスにおいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有されたものであって、該高分子電荷輸送物質が、下記一般式９で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする電子写真プロセス。
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