JP2007072408A - 電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及び画像形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光照射とバイアス印加による帯電手段を伴う画像形成プロセスに用いる電子写真感光体において、該電子写真感光体が導電性支持体(11)上に、少なくとも露光により、静電潜像形成の電荷を発生する電荷発生層1(13)、電子輸送物質を含有した電荷輸送層1(14)、露光により帯電電荷を発生する電荷発生層2(15)、正孔輸送物質を含有した電荷輸送層2(16)を順次積層した構成を有することを特徴とする電子写真感光体。
【選択図】 図2
Description
このような電子写真方法において感光体に要求される基本的な特性としては
(1)暗所で適当な電位に帯電できること、
(2)暗所において電荷の散逸が少ないこと、
(3)光照射によって速やかに電荷を散逸できること、
などが挙げられる。
この機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られており、上記基本特性を充分に満たすものが得られている。
感光体は、電子写真プロセスにおいて、様々な機械的、化学的負荷を受けている。このうち化学的負荷は、電子写真プロセスにおける帯電部から発生するオゾンや窒素酸化物等による影響が大きい。これらのオゾン、窒素酸化物等が帯電部で発生し、感光体表面へ吸着及び化学変化を引き起こす。帯電工程から発生したオゾンは、感光体を形成する結着樹脂や電荷輸送物質を酸化する。そして結着樹脂の分子鎖が切断され、さらにカルボン酸等の有機酸が生成される。また同様に発生した窒素酸化物等の放電生成物は空気中の水(水分子)と結合あるいは反応することにより電気導電性を有する物質となる。この物質及び前述した有機酸が感光体上に吸着した場合、感光体表面近傍が低抵抗化し、感光体上に形成された静電潜像が破壊されてしまう。その結果、現像工程の施された感光体上にはいわゆる画像流れ状態のトナー像が形成される。また、感光体上に吸着した放電生成物により感光体表面の摩擦係数の増加が一般に生じるが、その結果例えば感光体へのクリーニングブレード当接部位における力学的な負荷が増加し、さらに前述した感光体を形成する結着樹脂の分子鎖切断により、感光体摩耗が促進されてしまう。またこれらのオゾン、窒素酸化物など発生は、環境側面からも問題となる。
コロナ帯電方法には、コロトロン方式とグリッドを有するスコロトロン方式があり、金属板で遮蔽されたハウジングの中央に帳架されたタングステンやニッケルのチャージワイヤーに、直流もしくは交流を重畳した直流電圧を印加することによりコロナ放電を起こし、感光体を帯電する方法である。しかしこの方法では、チャージワイヤーに高電圧を印加するために、オゾンや窒素酸化物などが生成される。この生成物は、環境的側面ばかりでなく、感光体に対しても、耐久性や画像特性に対し、悪影響を及ぼすことが知られている。
しかし、これらの文献には、上記帯電方式による画像形成に用いる感光体に関しては、具体的には全く開示されていない。
(1)「光照射とバイアス印加による帯電手段を伴う画像形成プロセスに用いる電子写真感光体において、該電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくとも露光により、静電潜像形成の電荷を発生する電荷発生層1、電子輸送物質を含有した電荷輸送層1、露光により帯電電荷を発生する電荷発生層2、正孔輸送物質を含有した電荷輸送層2を順次積層した構成を有することを特徴とする電子写真感光体」;
(2)「該電子写真感光体の最表層が、少なくとも正孔輸送性構造を有しない3官能以上のラジカル重合性モノマーと正孔輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を硬化した架橋層であることを特徴とする前記(1)に記載の電子写真感光体」;
(3)「該電子写真感光体の最表層が架橋層であり、該架橋層に用いられている正孔輸送性構造を有しない3官能以上のラジカル重合性モノマーが、アクリレート化合物もしくはメタクリレート化合物であることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の電子写真感光体」;
(4)「該電子写真感光体の最表層が架橋層であり、該架橋層に用いられている正孔輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、アクリレート化合物もしくはメタクリレート化合物であることを特徴とする前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(5)「該電子写真感光体の最表層が架橋層であり、該架橋層に用いられている正孔輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、トリアリールアミン構造を有することを特徴とする前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(6)「該電子写真感光体の最表層が架橋層であり、該架橋層に用いられている正孔輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、1官能であることを特徴とする前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(7)「該電子写真感光体の最表層に、少なくともフィラーを含有することを特徴とする前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(8)「該電子写真感光体の最表層に含有されるフィラーが、無機フィラーであることを特徴とする前記(7)に記載の電子写真感光体」;
(9)「該電子写真感光体の最表層に含有される無機フィラーが、金属酸化物フィラーであることを特徴とする前記(8)に記載の電子写真感光体」;
(10)「該電子写真感光体の最表層に含有される金属酸化物フィラーが、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム中から選ばれる少なくとも一つの物質を含有すること特徴とする前記(9)に記載の電子写真感光体」;
(11)「該電子写真感光体の最表層に含有されるフィラーが、炭素を主成分とするフィラーであることを特徴とする前記(7)に記載の電子写真感光体」;
(12)「該電子写真感光体の最表層に含有される炭素を主成分とするフィラーが、ダイヤモンドフィラーであることを特徴とする前記(11)に記載の電子写真感光体」;
(13)「該電子写真感光体の最表層が、水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する膜であることを特徴とする前記(11)に記載の電子写真感光体」;
(14)「該電荷輸送層2の正孔輸送物質が、高分子正孔輸送物質であることを特徴とする前記(1)乃至(13)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(15)「該電荷輸送層2及び/又は該電子写真感光体の最表層が、正孔輸送物質及び電子輸送物質を含有することを特徴とする前記(1)乃至(14)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(16)「該電荷発生層1に含有される電荷発生物質と該電荷発生層2に含有される電荷発生物質とが異なり、且つそれぞれの電荷発生物質の最大光吸収波長が異なることを特徴とする前記(1)乃至(15)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(17)「該電荷発生層1に含有される電荷発生物質がフタロシアニン顔料であり、且つ電荷発生層2に含有される電荷発生物質がアゾ顔料であることを特徴とする前記(16)に記載の電子写真感光体」;
(18)「該電荷輸送層1の膜厚が10〜50μmであることを特徴とする前記(1)乃至(17)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(19)「該電荷輸送層2の膜厚が0.5〜10μmであることを特徴とする前記(1)乃至(18)のいずれかに記載の電子写真感光体」;
(20)「少なくとも光照射とバイアス印加による帯電手段と前記(1)乃至(19)のいずれかに記載の電子写真感光体を具備することを特徴とする画像形成装置」;
(21)「少なくとも光照射とバイアス印加による帯電手段と前記(1)乃至(19)のいずれかに記載の電子写真感光体とを一体に支持し、画像形成装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ」;
(22)「電子写真感光体を用い、少なくとも光照射とバイアス印加による帯電を伴う画像形成方法であって、該電子写真感光体として前記(1)乃至(19)のいずれかに記載の電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法」。
また、本発明により、上記電子写真感光体を用いた画像形成装置、プロセスカートリッジ及び画像形成方法を提供することができる。
このような電子写真感光体を用いて画像形成を行なった場合には、長期的使用においても画像安定性に優れた高画質の画像を形成することができ、また該電子写真感光体の帯電時におけるオゾン、窒素酸化物などの発生を抑制することができる。
図1は、本発明の電子写真感光体を示す基本的な構成例である。導電性支持体(11)上に電荷発生層1(13)、電荷輸送層1(14)、電荷発生層2(15)、電荷輸送層2(16)を順次積層した構造を有する。
ここで電荷発生層1は、露光により静電潜像を形成するための電荷を発生する層である。電荷発生層2は、露光により帯電を行なうための電荷を発生する層である。電荷輸送層1は、正孔輸送物質を含有し、帯電時に電荷発生層2で発生した正孔を導電性基体側に輸送し、静電潜像形成時に電荷発生層1で発生した正孔を感光体表面側に輸送するために設けられた層である。電荷輸送層2は、電子輸送物質を含有し、帯電時に電荷発生層2で発生した電子を表面側に輸送するための層である。電荷輸送層2は、静電潜像形成時にも電荷発生層1で発生した正孔を表面側に輸送する必要がある。そのため電荷輸送層2は電子輸送物質と正孔輸送物質を含有していることが好ましい。
図2で示すように、先ず帯電用露光装置(21)により露光波長λ1のLDやLED光を感光体に一様に露光し、電荷発生層2で、電荷が発生する。そしてこの露光と同時に、接触もしくは近接配置されたバイアス印加部材(22)にマイナスバイアスを印加する。
このため感光体には、接触もしくは近接配置されたバイアス印加部材(22)と導電性支持体(11)との間で、電界が形成され、その電界によって、正孔(24)と電子(25)が分離し、正孔(24)は、感光体表面に、電子(25)は導電性支持体に移動する。そして、感光体表面には、均一なプラスのチャージシートが形成される。
ここで、露光されるλ1およびλ2は、異なった波長であることが好ましく、またそれに対応して電荷発生層1(13)と電荷発生層2(15)としては、それぞれ異なった吸収波長域を有する電荷発生物質を使用することが好ましい。またここで、接触もしくは近接配置されたバイアス印加部材(22)に印加されるバイアスは、パッシェンの法則にしたがった放電開始電圧以下のバイアスを印加する。放電開始電圧は、感光層の誘電率及び感光層膜厚により求められる静電容量から決定される。本システムでは、感光体表面電位と接触もしくは近接配置されたバイアス印加部材(22)の表面電位差が、放電開始電圧以上になったときに放電する。
図1は、前記したように本発明の電子写真感光体の基本的な構成例を示す断面図である。
図3は、本発明の電子写真感光体の別の構成例を示す断面図であり、導電性支持体(11)上に、下引き層(12)、電荷発生層1(13)、電荷輸送層1(14)、電荷発生層2(15)、電荷輸送層2(16)を順次積層した構造を有する。
図4は、本発明の電子写真感光体のまた別の構成例を示す断面図であり、導電性支持体(11)上に、電荷発生層1(13)、電荷輸送層1(14)、電荷発生層2(15)、電荷輸送層2(16)、表面保護層(17)を順次積層した構造を有する。
本発明の感光体は、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層1、電荷輸送層1、電荷発生層2、電荷輸送層2を有する構成のものであればよく、その他の層等が任意に組み合わされていても構わない。
電荷発生層1は、電荷発生物質を主成分とする層である。電荷発生層1には、公知の電荷発生物質を用いることが可能であり、その代表として、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクアリック酸系染料、他のフタロシアニン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩系染料等が挙げられ用いられる。これら電荷発生物質は単独でも、2種以上混合してもかまわない。
特にフタロシアニン顔料は、チタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ガリウムクロロフタロシアニン、メタルフリーフタロシアニン、銅フタロシアニンなどが有効に使用できる。
またアゾ顔料は、下記一般式(1)で表わされるアゾ顔料が特に有効に使用できる。
式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表わし、同一でも異なっていてもよい。R201、R202はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基のいずれかを表わし、同一でも異なっていてもよい。またCp1、Cp2は下記(2)式で表わされ、
式中、R203は、水素原子、メチル基、エチル基などのアルキル基、フェニル基などのアリール基を表わす。R204、R205、R206、R207、R208はそれぞれ、水素原子、ニトロ基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、水酸基を表わし、Zは置換もしくは無置換の芳香族炭素環または置換もしくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子群を表わす。
結着樹脂の量は、電荷発生物質100重量部に対し0〜500重量部、好ましくは10〜300重量部が適当である。
電荷発生層1の膜厚は、0.01〜5μm程度が適当であり、好ましくは0.1〜2μmである。
電荷輸送層1は、電子輸送物質および結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層1上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
電子輸送物質の量は、結着樹脂100重量部に対し、10〜100重量部、好ましくは20〜70重量部が適当である。
電荷発生層2の膜厚は、0.01〜5μm程度が適当であり、好ましくは0.1〜2μmである。
正孔輸送物質としては、ポリ−N−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、9−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジェン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体等その他公知の材料が挙げられる。これらの正孔輸送物質は単独、または2種以上混合して用いられる。
正孔輸送物質の量は、結着樹脂100重量部に対し、好ましくは20〜300重量部、より好ましくは40〜150重量部が適当である。
正孔輸送物質としての機能とバインダー樹脂の機能を持った高分子正孔輸送物質も良好に使用される。
式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、R5、R6は置換もしくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9、nは繰り返し単位数を表わし5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、または下記一般式で表わされる2価基を表わす。
R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
アルキル基として好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i-プロピル基、t-ブチル基、s-ブチル基、n-ブチル基、i-ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、上記のR1、R2、R3と同様のものが挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR105)としては、R105は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル-N−プロピルアミノ基、N,N-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,8−オクタンジオール、1,10−デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、2−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや1,4−シクロヘキサンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−1,4−ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙げられる。
R7、R8は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C18、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR109)としては、R109は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)
(7)メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基、等が挙げられる。
R9、R10は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR112)としては、R112は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基;具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
R11、R12は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR113)としては、R113は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
式中、R13、R14は置換もしくは無置換のアリール基、Ar10、Ar11、Ar12は同一又は異なるアリーレン基、X1、X2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、jおよびnは、一般式1の場合と同じである。
R13、R14は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR114)としては、R114は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
式中、R15、R16、R17、R18は置換もしくは無置換のアリール基、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又は異なるアリーレン基、Y1、Y2、Y3は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。X、k、jおよびnは、一般式1の場合と同じである。
R15、R16、R17、R18は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR115)としては、R115は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
アルキレン基としては、上記(2)で示したアルキル基より誘導される2価基を表わす。具体的には、メチレン基、エチレン基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基、2−メチル−1,3−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、4−メチルフェニルメチレン基、2,2−プロピレン基、2,2−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
シクロアルキレン基としては、1,1−シクロペンチレン基、1,1−シクロへキシレン基、1,1−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス(トリエチレン)エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
式中、R19、R20は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、R19とR20は環を形成していてもよい。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリーレン基を表わす。X、k、jおよびnは、一般式1の場合と同じである。
R19、R20は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、R19、R20は環を形成する場合、9−フルオリニリデン、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘブテニリデンなどが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR116)としては、R116は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
R21は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR117)としては、R117は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
式中、R22、R23、R24、R25は置換もしくは無置換のアリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28は同一又は異なるアリーレン基を表わす。X、k、jおよびnは、一般式1の場合と同じである。
R22、R23、R24、R25は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR118)としては、R118は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
R26、R27は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基として、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ [a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基として、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(2)アルキル基としては、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR119)としては、R119は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、N,N-ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(7)アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
また、電荷輸送層2の膜厚は帯電性、帯電安定性の点から、前記したように0.5〜10μmであることが望ましい。電荷輸送層2の膜厚が0.5μm未満の場合、長期的使用時における帯電ムラが発生しやすく、10μmより厚くになると残留電位上昇などの問題が発生する。
本発明の架橋型の最表層は、単独で電荷輸送層2として用いるか、もしくは前記電荷輸送層2上に製膜される。
本発明に用いられる正孔輸送性を有しない3官能以上のラジカル重合性モノマーとは、例えばトリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、カルバゾールなどの正孔輸送性構造を有しておらず、且つラジカル重合性官能基を3個以上有するモノマーを指す。このラジカル重合性官能基とは、炭素−炭素2重結合を有し、ラジカル重合可能な基であれば何れでもよい。これらラジカル重合性官能基としては、例えば、下記に示す1−置換エチレン官能基、1,1−置換エチレン官能基等が挙げられる。
正孔輸送性構造を有しない3官能以上の具体的なラジカル重合性モノマーとしては、以下のものが例示されるが、これらの化合物に限定されるものではない。
式中、R28は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、−COOR29(R29は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基)、ハロゲン化カルボニル基若しくはCONR30R31(R30及びR31は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい)を表わし、Ar32、Ar33は置換もしくは無置換のアリーレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ar34、Ar35は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、同一であっても異なってもよい。X5は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。Zは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、アルキレンオキシカルボニル基を表わす。m1、n1は0〜3の整数を表わす。
前記一般式11、12において、R28の置換基中、アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が、アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等がそれぞれ挙げられ、これらは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等により置換されていてもよい。
R28の置換基のうち、特に好ましいものは水素原子、メチル基である。
該縮合多環式炭化水素基としては、好ましくは環を形成する炭素数が18個以下のもの、例えば、ペンタニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、as−インダセニル基、s−インダセニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレル基、ピレニル基、クリセニル基、及びナフタセニル基等が挙げられる。
(1)ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基等。
(2)アルキル基、好ましくは、C1〜C12、とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基にはさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n−ブチル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−プロピル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキエチル基、2−エトキシエチル基、2−シアノエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基(−OR32)であり、R32は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基であり、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−メチルフェノキシ基等が挙げられる。
(5)アルキルメルカプト基またはアリールメルカプト基であり、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)
具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−ジ(トリール)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジノ基等が挙げられる。
(7)メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等が挙げられる。
(8)置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換のβ−フェニルスチリル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジトリルアミノフェニル基等。
ビニレン基は、
置換もしくは未置換のアルキレン基としては、前記X5のアルキレン基と同様なものが挙げられる。
置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基としては、前記X5のアルキレンエーテル基が挙げられる。
アルキレンオキシカルボニル基としては、カプロラクトン変性基が挙げられる。
(式中、o1、p1、q1はそれぞれ0又は1の整数、Raは水素原子、メチル基を表わし、Rb、Rcは水素原子以外の置換基で炭素数1〜6のアルキル基を表わし、複数の場合は異なってもよい。s、tは0〜3の整数を表わす。Zaは単結合、メチレン基、エチレン基、
最表層にフィラーを添加する目的として、耐摩耗性の向上があげられる。本発明のフィラーを含有する最表層は、単独で電荷輸送層2として用いるか、もしくは前記電荷輸送層2上に製膜される。
添加されるフィラーは、有機系及び無機系のフィラーが添加される。
水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する表面保護層の添加物元素は、窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素、沃素が含有されていることが望ましい。
表面保護層の体積抵抗は、109〜1012Ω・cmであることが望ましい。
これらの表面保護層膜厚は、1.0〜10.0μmであることが望ましい。
(a)フェノ−ル系化合物
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノ−ル、n−オクタデシル−3−(4’−ヒドロキシ-3’,5’−ジ−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノ−ル)、2,2’−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノ−ル)、4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノ−ル)、4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノ−ル)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネ−ト]メタン、ビス[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアッシド]クリコ−ルエステル、トコフェロ−ル類など。
N−フェニル−N’−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミンなど。
(c)ハイドロキノン類
2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
(d)有機硫黄化合物類
ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−3,3’−チオジプロピオネ−トなど。
(e)有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキシ)ホスフィンなど。
(a)リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−2−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなど。
(b)フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−2−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなど。
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−n−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなど。
(d)脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−n−ヘキシル、アジピン酸ジ−2−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−n−オクチル、アジピン酸−n−オクチル−n−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−n−オクチル、セバシン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−2−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−n−オクチルなど。
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなど。
(f)オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなど。
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなど。
(h)二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−2−エチルブチラートなど。
(i)含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなど。
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなど。
(k)スルホン酸誘導体
p−トルエンスルホンアミド、o−トルエンスルホンアミド、p−トルエンスルホンエチルアミド、o−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−N−エチルアミド、p−トルエンスルホン−N−シクロヘキシルアミドなど。
(l)クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−2−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−n−オクチルデシルなど。
(m)その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、2−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなど。
(a)炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなど。
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸など。
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなど。
(d)エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなど。
(e)アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなど。
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど。
(g)天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなど。
(h)その他
シリコーン化合物、フッ素化合物など。
(a)ベンゾフェノン系
2−ヒドロキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ4−メトキシベンゾフェノンなど。
(b)サルシレート系
フェニルサルシレート、2,4ジ−t−ブチルフェニル3,5−ジ−t−ブチル4ヒドロキシベンゾエートなど。
(2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、(2’−ヒドロキシ5’−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、(2’−ヒドロキシ5’−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、(2’−ヒドロキシ3’−ターシャリブチル5’−メチルフェニル)5−クロロベンゾトリアゾール
(d)シアノアクリレート系
エチル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート、メチル2−カルボメトキシ3(パラメトキシ)アクリレートなど。
ニッケル(2,2’チオビス(4−t-オクチル)フェノレート)ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなど。
(f)HALS(ヒンダードアミン)
ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート、1−[2−〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ〕エチル]−4−〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ〕−2,2,6,6−テトラメチルピリジン、8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3−オクチル−1,3,8−トリアザスピロ〔4,5〕ウンデカン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンなど。
図6は、本発明の電子写真装置を説明するための概略図である。
図6において、電子写真感光体(31)は、導電性支持体上に、電荷発生層1、電荷輸送層1、電荷発生層2、電荷輸送層2を設けた構造を有する。
帯電部(32)は、電子写真感光体(31)と接触及び近接配置される。この帯電部は、バイアスを印加することが可能である部材(バイアス印加部材)及び帯電用の電荷発生を行なわせるための露光を行なうLDもしくはLED(帯電用露光装置)で構成するのが好ましい。しかしながら、光源をLDやLEDに限定するわけではなく、蛍光灯やキセノンランプ等の光源を用いても構わない。加えて前記蛍光灯やキセノンランプ等の光源と電荷発生層1が吸収する波長のフィルターを用いてもよい。ここでバイアス印加部材は、帯電用露光を行なう光を透過させる必要があるのと同時に、電荷発生層2によって生成されたホールが電荷輸送層を移動し終わるまでの時間(トランジットタイム)だけ感光体層中に電場を形成し続けることができなくてはならない。このような状態を実現できるバイアス印加部材としては例えば図7、図8に示すようなものが挙げられる。
感光体表面に静電潜像を形成した後、現像部(34)で、トナー像を形成する。感光体表面に形成されたトナー像は、転写部(35)により紙などの転写部材へ転写される。その後、定着を経てハードコピーとなる。電子写真感光体(31)上の残留トナーはクリーニング部(36)により除去され、次の電子写真サイクルに移る。
本画像形成方法及び感光体を用いる電子写真プロセスは、上記一例に限定されるものではなく、少なくとも、帯電及び露光により、静電潜像を形成するプロセスであれば、どのようなものであってもかまわない。
実施例1
〔下引き層〕
Al製支持体(外径100mmφ)に、下記塗工液を用いて乾燥後の膜厚が1.0μmになるように浸漬法で塗工し、下引き層を形成した。
(塗工液)
アルキッド樹脂(ベッコゾール1307−60−EL:大日本インキ化学工業)
メラミン樹脂(スーパーベッカミンG−821−60:大日本インキ化学工業)
酸化チタン(CR−EL:石原産業)
メチルエチルケトン
<混合比(重量)>
アルキッド樹脂/メラミン樹脂/酸化チタン/メチルエチルケトン
=3/2/20/100
この下引き層上にオキソチタニウムフタロシアン顔料を含む下記電荷発生層1用塗工液に浸漬塗工し、110℃、20分、加熱乾燥させ、膜厚0.3μmの電荷発生層1を形成した。
(塗工液)
オキソチタニウムフタロシアニン顔料
ブチラール樹脂(エスレックBMS:積水化学社製)
テトラヒドロフラン
<混合比(重量)>
オキソチタニウムフタロシアニン顔料/ポリビニルブチラール
/テトラヒドロフラン=5/2/80
この電荷発生層1上に下記構造の電子輸送物質を含む下記電荷輸送層1用塗工液を用いて、浸積塗工し、130℃、20分加熱乾燥させ、膜厚20μmの電荷輸送層とした。
(塗工液)
ビスフェーノルZ型ポリカーボネート(パンライトTS2050:帝人化成社製)
下記構造の電子輸送物質
この電荷輸送層1上に下記構造のアゾ顔料を含む下記電荷発生層2用塗工液を用いて、スプレー塗工し、140℃、20分、加熱乾燥させ、膜厚0.5μmの電荷発生層2とした。
(塗工液)
ブチラール樹脂(エスレックBMS:積水化学社製)
下記構造のアゾ顔料
この電荷発生層2上に下記構造の正孔輸送物質を含む下記電荷輸送層2用塗工液を用いて、スプレー塗工し、150℃、20分加熱乾燥させ、膜厚5μmの電荷輸送層2とし、感光体を作製し、評価を行なった。
(塗工液)
ビスフェーノルZ型ポリカーボネート(パンライトTS2050:帝人化成社製)
下記構造の正孔輸送物質
実施例1の電荷輸送層2塗工液を下記構成の塗工液とし、下記条件で製膜する以外は全て実施例1と同じにして、感光体を作製し、評価した。
〔電荷輸送層2〕
電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマー 10部
KAYARAD TMPTA(日本化薬製)
下記構造の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物 10部
1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製)
テトラヒドロフラン 80部
〔製膜方法〕
塗工方法 : スプレー塗工
架橋方法 : UV照射
光照射後の乾燥 : 130℃、20min
膜厚 : 4.2μm
実施例1の電荷輸送層2上に以下に説明するプラズマCVD装置を用いて表面保護層を形成する以外は、すべて実施例1と同じにして、電子写真感光体を作製し、評価を行なった。
電荷発生層2までを設けた電子写真感光体を図9〜図11に示すようなプラズマCVD装置にセットし、表面保護層を形成した。ここで図9中、(107)はプラズマCVD装置の真空槽であり、ゲート弁(109)によりロード/アンロード用予備室(117)と仕切られている。真空槽(107)内は排気系(120)(圧力調整バルブ(121)、ターボ分子ポンプ(122)、ロータリーポンプ(123)よりなる)により真空排気され、また一定圧力に保たれるようになっている。
真空槽(107)内には反応槽(150)が設けられている。反応槽は図10、図11に示すような枠状構造体(102)(電極側より見て四角又は六角形状を有している)と、この両端の開口部を覆うようにしたフード(108、118)、更にこのフード(108、118)に配設された一対の同一形状を有する第一及び第二の電極(103、113)(アルミニウム等の金属メッシュを用いている)より構成されている。(130)は反応槽(150)内へ導入するガスラインを示しており、各種材料ガス容器が接続されており、それぞれ流量計(129)を経てノズル(125)より反応槽(150)の中へ導入される。
C2H4流量 : 90sccm
H2流量 : 150sccm
NF3流量 : 45sccm
反応圧力 : 0.02torr
第一の交番電圧出力 : 200W 13.56MHz
バイアス電圧(直流分): −100V
膜厚 : 2.0μm
実施例1の電荷輸送層2塗工液を下記条件とする以外は、すべて実施例1と同様にして感光体を作製し、評価を行なった。
〔電荷輸送層2〕
ビスフェーノルZ型ポリカーボネート
実施例1の正孔輸送物質
実施例1の電子輸送物質
テトラヒドロフラン
シクロヘキサノン
<混合比(重量)>
ポリカーボネート/正孔輸送物質/電子輸送物質/テトラヒドロフラン
/シクロヘキサノン=10/5//2/320/80
実施例4の電荷輸送層2塗工液中のポリカーボネートを下記構造の高分子正孔輸送物質とする以外は、全て実施例1と同様にして感光体を作製し、評価を行なった。
実施例5の電荷輸送層2塗工液を下記条件とする以外は、すべて実施例1と同様にして感光体を作製し、評価を行なった。
〔電荷輸送層2〕
実施例5の高分子正孔輸送物質
実施例1の電子輸送物質
シリカフィラー(KMPX100:信越化学製)
テトラヒドロフラン
シクロヘキサノン
<混合比(重量)>
高分子正孔輸送物質/電子輸送物質/シリカフィラー
/テトラヒドロフラン/シクロヘキサノン=5/2/3/250/70
実施例6の電荷輸送層2塗工液中のシリカフィラーを下記のダイヤモンドフィラーにする以外は、全て実施例1と同様にして、電荷輸送層2を設け、感光体を作製し、評価を行なった。
ダイヤモンドフィラー(ナノダイヤモンド:北京国瑞昇科技有限公司製)
実施例5の電荷輸送層2塗工液を下記条件とする以外は、すべて実施例1と同様にして感光体を作製し、評価を行なった。
〔電荷輸送層2〕
実施例5の高分子正孔輸送物質
実施例1の電子輸送物質
アルミナフィラー(AA03:住友化学製)
テトラヒドロフラン
シクロヘキサノン
<混合比(重量)>
高分子正孔輸送物質/電子輸送物質/シリカフィラー
/テトラヒドロフラン/シクロヘキサノン=5/2/3/250/70
電荷輸送層2を設けず、電荷発生層2を下記条件のものとする以外は、すべて実施例1と同様にして、感光体を作製し、評価を行なった。
〔電荷発生層2〕
電荷輸送層1上に実施例1のアゾ顔料を含む下記電荷発生層2用塗工液を用いて、スプレー塗工し、140℃、20分、加熱乾燥させ、膜厚5μmの電荷発生層2とした。
(塗工液)
ビスフェーノルZ型ポリカーボネート(パンライトTS2050:帝人化成社製)
実施例1のアゾ顔料
テトラヒドロフラン
シクロヘキサノン
<混合比(重量)>
アゾ顔料/ポリカーボネート/テトラヒドロフラン
/シクロヘキサノン=5/2/100/40
評価は、画像評価(ハーフトーン画像、S3チャート)、摩耗量評価を行なった。結果を表1、2、3に示す。
12 下引き層
13 電荷発生層1
14 電荷輸送層1
15 電荷発生層2
16 電荷輸送層2
17 表面保護層
21 帯電用露光装置
22 バイアス印加部材
23 画像信号書き込み(露光)装置
24 +電荷(ホール、正孔)
25 −電荷(電子)
31 電子写真感光体
32 帯電部
33 画像信号書き込み(露光)部
34 現像部
35 転写部
36 クリーニング部
41 金属製ローラ芯金
42 光透過型導電性弾性部材
43 ITO膜
101−1〜101−n 支持体
102 枠状構造体
103、113 電極
104、114 マッチングトランスの端部
105 トランス出力側中点
107 真空槽
108、118 フード
109 ゲート弁
115 電源
116−1、116−2 マッチングトランス
117 ロード/アンロード用予備室
119 電源
120 排気系
121 調整バルブ
122 ターボ分子ポンプ
123 ロータリーポンプ
125 ガス導入ノズル
126 位相調整器
129 流量計
130〜134 ガスライン
140 交番電源系
150 反応槽
Claims (22)
- 光照射とバイアス印加による帯電手段を伴う画像形成プロセスに用いる電子写真感光体において、該電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくとも露光により、静電潜像形成の電荷を発生する電荷発生層1、電子輸送物質を含有した電荷輸送層1、露光により帯電電荷を発生する電荷発生層2、正孔輸送物質を含有した電荷輸送層2を順次積層した構成を有することを特徴とする電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層が、少なくとも正孔輸送性構造を有しない3官能以上のラジカル重合性モノマーと正孔輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を硬化した架橋層であることを特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層が架橋層であり、該架橋層に用いられている正孔輸送性構造を有しない3官能以上のラジカル重合性モノマーが、アクリレート化合物もしくはメタクリレート化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層が架橋層であり、該架橋層に用いられている正孔輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、アクリレート化合物もしくはメタクリレート化合物であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層が架橋層であり、該架橋層に用いられている正孔輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、トリアリールアミン構造を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層が架橋層であり、該架橋層に用いられている正孔輸送性構造を有するラジカル重合性化合物が、1官能であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層に、少なくともフィラーを含有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層に含有されるフィラーが、無機フィラーであることを特徴とする請求項7に記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層に含有される無機フィラーが、金属酸化物フィラーであることを特徴とする請求項8に記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層に含有される金属酸化物フィラーが、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム中から選ばれる少なくとも一つの物質を含有すること特徴とする請求項9に記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層に含有されるフィラーが、炭素を主成分とするフィラーであることを特徴とする請求項7に記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層に含有される炭素を主成分とするフィラーが、ダイヤモンドフィラーであることを特徴とする請求項11に記載の電子写真感光体。
- 該電子写真感光体の最表層が、水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する膜であることを特徴とする請求項11に記載の電子写真感光体。
- 該電荷輸送層2の正孔輸送物質が、高分子正孔輸送物質であることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 該電荷輸送層2及び/又は該電子写真感光体の最表層が、正孔輸送物質及び電子輸送物質を含有することを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 該電荷発生層1に含有される電荷発生物質と該電荷発生層2に含有される電荷発生物質とが異なり、且つそれぞれの電荷発生物質の最大光吸収波長が異なることを特徴とする請求項1乃至15のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 該電荷発生層1に含有される電荷発生物質がフタロシアニン顔料であり、且つ電荷発生層2に含有される電荷発生物質がアゾ顔料であることを特徴とする請求項16に記載の電子写真感光体。
- 該電荷輸送層1の膜厚が10〜50μmであることを特徴とする請求項1乃至17のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 該電荷輸送層2の膜厚が0.5〜10μmであることを特徴とする請求項1乃至18のいずれかに記載の電子写真感光体。
- 少なくとも光照射とバイアス印加による帯電手段と請求項1乃至19のいずれかに記載の電子写真感光体を具備することを特徴とする画像形成装置。
- 少なくとも光照射とバイアス印加による帯電手段と請求項1乃至19のいずれかに記載の電子写真感光体とを一体に支持し、画像形成装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 電子写真感光体を用い、少なくとも光照射とバイアス印加による帯電を伴う画像形成方法であって、該電子写真感光体として請求項1乃至19のいずれかに記載の電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法。
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JP2005262508A JP2007072408A (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | 電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及び画像形成方法 |
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JP2011180560A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-15 | Ricoh Co Ltd | 画像形成方法、該方法を実行可能な画像形成装置 |
JP2014191179A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
-
2005
- 2005-09-09 JP JP2005262508A patent/JP2007072408A/ja active Pending
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