JPH09311486A - 電子写真プロセス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長期にわたり異常画像の発生を防止し、安定
した画像を得られるようにした電子写真プロセスを提供
することにある。本発明の別の目的は、電子写真感光体
の支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送材料が
含有された電子写真感光体の劣化防止方法を提供するこ
と。 【解決手段】 電子写真プロセスの繰り返し使用におけ
る感光体の劣化を防止する、若しくは、該電子写真プロ
セス内の各機能を向上させる外添剤を、該電子写真プロ
セスにおいて感光体の表面に供給できる機構を具備した
電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用い
られる電子写真感光体の支持体から最も離れた最表層に
高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体が用い
られることを特徴とする電子写真プロセス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体及
びそれを用いた電子写真プロセスに関し、より詳しくは
諸機能を向上させる外添剤を用いた電子写真プロセスに
関する。本発明の電子写真プロセスは、電子写真複写
機、ファクシミリ、レーザプリンタ、ＬＥＤプリンタ、
ダイレクトデジタル製版機等に応用される。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方法としては、カールソンプロ
セスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複
写機やプリンタなどに広く使用されている。この様な電
子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感光
材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性など
をメリットとして、近年使用され始めている。

【０００３】有機系の電子写真感光体には、ＰＶＫ（ポ
リビニルカルバゾール）に代表される光導電性樹脂、Ｐ
ＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）
に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バイン
ダーに代表される顔料分散型、電荷発生材料と電荷輸送
材料とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが
知られており、特に機能分離型の感光体が注目されてい
る。

【０００４】この機能分離型の感光体における静電潜像
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生材料により吸収され、光を吸収した電荷発生材料
は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入
され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸
送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することによ
り静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体に
おいては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送材料と、主
に可視部に吸収を持つ電荷発生材料とを組み合わせて用
いることが知られており、かつ有用である。

【０００５】この様な電子写真感光体は、通常コロナ帯
電、露光、現像、転写、クリーニング等からなるプロセ
スに供される。感光体の使用プロセスにおいて、感光体
表面は、コロナ帯電の時に発生するオゾン等の酸化雰囲
気に曝されるため、表面の劣化を生じる欠点を有してい
る。感光体の劣化は、感度低下、帯電電位の低下、残留
電位の増加の原因となり、このため、コピーの画像濃度
低下、画像流れ、地汚れ等の異常画像の発生を招くこと
になる。

【０００６】このような材料の劣化、とりわけ酸化を防
ぐ目的で特定の外添剤を感光層中に添加することが知ら
れている。例えば、特開昭５７−１２２４４４号公報に
はフェノール類、ヒドロキシアニソール類等の添加につ
いて、特開昭６１−１５６０５２号公報にはニトロン化
合物、イソベンゾフラン化合物等の添加について、特開
昭６３−１８３５６号公報には、ヒンダードフェノー
ル、ｐーフェニレンジアミン等の添加について、特開昭
６４−４４４５１号公報にはヒンダードアミンの添加に
ついて各々外添剤を感光層中に含有させることによる耐
オゾン性向上について記載されている。しかしながら、
これらの発明においては、感光層中に外添剤を含有して
おり、保存及び／又は長期にわたる使用という観点から
は感光体中の外添剤が酸化してしまい保存に耐えなくな
ったり、逆に感光体中に必要以上の外添剤を添加した場
合、使用時に静電特性に悪影響を及ぼしてしまうという
欠点を有していた。こうした欠点に鑑み、特開平５−１
８１２９８号公報には感光体表面に外添剤を付着させる
という方法が提案されている。

【０００７】一方、電荷輸送材料の多くは低分子化合物
として開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性
がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用い
られる。しかるに低分子電荷輸送材料と不活性高分子か
らなる電荷輸送層は一般に柔らかく、かかる外添剤を外
添するプロセスを適用した場合、感光体表面の膜削れを
促進させてしまい、感光体の寿命を短くしてしまうこと
が少なくなく、この点の改善が望まれていた。

【０００８】異常画像の発生は他にも、感光体と他部材
との接触による感光体表面の損傷や感光体表面への異物
（現像剤中の成分や転写紙の成分、及び放電生成物等）
の付着によっても発生する。このような電子写真プロセ
スによる異常画像の発生に対して特開平７−１８１８６
７号公報には、感光体と他部材との接触による異常画像
の発生を低減するための技術が、また、特開昭６３−６
０４７７号公報には、感光体上に付着した転写紙の紙粉
によってもたらされる画像流れの防止方法が、また、特
開昭６２−１１９５６７号公報には感光体ドラム表面を
研磨することにより、放電生成物を除去する方法が開示
されている。

【０００９】しかしながら、これらいずれの方法も感光
体表面が一定の硬度を要するものであり、これらの手法
を、上記低分子電荷輸送材料と不活性高分子との組み合
わせからなる感光体において適用した場合、画像に膜削
れによる黒スジや欠陥が生じてしまい、必ずしも満足さ
れるべき方法ではなかった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、長期
にわたり異常画像の発生を防止し、安定した画像を得ら
れるようにした電子写真プロセスを提供することにあ
る。本発明の別の目的は、電子写真感光体の支持体から
最も離れた最表層に高分子電荷輸送材料が含有された電
子写真感光体の劣化防止方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、電子写
真感光体の支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸
送材料が含有された電子写真感光体の表面に外添剤を付
着させることにより、異常画像の発生を防止し、長期に
わたり安定した画像を得られるようにした電子写真プロ
セスが提供される。また、本発明によれば、電子写真感
光体の支持体から最も離れた最表層にトリアリールアミ
ン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートで
あることを特徴とする高分子電荷輸送材料が含有された
電子写真感光体の表面に外添剤を付着させることによ
り、異常画像の発生を防止し、長期にわたり安定した画
像を得られるようにした電子写真プロセスが提供され
る。

【００１２】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式１で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００１３】

【化１３】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００１４】

【化１４】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）または、

【００１５】

【化１５】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００１６】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式２で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００１７】

【化１６】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００１８】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式３で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００１９】

【化１７】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００２０】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式４で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００２１】

【化１８】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜４の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
１の場合と同じである。

【００２２】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式５で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００２３】

【化１９】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【００２４】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式６で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００２５】

【化２０】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又
は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一
般式１の場合と同じである。

【００２６】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式７で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００２７】

【化２１】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
じである。

【００２８】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式８で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００２９】

【化２２】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
同じである。

【００３０】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式９で表わされ
る高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の表
面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生を
防止し、長期にわたり安定した画像を得られるようにし
た電子写真プロセスが提供される。

【００３１】

【化２３】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【００３２】また、本発明によれば、電子写真感光体の
支持体から最も離れた最表層に下記一般式１０で表わさ
れる高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体の
表面に外添剤を付着させることにより、異常画像の発生
を防止し、長期にわたり安定した画像を得られるように
した電子写真プロセスが提供される。

【００３３】

【化２４】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
ある。

【００３４】本発明者らは、電子写真プロセスの繰り返
し使用による異常画像発生は、 １．該プロセス内に用いられる電子写真感光体の帯電電
位低下や残留電位上昇等の特性劣化によるもの ２．該感光体と当接部材との接触による感光体表面の損
傷や摩耗によるもの ３．また、該感光体表面への異物（現像剤の成分、転写
紙の紙粉及び放電生成物等）の付着によるもの に集約されることを知得し、また、これらの原因による
異常画像発生の解決をすべく検討した結果、繰り返し使
用される電子写真プロセス内において、連続的／間欠的
に感光体の特性劣化を防止できる外添剤或いは該プロセ
スの各機能を向上させる外添剤を感光体表面に添加する
ことにより解消できることを見い出した。

【００３５】さらに、該感光体の最表層に高分子電荷輸
送材料を含有させることでこれらの効果が著しくなるこ
とを見い出し、高分子電荷輸送材料のうち、特に、トリ
アリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に有するポリ
カーボネート、更に、前記一般式１乃至１０の何れかで
示される高分子電荷輸送材料を用いると著しい安定性が
得られることを見い出し、本発明を完成するに至った。

【００３６】このような外添剤を電子写真感光体に供給
する方法としては、外添剤を、感光体表面にそのまま添
付し付着させる方法、ローラ、ベルト或いはクリーナー
を介して外添剤を付着させる方法、マイクロカプセル化
した外添剤を感光体表面に付着させる方法、外添剤粉末
やマイクロカプセル化した外添剤を感光体に静電気力で
付着させる方法、外添剤を適当な溶媒に溶解し、適当な
方法によって感光体表面に塗布、乾燥させ、供給する方
法などを挙げることができる。

【００３７】上記外添方法のうち以下に幾つかの例を示
すが本発明はこれらに限定されるものではない。これら
の方法のうちベルトを介して感光体表面に外添剤を供給
する方法について説明する。図１は、ベルトを介して感
光体表面に外添剤を供給する電子写真プロセスを実行す
るための電子写真装置例の概略構成図である。この図に
おいて、（１１）は導電性支持体から最も離れた最表層
に高分子電荷輸送材料が含有された感光体であり、この
感光体（１１）の周りには、帯電器（１２）、露光ビー
ム手段（１３）、現像機（１４）、転写チャージャー
（１５）、トナークリーナー（１６）が配置されてい
る。図中（１Ｂ）の外添剤供給手段は、ケーシング中に
収脱可能に外添剤ボトル（１７）が収納され、この外添
剤ボトル（１７）中に外添剤搬送ベルト（１９）が１部
分入り込み、他の１部分は突出し、残余の１部分は感光
体（１１）表面の極く近隣又は感光体表面にほとんど当
接する程度にローラ（１８）（１８）（１８）間に掛け
回わされており、また過剰又は不必要な外添剤を感光体
（１１）表面から除去するためのブレード（１Ａ）が配
置されたものであり、外添剤は搬送ベルト（１９）によ
り感光体表面に運ばれ、感光体表面に供給することがで
きる。図２に外添剤供給手段の変形例を示す。該変形例
における外添剤供給手段（１Ｂ）は、外添剤ボトル（１
７）の外添剤出口にローラ（１８）が設けられたもので
あり、このローラ（１８）表面に付着した外添剤がロー
ラ（１８）の回転に伴ってボトル（１７）中の外添剤を
感光体（１１）表面に供給する。

【００３８】次にクリーナーを介して感光体表面に外添
剤を供給する方法について述べる。図３は、クリーナー
を介して感光体表面に外添剤を供給する電子写真プロセ
スに用いられる電子写真装置例の概略構成図である。こ
の例において（２１）は、外添剤を含有させたクリーナ
ーで、（２２）は例えば空気圧シリンダー、（２３）は
空気圧ポンプで、例えば、１００枚〜５万枚毎にシリン
ダー（２２）を作動させて、所定の圧力でクリーナー
（２１）を感光体（１１）の表面に押しつける。図１の
例の場合と同様、感光体（１１）の周りには帯電機（１
２）、露光ビーム手段（１３）、現像機（１４）、転写
チャージャー（１５）及びトナークリーナー（１６）が
配置されている。空気圧シリンダー（２２）に替え、バ
ネやモーター等の任意のクリーナー移動手段を用いるこ
とができる。図４〜図６にクリーナーの変形例を示す。

【００３９】図４のクリーナーでは、芯材（２５）の周
囲に外添剤を含有させた繊維布（２４）を貼り付け、ク
リーナーとする。芯材（２５）の他端にはトナークリー
ナー移動手段（２２）が設けられている。

【００４０】図５のクリーナーでは、ローラ（２６）の
周囲に外添剤を含有させた布（２４）を巻き付け、クリ
ーナーとする。図６のクリーナーでは、ローラ（２６）
を利用して、外添剤を含有させた布（２４）を送り、感
光体表面に外添剤を供給する。

【００４１】クリーナーの形状や種類、材質は外添剤を
保持できるものであれば、任意である。クリーナーはブ
レードクリーナー、繊維クリーナー等、公知のものを使
用することができる。クリーナーの形状としては、織布
状や不織布状、フェルト状、筆状、パッド状、タオル地
状、或いは紙状等の任意のものを用いることができ、材
質には、綿、麻、紙、脱脂綿等の植物性繊維、羊や兎、
馬等の獣毛、或いはナイロン、ポリエステル、アクリル
等の合成樹脂繊維等を用いることができる。

【００４２】また、本発明によれば、感光体表面に外添
剤を供給する他の手段としては電子写真プロセスが実施
可能な装置において、昇華性外添剤を含有する部材を用
いる方法も適用できる。昇華性外添剤を含有する部材に
ついて説明する。電子写真装置内の空間を利用し、該装
置のプロセス作動を妨げることなく設置できるものであ
れば、形態、色などは特定することなく使用できる。以
下に本発明における（劣化防止）部材の作製方法及び構
成について詳細に説明する。

【００４３】本発明における該部材の基体となる材料
は、昇華性材料を含有することが可能で、且つ様々な環
境下である程度安定であるものならば特定されるもので
はない。中でも、外添剤の昇華性を考えると、比表面積
の大きい物が好ましく用いられ、多孔質なもの、一般に
言う発泡材料のようなものが好ましく用いられる。発泡
材料としては、ポリスチレンフォーム、硬質ウレタンフ
ォーム、軟質ウレタンフォーム、ポリエチレンフォー
ム、ユリアフォーム等の発泡プラスチック、硬質フォー
ムラバー、発泡クロロプレンゴム等の発泡ゴム、軽量気
泡コンクリートパネル等の発泡コンクリート、発泡アル
ミニウム等の発泡金属或いは天然ゴム、ＳＢＲ、クロロ
プレンゴム、ポリプロピレン、ポリエチレン、ＥＰＤ
Ｍ、ＥＶＡ、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、６−ナイ
ロン、ポリカーボネート、ＰＥＴ、ＰＢＴ、変性ＰＰＯ
等に、発泡材料としてアゾジカルボンアミド、アゾビス
イソブチロニトリル、ジニトロソペンタメチレンテトラ
ミン、４，４’−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラ
ジド、パラトルエンスルホニルヒドラジド等を加え、発
泡させたようななもの等が挙げられるが、外添剤を含有
することが可能で且つ、様々な環境下である程度安定し
たものならば、特定されるものではない。これらを形成
させるときに昇華性外添剤を含有させることで、本発明
における該部材を形成することができる。

【００４４】また、本発明によれば、複写機内に設置さ
れた感光体表面を外添剤を表面及び／又は内部に含有す
る転写紙等の部材で処理する方法も適用できる。本発明
において、転写紙に外添剤を含有させる方法は、大別す
ると２つの方法がある。１つは、転写紙の抄紙前までに
材料中に充填し抄紙する方法、もう１つは、転写紙表面
に外添剤を含有する溶工液をコーティングする方法であ
る。

【００４５】前者は通常、繊維に充填材として、粘土、
白土、滑石、アガライト、炭酸石灰、硫酸バリウム、チ
タン白、硫化亜鉛などを添加し、叩解機で加える。この
際に、外添剤を同時に或いは前後に加えるか、或いはパ
ルプの染色過程（行なわないときもある。）の前後、或
いは同時に加え、抄紙機で紙を濾くことで作製される。
外添剤の添加時期は抄紙直前が最も好ましい。後者は通
常は原紙にブラッシュコーター、ロールコーター、エヤ
ーブラッシュコーター、マシンコーター、キャストコー
ティング等を用いて種々塗工液を塗工し、乾燥工程を経
て作製されたものである。この際、塗工液は片面でもか
まわないが、好ましくは両面されるのが好ましい。又、
数層塗工する場合は、表面層に外添剤を含有させること
が好ましい。

【００４６】次に本発明に使用できる外添剤を示す。本
発明において、外添剤には目的に応じて酸化防止剤、滑
剤、クリーニング助剤等を適用することができる。以下
に外添剤の例を示すが、外添剤として効果が現れるもの
ならば、これらに限定されるものではない。本発明に用
いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げ
られる。

【００４７】モノフェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。

【００４８】ビスフェノール系化合物 ２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）など。

【００４９】高分子フェノール系化合物 １，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。

【００５０】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔーブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。

【００５１】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

【００５２】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。

【００５３】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。

【００５４】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品を容
易に入手できる。次に本発明に用いることができる滑剤
として、下記のものが挙げられる。

【００５５】炭化水素類 流動パラフィン、ポリエチレンワックス類、塩素化炭化
水素類など。 金属石鹸 ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリ
ン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸
鉛など。 脂肪酸及び脂肪酸アミド類。 ステアリン酸、ステアリン酸アミド、パルチミン酸アミ
ド、メチレンビスステアロアマイド、セチルパルミテー
ト、ステアリン酸モノグリセライドなど。次に本発明に
用いることができるクリーニング助剤として、下記のも
のが挙げられる。

【００５６】多価アルコール及びその誘導体 エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチ
レングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチ
レングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレン
グリコール、ポリプロピレングリコール、トリメチレン
グリコール、ヘキシレングリコール、オクチレングリコ
ール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、エチレングリコールイソプ
ロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレング
リコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリ
ールイソアミルエーテル、エチレングリコールモノフェ
ニルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールベンジルエーテル、
エチレングリコールモノヘキシルエーテル、メトキシメ
トキシエタノール、エチレングリコールモノアセテー
ト、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコ
ールエステル、エチレンクロルヒドリン、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエチル
エーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジ
エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノアセテート、トリエチレングリコールモノメ
チルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエー
テル、トリグリコールジクロリド、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチ
ルエーテル、１−ブトキシエトキシプロパノール、プロ
ピレングリコールモノアセテート、プロピレンクロルヒ
ドリン、ジプロピレンクロルヒドリン、ジプロピレング
リコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコール
モノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメ
チルエーテル、ポリ（オキシエチレン−オキシプロピレ
ン）誘導体、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタン
ジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタン
ジオール、グリセリルモノアセテート、グリセリルジア
セテート、グリセリルトリアセテート、グリセリルモノ
ブチレート、グリセリン−α−モノメチルエーテル、グ
リセリン−α，γ−ジメチルエーテル、グリセリン−α
−モノブチルエーテル、グリセリン−α−モノイソアミ
ルエーテル、グリセリン−α，β−ジイソアミルエーテ
ル、グリセリン−α−モノクロルヒドリン、グリセリン
−α，γ−ジクロルヒドリン、トリメチロールプロパ
ン、１，２，６−ヘキサントリオール、及びこれらの混
合物。水、ポリフッ化ビニリデン、ポリメチルメタアク
リレート等の微粉末。酸化ケイ素、酸化チタン、チタン
酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、四酸化三鉄等の
マグネタイト等。

【００５７】次に、図面を用いて本発明で用いられる電
子写真感光体を説明する。図７は、本発明において用い
られる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体
（４１）上に、感光層（４２）が形成されたものであ
る。図８は、本発明において用いられる電子写真感光体
の別の構成を示す断面図である。導電性支持体（４１）
上に、電荷発生層（５１）と電荷輸送層（５２）からな
る感光層（４２）が形成されたものである。図９は、本
発明において用いられる電子写真感光体の更に別の構成
を示す断面図であり、導電性支持体（４１）と感光層
（４２）との間に下引き層（４３）が形成されたもので
ある。

【００５８】次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質について説明する。本発明に用いられる高分子電荷
輸送物質としては、公知の高分子型の電荷輸送材料を用
いることができる。

【００５９】例えば、 （ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重
合体 例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開
昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメ
チルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公
報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特
開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリル
アミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミ
ドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４
−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有す
る特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシ
アリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］
アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール
化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させること
により得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合
物等が例示される。 （ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重
合体 例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロル
メチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベ
ンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成さ
れるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−
５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレ
ン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合によ
り生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチ
レン化合物等が例示される。 （ｃ）ポリシリレン重合体 例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ
（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎ−プロピルメチ
ルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ
（ｎ−プロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９
７号公報記載の−(Ｓｉ(R₁)(R₂)）−、又は

【００６０】

【化２５】 の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（R₁、R₂、
R₃、R₄はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基
等）の化合物等が例示される。 （ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する
重合体 例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−ア
ミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び
特開平１−１９０４９号公報記載の一般式

【００６１】

【化２６】 を有するアリールアミン樹脂化合物 （ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−
４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピ
レンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不
飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ₂−、−(ＣＨ₂)
₂−、−(ＣＨ₂)₃−及び−(ＣＨ₂)₄−、Ｒ”は−ＣＯ−
又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｙ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｏ−ＣＯ−（Ｙ
は−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)₂−等）、ｍ
は０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１
−１７２８号公報記載のR-[O-A-O-CH₂-CH(OR)-CH₂-O-Ｂ
-O-CH₂-CH(OR)-CH₂]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１
０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−
Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フ
ルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，
４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、
Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ
−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍ
ｅ)₂−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポ
リヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公
報記載の

【００６２】

【化２７】 （ｎ₁は１〜１０、ｎ₂は０〜４、ｎ₃は０〜５、ｍは０
〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの
（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、
構造単位

【００６３】

【化２８】 （Ｒ₁、Ｒ₂はアルキル、アリール、アラルキル、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は２価の芳香族残基、ｌは０以上の
整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜
６の整数）を有する化合物等が例示される。 （ｅ）その他の重合体 例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特
開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインド
ロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭
５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４
−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデ
ヒド縮合樹脂化合物等が例示される。

【００６４】本発明に使用される電子供与性基を有する
重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合
体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマ
ーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示
されているような、

【００６５】

【化２９】 電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能
である。

【００６６】また本発明における高分子電荷輸送物質と
して、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を
有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下
記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を用
いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なも
のとなる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送
物質を以下に例示し、具体例を示す。

【００６７】

【化３０】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００６８】

【化３１】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【００６９】

【化３２】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００７０】一般式１の具体例 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。

【００７１】アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−
ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。

【００７２】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ₄は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
と同様のものが挙げられる。Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無
置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００７３】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００７４】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００７５】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ
基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェ
ノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。

【００７６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００７７】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００７８】

【化３３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。１，３−プロパンジオール、１，４
−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，
１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパン
ジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオー
ル、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、
１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。

【００７９】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００８０】

【化３４】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００８１】一般式２の具体例 Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【００８２】

【化３５】 （ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【００８３】

【化３６】

【００８４】

【化３７】

【００８５】

【化３８】

【００８６】

【化３９】 を表わす。

【００８７】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で
示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と
同じ意味を有する。

【００８８】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ
₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００８９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−
ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００９０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。

【００９１】

【化４０】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【００９２】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【００９３】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００９４】

【化４１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じ
ものが挙げられる。

【００９５】

【化４２】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００９６】一般式３の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００９７】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００９８】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００９９】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【０１００】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１０１】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【０１０２】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１０３】

【化４３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１０４】

【化４４】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
１の場合と同じである。

【０１０５】一般式４の具体例 Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【０１０６】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１０７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、
４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、
６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【０１０８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１０９】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１１０】

【化４５】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１１１】

【化４６】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【０１１２】一般式５の具体例 Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【０１１３】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに
好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エト
キシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４
−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メト
キシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。

【０１１４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１１５】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１１６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１１７】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１１８】前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記
（２）のアルキル基が挙げられる。

【０１１９】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１２０】

【化４７】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１２１】

【化４８】

【０１２２】式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ
及びｎは、一般式１の場合と同じである。

【０１２３】一般式６の具体例 Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１２４】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１２５】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【０１２６】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１２７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１２８】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【０１２９】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。

【０１３０】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【０１３１】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【０１３２】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【０１３３】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１３４】

【化４９】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１３５】

【化５０】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
じである。

【０１３６】一般式７の具体例 Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１３７】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１３８】また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９
−フルオレニリデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロ
ヘプテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ₁₇、Ａｒ
₁₈及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ
₂₀で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっ
ても異なってもよい。

【０１３９】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１４０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１４１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１４２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１４３】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１４４】

【化５１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１４５】

【化５２】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
同じである。

【０１４６】一般式８の具体例 Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。

【０１４７】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げ
られる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニ
ル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基な
どが挙げられる。

【０１４８】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１４９】（２）アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ま
しくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ
−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒド
ロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエ
チル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロ
ロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１５０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１５１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１５２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１５３】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル
アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１５４】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１５５】

【化５３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１５６】

【化５４】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【０１５７】一般式９の具体例 Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１５８】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げ
られる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニ
ル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基な
どが挙げられる。

【０１５９】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。

【０１６０】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１６１】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１６２】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１６３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１６４】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１６５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１６６】

【化５５】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１６７】

【化５６】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
ある。

【０１６８】一般式１０の具体例 Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１６９】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニル基、ターフェニル基などが挙げ
られる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニ
ル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基な
どが挙げられる。

【０１７０】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。

【０１７１】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１７２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１７３】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１７４】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１７５】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１７６】

【化５７】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１７７】導電性支持体（４１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円
筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨な
どで表面処理した管などを使用することができる。

【０１７８】本発明における感光層（４２）は、単層型
でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積
層型について述べる。はじめに、電荷発生層（５１）に
ついて説明する。電荷発生層（５１）は、電荷発生材料
を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用
いることもある。電荷発生材料としては、無機系材料と
有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結
晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セ
レン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモ
ルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シ
リコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハ
ロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リ
ン原子等をドープしたものが良好に用いられる。

【０１７９】一方、有機系材料としては、公知の材料を
用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ
る。これらの電荷発生材料は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１８０】電荷発生層（５１）に必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独
又は２種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダ
ー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送材料を用いること
ができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送材料を添
加してもよい。

【０１８１】電荷発生層（５１）に併用できる低分子電
荷輸送材料には、正孔輸送材料と電子輸送材料とがあ
る。

【０１８２】電子輸送材料としては、例えばクロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレ
ノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリ
ニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４
オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−
５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。これらの電子輸送材料は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１８３】正孔輸送材料としては、以下に表わされる
電子供与性材料が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送材料は、単独又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。

【０１８４】電荷発生層（５１）を形成する方法には、
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。

【０１８５】また、後述のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系
電荷発生材料を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用い
て行なうことができる。以上のようにして設けられる電
荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは０．０５〜２μｍである。

【０１８６】次に、電荷輸送層（５２）について説明す
る。電荷輸送層（５２）は、高分子電荷輸送物質を主成
分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形
成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０⁵Ｖ／ｃｍの
電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を
有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を
用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリ
ールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用
される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特
に良好に使用される。また、必要により適当なバインダ
ー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。

【０１８７】電荷輸送層（５２）に併用できるバインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ
タイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上
の混合物として用いることができる。

【０１８８】電荷輸送層（５２）に併用できる低分子電
荷輸送材料は、電荷発生層（５１）の説明において記載
したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層
（５２）の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、
好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。また、
本発明において電荷輸送層（５２）中に可塑剤やレベリ
ング剤を添加してもよい。

【０１８９】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部
程度が適当である。

【０１９０】次に、感光層（４２）が単層構成の場合に
ついて述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける
場合、多くは電荷発生材料と低分子並びに高分子電荷輸
送材料よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生材料並びに電荷輸送材料には、前出の材料を用
いることができる。また、必要により可塑剤やレベリン
グ剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用い
ることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送
層（５２）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層（５１）で挙げたバインダー樹脂を混合
して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μ
ｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度
が適当である。

【０１９１】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（４１）と感光層（４２）［積層タイプの
場合には、電荷発生層（５１）］との間に下引き層（４
３）を設けることができる。下引き層（４３）は、接着
性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を
改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられ
る。下引き層（４３）は一般に樹脂を主成分とするが、
これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示
できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物な
どの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述
の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形
成することができる。

【０１９２】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機
物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０１９３】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送材料を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。

【０１９４】

【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部
を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単
位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算
出して１００±２０の範囲であった。

【０１９５】実施例１ φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引
き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工
液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引
き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層
を形成して、本発明の電子写真感光体を得た。

【０１９６】 ［下引き層用塗工液］ アルキッド樹脂 ６部 （ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製） メラミン樹脂 ４部 （スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製） 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部

【０１９７】 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部

【０１９８】

【化５８】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０１９９】 ［電荷輸送層用塗工液］ 下記構造の高分子電荷輸送材料 １０部

【０２００】

【化５９】 塩化メチレン １００部

【０２０１】以上のように作成した電子写真感光体を実
装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジ
オＭＦ５３０）に搭載し、図１に示すような外添剤供給
手段を使用し、酸化防止剤として２−ｔーオクチル−５
−メチルハイドロキノンを搬送ベルトを介して連続複写
１００枚毎に感光体表面に付着させた。２０℃−６０％
ＲＨの環境下で連続５万枚のコピーを行なった。その
際、１０枚目及び５万枚目の画像を評価した。更に５万
枚複写における感光体の膜厚減少量（摩耗量）を測定し
た。

【０２０２】実施例２ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に感光体を作製し、全く同様にして評価をした。

【０２０３】

【化６０】

【０２０４】実施例３ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に感光体を作製し、全く同様にして評価をした。

【０２０５】

【化６１】

【０２０６】実施例４ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に作製し、全く同様にして評価をした。

【０２０７】

【化６２】

【０２０８】実施例５ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に作製し、全く同様にして評価をした。

【０２０９】

【化６３】

【０２１０】実施例６ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に作製し、全く同様にして評価をした。

【０２１１】

【化６４】

【０２１２】実施例７ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に作製し、全く同様にして評価をした。

【０２１３】

【化６５】

【０２１４】実施例８ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に作製し、全く同様にして評価をした。

【０２１５】

【化６６】

【０２１６】実施例９ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に作製し、全く同様にして評価をした。

【０２１７】

【化６７】

【０２１８】実施例１０ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送材
料を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様に作製し、全く同様にして評価をした。

【０２１９】

【化６８】

【０２２０】比較例１〜１０ 実施例１〜１０において、酸化防止剤を感光体表面に付
着させない以外は、実施例１〜１０と全く同様の評価を
行なった。

【０２２１】比較例１１ 実施例１における電荷発生層塗工液を下記組成のものに
変えた以外は、全く同様に作製し、実施例１と全く同様
の評価を行なった。 ［電荷輸送層用塗工液］ ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部 （帝人：パンライトＫ１３００） 下記構造の低分子電荷輸送材料 １０部

【０２２２】

【化６９】 塩化メチレン １００部 以上のように作成した比較例１１の電子写真感光体を実
装用にした後、実施例１と全く同様の評価を行なった。

【０２２３】比較例１２ 比較例１１において、酸化防止剤を感光体表面に付着さ
せない以外は、比較例１１と全く同様の評価を行なっ
た。実施例１〜１０と比較例１〜１２の結果を表１に示
す。

【０２２４】

【表１】

【０２２５】実施例１１〜２０ 上記実施例１〜１０と全く同様にして作製した電子写真
感光体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー
製：イマジオＭＦ５３０）に搭載し、図３に示すような
クリーナー手段を使用し、５万枚の連続複写を行なっ
た。環境条件は、２５℃−５０％ＲＨであった。クリー
ナー（２１）には、酸化防止剤として２−ｔーオクチル
−５−メチルハイドロキノンを含ませた多孔質のスポン
ジを用い、１ｋｇ／ｃｍ²の圧力で連続複写５００枚毎
に感光体表面を擦った。評価方法としては、５万枚目の
画像の地汚れを目視にて５段階に評価した。但し、ラン
ク５を良、ランク１を否とする。更に５万枚複写におけ
る感光体の膜厚減少量（摩耗量）を測定した。

【０２２６】比較例１３〜２２ 上記実施例１１〜２０における酸化防止剤の供給を行な
わない（クリーナーを感光体表面に接触させない）他
は、実施例１３〜２２と全く同様の評価を行なった。

【０２２７】比較例２３ 上記比較例１１と全く同様にして作製した電子写真感光
体を用いた以外は実施例１３と全く同様の評価を行なっ
た。 比較例２４ 上記比較例２３において、酸化防止剤の供給を行なわな
い（クリーナーを感光体表面に接触させない）他は、比
較例２３と全く同様の評価を行なった。実施例１１〜２
０と比較例１３〜２４の結果を表２に示す。

【０２２８】

【表２】

【０２２９】実施例２１〜３０ 実施例１〜１０と全く同様にして作製した電子写真感光
体を実装用にした後、一部改造した複写機（リコー製：
イマジオＭＦ５３０）に搭載した。次に昇華性酸化防止
剤として２，６−ジ−ｔーブチル−ｐークレゾール２０
部、ＳＢＲ７０部、パラトルエンスルホニルヒドラジド
６部を混合後、加圧成形により成形した酸化防止部材を
上記複写機に搭載した。３０℃−８０％ＲＨという条件
にて５万枚の連続コピーを行ない、１０枚目と５万枚目
の画像評価を行なった。

【０２３０】比較例２５〜３４ 実施例２１〜３０における酸化防止部材を搭載しない他
は、実施例２１〜３０と全く同様の評価を行なった。

【０２３１】比較例３５ 比較例１１と全く同様にして作製した電子写真感光体を
用いた以外は実施例２５と全く同様の評価を行なった。 比較例３６ 比較例３５における酸化防止部材を搭載しない他は、比
較例３５と全く同様にして評価を行なった。実施例２１
〜３０と比較例２５〜３６の結果を表３に示す。

【０２３２】

【表３】

【０２３３】実施例３１〜４０ 実施例１におけるアルミニウムドラムの代りにアルミニ
ウム導電層を有するポリエステルフィルムを支持体に用
い、電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた以外
は、実施例１〜１０と全く同様に本発明で使用する感光
体を作製した。

【０２３４】 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のジスアゾ顔料 ２．５部

【０２３５】

【化７０】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０２３６】以上のように作製した感光体に導電性塗工
及びベルト接合を行ない、実装用の感光体とし、この感
光体を一部改造した複写機（リコー製：リコピーＦＴ２
０５０）に搭載した。次に酸化防止剤を含有する転写紙
について説明する。亜硫酸及びソーダ木パルプをそれぞ
れ５００ｇづつ叩解機に入れ、水を加えて濃度を４％と
して、これに粘土２５０ｇ、ロジン酸ソーダ溶液を順次
加え、硫酸アルミニウム５ｇを加え、最後に酸化防止剤
として２−ドデシルハイドロキノンを加え、３時間叩解
した。以上の液を長網式抄紙機を用いて濾した後、プレ
ス、乾燥工程を経て適当な大きさに裁断した。普通紙５
０枚につきこの転写紙を１枚用い、５００１０枚の連続
コピーを行なった。環境は、２３℃−５０％ＲＨであっ
た。評価方法としては、１０枚目と５００１０枚目の画
像の黒ベタ部を市販のマクベス濃度計にて画像濃度（以
下Ｉ．Ｄと略す。）を測定した。

【０２３７】比較例３７〜４６ 実施例３１〜４０における転写紙に酸化防止剤を添加し
ない以外は、実施例３１〜４０と全く同様にして評価し
た。 比較例４７ 上記比較例１１におけるアルミニウムドラムの代りにア
ルミニウム導電層を有するポリエステルフィルムを支持
体に用い、電荷発生層塗工液を下記組成のものに変えた
以外は、比較例１１と全く同様に作製した。

【０２３８】 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のジスアゾ顔料 ２．５部

【０２３９】

【化７１】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０２４０】以上のように作製した感光体に導電層塗工
及びベルト接合を行ない、実装用の感光体とした。この
感光体を実施例３１で用いた複写機に設置し、実施例３
１と全く同様にして評価を行なった。 比較例４８ 比較例４７において、転写紙に酸化防止剤を添加しない
以外は、比較例４７と全く同様にして評価した。実施例
３１〜４０と比較例３７〜４８の結果を表４に示す。

【０２４１】

【表４】

【０２４２】実施例４１〜５０ 実施例１〜１０と全く同様にして作製した感光体を実装
用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオ
ＭＦ５３０）に搭載した。図１に示すような外添剤供給
手段を使用し、滑剤としてエチレンビスステアリルアミ
ドをベルトを介して感光体表面に付着させた。以上のよ
うに条件を整えた後、２０℃−６０％ＲＨの環境下で連
続５万枚のコピーを行なった。その際、１０枚目及び５
万枚目の画像評価を評価した。

【０２４３】比較例４９〜５８ 実施例４１〜５０において、滑剤を感光体表面に付着さ
せない以外は、実施例４１〜５０と全く同様の評価を行
なった。

【０２４４】比較例５９ 比較例１１と全く同様にして作製した電子写真感光体を
用いた以外は実施例４１と全く同様にして評価をした。 比較例６０ 比較例５９において、滑剤を感光体表面に付着させない
以外は、比較例５９と全く同様の評価を行なった。実施
例４１〜５０と比較例４９〜６０の結果を表５に示す。

【０２４５】

【表５】

【０２４６】実施例５１〜６０ 実施例１〜１０と全く同様にして作製した感光体を実装
用にした後、一部改造した複写機（リコー製：イマジオ
ＭＦ５３０）に搭載した。図５に示すような外添剤供給
手段を使用し、滑剤としてステアリン酸亜鉛をローラを
介して感光体表面に付着させた。以上のように条件を整
えた後、２０℃−６０％ＲＨの環境下で連続５万枚のコ
ピーを行なった。その際、１０枚目及び５万枚目の画像
評価を評価した。

【０２４７】比較例６１〜７０ 実施例５１〜６０において、滑剤を感光体表面に付着さ
せない以外は、実施例５１〜６０と全く同様の評価を行
なった。

【０２４８】比較例７１ 比較例１１と全く同様にして作製した電子写真感光体を
用いた以外は実施例５１と全く同様にして評価をした。 比較例７２ 比較例７１において、滑剤を感光体表面に付着させない
以外は、比較例７１と全く同様の評価を行なった。実施
例５１〜６０と比較例６１〜７２の結果を表６に示す。

【０２４９】

【表６】

【０２５０】実施例６１〜７０ 実施例３１〜４０と全く同様にして作製した実装用の電
子写真感光体を一部改造した複写機（リコー製：ＭＦ５
３０）に搭載した。クリーニング助剤としてチタン酸バ
リウムを現像剤中に１部の割合で添加した。２０℃−６
０％ＲＨの環境下で連続３万枚のコピーを行なった。そ
の際、１０枚目及び３万枚目の画像評価を評価した。

【０２５１】比較例７３〜８２ 実施例６１〜７０におけるクリーニング助剤を添加しな
い他は、実施例６１〜７０と全く同様にして評価した。

【０２５２】比較例８３ 比較例１１と全く同様にして作製した電子写真感光体を
用いた以外は実施例６１と全く同様にして評価をした。 比較例８４ 比較例８３におけるクリーニング助剤を添加しない他
は、比較例８３と全く同様にして評価した。実施例６１
〜７０と比較例７３〜８４の結果を表７に示す。

【０２５３】

【表７】

【０２５４】実施例７１〜８０ 実施例１〜１０と全く同様にして作製した実装用の電子
写真感光体を一部改造した複写機（リコー製：イマジオ
ＭＦ５３０）に搭載した。図１に示すような外添剤供給
手段を使用し、クリーニング助剤としてポリフッ化ビニ
リデンをベルトを介して感光体表面に連続複写１００枚
毎に感光体表面に付着させた。以上のように条件を整え
た後、２０℃−６０％ＲＨの環境下で連続５万枚のコピ
ーを行なった。評価方法としては、５万枚目の画像の地
汚れを目視にて５段階に評価した。但し、ランク５を
良、ランク１を否とする。

【０２５５】比較例８５〜９４ 実施例７１〜８０におけるクリーニング助剤供給を行な
わない他は、実施例７１〜８６と全く同様の評価を行な
った。

【０２５６】比較例９５ 比較例１１と全く同様にして作製した電子写真感光体を
用いた他は実施例７１と全く同様の評価を行なった。 比較例９６ 比較例９５におけるクリーニング助剤供給を行なわない
他は、比較例９５と全く同様にして評価した。実施例７
１〜８０と比較例８５〜９６の結果を表８に示す。

【０２５７】

【表８】

【０２５８】

【発明の効果】以上詳細且つ具体的に説明したように、
本発明の電子写真プロセスは、機械的強度の高い高分子
電荷輸送材料を含有した感光体を使用し、且つ感光体表
面に外添剤を付着させるため、長期にわたり感光体の劣
化を抑えることが可能であり、繰り返し使用により高感
度を損なうことなく、帯電電位の低下を抑制することが
できる。したがって、長期にわたり安定した良好な画像
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真プロセスを実行するための電
子写真装置例を示す模式図である。

【図２】本発明の電子写真プロセスにおける外添剤供給
手段を示す別の模式図である。

【図３】本発明の電子写真プロセスを実行するための他
の電子写真装置を示す更に別の模式図である。

【図４】本発明の電子写真プロセスに用いるクリーナー
例の側面図である。

【図５】本発明の電子写真プロセスに用いる他のクリー
ナー例の側面図である。

【図６】本発明の電子写真プロセスに用いる更に別のク
リーナー例の側面図である。

【図７】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の構成を示す断面図である。

【図８】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の別の構成を示す断面図である。

【図９】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の更に別の構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１１ 感光体 １２ 帯電器 １３ 露光ビーム手段 １４ 現像器 １５ 転写器 １６ トナークリーナー １７ 外添剤ボトル １８ ローラ １９ 搬送ベルト １Ａ ブレード １Ｂ 外添剤供給手段 ２１ クリーナー ２２ 空気圧シリンダー ２３ 空気圧ポンプ ２４ 布 ２５ 芯材 ２６ ローラ ３１ クリーナー手段 ４１ 導電性支持体 ４２ 感光層 ４３ 下引き層 ５１ 電荷発生層 ５２ 電荷輸送層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 哲郎 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 青戸 淳 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 永目 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田村 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 生野 弘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子写真プロセスの繰り返し使用におけ
   る感光体の劣化を防止する、若しくは、該電子写真プロ
   セス内の各機能を向上させる外添剤を、該電子写真プロ
   セスにおいて感光体の表面に供給できる機構を具備した
   電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用い
   られる電子写真感光体の支持体から最も離れた最表層に
   高分子電荷輸送材料が含有された電子写真感光体が用い
   られることを特徴とする電子写真プロセス。
2. 【請求項２】 感光体表面に供給される外添剤が酸化防
   止剤であることを特徴とする請求項１記載の電子写真プ
   ロセス。
3. 【請求項３】 感光体表面に供給される外添剤が滑剤で
   あることを特徴とする請求項１記載の電子写真プロセ
   ス。
4. 【請求項４】 感光体表面に供給される外添剤がクリー
   ニング助剤であることを特徴とする請求項１記載の電子
   写真プロセス。
5. 【請求項５】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、トリア
   リールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカー
   ボネートであることを特徴とする請求項１乃至請求項４
   のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。
6. 【請求項６】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記一
   般式１で表わされる高分子電荷輸送材料であることを特
   徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記載
   の電子写真プロセス。 【化１】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
   無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
   又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
   若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
   立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
   ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
   ５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
   脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
   表わす。 【化２】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
   のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
   ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
   ２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
   −、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
   −Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
   す。）または、 【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
   数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
   リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
   Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
   よい。
7. 【請求項７】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記一
   般式２で表わされる高分子電荷輸送材料であることを特
   徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記載
   の電子写真プロセス。 【化４】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
   ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
   す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
8. 【請求項８】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記一
   般式３で表わされる高分子電荷輸送材料であることを特
   徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記載
   の電子写真プロセス。 【化５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
   わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
9. 【請求項９】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記一
   般式４で表わされる高分子電荷輸送材料であることを特
   徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記載
   の電子写真プロセス。 【化６】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
   は１〜４の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
   １の場合と同じである。
10. 【請求項１０】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記
    一般式５で表わされる高分子電荷輸送材料であることを
    特徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記
    載の電子写真プロセス。 【化７】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
    Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
    若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
    ｎは、一般式１の場合と同じである。
11. 【請求項１１】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記
    一般式６で表わされる高分子電荷輸送材料であることを
    特徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記
    載の電子写真プロセス。 【化８】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
    アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又
    は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若
    しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
    クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
    ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
    一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一
    般式１の場合と同じである。
12. 【請求項１２】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記
    一般式７で表わされる高分子電荷輸送材料であることを
    特徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記
    載の電子写真プロセス。 【化９】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
    リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
    い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
    基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
    じである。
13. 【請求項１３】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記
    一般式８で表わされる高分子電荷輸送材料であることを
    特徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記
    載の電子写真プロセス。 【化１０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
    ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
    ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
    同じである。
14. 【請求項１４】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記
    一般式９で表わされる高分子電荷輸送材料であることを
    特徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に記
    載の電子写真プロセス。 【化１１】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
    アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
    は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
    ｎは、一般式１の場合と同じである。
15. 【請求項１５】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体に含有される高分子電荷輸送材料が、下記
    一般式１０で表わされる高分子電荷輸送材料であること
    を特徴とする請求項１乃至請求項４のうちの何れか１に
    記載の電子写真プロセス。 【化１２】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
    表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
    ある。