JP3847376B2 - 電子写真画像形成方法 - Google Patents
電子写真画像形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3847376B2 JP3847376B2 JP15338296A JP15338296A JP3847376B2 JP 3847376 B2 JP3847376 B2 JP 3847376B2 JP 15338296 A JP15338296 A JP 15338296A JP 15338296 A JP15338296 A JP 15338296A JP 3847376 B2 JP3847376 B2 JP 3847376B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- photosensitive member
- image forming
- substituted
- electrophotographic photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electrophotography Configuration And Component (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複写機やプリンタ、ファクシミリ等の電子写真プロセスに関し、特に電子写真感光体を画像形成装置内若しくは画像形成装置外で加熱処理することにより、不良画像の発生を防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにした電子写真プロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真方法としては、カールソンプロセスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複写機やプリンタなどに広く使用されている。この様な電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性などをメリットとして、近年使用され始めている。
有機系の電子写真感光体には、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電荷発生材料と電荷輸送材料とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型の感光体が注目されている。
【０００３】
この機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生材料により吸収され、光を吸収した電荷発生材料は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送材料と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生材料とを組み合わせて用いることが知られており、かつ有用である。
【０００４】
電荷輸送材料は多くが低分子化合物として開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用いられる。しかるに低分子電荷輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいという欠点がある。
さらにこの構成の電荷輸送層は電荷移動度に限界があり、カールソンプロセスの高速化或いは小型化の障害となっていた。これは通常低分子電荷輸送材料の含有量が５０重量％以下で使用されることに起因している。即ち低分子電荷輸送材料の含有量を増すことで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製膜性が劣化するためである。
【０００５】
この点を克服するために高分子電荷輸送材料が注目され、例えば、特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示されている。
これらの高分子電荷輸送材料は電荷輸送層が高分子だけで構成されるため、高い機械的強度が期待される。また、製膜性を損なうことなく電荷輸送を担う官能基を高密度に含有することが可能であり、高速応答性が期待される。
【０００６】
この様な高分子電荷輸送材料を用いた感光体は長寿命化にともない繰り返し使用により帯電性ないし電荷保持性が劣化し、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また反転現像の場合、地汚れを生ずるという欠点を有しており、この点の改良が強く望まれる。このことは、低分子電荷輸送材料を不活性高分子に分散・混合して用いられる感光体では、感光体の低寿命性及び感光体表面の膜削れにより顕在化されていなかった。
【０００７】
高分子電荷輸送材料を含有する感光体の帯電性劣化は、電荷発生材料が吸収する光によって起こることから、光吸収によって発生した電荷が移動可能な状態で感光体に残留している時間が長いほど、またその電荷の数が多いほど、繰り返し使用による帯電性の劣化が著しくなると考えられる。即ち、光吸収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作をしても、残留しているキャリアの移動で表面電位が中和される為、残留電荷が消費されてしまい表面電位は上昇しない。
【０００８】
これらの欠点を改良する方法として、支持体と電荷発生材料の間に、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3等の無機材料を蒸着、スパッタリング、陽極酸化などの方法で設ける方法が公知であり、電荷発生層中にＡｌ2Ｏ3を含有させたり（特開昭５５−１４２３５４号公報）、同じく電荷発生層中に金属粉末を含有させることも公知（特開昭６０−２１４３６４号公報）である。
また、下引き層として、ポリアミド樹脂（特開昭５８−３０７５７号公報、特開昭５８−９８７３９号公報）、アルコール可溶性ナイロン樹脂（特開昭６０−１９６７６６号公報）、水溶性ポリビニルブチラール樹脂（特開昭５８−１０６５４９号公報）などの樹脂層が提案されている。
【０００９】
しかしながら、繰り返し使用による帯電性、電荷保持性の劣化について、感光体側の改善手段では、充分な感光体は得られていなかった。
他方、複写装置の使用環境においても、高温高湿度下では画像ボケ、画像ウスなどを生じ、また、低温時においては、感光体の結露、地汚れ等の問題を有している。
この環境依存性に関して、特開昭６１−７８４３号公報には、感光層の支持体を面状発熱体として、比較的低温で加熱すると高温高湿度下における感光体の相対湿度を減少できることが、また、特開昭６２−１２１４８２号公報には感光体に温風、冷風を吹き付ける方法が開示されており、低温時の感光体への結露防止、高温時の感光体の劣化を防止できる方法が開示されているが、必ずしも満足すべき方法ではなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高分子電荷輸送材料を含有する感光体の繰り返し使用による帯電性の劣化を改良することができるとともに、高温高湿度下での相対湿度を低下でき、かつ低温時の上記感光体の結露を防止し、長期にわたり不良画像の発生を防止し、安定した画像を得る電子写真プロセスを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式１で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００１２】
【化１３】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ5、Ｒ6は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００１３】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式２で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００１４】
【化１４】
式中、Ｒ ７ 、Ｒ ８ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 、Ａｒ ３ は同一又は異なるアリレン基を表わし、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００１５】
【化１５】
式中、Ｒ １０１ 、Ｒ １０２ は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ ２ −、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）または、
【００１６】
【化１６】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ １０３ 、Ｒ １０４ は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ １０１ とＲ １０２ 、Ｒ １０３ とＲ １０４ は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００１７】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式３で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００１８】
【化１７】
式中、Ｒ９、Ｒ１０は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００１９】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式４で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２０】
【化１８】
式中、Ｒ１１、Ｒ１２置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ７、Ａｒ８、Ａｒ９は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜４の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００２１】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式５で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２２】
【化１９】
式中、Ｒ１３、Ｒ１４は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ１０、Ａｒ１１、Ａｒ１２は同一又は異なるアリレン基、Ｘ１、Ｘ２は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００２３】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式６で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２４】
【化２０】
式中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６は同一又は異なるアリレン基、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００２５】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式７で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２６】
【化２１】
式中、Ｒ１９、Ｒ２０は水素原子、置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ１９とＲ２０は環を形成していてもよい。Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００２７】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式８で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２８】
【化２２】
式中、Ｒ２１は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００２９】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式９で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００３０】
【化２３】
式中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７、Ａｒ２８は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００３１】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式１０で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００３２】
【化２４】
式中、Ｒ２６、Ｒ２７は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ２９、Ａｒ３０、Ａｒ３１は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式２の場合と同じである。
【００３３】
本発明者らは、導電性支持体から最も離れた最表層に電荷輸送材料が含有された電子写真感光体に対して繰り返し使用による不良画像の発生を解消すべく検討した結果、該電子写真感光体の感光層に前記一般式１乃至１０のいずれかで示される高分子電荷輸送材料を含有させると共に画像形成装置内若しくは画像形成装置外で加熱する工程を行なうことにより、繰り返し使用しても鮮明な複写画像が長期にわたり得られることを見い出した。
【００３４】
一般に、感光体は程度の差はあるが、高温高湿時における画像ボケ、画像ウスが発生し、また、低温時においては感光体の結露、低温低湿時には、画像地汚れが発生する。また、感光層が有機系の感光体においては、繰り返し使用をすると、帯電性の立ち上がりの遅れが認められる。
しかし、本発明者らは、暗所にて加熱することにより、繰り返し使用をしても、初期と同じ程度の特性を示すことを見い出した。この様な感光体の暗所における加熱処理（以下加熱処理或いは処理と略す。）を達成する手段を以下に説明する。
【００３５】
画像装置内における感光体の加熱方法について述べる。この方法はプロセスと極めて密接な関係があるため、感光体の形状別について述べる必要がある。現行、使用されている感光体の形状は大きく２つに分けることができる。１つはベルト状の感光体であり、もう１つは、円筒状の金属或いは紙、プラスチックの表面を導電処理したものの表面に感光層をコーティングしたものに分けられる。
【００３６】
まず、ベルト状感光体の加熱方法について述べる。通常、ベルト感光体の駆動系及びプロセスは図１、或いは図２及びこれに関連して説明する次のような態様になっているのが普通である。図１において、ベルト状感光体（１１）は２つの従動ローラ（１２）（１２）及び１つの駆動ローラ（１３）の間に掛け回わされ駆動ローラ（１３）により駆動され、この例の場合は駆動ローラ（１３）の箇所には現像ローラ（１４）が配置されている。
図１は従動ローラが２本の場合の図を示したが、場合によっては１本或いは複数本の場合も存在する。また図２について、ベルトをある程度高速回転にすると、ベルト状感光体は、進行方向に垂直な方向（ベルトの厚み方向）の振動等を有する場合があり、それを防止する為に同図２中に示されるようにさらに前述のような駆動ローラ（１３）及び従動ローラ（１２）（１２）に加えて別の従動ローラ（１２）（１２）（１２）（１２）（１２）を用いる場合もある。
この様にセットされた感光体の加熱する方法としては３つの方法があり、１つは図１、図２において、あいている空間を利用して、何らかの熱源を持ってきて、ベルトの内側或いは外側より加熱する方法であり、２番目は、ローラを（主に現像ローラと接しないローラ）発熱体にし、感光体を加熱する方法であり、３番目は、ベルト自体を面状発熱体とする方法である。
【００３７】
１番目の具体的な方法としては、種々の方法が挙げられ、例えば、
（イ）赤外線ランプを使用する方法（図３）。（その際、基板或いは感光層中に赤外線吸収材を含むとより好ましい。）
（ロ）熱風をあてる方法（図４）。（その際、活性炭等のオゾン除去部材を吹き出し口に設けるとより好ましい。）
（ハ）高周波加熱を行なう方法。
（ニ）ＰＴＣ発熱体を利用する方法。
等を示すことができる。
【００３８】
これらの方法のうち、赤外線ランプを使用する方法と熱風をあてる方法を図３と図４に示す。はじめに図３に示される、赤外線ランプ（１８）を使用する方法は赤外線をベルト状感光体（１１）に照射するものである。ベルト状感光体（１１）は、前述のように、駆動ローラ（１３）及び従動ローラ（１２）（１２）の間に掛け回わされている。この方法によれば、例えばレーザープリンタ用感光体等では、感光体の光吸収域が近赤外域まで伸びている為、図中（１５）で示される様なカットフィルタを用いて、赤外線より短い波長の光はカットし、また、カバー（１６）にて、機内全体に光が漏れるのを防ぎ、さらに、効率を上げるため、ミラー（１７）にて、赤外線は前面にのみ照射される。
【００３９】
次に図４に示される熱風をあてる方法では、温風ブロア（１９）にて、熱風をベルト状感光体（１１）に吹き付けるものである。ベルト状感光体（１１）は、前述のように、駆動ローラ（１３）及び従動ローラ（１２）（１２）の間に掛け回わされている。吹き付けられた温風は排気装置（１Ａ）により系外に排出される。オゾン除去部材（１Ｂ）を設置することにより、温風中に含まれるオゾン濃度を減少することができ、感光体表面がオゾンにより活性化されることが防げる。
【００４０】
次にローラを発熱体にし、感光体を加熱する方法について述べる。このローラを発熱体にする具体的な方法としては、種々のものが考えられるが、例えば次のような手段が挙げられる。
（イ）赤外線ランプ（赤外線を発光できるランプ）がローラ内部に内蔵されているもの。
（ロ）ヒートパイプがローラ内部に内蔵されているもの（図５）。
（ハ）メカニカルシートを取り付けて、温水をローラ内部に流すもの。
（ニ）ＰＴＣ特性を有する発熱体がローラ内に内蔵されているもの。
（ホ）ローラが面状発熱体であるもの。
（ヘ）抵抗加熱器がローラに内蔵されているもの（図６）。
（ト）高周波誘導加熱により加熱するもの。
これらの方法のうち、ヒートパイプを使用する方法と抵抗加熱器を使用する方法を各々図５及び図６に示す。図５に示される方法においては蛇管状のヒートパイプ（２２）が発熱ローラ（２１）中に内蔵されており、図６に示されるものにおいてはコイル状に巻かれた抵抗加熱体（２３）が発熱ローラ（２１）中に内蔵されている。
【００４１】
最後に、ベルト自体を面状発熱体として感光体を加熱する方法について述べる。かかる方法には、ベルト支持体自体が面状発熱体である場合と、支持体の内側（あるいは感光層側でも可）に、面状発熱体を貼付るか或いはそのような塗料をコーティングするといった２通りの方法が考えられる。前者については、ベルト支持体が金属の面状発熱体であるか、或いはベルト形成時において、プラスチックフィルム中にカーボン粉体、金属ファイバー等を充填することにより、面状発熱体にすることができる。後者については、ベルト支持体の内面或いは外面に、樹脂液中に例えば、カーボン粉体、金属ファイバー、金属フィラー等を分散した塗料をコーティングすることにより同様の効果を持たせることができる。
この様に作製した支持体を利用して感光体を作製し、電流を流すことにより前記のような外熱式のヒータが無くとも感光体を加熱することが可能である。
【００４２】
次に円筒状の金属或いは紙、プラスチック上に導電処理を施した支持体（以後、総称してドラムという。）の上に感光層を設けた感光体（以後、ドラム状感光体と言う。）の加熱方法について述べる。ドラム状感光体の加熱方法も種々挙げられるが、大きくは２つに分類できる。１つは、外熱式のヒータを用いるものであり、もう１つは、ヒータを用いずに、ドラム自体が発熱体であるものである。前者の具体的な方法としては種々のものが挙げられるが、例えば、
（イ）赤外線ランプ（赤外線を発光できるランプ）をドラム内部に内蔵する。或いは外面から照射する方法。
（ロ）ヒートパイプがドラム内部に内蔵されていて、内面より加熱する方法。
（ハ）ドラム開口部（両端）にメカニカルシールを取り付けて、湿度調節が可能な循環装置（例えばクールニクス）にて、ドラム内部に液体を循環する方法（図７）。
（ニ）抵抗加熱器がドラム内部に内蔵されているものを利用する方法。
（ホ）ＰＴＣ特性を有する発熱体により加熱する方法（図８）。
（ヘ）高周波誘導加熱を行なう方法。
等が挙げられる。
【００４３】
図７に示される方法においては、温度調節用液体（３４）のための注入菅及び吐出管がそれぞれ、ドラム状感光体（３１）の左右両端にメカニカルシール（３２）（３２）によって、ドラム状感光体（３１）を回転自在とするように連結しており、１方のメカニカルシール（３２）上にはドラム状感光体（３１）の回転用歯車（３３）が嵌合固定されている。図８に示される方法においては、ＰＴＣ特性を有する発熱体（３５）がドラム状感光体（３１）の内部に配置されている。
これらの方法によれば、両端の注入部と吐出部は回転せずに感光体（３１）とメカニカルシール（３２）（３２）と回転用歯車（３３）の部分のみが回転する。また、内部に循環する液体を水のように比熱の大きなものを使用すれば、感光体（３１）の熱容量が大きくとも一様に加熱することができる。また、前記のようなＰＴＣ特性を有する発熱体を使用すれば、低温時には抵抗が低く、電流がたくさん流れ、高温になると、抵抗が急激に増大し、電流が流れにくくなり、ある設定温度に対して、有利に、また、安全に加熱することができるといった利点を有する。後者のドラムが発熱体であるという考え方は、ベルト支持体が発熱体であるという考え方と同じであるので説明を省略する。
【００４４】
以上述べた方法は、画像形成装置内にて感光体を加熱する方法であるが、加熱時に対する感光体以外への影響も考慮する必要があるため、また、感光体加熱設定温度に対して、過熱を防ぐ手段としても有用であるため感光体冷却装置を併用することは非常に有効であり、もちろん使用して差し支えない。
【００４５】
次に画像形成装置外にて感光体を加熱し疲労を回復する方法について述べる。感光体を画像形成装置外にて加熱処理する場合に最低限必要な要件は、以下の２点である。
（イ）加熱装置を有する。
（ロ）感光体を遮光した状態で加熱することができる。
すなわち、例えば通常市販の乾燥機、オーブン等を利用して、部屋全体を遮光状態にすることができれば感光体の疲労回復はできるわけである。ところが、一般的にはそういう設定をした場合には、次のような問題点が残される。
１．適切なドラムの設置を考えないと、感光体表面に傷がつく。
２．均一な加熱が難しい。
３．一般のオフィス等には上記のような加熱器はない。
【００４６】
したがって、小型、軽量でかつ、上記欠点のない感光体の疲労回復専用装置が必要となる訳であるがその１例を図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。図９（ａ）は全体の鳥瞰図、図９（ｂ）はドアを開いた本体の１部切り抜き図、図９（ｃ）は真横からの断面図である（これらを総称して、後は図９と呼ぶ）。図９に示される装置は、過熱装置本体（４１）内部に円筒形の面状発熱体（４６）が配置され、この面状発熱体（４６）の内部空間を、感光体ドラムを収容する空胴部としたものであって、この空胴部にはドラム受け治具が置かれ、このドラム受け治具は、前記空胴部左右両側にそれぞれ位置する円錐形状のドラム受け治具（４７）と大小２つの径の円柱部分を有するドラム受け治具（４７）の１対からなるものであって、前記円錐形状のドラム受け治具（４７）は、遮光用パッキング（４２）を内側に貼着した本件のドア（４３）の内側に設けられ、ドア（４３）を取手（４４）を介して開閉することにより感光体ドラムの取り外し、治具への着座が出来るものである。図９に示される装置においては、熱源として面状発熱体を使用したが、熱を感光体に均一に与えられる方法であれば、どのようなものでも差し支えない。また、ドラム受け治具は図９は両切りドラム用治具（図では、太さが２種まで可）を図示したが、ドラムの形状により治具をその都度変更する必要がある。
【００４７】
次に、今まで述べてきた感光体の加熱方法について、温度、条件等について説明する。今まで感光体の加熱方法について述べたが、画像形成装置内での加熱する方法については、２つの方法がある。１つは、画像形成装置使用期間中に一定の温度を常に与える方法であり、もう１つの方法は、１度高温にした後、ある温度まで下げて（通常は室温）使用する方法である。
【００４８】
前者においては、あまり高温でない温度（４０〜８０℃程度）に感光体温度を保つ方法である。したがって、感光体をある一定の温度に制御する為には、加熱を開始し、ある所定温度に達した後、小さい熱エネルギーを連続的に与える方法と、ある幅に温度コントロールするならば所定温度に達した時、熱エネルギー供給を止め、ある温度に下がったら（或いはある時間が経過したら）再び熱エネルギーを与えるといった間欠的な方法もある。
【００４９】
次に後者について説明を行なう。これは、感光体を常に加熱する訳ではなく、必要に応じて短時間高温にさせる方法である。例えば、画像形成装置に電源を入れると、定着部を加熱するのに時間がかかる（いわゆるファーストコピー時間）のを利用し、この時に同時に感光体を加熱する方法や例えば帯電直後の表面電位を検知する装置が入っていて、あるしきい電位よりも下がった時に加熱する方法である。更にはいわゆる予熱時、つまり画像形成を行なわない時間には加熱しておき、使用する時に温度を下げて使用する方法等がある。
【００５０】
加熱処理温度については、前者（つまり定常的に温度を与える方法）については、あまり高温にすると感光体表面へのストレスが大きくなる為、好ましくは下限４０℃以上、更に好ましくは５０℃以上とした上限は、好ましくは１００℃以下、更に好ましくは８０℃以下とするのがよい。
また、後者（非定常的に熱を与える方法）については、感光体の使用時外に加熱処理することにより、前者よりも高温にすることができる。好ましくは４０℃以上、更に好ましくは５０℃以上、上限は、好ましくは１５０℃以下、更に好ましくは１２０℃以下である。但し、後者の方法にて、かなり高温にし、画像形成装置内にて処理する場合には、加熱時間を短くするか、画像形成を停止すべきであり、事前にその様な装置を或いは機構を取り付けることが好ましい。
【００５１】
次に、図面を用いて本発明で用いられる電子写真感光体を説明する。
図１０は、本発明において用いられる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体（５１）上に、感光層（５２）が形成されたものである。
図１１は、本発明において用いられる電子写真感光体の別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（５１）上に、電荷発生層（６１）と電荷輸送層（６２）からなる感光層（５２）が形成されたものである。
図１２は、本発明において用いられる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（５１）と感光層（５２）との間に下引き層（５３）が形成されたものである。
【００５２】
次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送材料について述べる。
本発明に用いられる高分子電荷輸送材料として、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送材料が有効に用いられる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送材料を以下に例示し、具体例を示す。
【００５３】
【化２５】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ4は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ5、Ｒ6は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００５４】
【化２６】
式中、Ｒ101、Ｒ102は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）又は、
【００５５】
【化２７】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ103、Ｒ104は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ101とＲ102、Ｒ103とＲ104は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００５６】
一般式１の具体例
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００５７】
アルキル基として好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００５８】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ4は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
Ｒ5、Ｒ6は置換若しくは無置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００５９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００６０】
上記のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
【００６１】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ105）。アルコキシ基（−ＯＲ105）としては、Ｒ105が上記（２）で定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００６２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００６３】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００６４】
【化２８】
一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。
１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
【００６５】
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００６６】
【化２９】
式中、Ｒ7、Ｒ8は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００６７】
一般式２の具体例
Ｒ7、Ｒ8は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は
【００６８】
【化３０】
（ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）
【００６９】
【化３１】
【００７０】
【化３２】
【００７１】
【化３３】
【００７２】
【化３４】
を表わす。
【００７３】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3で示されるアリレン基としてはＲ7及びＲ8で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ106、Ｒ107、Ｒ108と同じ意味を有する。
【００７４】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ18さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００７５】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ109）。アルコキシ基（−ＯＲ109）としては、Ｒ109が（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【００７７】
【化３５】
式中、Ｒ110及びＲ111は各々独立に前記（２）で定義したアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
【００７８】
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等。
【００７９】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８０】
【化３６】
一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じものが挙げられる。
【００８１】
【化３７】
式中、Ｒ9、Ｒ10は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００８２】
一般式３の具体例
Ｒ9、Ｒ10は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８３】
また、Ａｒ4、Ａｒ5及びＡｒ6で示されるアリレン基としてはＲ9及びＲ10で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００８４】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ112）。アルコキシ基（−ＯＲ112）としては、Ｒ112が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００８５】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００８６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００８７】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００８８】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８９】
【化３８】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００９０】
【化３９】
式中、Ｒ11、Ｒ12は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００９１】
一般式４の具体例
Ｒ11、Ｒ12は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００９２】
また、Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9で示されるアリレン基としてはＲ11及びＲ12で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００９３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ113）。アルコキシ基（−ＯＲ113）としては、Ｒ113が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００９４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００９５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００９６】
【化４０】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００９７】
【化４１】
式中、Ｒ13、Ｒ14は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12は同一又は異なるアリレン基、Ｘ1、Ｘ2は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００９８】
一般式５の具体例
Ｒ13、Ｒ14は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００９９】
また、Ａｒ10、Ａｒ11及びＡｒ12で示されるアリレン基としてはＲ13及びＲ14で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１００】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ114）。アルコキシ基（−ＯＲ114）としては、Ｒ114が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１０１】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１０２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１０３】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１０４】
前記Ｘ1、Ｘ2の構造部分は置換若しくは無置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ13、Ｒ14のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げられる。
【０１０５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１０６】
【化４２】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１０７】
【化４３】
【０１０８】
式中、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、Ａｒ16は同一又は異なるアリレン基、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１０９】
一般式６の具体例
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１１０】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１１１】
また、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15及びＡｒ16で示されるアリレン基としてはＲ15、Ｒ16、Ｒ17、及びＲ18で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１１２】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１１３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ115）。アルコキシ基（−ＯＲ115）としては、Ｒ115が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１１４】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１１５】
前記Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3の構造部分は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なっていてもよい。
【０１１６】
このアルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
【０１１７】
同シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【０１１８】
同アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【０１１９】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２０】
【化４４】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１２１】
【化４５】
式中、Ｒ19、Ｒ20は水素原子、置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ19とＲ20は環を形成していてもよい。Ａｒ17、Ａｒ18、Ａｒ19は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１２２】
一般式７の具体例
Ｒ19、Ｒ20は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１２３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２４】
また、Ｒ19、Ｒ20は環を形成する場合、９−フルオレニリデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンなどが挙げられる。
また、Ａｒ17、Ａｒ18及びＡｒ19で示されるアリレン基としてはＲ19及びＲ20で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１２５】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１２６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ116）。アルコキシ基（−ＯＲ116）としては、Ｒ116が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１２７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１２８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１２９】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３０】
【化４６】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１３１】
【化４７】
式中、Ｒ21は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22、Ａｒ23は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１３２】
一般式８の具体例
Ｒ21は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１３３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１３４】
また、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22及びＡｒ23で示されるアリレン基としてはＲ21で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
【０１３５】
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１３６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ117）。アルコキシ基（−ＯＲ117）としては、Ｒ117が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１３７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１３８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１３９】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１４０】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１４１】
【化４８】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１４２】
【化４９】
式中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、Ａｒ28は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１４３】
一般式９の具体例
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１４４】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１４５】
また、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、及びＡｒ28で示されるアリレン基としては、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１４６】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１４７】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ118）。アルコキシ基（−ＯＲ118）としては、Ｒ118が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１４８】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１４９】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１５０】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１５１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１５２】
【化５０】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１５３】
【化５１】
式中、Ｒ26、Ｒ27は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ29、Ａｒ30、Ａｒ31は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１５４】
一般式１０の具体例
Ｒ26、Ｒ27は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１５５】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１５６】
また、Ａｒ29、Ａｒ30、及びＡｒ31で示されるアリレン基としては、Ｒ26及びＲ27で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１５７】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１５８】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ119）。アルコキシ基（−ＯＲ119）としては、Ｒ119が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１５９】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１６０】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１６１】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１６２】
【化５２】
一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１６３】
導電性支持体（５１）としては、体積抵抗１０10Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【０１６４】
本発明における感光層（５２）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型について述べる。
はじめに、電荷発生層（６１）について説明する。電荷発生層（６１）は、電荷発生材料を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生材料としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【０１６５】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生材料は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１６６】
電荷発生層（６１）に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先に記した一般式１〜１０の高分子電荷輸送材料が良好に用いられるが、その他の高分子電荷輸送材料として以下のものが挙げられる。
【０１６７】
（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメチルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有する特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシアリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させることにより得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合物等が例示される。
（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロルメチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成されるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合により生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチレン化合物等が例示される。
（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９７号公報記載の
−(Ｓｉ(R1)(R2)）−、又は
【０１６８】
【化５３】
の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（R1、R2、R3、R4はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基等）の化合物等が例示される。
（ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び特開平１−１９０４９号公報記載の一般式
【０１６９】
【化５４】
を有するアリールアミン樹脂化合物
（ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ2−、−(ＣＨ2)2−、−(ＣＨ2)3−及び−(ＣＨ2)4−、Ｒ”は−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ6Ｈ4−Ｙ−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−ＣＯ−（Ｙは−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)2−等）、ｍは０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１−１７２８号公報記載の
R-[O-A-O-CH2-CH(OR)-CH2-O-Ｂ-O-CH2-CH(OR)-CH2]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)2−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公報記載の
【０１７０】
【化５５】
（ｎ1は１〜１０、ｎ2は０〜４、ｎ3は０〜５、ｍは０〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、構造単位
【０１７１】
【化５６】
（Ｒ1、Ｒ2はアルキル、アリール、アラルキル、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は２価の芳香族残基、ｌは０以上の整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜６の整数）を有する化合物等が例示される。
（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインドロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
【０１７２】
本発明に使用される電子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような、
【０１７３】
【化５７】
電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能である。更に、必要に応じて低分子電荷輸送材料を添加してもよい。
【０１７４】
電荷発生層（６１）に併用できる低分子電荷輸送材料には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
【０１７５】
電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１７６】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１７７】
電荷発生層（６１）を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
【０１７８】
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系電荷発生材料を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【０１７９】
次に、電荷輸送層（６２）について説明する。
電荷輸送層（６２）は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０5Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。
【０１８０】
電荷輸送層（６２）に併用できるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１８１】
電荷輸送層（６２）に併用できる低分子電荷輸送材料は、電荷発生層（６１）の説明において記載したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層（６２）の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
また、本発明において電荷輸送層（６２）中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
【０１８２】
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１８３】
次に、感光層（５２）が単層構成の場合について述べる。
キャスティング法で単層感光層を設ける場合、多くは電荷発生材料と低分子並びに高分子電荷輸送材料よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発生材料並びに電荷輸送材料には、前出の材料を用いることができる。
また、必要により可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（６２）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層（６１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【０１８４】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体（５１）と感光層（５２）［積層タイプの場合には、電荷発生層（６１）］との間に下引き層（５３）を設けることができる。下引き層（５３）は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層（５３）は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【０１８５】
さらに、本発明における感光体の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。
この他に、本発明の下引き層にはＡｌ2Ｏ3を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、ＣｅＯ2等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１８６】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送材料を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
本発明に用いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げられる。
【０１８７】
モノフェノール系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなど。
【０１８８】
ビスフェノール系化合物
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）など。
【０１８９】
高分子フェノール系化合物
１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、トコフェノール類など。
【０１９０】
パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１９１】
ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１９２】
有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１９３】
有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１９４】
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる。
本発明における酸化防止剤の添加量は、電荷輸送材料１００重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは２〜３０重量部である。
【０１９５】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算出して１００±２０の範囲であった。
【０１９６】
実施例１
φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。
【０１９７】
［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂 ６部
（ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂 ４部
（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
酸化チタン ４０部
メチルエチルケトン ２００部
【０１９８】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部
【０１９９】
【化５８】
ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０２００】
［電荷輸送層用塗工液］
下記構造の高分子電荷輸送材料 １０部
【０２０１】
【化５９】
塩化メチレン １００部
【０２０２】
以上のように作成した電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、図５に示すようなヒートパイプを使用し、ドラム温度が常に５０±２℃になるようにセットした。以上のように条件を整えた後、２０℃−６０％ＲＨの環境下で連続５万枚のコピーを行なった。
なお、感光体の表面電位は、複写機内にて、帯電直後のドラム表面電位が測定できるように表面電位計のプローブをセットし、コピースタート時（３〜５枚目）と５万枚時に測定した。更に５万枚複写における感光体の膜厚減少量（摩耗量）を測定した。
【０２０３】
参考例１
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２０４】
【化６０】
【０２０５】
実施例２
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２０６】
【化６１】
【０２０７】
実施例３
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２０８】
【化６２】
【０２０９】
実施例４
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１０】
【化６３】
【０２１１】
実施例５
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１２】
【化６４】
【０２１３】
実施例６
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１４】
【化６５】
【０２１５】
実施例７
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１６】
【化６６】
【０２１７】
実施例８
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１８】
【化６７】
【０２１９】
実施例９
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２２０】
【化６８】
【０２２１】
比較例１〜９、参考比較例１
実施例１〜９、参考例１において、ヒートパイプによるドラム温度制御を行なわない以外は、実施例１〜９、参考例１と全く同様の評価を行なった。
【０２２２】
比較例１０
実施例１における電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外は、全く同様に作製し、実施例１と全く同様の評価を行なった。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送材料 １０部
【０２２３】
【化６９】
塩化メチレン １００部
以上のように作成した比較例１１の電子写真感光体を実装用にした後、実施例１と全く同様の評価を行なった。
【０２２４】
比較例１１
比較例１０において、ヒートパイプによるドラム温度制御を行なわない以外は、比較例１０と全く同様の評価を行なった。実施例１〜９、参考例１と比較例１〜１１、参考比較例１の結果を表１に示す。
【０２２５】
【表１】
【０２２６】
実施例１０〜１８、参考例２
上記実施例１〜９、参考例１と全く同様にして作製した電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、図６に示すような抵抗加熱器を使用し、コピー５０００枚毎に停止し、ドラム温度を１００℃まで加熱し、別に設けたファンにて室温まで冷却するという条件で５００１０枚までコピーした。なお、環境条件は、２５℃−４５％ＲＨであった。評価方法としては、１０枚目と５００１０枚目の画像の黒ベタ部を市販のマクベス濃度計にて画像濃度（以下Ｉ．Ｄ．と略す。）を測定した。
【０２２７】
比較例１２〜２０、参考比較例２
上記実施例１０〜１８、参考例２における加熱処理をしない他は、実施例１０〜１８、参考例２と全く同様の評価を行なった。但し、感光体の加熱処理に相当する時間、コピーを停止し、感光体は休ませた。
【０２２８】
比較例２１
上記比較例１０と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた以外は実施例１１と全く同様の評価を行なった。
比較例２２
上記比較例２１において、抵抗加熱器によるドラムの加熱処理を行なわない以外は、比較例２１と全く同様の評価を行なった。但し、感光体の加熱処理に相当する時間、コピーを停止し、感光体は休ませた。
実施例１０〜１８、参考例２と比較例１２〜２２、参考比較例２の結果を表２に示す。
【０２２９】
【表２】
【０２３０】
実施例１９〜２８
実施例１におけるアルミニウムドラムの代りにアルミニウム導電層を有するポリエステルフィルムを支持体に用い、電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外は、実施例１と全く同様に本発明における電子写真感光体を作製した。
【０２３１】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のビスアゾ顔料 ２．５部
【０２３２】
【化７０】
ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０２３３】
以上のように作製した感光体に導電層塗工及びベルト接合を行ない、実装用の感光体とし、この感光体を一部改造した複写機（リコー製：リコピーＦＴ２０５０）に搭載した。図２に示すようなプロセスにて、従動ローラを面状発熱体にし、感光体温度が４０±３℃になる様にセットした。環境条件は、１８℃−３５％ＲＨである。この状態で５万枚の連続コピーを行ない、１枚目と５万枚目の画像評価を行なった。
【０２３４】
比較例２３〜３２
実施例１９〜２８における温度コントロールを行なわない他は、実施例１９〜２８と全く同様にして画像評価を行なった。
【０２３５】
比較例３３
上記比較例１０におけるアルミニウムドラムの代りにアルミニウム導電層を有するポリエステルフィルムを支持体に用い、電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外は、比較例１０と全く同様に作製した。
【０２３６】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のビスアゾ顔料 ２．５部
【０２３７】
【化７１】
ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０２３８】
以上のように作製した感光体に導電層塗工及びベルト接合を行ない、実装用の感光体とした。この感光体を実施例１９で用いた複写機に設置し、実施例１９と全く同様にして評価を行なった。
比較例３４
上記比較例３３における温度コントロールを行なわない他は、比較例３３と全く同様にして画像評価を行なった。実施例１９〜２８と比較例２３〜３４の結果を表３に示す。
【０２３９】
【表３】
【０２４０】
実施例２９〜３８
実施例１９〜２８と全く同様にして作製した実装用の電子写真感光体を一部改造した複写機（リコー製：リコピーＦＴ２０５０）に搭載した。図３に示すような赤外線ランプハウスを取り付け、５０００枚毎にコピーを停止し、感光体温度を８０℃まで加熱し、４０℃まで冷却した後再びコピーを開始するといった方法で２０００１枚のコピーを行なった。帯電直後の表面電位が測定できる様に表面電位計のプローブをセットし、１０枚目の表面電位と２０００１枚目の表面電位を測定した。ランニング環境は、３０℃−８０％ＲＨという条件にて行なった。フィルターはシャープカットフィルター（富士写真ＳＣ−７２）を使用した。
【０２４１】
比較例３５〜４４
実施例２９〜３８における温度コントロールを行なわない他は実施例２９〜３８と全く同様にして評価を行なった。但し、５０００枚毎にコピーを停止し、実施例の加熱−冷却に要する時間は、感光体を休ませた。
【０２４２】
比較例４５
比較例３３と全く同様にして作製した感光体を用いた他は実施例２９と全く同様にして評価を行なった。
比較例４６
比較例３３と全く同様にして作製した感光体を用いた他は比較例４５と同様にして評価を行なった。但し、５０００枚毎にコピーを停止し、実施例の加熱−冷却に要する時間は、感光体を休ませた。実施例２９〜３８と比較例３５〜４６の結果を表４に示す。
【０２４３】
【表４】
【０２４４】
実施例３９〜４８
実施例１９〜２８と全く同様にして作製した感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：リコピーＦＴ２０７０）に搭載し、高周波電源として２．４５ＧＨｚのマグネトロンを用いて、別に設けた強磁性体（フェロックスプレーナ粒子）を樹脂中に分散した板に電極を設けた発熱体により感光体温度が５０±２℃になるようにセットした。各条件をセットした後、複写機を繰り返し使用し、５万枚のコピーを行なった。環境は、２３℃−５０％ＲＨであった。評価方法としては、１０枚目と５００１０枚目の画像の黒ベタ部を市販のマクベス濃度計にて画像濃度（以下Ｉ．Ｄ．と略す。）を測定した。
【０２４５】
比較例４７〜５６
実施例３９〜４８における高周波加熱を行なわない他は、実施例３９〜４８と全く同様にして評価した。
【０２４６】
比較例５７
比較例３３と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた以外は実施例３９と全く同様にして評価をした。
比較例５８
比較例５７において、高周波加熱を行なわない他は、比較例５７と全く同様にして評価した。実施例３９〜４８と比較例４７〜５８の結果を表５に示す。
【０２４７】
【表５】
【０２４８】
参考例３〜１２
実施例１〜９、参考例１と全く同様にして作製した電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載した。なお、連続コピー４９９９０枚行ない、感光体を複写機より取り出して、図９に示すような感光体加熱装置にて、１３０℃−２０分間、加熱処理を行ない、室温まで冷却して、再び複写機に戻し、通算５万枚までコピーを行ない、１０枚目と５万枚目の画像評価を行なった。測定した環境条件は、２５℃−５０％ＲＨであった。
【０２４９】
参考比較例３〜１２
参考例３〜１２における加熱処理を２５℃で行なった以外は（つまり室温と同じ）参考例３〜１２と全く同様にして評価をした。
【０２５０】
参考比較例１３
比較例１０と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた以外は参考例３と全く同様にして評価をした。
参考比較例１４
参考比較例１３において加熱処理を２５℃で行なった以外は（つまり室温と同じ）参考比較例１３と全く同様にして評価をした。参考例３〜１２と参考比較例３〜１４の結果を表６に示す。
【０２５１】
【表６】
【０２５２】
実施例４９〜５７、参考例１３
実施例１〜９、参考例１と全く同様にして作製した電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載した。図４に示す温風ブロワと、排気装置を感光体の周囲に配置し、感光体温度が４５℃±３℃になるようにセットした。環境条件は１８℃−３５％ＲＨである。この状態で３万枚の連続コピーを行ない、１枚目と３万枚目の画像評価を行なった。
【０２５３】
比較例５９〜６７、参考比較例１５
実施例４９〜５７、参考例１３における温風加熱処理をしない他は、実施例４９〜５７、参考例１３と全く同様にして評価した。
【０２５４】
比較例６８
比較例１０と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた他は実施例４９と全く同様にして評価した。
比較例６９
比較例６８における温風加熱処理をしない他は、比較例６８と全く同様にして評価した。実施例４９〜５７、参考例１３と比較例５９〜６９、参考比較例１５の結果を表７に示す。
【０２５５】
【表７】
【０２５６】
実施例５８〜６６、参考例１４
実施例１〜９、参考例１と全く同様にして作製した実装用の電子写真感光体を一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載した。従動ローラ内にＰＴＣ特性を有する発熱体を設け、ｏｎ−ｏｆｆにより、感光体温度が３５℃±３℃になるようにセットした。環境条件は１０℃−６０％ＲＨである。この状態で５万枚の連続コピーを行なった。評価方法としては、５万枚目の画像の地汚れを目視にて５段階に評価した。但し、ランク５を良、ランク１を否とする。
【０２５７】
比較例７０〜７８、参考比較例１６
実施例５８〜６６、参考例１４における温度コントロールを行なわない他は、実施例５８〜６６、参考例１４と全く同様の評価を行なった。
【０２５８】
比較例７９
比較例１０と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた他は実施例５８と全く同様の評価を行なった。
比較例８０
比較例７９における加熱処理をしない他は、比較例７９と全く同様にして評価した。実施例５８〜６６、参考例１４と比較例７０〜８０、参考比較例１６の結果を表８に示す。
【０２５９】
【表８】
【０２６０】
【発明の効果】
以上、詳細且つ具体的に説明したように、本発明のプロセスは、前記構成からなるため、次のような顕著な効果を奏する。
（１）高分子電荷輸送材料を用いた感光体の繰り返し使用後の帯電特性の劣化を防ぐことができる。即ち、複写機、プリンタ等の画像濃度低下、画像濃度ムラ、或いは反転現像時においては、地汚れのない良好な画像を得ることができる。
（２）高温高湿度下での感光体雰囲気の相対湿度を下げ、画像ウスを防止することができる。
（３）低温時の感光体の結露及び低温低湿時の画像地汚れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ベルト状感光体の加熱方法についての説明図である。
【図２】ベルト状感光体の加熱方法についての別の説明図である。
【図３】ベルト状感光体の加熱方法についての更に別の説明図である。
【図４】ベルト状感光体の加熱方法についての更に別の説明図である。
【図５】ローラを発熱体にした感光体の加熱方法である。
【図６】ローラを発熱体にした感光体の別の加熱方法である。
【図７】ドラム状感光体の加熱方法についての説明図である。
【図８】ドラム状感光体の別の加熱方法についての説明図である。
【図９】本発明で用いる代表的な感光体加熱装置の説明図であり、（ａ）は、全体の鳥瞰図、（ｂ）は１部切り欠き図、（ｃ）は横断面図である。
【図１０】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の別の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ ベルト状感光体
１２ 従動ローラ
１３ 駆動ローラ
１４ 現像ローラ
１５ フィルタ
１６ カバー
１７ ミラー
１８ 赤外線ランプ
１９ 温風ブロワ
１Ａ 排気装置
１Ｂ オゾン除去部材
２１ 発熱ローラ
２２ ヒートパイプ
２３ 抵抗過熱体
３１ ドラム状感光体
３２ メカニカルシール
３３ 回転用歯車
３４ 温度調節用液体の流れ
３５ ＰＴＣを有する発熱体
４１ 加熱装置本体
４２ 遮光用パッキング
４３ ドア
４４ 取っ手
４５ 蝶番
４６ 面状発熱体
４７ ドラム受け治具
５１ 導電性支持体
５２ 感光層
５３ 下引き層
６１ 電荷発生層
６２ 電荷輸送層
【発明の属する技術分野】
本発明は、複写機やプリンタ、ファクシミリ等の電子写真プロセスに関し、特に電子写真感光体を画像形成装置内若しくは画像形成装置外で加熱処理することにより、不良画像の発生を防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにした電子写真プロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真方法としては、カールソンプロセスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複写機やプリンタなどに広く使用されている。この様な電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性などをメリットとして、近年使用され始めている。
有機系の電子写真感光体には、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電荷発生材料と電荷輸送材料とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型の感光体が注目されている。
【０００３】
この機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生材料により吸収され、光を吸収した電荷発生材料は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送材料と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生材料とを組み合わせて用いることが知られており、かつ有用である。
【０００４】
電荷輸送材料は多くが低分子化合物として開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用いられる。しかるに低分子電荷輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいという欠点がある。
さらにこの構成の電荷輸送層は電荷移動度に限界があり、カールソンプロセスの高速化或いは小型化の障害となっていた。これは通常低分子電荷輸送材料の含有量が５０重量％以下で使用されることに起因している。即ち低分子電荷輸送材料の含有量を増すことで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製膜性が劣化するためである。
【０００５】
この点を克服するために高分子電荷輸送材料が注目され、例えば、特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示されている。
これらの高分子電荷輸送材料は電荷輸送層が高分子だけで構成されるため、高い機械的強度が期待される。また、製膜性を損なうことなく電荷輸送を担う官能基を高密度に含有することが可能であり、高速応答性が期待される。
【０００６】
この様な高分子電荷輸送材料を用いた感光体は長寿命化にともない繰り返し使用により帯電性ないし電荷保持性が劣化し、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また反転現像の場合、地汚れを生ずるという欠点を有しており、この点の改良が強く望まれる。このことは、低分子電荷輸送材料を不活性高分子に分散・混合して用いられる感光体では、感光体の低寿命性及び感光体表面の膜削れにより顕在化されていなかった。
【０００７】
高分子電荷輸送材料を含有する感光体の帯電性劣化は、電荷発生材料が吸収する光によって起こることから、光吸収によって発生した電荷が移動可能な状態で感光体に残留している時間が長いほど、またその電荷の数が多いほど、繰り返し使用による帯電性の劣化が著しくなると考えられる。即ち、光吸収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作をしても、残留しているキャリアの移動で表面電位が中和される為、残留電荷が消費されてしまい表面電位は上昇しない。
【０００８】
これらの欠点を改良する方法として、支持体と電荷発生材料の間に、ＳｉＯ、Ａｌ2Ｏ3等の無機材料を蒸着、スパッタリング、陽極酸化などの方法で設ける方法が公知であり、電荷発生層中にＡｌ2Ｏ3を含有させたり（特開昭５５−１４２３５４号公報）、同じく電荷発生層中に金属粉末を含有させることも公知（特開昭６０−２１４３６４号公報）である。
また、下引き層として、ポリアミド樹脂（特開昭５８−３０７５７号公報、特開昭５８−９８７３９号公報）、アルコール可溶性ナイロン樹脂（特開昭６０−１９６７６６号公報）、水溶性ポリビニルブチラール樹脂（特開昭５８−１０６５４９号公報）などの樹脂層が提案されている。
【０００９】
しかしながら、繰り返し使用による帯電性、電荷保持性の劣化について、感光体側の改善手段では、充分な感光体は得られていなかった。
他方、複写装置の使用環境においても、高温高湿度下では画像ボケ、画像ウスなどを生じ、また、低温時においては、感光体の結露、地汚れ等の問題を有している。
この環境依存性に関して、特開昭６１−７８４３号公報には、感光層の支持体を面状発熱体として、比較的低温で加熱すると高温高湿度下における感光体の相対湿度を減少できることが、また、特開昭６２−１２１４８２号公報には感光体に温風、冷風を吹き付ける方法が開示されており、低温時の感光体への結露防止、高温時の感光体の劣化を防止できる方法が開示されているが、必ずしも満足すべき方法ではなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高分子電荷輸送材料を含有する感光体の繰り返し使用による帯電性の劣化を改良することができるとともに、高温高湿度下での相対湿度を低下でき、かつ低温時の上記感光体の結露を防止し、長期にわたり不良画像の発生を防止し、安定した画像を得る電子写真プロセスを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式１で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００１２】
【化１３】
【００１３】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式２で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００１４】
【化１４】
【００１５】
【化１５】
【００１６】
【化１６】
【００１７】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式３で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００１８】
【化１７】
【００１９】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式４で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２０】
【化１８】
【００２１】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式５で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２２】
【化１９】
【００２３】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式６で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２４】
【化２０】
【００２５】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式７で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２６】
【化２１】
【００２７】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式８で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００２８】
【化２２】
【００２９】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式９で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００３０】
【化２３】
【００３１】
また、本発明によれば、電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式１０で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法が提供される。
【００３２】
【化２４】
【００３３】
本発明者らは、導電性支持体から最も離れた最表層に電荷輸送材料が含有された電子写真感光体に対して繰り返し使用による不良画像の発生を解消すべく検討した結果、該電子写真感光体の感光層に前記一般式１乃至１０のいずれかで示される高分子電荷輸送材料を含有させると共に画像形成装置内若しくは画像形成装置外で加熱する工程を行なうことにより、繰り返し使用しても鮮明な複写画像が長期にわたり得られることを見い出した。
【００３４】
一般に、感光体は程度の差はあるが、高温高湿時における画像ボケ、画像ウスが発生し、また、低温時においては感光体の結露、低温低湿時には、画像地汚れが発生する。また、感光層が有機系の感光体においては、繰り返し使用をすると、帯電性の立ち上がりの遅れが認められる。
しかし、本発明者らは、暗所にて加熱することにより、繰り返し使用をしても、初期と同じ程度の特性を示すことを見い出した。この様な感光体の暗所における加熱処理（以下加熱処理或いは処理と略す。）を達成する手段を以下に説明する。
【００３５】
画像装置内における感光体の加熱方法について述べる。この方法はプロセスと極めて密接な関係があるため、感光体の形状別について述べる必要がある。現行、使用されている感光体の形状は大きく２つに分けることができる。１つはベルト状の感光体であり、もう１つは、円筒状の金属或いは紙、プラスチックの表面を導電処理したものの表面に感光層をコーティングしたものに分けられる。
【００３６】
まず、ベルト状感光体の加熱方法について述べる。通常、ベルト感光体の駆動系及びプロセスは図１、或いは図２及びこれに関連して説明する次のような態様になっているのが普通である。図１において、ベルト状感光体（１１）は２つの従動ローラ（１２）（１２）及び１つの駆動ローラ（１３）の間に掛け回わされ駆動ローラ（１３）により駆動され、この例の場合は駆動ローラ（１３）の箇所には現像ローラ（１４）が配置されている。
図１は従動ローラが２本の場合の図を示したが、場合によっては１本或いは複数本の場合も存在する。また図２について、ベルトをある程度高速回転にすると、ベルト状感光体は、進行方向に垂直な方向（ベルトの厚み方向）の振動等を有する場合があり、それを防止する為に同図２中に示されるようにさらに前述のような駆動ローラ（１３）及び従動ローラ（１２）（１２）に加えて別の従動ローラ（１２）（１２）（１２）（１２）（１２）を用いる場合もある。
この様にセットされた感光体の加熱する方法としては３つの方法があり、１つは図１、図２において、あいている空間を利用して、何らかの熱源を持ってきて、ベルトの内側或いは外側より加熱する方法であり、２番目は、ローラを（主に現像ローラと接しないローラ）発熱体にし、感光体を加熱する方法であり、３番目は、ベルト自体を面状発熱体とする方法である。
【００３７】
１番目の具体的な方法としては、種々の方法が挙げられ、例えば、
（イ）赤外線ランプを使用する方法（図３）。（その際、基板或いは感光層中に赤外線吸収材を含むとより好ましい。）
（ロ）熱風をあてる方法（図４）。（その際、活性炭等のオゾン除去部材を吹き出し口に設けるとより好ましい。）
（ハ）高周波加熱を行なう方法。
（ニ）ＰＴＣ発熱体を利用する方法。
等を示すことができる。
【００３８】
これらの方法のうち、赤外線ランプを使用する方法と熱風をあてる方法を図３と図４に示す。はじめに図３に示される、赤外線ランプ（１８）を使用する方法は赤外線をベルト状感光体（１１）に照射するものである。ベルト状感光体（１１）は、前述のように、駆動ローラ（１３）及び従動ローラ（１２）（１２）の間に掛け回わされている。この方法によれば、例えばレーザープリンタ用感光体等では、感光体の光吸収域が近赤外域まで伸びている為、図中（１５）で示される様なカットフィルタを用いて、赤外線より短い波長の光はカットし、また、カバー（１６）にて、機内全体に光が漏れるのを防ぎ、さらに、効率を上げるため、ミラー（１７）にて、赤外線は前面にのみ照射される。
【００３９】
次に図４に示される熱風をあてる方法では、温風ブロア（１９）にて、熱風をベルト状感光体（１１）に吹き付けるものである。ベルト状感光体（１１）は、前述のように、駆動ローラ（１３）及び従動ローラ（１２）（１２）の間に掛け回わされている。吹き付けられた温風は排気装置（１Ａ）により系外に排出される。オゾン除去部材（１Ｂ）を設置することにより、温風中に含まれるオゾン濃度を減少することができ、感光体表面がオゾンにより活性化されることが防げる。
【００４０】
次にローラを発熱体にし、感光体を加熱する方法について述べる。このローラを発熱体にする具体的な方法としては、種々のものが考えられるが、例えば次のような手段が挙げられる。
（イ）赤外線ランプ（赤外線を発光できるランプ）がローラ内部に内蔵されているもの。
（ロ）ヒートパイプがローラ内部に内蔵されているもの（図５）。
（ハ）メカニカルシートを取り付けて、温水をローラ内部に流すもの。
（ニ）ＰＴＣ特性を有する発熱体がローラ内に内蔵されているもの。
（ホ）ローラが面状発熱体であるもの。
（ヘ）抵抗加熱器がローラに内蔵されているもの（図６）。
（ト）高周波誘導加熱により加熱するもの。
これらの方法のうち、ヒートパイプを使用する方法と抵抗加熱器を使用する方法を各々図５及び図６に示す。図５に示される方法においては蛇管状のヒートパイプ（２２）が発熱ローラ（２１）中に内蔵されており、図６に示されるものにおいてはコイル状に巻かれた抵抗加熱体（２３）が発熱ローラ（２１）中に内蔵されている。
【００４１】
最後に、ベルト自体を面状発熱体として感光体を加熱する方法について述べる。かかる方法には、ベルト支持体自体が面状発熱体である場合と、支持体の内側（あるいは感光層側でも可）に、面状発熱体を貼付るか或いはそのような塗料をコーティングするといった２通りの方法が考えられる。前者については、ベルト支持体が金属の面状発熱体であるか、或いはベルト形成時において、プラスチックフィルム中にカーボン粉体、金属ファイバー等を充填することにより、面状発熱体にすることができる。後者については、ベルト支持体の内面或いは外面に、樹脂液中に例えば、カーボン粉体、金属ファイバー、金属フィラー等を分散した塗料をコーティングすることにより同様の効果を持たせることができる。
この様に作製した支持体を利用して感光体を作製し、電流を流すことにより前記のような外熱式のヒータが無くとも感光体を加熱することが可能である。
【００４２】
次に円筒状の金属或いは紙、プラスチック上に導電処理を施した支持体（以後、総称してドラムという。）の上に感光層を設けた感光体（以後、ドラム状感光体と言う。）の加熱方法について述べる。ドラム状感光体の加熱方法も種々挙げられるが、大きくは２つに分類できる。１つは、外熱式のヒータを用いるものであり、もう１つは、ヒータを用いずに、ドラム自体が発熱体であるものである。前者の具体的な方法としては種々のものが挙げられるが、例えば、
（イ）赤外線ランプ（赤外線を発光できるランプ）をドラム内部に内蔵する。或いは外面から照射する方法。
（ロ）ヒートパイプがドラム内部に内蔵されていて、内面より加熱する方法。
（ハ）ドラム開口部（両端）にメカニカルシールを取り付けて、湿度調節が可能な循環装置（例えばクールニクス）にて、ドラム内部に液体を循環する方法（図７）。
（ニ）抵抗加熱器がドラム内部に内蔵されているものを利用する方法。
（ホ）ＰＴＣ特性を有する発熱体により加熱する方法（図８）。
（ヘ）高周波誘導加熱を行なう方法。
等が挙げられる。
【００４３】
図７に示される方法においては、温度調節用液体（３４）のための注入菅及び吐出管がそれぞれ、ドラム状感光体（３１）の左右両端にメカニカルシール（３２）（３２）によって、ドラム状感光体（３１）を回転自在とするように連結しており、１方のメカニカルシール（３２）上にはドラム状感光体（３１）の回転用歯車（３３）が嵌合固定されている。図８に示される方法においては、ＰＴＣ特性を有する発熱体（３５）がドラム状感光体（３１）の内部に配置されている。
これらの方法によれば、両端の注入部と吐出部は回転せずに感光体（３１）とメカニカルシール（３２）（３２）と回転用歯車（３３）の部分のみが回転する。また、内部に循環する液体を水のように比熱の大きなものを使用すれば、感光体（３１）の熱容量が大きくとも一様に加熱することができる。また、前記のようなＰＴＣ特性を有する発熱体を使用すれば、低温時には抵抗が低く、電流がたくさん流れ、高温になると、抵抗が急激に増大し、電流が流れにくくなり、ある設定温度に対して、有利に、また、安全に加熱することができるといった利点を有する。後者のドラムが発熱体であるという考え方は、ベルト支持体が発熱体であるという考え方と同じであるので説明を省略する。
【００４４】
以上述べた方法は、画像形成装置内にて感光体を加熱する方法であるが、加熱時に対する感光体以外への影響も考慮する必要があるため、また、感光体加熱設定温度に対して、過熱を防ぐ手段としても有用であるため感光体冷却装置を併用することは非常に有効であり、もちろん使用して差し支えない。
【００４５】
次に画像形成装置外にて感光体を加熱し疲労を回復する方法について述べる。感光体を画像形成装置外にて加熱処理する場合に最低限必要な要件は、以下の２点である。
（イ）加熱装置を有する。
（ロ）感光体を遮光した状態で加熱することができる。
すなわち、例えば通常市販の乾燥機、オーブン等を利用して、部屋全体を遮光状態にすることができれば感光体の疲労回復はできるわけである。ところが、一般的にはそういう設定をした場合には、次のような問題点が残される。
１．適切なドラムの設置を考えないと、感光体表面に傷がつく。
２．均一な加熱が難しい。
３．一般のオフィス等には上記のような加熱器はない。
【００４６】
したがって、小型、軽量でかつ、上記欠点のない感光体の疲労回復専用装置が必要となる訳であるがその１例を図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。図９（ａ）は全体の鳥瞰図、図９（ｂ）はドアを開いた本体の１部切り抜き図、図９（ｃ）は真横からの断面図である（これらを総称して、後は図９と呼ぶ）。図９に示される装置は、過熱装置本体（４１）内部に円筒形の面状発熱体（４６）が配置され、この面状発熱体（４６）の内部空間を、感光体ドラムを収容する空胴部としたものであって、この空胴部にはドラム受け治具が置かれ、このドラム受け治具は、前記空胴部左右両側にそれぞれ位置する円錐形状のドラム受け治具（４７）と大小２つの径の円柱部分を有するドラム受け治具（４７）の１対からなるものであって、前記円錐形状のドラム受け治具（４７）は、遮光用パッキング（４２）を内側に貼着した本件のドア（４３）の内側に設けられ、ドア（４３）を取手（４４）を介して開閉することにより感光体ドラムの取り外し、治具への着座が出来るものである。図９に示される装置においては、熱源として面状発熱体を使用したが、熱を感光体に均一に与えられる方法であれば、どのようなものでも差し支えない。また、ドラム受け治具は図９は両切りドラム用治具（図では、太さが２種まで可）を図示したが、ドラムの形状により治具をその都度変更する必要がある。
【００４７】
次に、今まで述べてきた感光体の加熱方法について、温度、条件等について説明する。今まで感光体の加熱方法について述べたが、画像形成装置内での加熱する方法については、２つの方法がある。１つは、画像形成装置使用期間中に一定の温度を常に与える方法であり、もう１つの方法は、１度高温にした後、ある温度まで下げて（通常は室温）使用する方法である。
【００４８】
前者においては、あまり高温でない温度（４０〜８０℃程度）に感光体温度を保つ方法である。したがって、感光体をある一定の温度に制御する為には、加熱を開始し、ある所定温度に達した後、小さい熱エネルギーを連続的に与える方法と、ある幅に温度コントロールするならば所定温度に達した時、熱エネルギー供給を止め、ある温度に下がったら（或いはある時間が経過したら）再び熱エネルギーを与えるといった間欠的な方法もある。
【００４９】
次に後者について説明を行なう。これは、感光体を常に加熱する訳ではなく、必要に応じて短時間高温にさせる方法である。例えば、画像形成装置に電源を入れると、定着部を加熱するのに時間がかかる（いわゆるファーストコピー時間）のを利用し、この時に同時に感光体を加熱する方法や例えば帯電直後の表面電位を検知する装置が入っていて、あるしきい電位よりも下がった時に加熱する方法である。更にはいわゆる予熱時、つまり画像形成を行なわない時間には加熱しておき、使用する時に温度を下げて使用する方法等がある。
【００５０】
加熱処理温度については、前者（つまり定常的に温度を与える方法）については、あまり高温にすると感光体表面へのストレスが大きくなる為、好ましくは下限４０℃以上、更に好ましくは５０℃以上とした上限は、好ましくは１００℃以下、更に好ましくは８０℃以下とするのがよい。
また、後者（非定常的に熱を与える方法）については、感光体の使用時外に加熱処理することにより、前者よりも高温にすることができる。好ましくは４０℃以上、更に好ましくは５０℃以上、上限は、好ましくは１５０℃以下、更に好ましくは１２０℃以下である。但し、後者の方法にて、かなり高温にし、画像形成装置内にて処理する場合には、加熱時間を短くするか、画像形成を停止すべきであり、事前にその様な装置を或いは機構を取り付けることが好ましい。
【００５１】
次に、図面を用いて本発明で用いられる電子写真感光体を説明する。
図１０は、本発明において用いられる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体（５１）上に、感光層（５２）が形成されたものである。
図１１は、本発明において用いられる電子写真感光体の別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（５１）上に、電荷発生層（６１）と電荷輸送層（６２）からなる感光層（５２）が形成されたものである。
図１２は、本発明において用いられる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（５１）と感光層（５２）との間に下引き層（５３）が形成されたものである。
【００５２】
次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送材料について述べる。
本発明に用いられる高分子電荷輸送材料として、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送材料が有効に用いられる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送材料を以下に例示し、具体例を示す。
【００５３】
【化２５】
【００５４】
【化２６】
【００５５】
【化２７】
【００５６】
一般式１の具体例
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００５７】
アルキル基として好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００５８】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ4は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
Ｒ5、Ｒ6は置換若しくは無置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００５９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００６０】
上記のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同様のものが挙げられる。
【００６１】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ105）。アルコキシ基（−ＯＲ105）としては、Ｒ105が上記（２）で定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００６２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００６３】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００６４】
【化２８】
１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
【００６５】
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００６６】
【化２９】
【００６７】
一般式２の具体例
Ｒ7、Ｒ8は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は
【００６８】
【化３０】
【００６９】
【化３１】
【化３２】
【化３３】
【化３４】
【００７３】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3で示されるアリレン基としてはＲ7及びＲ8で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ106、Ｒ107、Ｒ108と同じ意味を有する。
【００７４】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ18さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００７５】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ109）。アルコキシ基（−ＯＲ109）としては、Ｒ109が（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【００７７】
【化３５】
【００７８】
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等。
【００７９】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８０】
【化３６】
【００８１】
【化３７】
【００８２】
一般式３の具体例
Ｒ9、Ｒ10は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８３】
また、Ａｒ4、Ａｒ5及びＡｒ6で示されるアリレン基としてはＲ9及びＲ10で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００８４】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ112）。アルコキシ基（−ＯＲ112）としては、Ｒ112が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００８５】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００８６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００８７】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００８８】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８９】
【化３８】
【００９０】
【化３９】
【００９１】
一般式４の具体例
Ｒ11、Ｒ12は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００９２】
また、Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9で示されるアリレン基としてはＲ11及びＲ12で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００９３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ113）。アルコキシ基（−ＯＲ113）としては、Ｒ113が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００９４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００９５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００９６】
【化４０】
【００９７】
【化４１】
【００９８】
一般式５の具体例
Ｒ13、Ｒ14は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００９９】
また、Ａｒ10、Ａｒ11及びＡｒ12で示されるアリレン基としてはＲ13及びＲ14で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１００】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ114）。アルコキシ基（−ＯＲ114）としては、Ｒ114が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１０１】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１０２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１０３】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１０４】
前記Ｘ1、Ｘ2の構造部分は置換若しくは無置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ13、Ｒ14のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げられる。
【０１０５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１０６】
【化４２】
【０１０７】
【化４３】
式中、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15、Ａｒ16は同一又は異なるアリレン基、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１０９】
一般式６の具体例
Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１１０】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１１１】
また、Ａｒ13、Ａｒ14、Ａｒ15及びＡｒ16で示されるアリレン基としてはＲ15、Ｒ16、Ｒ17、及びＲ18で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１１２】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１１３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ115）。アルコキシ基（−ＯＲ115）としては、Ｒ115が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１１４】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１１５】
前記Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3の構造部分は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なっていてもよい。
【０１１６】
このアルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
【０１１７】
同シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【０１１８】
同アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【０１１９】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２０】
【化４４】
【０１２１】
【化４５】
【０１２２】
一般式７の具体例
Ｒ19、Ｒ20は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１２３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２４】
また、Ｒ19、Ｒ20は環を形成する場合、９−フルオレニリデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンなどが挙げられる。
また、Ａｒ17、Ａｒ18及びＡｒ19で示されるアリレン基としてはＲ19及びＲ20で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１２５】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１２６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ116）。アルコキシ基（−ＯＲ116）としては、Ｒ116が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１２７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１２８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１２９】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３０】
【化４６】
【０１３１】
【化４７】
【０１３２】
一般式８の具体例
Ｒ21は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１３３】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１３４】
また、Ａｒ20、Ａｒ21、Ａｒ22及びＡｒ23で示されるアリレン基としてはＲ21で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
【０１３５】
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１３６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ117）。アルコキシ基（−ＯＲ117）としては、Ｒ117が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１３７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１３８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１３９】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１４０】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１４１】
【化４８】
【０１４２】
【化４９】
【０１４３】
一般式９の具体例
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１４４】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１４５】
また、Ａｒ24、Ａｒ25、Ａｒ26、Ａｒ27、及びＡｒ28で示されるアリレン基としては、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、及びＲ25で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１４６】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１４７】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ118）。アルコキシ基（−ＯＲ118）としては、Ｒ118が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１４８】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１４９】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１５０】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１５１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１５２】
【化５０】
【０１５３】
【化５１】
【０１５４】
一般式１０の具体例
Ｒ26、Ｒ27は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１５５】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１５６】
また、Ａｒ29、Ａｒ30、及びＡｒ31で示されるアリレン基としては、Ｒ26及びＲ27で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１５７】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基若しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１５８】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ119）。アルコキシ基（−ＯＲ119）としては、Ｒ119が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１５９】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１６０】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１６１】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１６２】
【化５２】
【０１６３】
導電性支持体（５１）としては、体積抵抗１０10Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【０１６４】
本発明における感光層（５２）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型について述べる。
はじめに、電荷発生層（６１）について説明する。電荷発生層（６１）は、電荷発生材料を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生材料としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【０１６５】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生材料は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１６６】
電荷発生層（６１）に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先に記した一般式１〜１０の高分子電荷輸送材料が良好に用いられるが、その他の高分子電荷輸送材料として以下のものが挙げられる。
【０１６７】
（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメチルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有する特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシアリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させることにより得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合物等が例示される。
（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロルメチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成されるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合により生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチレン化合物等が例示される。
（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９７号公報記載の
−(Ｓｉ(R1)(R2)）−、又は
【０１６８】
【化５３】
（ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び特開平１−１９０４９号公報記載の一般式
【０１６９】
【化５４】
（ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ2−、−(ＣＨ2)2−、−(ＣＨ2)3−及び−(ＣＨ2)4−、Ｒ”は−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ6Ｈ4−Ｙ−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−ＣＯ−（Ｙは−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)2−等）、ｍは０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１−１７２８号公報記載の
R-[O-A-O-CH2-CH(OR)-CH2-O-Ｂ-O-CH2-CH(OR)-CH2]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)2−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公報記載の
【０１７０】
【化５５】
【０１７１】
【化５６】
（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインドロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
【０１７２】
本発明に使用される電子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような、
【０１７３】
【化５７】
【０１７４】
電荷発生層（６１）に併用できる低分子電荷輸送材料には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
【０１７５】
電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１７６】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１７７】
電荷発生層（６１）を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
【０１７８】
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系電荷発生材料を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【０１７９】
次に、電荷輸送層（６２）について説明する。
電荷輸送層（６２）は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０5Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。
【０１８０】
電荷輸送層（６２）に併用できるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１８１】
電荷輸送層（６２）に併用できる低分子電荷輸送材料は、電荷発生層（６１）の説明において記載したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層（６２）の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
また、本発明において電荷輸送層（６２）中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
【０１８２】
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１８３】
次に、感光層（５２）が単層構成の場合について述べる。
キャスティング法で単層感光層を設ける場合、多くは電荷発生材料と低分子並びに高分子電荷輸送材料よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発生材料並びに電荷輸送材料には、前出の材料を用いることができる。
また、必要により可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（６２）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層（６１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【０１８４】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体（５１）と感光層（５２）［積層タイプの場合には、電荷発生層（６１）］との間に下引き層（５３）を設けることができる。下引き層（５３）は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層（５３）は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【０１８５】
さらに、本発明における感光体の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。
この他に、本発明の下引き層にはＡｌ2Ｏ3を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、ＣｅＯ2等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１８６】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送材料を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
本発明に用いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げられる。
【０１８７】
モノフェノール系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなど。
【０１８８】
ビスフェノール系化合物
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）など。
【０１８９】
高分子フェノール系化合物
１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、トコフェノール類など。
【０１９０】
パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１９１】
ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１９２】
有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１９３】
有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１９４】
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる。
本発明における酸化防止剤の添加量は、電荷輸送材料１００重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは２〜３０重量部である。
【０１９５】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算出して１００±２０の範囲であった。
【０１９６】
実施例１
φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。
【０１９７】
［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂 ６部
（ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂 ４部
（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
酸化チタン ４０部
メチルエチルケトン ２００部
【０１９８】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部
【０１９９】
【化５８】
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０２００】
［電荷輸送層用塗工液］
下記構造の高分子電荷輸送材料 １０部
【０２０１】
【化５９】
【０２０２】
以上のように作成した電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、図５に示すようなヒートパイプを使用し、ドラム温度が常に５０±２℃になるようにセットした。以上のように条件を整えた後、２０℃−６０％ＲＨの環境下で連続５万枚のコピーを行なった。
なお、感光体の表面電位は、複写機内にて、帯電直後のドラム表面電位が測定できるように表面電位計のプローブをセットし、コピースタート時（３〜５枚目）と５万枚時に測定した。更に５万枚複写における感光体の膜厚減少量（摩耗量）を測定した。
【０２０３】
参考例１
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２０４】
【化６０】
実施例２
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２０６】
【化６１】
実施例３
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２０８】
【化６２】
実施例４
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１０】
【化６３】
実施例５
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１２】
【化６４】
実施例６
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１４】
【化６５】
実施例７
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１６】
【化６６】
実施例８
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２１８】
【化６７】
実施例９
実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同様に感光体を作製し、実施例１と全く同様にして評価をした。
【０２２０】
【化６８】
比較例１〜９、参考比較例１
実施例１〜９、参考例１において、ヒートパイプによるドラム温度制御を行なわない以外は、実施例１〜９、参考例１と全く同様の評価を行なった。
【０２２２】
比較例１０
実施例１における電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外は、全く同様に作製し、実施例１と全く同様の評価を行なった。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送材料 １０部
【０２２３】
【化６９】
以上のように作成した比較例１１の電子写真感光体を実装用にした後、実施例１と全く同様の評価を行なった。
【０２２４】
比較例１１
比較例１０において、ヒートパイプによるドラム温度制御を行なわない以外は、比較例１０と全く同様の評価を行なった。実施例１〜９、参考例１と比較例１〜１１、参考比較例１の結果を表１に示す。
【０２２５】
【表１】
実施例１０〜１８、参考例２
上記実施例１〜９、参考例１と全く同様にして作製した電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、図６に示すような抵抗加熱器を使用し、コピー５０００枚毎に停止し、ドラム温度を１００℃まで加熱し、別に設けたファンにて室温まで冷却するという条件で５００１０枚までコピーした。なお、環境条件は、２５℃−４５％ＲＨであった。評価方法としては、１０枚目と５００１０枚目の画像の黒ベタ部を市販のマクベス濃度計にて画像濃度（以下Ｉ．Ｄ．と略す。）を測定した。
【０２２７】
比較例１２〜２０、参考比較例２
上記実施例１０〜１８、参考例２における加熱処理をしない他は、実施例１０〜１８、参考例２と全く同様の評価を行なった。但し、感光体の加熱処理に相当する時間、コピーを停止し、感光体は休ませた。
【０２２８】
比較例２１
上記比較例１０と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた以外は実施例１１と全く同様の評価を行なった。
比較例２２
上記比較例２１において、抵抗加熱器によるドラムの加熱処理を行なわない以外は、比較例２１と全く同様の評価を行なった。但し、感光体の加熱処理に相当する時間、コピーを停止し、感光体は休ませた。
実施例１０〜１８、参考例２と比較例１２〜２２、参考比較例２の結果を表２に示す。
【０２２９】
【表２】
実施例１９〜２８
実施例１におけるアルミニウムドラムの代りにアルミニウム導電層を有するポリエステルフィルムを支持体に用い、電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外は、実施例１と全く同様に本発明における電子写真感光体を作製した。
【０２３１】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のビスアゾ顔料 ２．５部
【０２３２】
【化７０】
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０２３３】
以上のように作製した感光体に導電層塗工及びベルト接合を行ない、実装用の感光体とし、この感光体を一部改造した複写機（リコー製：リコピーＦＴ２０５０）に搭載した。図２に示すようなプロセスにて、従動ローラを面状発熱体にし、感光体温度が４０±３℃になる様にセットした。環境条件は、１８℃−３５％ＲＨである。この状態で５万枚の連続コピーを行ない、１枚目と５万枚目の画像評価を行なった。
【０２３４】
比較例２３〜３２
実施例１９〜２８における温度コントロールを行なわない他は、実施例１９〜２８と全く同様にして画像評価を行なった。
【０２３５】
比較例３３
上記比較例１０におけるアルミニウムドラムの代りにアルミニウム導電層を有するポリエステルフィルムを支持体に用い、電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外は、比較例１０と全く同様に作製した。
【０２３６】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のビスアゾ顔料 ２．５部
【０２３７】
【化７１】
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０２３８】
以上のように作製した感光体に導電層塗工及びベルト接合を行ない、実装用の感光体とした。この感光体を実施例１９で用いた複写機に設置し、実施例１９と全く同様にして評価を行なった。
比較例３４
上記比較例３３における温度コントロールを行なわない他は、比較例３３と全く同様にして画像評価を行なった。実施例１９〜２８と比較例２３〜３４の結果を表３に示す。
【０２３９】
【表３】
実施例２９〜３８
実施例１９〜２８と全く同様にして作製した実装用の電子写真感光体を一部改造した複写機（リコー製：リコピーＦＴ２０５０）に搭載した。図３に示すような赤外線ランプハウスを取り付け、５０００枚毎にコピーを停止し、感光体温度を８０℃まで加熱し、４０℃まで冷却した後再びコピーを開始するといった方法で２０００１枚のコピーを行なった。帯電直後の表面電位が測定できる様に表面電位計のプローブをセットし、１０枚目の表面電位と２０００１枚目の表面電位を測定した。ランニング環境は、３０℃−８０％ＲＨという条件にて行なった。フィルターはシャープカットフィルター（富士写真ＳＣ−７２）を使用した。
【０２４１】
比較例３５〜４４
実施例２９〜３８における温度コントロールを行なわない他は実施例２９〜３８と全く同様にして評価を行なった。但し、５０００枚毎にコピーを停止し、実施例の加熱−冷却に要する時間は、感光体を休ませた。
【０２４２】
比較例４５
比較例３３と全く同様にして作製した感光体を用いた他は実施例２９と全く同様にして評価を行なった。
比較例４６
比較例３３と全く同様にして作製した感光体を用いた他は比較例４５と同様にして評価を行なった。但し、５０００枚毎にコピーを停止し、実施例の加熱−冷却に要する時間は、感光体を休ませた。実施例２９〜３８と比較例３５〜４６の結果を表４に示す。
【０２４３】
【表４】
実施例３９〜４８
実施例１９〜２８と全く同様にして作製した感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：リコピーＦＴ２０７０）に搭載し、高周波電源として２．４５ＧＨｚのマグネトロンを用いて、別に設けた強磁性体（フェロックスプレーナ粒子）を樹脂中に分散した板に電極を設けた発熱体により感光体温度が５０±２℃になるようにセットした。各条件をセットした後、複写機を繰り返し使用し、５万枚のコピーを行なった。環境は、２３℃−５０％ＲＨであった。評価方法としては、１０枚目と５００１０枚目の画像の黒ベタ部を市販のマクベス濃度計にて画像濃度（以下Ｉ．Ｄ．と略す。）を測定した。
【０２４５】
比較例４７〜５６
実施例３９〜４８における高周波加熱を行なわない他は、実施例３９〜４８と全く同様にして評価した。
【０２４６】
比較例５７
比較例３３と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた以外は実施例３９と全く同様にして評価をした。
比較例５８
比較例５７において、高周波加熱を行なわない他は、比較例５７と全く同様にして評価した。実施例３９〜４８と比較例４７〜５８の結果を表５に示す。
【０２４７】
【表５】
参考例３〜１２
実施例１〜９、参考例１と全く同様にして作製した電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載した。なお、連続コピー４９９９０枚行ない、感光体を複写機より取り出して、図９に示すような感光体加熱装置にて、１３０℃−２０分間、加熱処理を行ない、室温まで冷却して、再び複写機に戻し、通算５万枚までコピーを行ない、１０枚目と５万枚目の画像評価を行なった。測定した環境条件は、２５℃−５０％ＲＨであった。
【０２４９】
参考比較例３〜１２
参考例３〜１２における加熱処理を２５℃で行なった以外は（つまり室温と同じ）参考例３〜１２と全く同様にして評価をした。
【０２５０】
参考比較例１３
比較例１０と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた以外は参考例３と全く同様にして評価をした。
参考比較例１４
参考比較例１３において加熱処理を２５℃で行なった以外は（つまり室温と同じ）参考比較例１３と全く同様にして評価をした。参考例３〜１２と参考比較例３〜１４の結果を表６に示す。
【０２５１】
【表６】
実施例４９〜５７、参考例１３
実施例１〜９、参考例１と全く同様にして作製した電子写真感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載した。図４に示す温風ブロワと、排気装置を感光体の周囲に配置し、感光体温度が４５℃±３℃になるようにセットした。環境条件は１８℃−３５％ＲＨである。この状態で３万枚の連続コピーを行ない、１枚目と３万枚目の画像評価を行なった。
【０２５３】
比較例５９〜６７、参考比較例１５
実施例４９〜５７、参考例１３における温風加熱処理をしない他は、実施例４９〜５７、参考例１３と全く同様にして評価した。
【０２５４】
比較例６８
比較例１０と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた他は実施例４９と全く同様にして評価した。
比較例６９
比較例６８における温風加熱処理をしない他は、比較例６８と全く同様にして評価した。実施例４９〜５７、参考例１３と比較例５９〜６９、参考比較例１５の結果を表７に示す。
【０２５５】
【表７】
実施例５８〜６６、参考例１４
実施例１〜９、参考例１と全く同様にして作製した実装用の電子写真感光体を一部改造した複写機（リコー製：イマジオＭＦ５３０）に搭載した。従動ローラ内にＰＴＣ特性を有する発熱体を設け、ｏｎ−ｏｆｆにより、感光体温度が３５℃±３℃になるようにセットした。環境条件は１０℃−６０％ＲＨである。この状態で５万枚の連続コピーを行なった。評価方法としては、５万枚目の画像の地汚れを目視にて５段階に評価した。但し、ランク５を良、ランク１を否とする。
【０２５７】
比較例７０〜７８、参考比較例１６
実施例５８〜６６、参考例１４における温度コントロールを行なわない他は、実施例５８〜６６、参考例１４と全く同様の評価を行なった。
【０２５８】
比較例７９
比較例１０と全く同様にして作製した電子写真感光体を用いた他は実施例５８と全く同様の評価を行なった。
比較例８０
比較例７９における加熱処理をしない他は、比較例７９と全く同様にして評価した。実施例５８〜６６、参考例１４と比較例７０〜８０、参考比較例１６の結果を表８に示す。
【０２５９】
【表８】
【発明の効果】
以上、詳細且つ具体的に説明したように、本発明のプロセスは、前記構成からなるため、次のような顕著な効果を奏する。
（１）高分子電荷輸送材料を用いた感光体の繰り返し使用後の帯電特性の劣化を防ぐことができる。即ち、複写機、プリンタ等の画像濃度低下、画像濃度ムラ、或いは反転現像時においては、地汚れのない良好な画像を得ることができる。
（２）高温高湿度下での感光体雰囲気の相対湿度を下げ、画像ウスを防止することができる。
（３）低温時の感光体の結露及び低温低湿時の画像地汚れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ベルト状感光体の加熱方法についての説明図である。
【図２】ベルト状感光体の加熱方法についての別の説明図である。
【図３】ベルト状感光体の加熱方法についての更に別の説明図である。
【図４】ベルト状感光体の加熱方法についての更に別の説明図である。
【図５】ローラを発熱体にした感光体の加熱方法である。
【図６】ローラを発熱体にした感光体の別の加熱方法である。
【図７】ドラム状感光体の加熱方法についての説明図である。
【図８】ドラム状感光体の別の加熱方法についての説明図である。
【図９】本発明で用いる代表的な感光体加熱装置の説明図であり、（ａ）は、全体の鳥瞰図、（ｂ）は１部切り欠き図、（ｃ）は横断面図である。
【図１０】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の別の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ ベルト状感光体
１２ 従動ローラ
１３ 駆動ローラ
１４ 現像ローラ
１５ フィルタ
１６ カバー
１７ ミラー
１８ 赤外線ランプ
１９ 温風ブロワ
１Ａ 排気装置
１Ｂ オゾン除去部材
２１ 発熱ローラ
２２ ヒートパイプ
２３ 抵抗過熱体
３１ ドラム状感光体
３２ メカニカルシール
３３ 回転用歯車
３４ 温度調節用液体の流れ
３５ ＰＴＣを有する発熱体
４１ 加熱装置本体
４２ 遮光用パッキング
４３ ドア
４４ 取っ手
４５ 蝶番
４６ 面状発熱体
４７ ドラム受け治具
５１ 導電性支持体
５２ 感光層
５３ 下引き層
６１ 電荷発生層
６２ 電荷輸送層
Claims (10)
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式１で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式２で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式３で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式４で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式５で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式６で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式７で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式８で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式９で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
- 電子写真感光体の使用中若しくは使用時外に画像形成装置内で行なう該電子写真感光体の加熱処理工程を含む電子写真画像形成方法であって、該電子写真感光体として導電性支持体から最も離れた最表層に下記一般式１０で表わされる高分子電荷輸送材料を含有するものを用いることを特徴とする電子写真画像形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15338296A JP3847376B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15338296A JP3847376B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真画像形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09319258A JPH09319258A (ja) | 1997-12-12 |
| JP3847376B2 true JP3847376B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=15561258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15338296A Expired - Fee Related JP3847376B2 (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3847376B2 (ja) |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP15338296A patent/JP3847376B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09319258A (ja) | 1997-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007322867A (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ | |
| JP3847376B2 (ja) | 電子写真画像形成方法 | |
| JP3936774B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3852812B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3878444B2 (ja) | 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスユニット | |
| JP4255401B2 (ja) | 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ | |
| JPH09304954A (ja) | 電子写真画像形成装置 | |
| JP3900459B2 (ja) | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ | |
| JP2007072408A (ja) | 電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及び画像形成方法 | |
| JP3558147B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP3736696B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP3643918B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP3736697B2 (ja) | 電子写真プロセス | |
| JPH09319256A (ja) | 電子写真プロセス | |
| JP3859770B2 (ja) | 画像形成法 | |
| JPH11344819A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2001194815A (ja) | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ | |
| JP2001296681A (ja) | 電子写真感光体、それを用いた電子写真方法、電子写真装置および電子写真装置用プロセスカートリッジ | |
| JP2001235884A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH09311486A (ja) | 電子写真プロセス | |
| JPH11344820A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2004212821A (ja) | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ | |
| JPH09319119A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH09311482A (ja) | 電子写真プロセス | |
| JPH09319116A (ja) | 電子写真プロセス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040325 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050413 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050609 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060817 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060823 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |