JPH09319256A - 電子写真プロセス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速複写における強い光強度、且つ短時間露
光に対し、良好な画像が得られ、且つこの画像が長期的
に安定して出力できる電子写真プロセスを提供するこ
と。 【解決手段】 感光体を用い、帯電、露光、現像、転
写、クリーニング及び除電工程を具備した電子写真プロ
セスにおいて、前記電子写真プロセスに用いられる感光
体として、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電
荷輸送層を積層してなり、かかる電荷輸送層が高分子電
荷輸送物質を含有する感光体を用い、前記露光工程にお
ける露光時間が５×１０^-2秒以下であることを特長とす
る電子写真プロセス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高速複写において
良好な画質を安定して長期的に与える電子写真プロセス
に関する。本発明の電子写真プロセスは、高速複写機に
応用される。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方法としては、カールソンプロ
セスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複
写機やプリンタなどに広く使用されている。この様な電
子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感光
材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性など
をメリットとして、近年使用され始めている。

【０００３】有機系の電子写真感光体には、ＰＶＫ（ポ
リビニルカルバゾール）に代表される光導電性樹脂、Ｐ
ＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）
に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バイン
ダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送
物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが
知られており、特に機能分離型の感光体が注目されてい
る。

【０００４】この機能分離型の感光体における静電潜像
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質
は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入
され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸
送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することによ
り静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体に
おいては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主
に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用
いることが知られており、かつ有用である。電荷輸送物
質は、多くが低分子化合物として開発されているが、低
分子化合物は単独で成膜性がないため、通常、不活性高
分子に分散・混合して用いられる。しかるに低分子電荷
輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔
らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用に
よる膜削れを生じやすいという欠点がある。このように
感光層の膜削れを生じると、感光体の帯電電位の低下や
光感度の劣化を起こし、その結果、感光体表面のキズな
どによるスジなどの画像不良のほかに、”かぶり”或い
は画像濃度低下といった不良画像が形成される。

【０００５】近年、複写機の普及に伴い大量のコピーを
より迅速に処理する高速の複写機が要望されてきた。こ
のような高速複写に用いられるプロセスでは、感光体表
面を強い光で短時間露光するため、電荷発生層で発生し
た光キャリアが電荷発生層中或いは電荷輸送層との界面
に溜まり、相反則不軌の状態が生ずる。この現象は主に
電荷発生層から電荷輸送層への光キャリアの注入性にエ
ネルギー障壁が存在するか、又は電荷輸送層の移動度が
低いためにより引き起こされると考えられる。この現象
により、感度低下、残留電位の増大及び潜像形成不良が
生じ、その結果として画像が”かぶり”が多く不鮮明と
なる。この現象を抑制するための対策として、電荷輸送
層中の電荷輸送物質の含有量を増大させ、移動度を向上
させることが有効であるが、前記したように、これによ
り電荷輸送層がさらに柔らかくなり、より一層膜削れが
促進される。この結果として、感光層の削れによる画像
不良の促進をまねく。

【０００６】これらの点を克服するために高分子型の電
荷輸送物質が注目され、例えば、特開昭５１−７３８８
８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−
１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、
特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５
５２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１
９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示
されている。

【０００７】しかしながら、高分子電荷輸送物質からな
る電荷輸送層と電荷発生層とを組み合わせた感光体の光
感度は、上記の低分子電荷輸送物質を用いた場合に比べ
著しく劣っており、この点の改良が強く望まれていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決し、高速複写における強い光強度、且つ短時間露
光に対し、良好な画像が得られ、且つこの画像が長期的
に安定して出力できる電子写真プロセスを提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、
「感光体上に、帯電、露光、現像、転写、クリーニング
及び除電工程を具備した電子写真プロセスにおいて、前
記電子写真プロセスに用いられる感光体として、導電性
支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層を積層し
てなり、かかる電荷輸送層が高分子電荷輸送物質を含有
する感光体を用い、前記露光工程における露光時間が５
×１０^-2秒以下であることを特徴とする電子写真プロセ
ス」、「前記露光工程がフラッシュランプで瞬時露光を
用いる工程か、又は４００ｍｍ／秒以上で移動する感光
体に対しスリットによる露光を用いる工程であることを
特徴とする電子写真プロセス」、「上記電子写真プロセ
スで使用される電子感光体の電荷輸送層に含有される高
分子電荷輸送物質が、トリアリールアミン構造を主鎖及
び／又は側鎖に含むポリカーボネートであることを特徴
とする電子写真プロセス」、「上記電子写真プロセスで
使用される電子写真感光体の電荷輸送層に含有される高
分子電荷輸送物質が、下記一般式１〜１０で表わされる
高分子電荷輸送物質であることを特徴とする電子写真プ
ロセス」により達成される。以下、本発明について詳細
に説明する。

【００１０】近年の電子写真プロセスにおいては、安
価、小型、高耐久性、高信頼性のほかにカラー化等を含
めて、高画質化が要求されている。高画質化を図るため
に、帯電、露光、現像、転写、定着、クリーニング各工
程面から様々な改良が検討されている。例えば、帯電工
程では、感光層の膜厚分布によらない均一帯電を施す方
法、静電特性に悪影響を及ぼす酸性ガス（オゾン、ＮＯ
_X）の発生を押さえるローラ帯電法、露光工程では、デ
ジタル露光の場合、レーザースポット径の小径化、及び
中間調の再現が良好な画像処理方法、アナログ露光の場
合、感光体の小径化に伴う曲率の高い感光層への原稿と
一致した書き込み方法、現像については、トナーの小粒
径化、トナー帯電量の均一化方法、転写、定着工程で
は、転写時、定着時のトナー飛散の低減化方法、クリー
ニング工程では、ブラシ、プレード等の部材、感光体に
対する接触圧力の検討により、クリーニング不良の防止
法、感光体の削れ防止、などが試みられている。いずれ
も、高画質化という広い概念の中では様々な意味を持っ
ており、それなりの価値はあるものの、広義のカールソ
ンプロセスにおいては、感光体の静電潜像がいかに露光
工程の解像性を忠実に再現できるかが基本である。この
感光体における解像性を長期間にわたって、安定な状態
で高めておくことが高画質化に最も重要な点であると考
えられる。

【００１１】また、近年複写機の普及からメンテナンス
フリーが提唱され、且つ複写機の高速化から感光体の耐
久性を高めることは非常に重要な意味を持っている。前
述の公知技術では、良好な電子写真特性を持った感光体
を達成するために、電荷発生層と電荷輸送層からなる機
能分離型の積層タイプの電子写真感光体を用いることを
提案している。ここで用いられる電荷輸送層は低分子電
荷輸送材料をバインダー樹脂に分散した、いわゆる低分
子分散高分子からなるものである。この低分子分散高分
子からなる電荷輸送層は、設計の自由度の高さから多く
の材料・構成のものが開発されているが、前述の通り、
カールソンプロセスのような感光体に当接する部材の多
いプロセスでは、繰り返し使用時において膜削れを生じ
やすいという致命的な欠点を持っている。感光体の膜削
れが生じると、感光体の静電特性が変化し様々な不具合
を生じ、結果として得られる画像品質が低下してしまう
ことは、前述の通りである。

【００１２】一方、複写機は汎用性の拡大に伴い、Ａ４
サイズ６０枚／分以下の低、中速機から、Ａ４サイズ７
０枚／分以上の高速機への用途拡大が要請されるように
なってきた。また、併せて複写機の小型化に伴う感光体
ドラムの小径化が要求されるようになった。この結果、
必然的に複写プロセスの高速化が進み、露光時間を短縮
する方向のプロセス検討が行なわれている。このような
高速複写プロセスに用いられる露光工程としては、ベル
ト感光体を用いたフラッシュ露光方式、高速回転の感光
体ドラム上へのスリット露光方式がある。これらのプロ
セスにおける露光時間は、５×１０^-2秒以下であるが、
露光光源の光強度は、低、中速複写機に比べて著しく強
く、静電潜像の形成に以下のような悪影響を及ぼす。

【００１３】即ち、前記、機能分離型積層感光体におい
ては、露光により生じた光キャリアが、感光体表面電荷
により生ずる外部電界に誘導され、電荷輸送層に注入
し、電荷移動層中の移動をへて感光体の表面電荷を中和
し、静電潜像を形成する。しかし、前記した高速複写プ
ロセスにおいては、強い光が短時間に露光されるため、
電荷発生層中に一度に多量の光キャリアが生成し、この
光キャリアの注入、移動が追いつかず、電荷発生層中又
は電荷発生層と電荷輸送層の界面に溜まるようになる。
この時、光キャリア同士のクーロン反発力が働き光キャ
リアの拡散が起こる。また同時に、光キャリアの表面電
荷中和までの移動時間が長くなり、自己拡散も拡大す
る。前述の光キャリアが溜まることにより、残留電位の
上昇、感度低下が起こり画像としては”かぶり”が多く
不鮮明となる。また、前述の光キャリアの拡散は、潜像
不良をもたらし、解像度の低い画像（にじみ）となる。
この現象を抑制する手段として、電荷輸送層の移動度を
向上させることが有効であることは容易に理解される。

【００１４】このような観点から、感光体の電荷輸送層
の移動度を向上させる試みがなされてきたが、実際には
前述したように、低分子電荷輸送物質を用いた電荷輸送
層では機械的な耐摩耗性の制約上、電荷輸送層の低分子
電荷輸送物質含有量を５０％以上にすることは不可能で
ある。本発明者らは、これらの点に鑑み鋭意検討した結
果、高分子電荷輸送物質であるトリアリールアミン構造
を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートを電荷輸
送層に含有する積層型感光体を用いることにより、高速
複写プロセスにおいて長期間にわたり良好な画像を得ら
れることを見い出し本発明に至った。本発明の電荷発生
層と高分子電荷輸送物質を含有した電荷輸送層の積層型
感光体が、高速複写プロセスにおいて長期間にわたり良
好な画像を得られた理由は、現在のところ明らかではな
いが、以下のような要因が考えられる。

【００１５】第１に、電荷輸送層の移動度向上が挙げら
れる。これは、分子分散型電荷輸送層では、前述のよう
にその機械的強度の点から低分子電荷輸送物質の含有量
を上げられないのに対し、高分子電荷輸送物質を含有す
る電荷輸送層は高分子輸送物質単独で成膜性があり、か
つバインダー樹脂として使用できるほどの耐摩耗性を有
しているので、高分子電荷移動物質の物質の分子設計及
び更なる低分子電荷移動物質の添加により、電荷輸送サ
イト（トリアリールアミン部位）を限りなく高密度にす
ることができるためである。この電荷輸送層の移動度向
上により、前述の光キャリアの停滞、拡散が抑制され、
良好な画像が得られる。

【００１６】第２に、高分子電荷輸送物質を含有する電
荷輸送層の高い耐摩耗性が挙げられる。もちろん、材料
にもよるが低分子分散型電荷輸送層に比べ数倍程度の耐
摩耗性を得ることが可能である。このため、電荷輸送層
の膜削れに伴う、スジなどの画像不良、画像濃度低下が
抑制され、長期間の使用にわたり良好な画像が持続して
得られる。先に述べたように、出力画像の解像度は感光
体特性だけで決まるものではなく、画像出力に至るまで
の各プロセス（現像・転写・定着・クリーニングなど）
にも大きく左右されるが、基本的には静電潜像が原稿を
限りなく忠実に再現できなければ、高画質な画像を得る
ことができないことは当然のことである。

【００１７】［プロセス説明］次に、図面を用いて本発
明の電子写真プロセスを説明するが、本発明はこれらに
限定されるものではない。図１は、本発明の高速複写プ
ロセスのうちフラッシュ露光方式の露光工程を示す模式
図である。図１において、ベルト状感光体（５）は４０
０ｍｍ／秒以上の搬送速度で矢印方向に動いており、露
光以前に帯電チャージャー等の帯電器（４）により一様
に帯電され、次いで図１のフラッシュ露光装置により非
常に短時間のうちに露光され、感光体（５）上に潜像が
形成される。次に図１−ｂを参照して、即ちこの例の潜
像形成において、原稿台（６）上の原稿（１）をフラッ
シュ露光光源（２）からのフラッシュ露光による反射光
は、レンズ（３）により照射光（７）となって感光体
（５）の表面に結像される。その後、一般的な複写工程
で用いられる静電潜像のトナーによる現像、トナー像の
紙への転写、紙上のトナー像の定着が順次行なわれ、画
像が得られる。一方、感光体は、トナー像の紙への転写
後、クリーニングブラシ、クリーニングプレード等でク
リーニングされ、次いで除電ランプ等により感光体の残
留電荷を相殺し、１サイクルの複写工程が終了する。

【００１８】前記フラッシュ露光装置の光源としては、
ストロボ放電管、キセノン放電管、水銀ランプ、セシウ
ムアーク燈などが挙げられるが、一般的にはストロボ放
電管が用いられる。ストロボ放電管は、パルス状の強い
光を瞬間的に出力する光源で、この発光時間は、１０^-4
秒のオーダーである。この露光方式は一般的にＡ４サイ
ズ１００枚／分以上の複写機に搭載されている。

【００１９】図２は、本発明の高速複写プロセスのうち
スリット露光方式の露光工程を示す模式図である。図２
において、高速で回転する感光体ドラム（２６）は４０
０ｍｍ／秒以上で矢印方向に移動しており、露光以前に
帯電チャージャー等の帯電器（２５）により帯電され、
次いで図２の図中左右方向に露光光源（２１）を走査
し、反射した光をスリット（２２）により部分削除した
後、ドラム状感光体（２６）上に露光し、感光体（２
６）上に潜像を形成する。この露光工程においては、ハ
ロゲンランプまたは蛍光灯等の露光光源（２１）の光に
より原稿台（２８）上の原稿（２７）を光走査し、その
反射光を３つのミラー（２３）（２３）（２３）を経
て、レンズ（２４）を介し、次にミラー（２３）及びス
リット（２２）を介して感光体（２６）上に像露光す
る。その後、前記のフラッシュ露光と同様にして、画像
形成し１サイクルの複写工程が終了する。前記スリット
露光方式に用いられるスリットの幅は通常２０ｍｍ以下
で、感光体の移動速度より露光時間は５×１０^-2秒以下
である。本発明は、電荷発生層と高分子電荷輸送物質を
含有する電荷輸送層を積層してなる感光体を用いること
により、前述のような高速複写プロセスにおいても良好
な画像が継続して得られることを見い出したものであ
る。

【００２０】［感光体構成］次に、本発明の電子写真感
光体の構成を図面によって説明する。図３は、本発明の
電子写真感光体の１例を模式的に示す断面図であり、導
電性支持体（３１）上に電荷発生層（３２）と電荷輸送
層（３３）との積層からなる感光層（３４）が設けられ
ている。図４は、他の構成の電子写真感光体を模式的に
示す断面図であり、導電性支持体（３１）と感光層（３
４）の間に下引き層（３５）が設けられている。図５
は、別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図で
あり、感光層（３４）上に保護層（３６）が設けられて
いる。図６は、さらに別の構成の電子写真感光体を模式
的に示す断面図であり、導電性支持体（３１）と感光層
（３４）の間に下引き層（３５）が設けられ、感光層
（３４）の上に保護層（３６）が設けられている。

【００２１】次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質について述べる。本発明における高分子電荷輸送物
質として、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構
造を有するポリカーボネートが有効に使用される。更
に、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物
質を用いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕
著なものとなる。一般式１〜１０で表わされる高分子電
荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示す。

【００２２】

【化１３】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００２３】

【化１４】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【００２４】

【化１５】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００２５】一般式１の具体例 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。

【００２６】アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔー
ブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。

【００２７】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ₄は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
と同様のものが挙げられる。Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無
置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００２８】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００２９】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００３０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉー
プロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓー
ブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ
基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェ
ノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。

【００３１】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００３２】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００３３】

【化１６】 一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。１，３−プロパンジオール、１，４
−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，
１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパン
ジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオー
ル、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、
１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。

【００３４】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００３５】

【化１７】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００３６】一般式２の具体例 Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【００３７】

【化１８】 （ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【００３８】

【化１９】

【００３９】

【化２０】

【００４０】

【化２１】

【００４１】

【化２２】 を表わす。

【００４２】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で
示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と
同じ意味を有する。

【００４３】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ
₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００４４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−
ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００４５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。

【００４６】

【化２３】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐートリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【００４７】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【００４８】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００４９】

【化２４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じ
ものが挙げられる。

【００５０】

【化２５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００５１】一般式３の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００５２】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００５３】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００５４】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００５５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００５６】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【００５７】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００５８】

【化２６】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００５９】

【化２７】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
１の場合と同じである。

【００６０】一般式４の具体例 Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６１】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎーブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００６２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、
４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、
６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【００６３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００６４】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００６５】

【化２８】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００６６】

【化２９】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【００６７】一般式５の具体例 Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６８】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに
好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エト
キシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４
−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メト
キシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。

【００６９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００７０】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【００７１】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００７２】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００７３】前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記
（２）のアルキル基が挙げられる。

【００７４】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７５】

【化３０】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００７６】

【化３１】

【００７７】式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ
及びｎは、一般式１の場合と同じである。

【００７８】一般式６の具体例 Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００７９】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００８０】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【００８１】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００８２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００８３】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００８４】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。

【００８５】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【００８６】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【００８７】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【００８８】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００８９】

【化３２】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００９０】

【化３３】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
じである。

【００９１】一般式７の具体例 Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【００９２】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００９３】また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９
−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈
及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀
で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。

【００９４】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００９５】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００９６】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【００９７】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００９８】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【００９９】

【化３４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１００】

【化３５】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
同じである。

【０１０１】一般式８の具体例 Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。

【０１０２】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１０３】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１０４】（２）アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ま
しくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ
−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒド
ロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエ
チル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロ
ロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１０５】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１０６】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１０７】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１０８】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル
アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１０９】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１１０】

【化３６】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１１１】

【化３７】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【０１１２】一般式９の具体例 Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１１３】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１１４】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。

【０１１５】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１１６】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１１７】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１１８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１１９】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１２０】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１２１】

【化３８】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１２２】

【化３９】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
ある。

【０１２３】一般式１０の具体例 Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１２４】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１２５】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。

【０１２６】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１２７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１２８】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１２９】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１３０】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１３１】

【化４０】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１３２】その他に本発明における電荷輸送層の主成
分であるトリアリールアミノ基を主鎖又は側鎖に有する
ポリカーボネート樹脂は特開昭６４−９９６４号公報、
特開昭６４−１９０４９号公報、特開平３−２２１５２
２号公報、特開平４−１１６２７号公報、特開平６−２
９３８２７号公報、等に記載の公知のものが使用でき
る。

【０１３３】導電性支持体（３１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円
筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨な
どで表面処理した管などを使用することができる。

【０１３４】次に、電荷発生層（３２）について説明す
る。電荷発生層（３２）は、電荷発生物質を主成分とす
る層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもあ
る。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を
用いることができる。無機系材料には、結晶セレン、ア
モルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル
−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シ
リコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおい
ては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子で
ターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をド
ープしたものが良好に用いられる。

【０１３５】一方、有機系材料としては、公知の材料を
用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ
る。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１３６】電荷発生層（３２）に必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独
又は２種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダ
ー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いること
ができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添
加してもよい。

【０１３７】電荷発生層（３２）に併用できる低分子電
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。

【０１３８】電子輸送物質としては、例えばクロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレ
ノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリ
ニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４
オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−
５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１３９】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。

【０１４０】電荷発生層（３２）を形成する方法には、
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。

【０１４１】また、後述のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用い
て行なうことができる。以上のようにして設けられる電
荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは０．０５〜２μｍである。

【０１４２】次に、電荷輸送層（３３）について説明す
る。電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成
分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形
成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０⁵Ｖ／ｃｍの
電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を
有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を
用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリ
ールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用
される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特
に良好に使用される。また、必要により適当なバインダ
ー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。

【０１４３】電荷輸送層（３３）に併用できるバインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ
タイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上
の混合物として用いることができる。バインダー樹脂の
使用量は、高分子電荷輸送物質１００重量部に対して０
〜５０重量部程度が適当である。

【０１４４】電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電
荷輸送物質は、電荷発生層（３２）の説明において記載
したものと同じものを用いることができる。低分子電荷
輸送物質の使用量は、高分子電荷輸送物質１００重量部
に対して０〜５０重量部程度が適当である。また、本発
明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリング
剤を添加してもよい。

【０１４５】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部
程度が適当である。電荷輸送層（３３）の膜厚は、５〜
１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０
μｍ程度が適当である。

【０１４６】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（３１）と感光層（３４）との間に下引き
層（３５）を設けることができる。下引き層（３５）
は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の
塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設
けられる。下引き層（３５）は一般に樹脂を主成分とす
るが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗
布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解
性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂と
しては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリ
ル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メト
キシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリ
ウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、
エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂
などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミ
ナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で
例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化
物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層（３
５）は、前述の感光層のごとく適当な溶媒、塗工法を用
いて形成することができる。

【０１４７】さらに、本発明における感光体の下引き層
（３５）として、シランカップリング剤、チタンカップ
リング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えば
ゾル−ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用であ
る。この他に、本発明の下引き層（３５）にはＡｌ₂Ｏ₃
を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリ
レン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴ
Ｏ、ＣｅＯ₂等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたも
のも良好に使用できる。下引き層（３５）の膜厚は０〜
５μｍが適当である。

【０１４８】本発明の電子写真感光体には、感光層保護
の目的で、保護層（３６）が感光層（３４）の上に設け
られることもある。これに使用される材料としては、Ａ
ＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共
重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール
樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミ
ド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチ
レン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメ
チルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシ
ド、ポリスルホン、ＡＳ樹脂、ＡＢ樹脂、ＢＳ樹脂、ポ
リウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エ
ポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。

【０１４９】保護層にはその他、耐摩耗性を向上する目
的で、ポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂、
シリコーン樹脂及びこれら樹脂に酸化チタン、酸化ス
ズ、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの等を
添加することができる。保護層（３６）の形成法として
は、通常の塗布法が採用される。なお、保護層の厚さ
は、０．５〜１０μｍ程度が適当である。また、以上の
ほかに真空薄膜作製法にて形成したｉ−Ｃ、ａ−ＳｉＣ
など公知の材料も保護層として用いることができる。

【０１５０】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。

【０１５１】モノフェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。

【０１５２】ビスフェノール系化合物 ２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）など。

【０１５３】高分子フェノール系化合物 １，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。

【０１５４】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。

【０１５５】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

【０１５６】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。

【０１５７】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。

【０１５８】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品とし
て容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加
量は、各添加層の総量１００部中、０．０１〜３０重量
部、好ましくは０．１〜１０重量部である。

【０１５９】

【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。実施例において、使用する部はすべて重量部を表
わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎ
は、いずれの例においても、重量平均分子量から算出し
て１００±２０の範囲であった。

【０１６０】実施例１ 導電性支持体としてアルミニウムドラム上に、下記組成
の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層
用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍ
の下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２０μｍの電荷
輸送層を形成して、本発明における電子写真感光体を得
た。

【０１６１】 ［下引き層用塗工液］ アルキッド樹脂 ６部 （ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製） メラミン樹脂 ４部 （スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製） 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のジスアゾ顔料 ２．４部

【０１６２】

【化４１】 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０１６３】 ［電荷輸送層用塗工液］ 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０１６４】

【化４２】 下記構造の低分子電荷輸送物質 １部

【０１６５】

【化４３】 塩化メチレン １００部

【０１６６】実施例２ 導電性支持体としてアルミを蒸着したポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に、実施例１と同様にして下引き
層、電荷発生層を設け、この上に下記構造の高分子電荷
輸送物質を含有する電荷輸送層用塗工液を塗布、乾燥
し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、感光体を作製し
た。

【０１６７】 ［電荷輸送層用塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１６８】

【化４４】 塩化メチレン １００部

【０１６９】実施例３ 導電性支持体としてアルミニウムドラム上に、実施例１
と同様にして下引き層、電荷発生層を設け、この上に下
記構造の高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層用塗
工液を塗布、乾燥し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、
感光体を作製した。実施例１における電荷輸送層に用い
た高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外
は実施例１と全く同様に作製した。

【０１７０】 ［電荷輸送層塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１７１】

【化４５】 塩化メチレン １００部

【０１７２】実施例４ 導電性支持体としてアルミニウムドラム上に、実施例１
と同様にして下引き層、電荷発生層を設け、この上に下
記構造の高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層用塗
工液を塗布、乾燥し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、
感光体を作製した。実施例１における電荷輸送層に用い
た高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外
は実施例１と全く同様に作製した。

【０１７３】 ［電荷輸送層塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１７４】

【化４６】 低分子電荷輸送物質 １部

【０１７５】

【化４７】 塩化メチレン １００部

【０１７６】実施例５ 導電性支持体としてアルミを蒸着したポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に、実施例１と同様にして下引き
層、電荷発生層を設け、この上に下記構造の高分子電荷
輸送物質を含有する電荷輸送層用塗工液を塗布、乾燥
し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、感光体を作製し
た。

【０１７７】 ［電荷輸送層用塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１７８】

【化４８】 塩化メチレン １００部

【０１７９】実施例６ 導電性支持体としてアルミニウムドラム上に、実施例１
と同様にして下引き層、電荷発生層を設け、この上に下
記構造の高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層用塗
工液を塗布、乾燥し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、
感光体を作製した。

【０１８０】 ［電荷輸送層塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１８１】

【化４９】 塩化メチレン １００部

【０１８２】実施例７ 導電性支持体としてアルミニウムドラム上に、実施例１
と同様にして下引き層、電荷発生層を設け、この上に下
記構造の高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層用塗
工液を塗布、乾燥し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、
感光体を作製した。

【０１８３】 ［電荷輸送層塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１８４】

【化５０】 塩化メチレン １００部

【０１８５】実施例８ 導電性支持体としてアルミを蒸着したポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に、実施例１と同様にして下引き
層、電荷発生層を設け、この上に下記構造の高分子電荷
輸送物質を含有する電荷輸送層用塗工液を塗布、乾燥
し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、感光体を作製し
た。

【０１８６】 ［電荷輸送層塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１８７】

【化５１】 塩化メチレン １００部

【０１８８】実施例９ 導電性支持体としてアルミを蒸着したポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に、実施例１と同様にして下引き
層、電荷発生層を設け、この上に下記構造の高分子電荷
輸送物質を含有する電荷輸送層用塗工液を塗布、乾燥
し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、感光体を作製し
た。

【０１８９】 ［電荷輸送層塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１９０】

【化５２】 塩化メチレン １００部

【０１９１】実施例１０ 導電性支持体としてアルミニウムドラム上に、実施例１
と同様にして下引き層、電荷発生層を設け、この上に下
記構造の高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層用塗
工液を塗布、乾燥し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、
感光体を作製した。

【０１９２】 ［電荷輸送層塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１９３】

【化５３】 塩化メチレン １００部

【０１９４】比較例１ 導電性支持体としてアルミニウムドラム上に、実施例１
と同様にして下引き層、電荷発生層を設け、この上に下
記構造の高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層用塗
工液を塗布、乾燥し、２０μｍの電荷輸送層を形成し、
感光体を作製した。

【０１９５】 ［電荷輸送層塗工液］ 高分子電荷輸送物質 １０部

【０１９６】

【化５４】 塩化メチレン １００部

【０１９７】比較例２ 導電性支持体としてアルミを蒸着したポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた以外は、比較例１と同様に
して下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を形成し、感光
体を作製した。

【０１９８】比較例３ 導電性支持体としてアルミニウムドラム上に、実施例１
と同様にして下引き層、電荷発生層を設け、この上に下
記構造の低分子電荷輸送物質、及び不活性高分子バイン
ダーを含有する電荷輸送層用塗工液を塗布、乾燥し、２
０μｍの電荷輸送層を形成し、感光体を作製した。

【０１９９】 ［電荷輸送層用塗工液］ 低分子電荷輸送物質 ９部

【０２００】

【化５６】 不活性樹脂バインダー：ポリカーボネート樹脂 １０部 （Ｃ−１４００ 帝人化成社製） 塩化メチレン １１０部

【０２０１】比較例４ 導電性支持体としてアルミを蒸着したポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた以外は比較例１と同様にし
て下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を形成し、感光体
を作製した。

【０２０２】実施例１、３、４、６、７、１０及び比較
例１、３のように作製した感光体ドラムを、高速スリッ
ト露光方式複写機（ＦＴ８２００ リコー社製 Ａ４サ
イズ８２枚／分 感光体移動速度 約５００ｍｍ／秒）
に搭載し、Ａ４サイズ５万枚相当の実装試験を行ない、
初期と試験後の画像を比較した。また、実施例２、５、
８、９及び比較例２，４のように作製した感光体ドラム
を、フラッシュ露光方式複写機（ＦＴ９１００ リコー
社製 Ａ４サイズ １０１枚／分）に搭載し、Ａ４サイ
ズ５万枚相当の実装試験を行ない、初期と試験後の画像
を比較した。これらの画像結果をあわせて表１に示す。

【０２０３】

【表１】

【０２０４】表１から明らかなように、露光時間が５×
１０^-2秒以下の高速プロセスに対し、導電性支持体上
に、電荷発生層と高分子電荷輸送物質（トリアリールア
ミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネー
ト）を含有する電荷輸送層からなる積層感光体を用いる
ことにより、高解像度で且つ良好な画像が長期間にわた
り安定して得られる。

【０２０５】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的に説明したよう
に、本発明における電子写真プロセスは、解像度の高い
良好な画質を与える電子写真プロセスであり、且つ繰り
返し使用においても長期的に良好な画質を与える電子写
真プロセスであることがわかる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のフラッシュ露光方式を用いた複写プロ
セスの１例を示す模式図である。

【図２】本発明のスリット露光方式を用いた複写プロセ
スの１例を示す模式図である。

【図３】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の構成を示す断面図である。

【図４】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の別の構成を示す断面図である。

【図５】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の更に別の構成を示す断面図である。

【図６】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の更に別の構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 原稿 ２ フラッシュ露光光源 ３ レンズ ４ 帯電器 ５ ベルト状感光体 ６ 原稿台 ７ 感光体への照射光 ２１ 露光光源 ２２ スリット ２３ ミラー ２４ レンズ ２５ 帯電器 ２６ 感光体ドラム ２７ 原稿 ２８ 原稿台 ３１ 導電性支持体 ３２ 電荷発生層 ３３ 電荷輸送層 ３４ 感光層 ３５ 下引き層 ３６ 保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 生野 弘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 青戸 淳 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 永目 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小島 成人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 紙 英利 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 感光体を用い、帯電、露光、現像、転
   写、クリーニング及び除電工程を具備した電子写真プロ
   セスにおいて、前記電子写真プロセスに用いられる感光
   体として、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電
   荷輸送層を積層してなり、かかる電荷輸送層が高分子電
   荷輸送物質を含有する感光体を用い、前記露光工程にお
   ける露光時間が５×１０^-2秒以下であることを特徴とす
   る電子写真プロセス。
2. 【請求項２】 前記露光工程がフラッシュランプで瞬時
   露光を用いる工程か、又は４００ｍｍ／秒以上で移動す
   る感光体に対しスリットによる露光を用いる工程である
   請求項１記載の電子写真プロセス。
3. 【請求項３】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物質
   が、トリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含
   むポリカーボネートであることを特徴とする請求項１又
   は請求項２記載の電子写真プロセス。
4. 【請求項４】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物
   質が、下記一般式１で表わされる高分子電荷輸送物質で
   あることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
   のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化１】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
   無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
   又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
   若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
   立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
   ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
   ５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
   脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
   表わす。 【化２】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
   のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
   ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
   ２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
   −、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
   −Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
   す。）または、 【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
   数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
   リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
   Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
   よい。
5. 【請求項５】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物
   質が、下記一般式２で表わされる高分子電荷輸送物質で
   あることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
   のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化４】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
   ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
   す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
6. 【請求項６】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物
   質が、下記一般式３で表わされる高分子電荷輸送物質で
   あることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
   のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
   わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
7. 【請求項７】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物
   質が、下記一般式４で表わされる高分子電荷輸送物質で
   あることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
   のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化６】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
   は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
   １の場合と同じである。
8. 【請求項８】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物
   質が、下記一般式５で表わされる高分子電荷輸送物質で
   あることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
   のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化７】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
   Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
   若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
   ｎは、一般式１の場合と同じである。
9. 【請求項９】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物
   質が、下記一般式６で表わされる高分子電荷輸送物質で
   あることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
   のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化８】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
   アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又
   は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若
   しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
   クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
   ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
   一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一
   般式１の場合と同じである。
10. 【請求項１０】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送
    物質が、下記一般式７で表わされる高分子電荷輸送物質
    であることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項
    ３のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化９】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
    リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
    い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
    基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
    じである。
11. 【請求項１１】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送
    物質が、下記一般式８で表わされる高分子電荷輸送物質
    であることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項
    ３のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化１０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
    ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
    ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
    同じである。
12. 【請求項１２】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送
    物質が、下記一般式９で表わされる高分子電荷輸送物質
    であることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項
    ３のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化１１】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
    アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
    は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
    ｎは、一般式１の場合と同じである。
13. 【請求項１３】 上記電子写真プロセスで使用される電
    子写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送
    物質が、下記一般式１０で表わされる高分子電荷輸送物
    質であることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求
    項３のうちの何れか１に記載の電子写真プロセス。 【化１２】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
    表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
    ある。