JP2003195535A

JP2003195535A - 画像形成装置

Info

Publication number: JP2003195535A
Application number: JP2001397139A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yasutomi; 啓安富; Yasuo Suzuki; 康夫鈴木
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-12-27
Filing date: 2001-12-27
Publication date: 2003-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】更なる高画質化を可能とし、繰り返し使
用に対しても高画質画像を安定に得られる画像形成装置
を提供する。【解決手段】少なくとも、感光体と、帯電手段と、光
書き込み手段とを有し、光書き込みの解像度が１２００
ｄｐｉ以上である電子写真方式を用いた画像形成装置、
又はさらに画像処理手段とを有し、光書き込み手段によ
って光書き込みが入力画像に対して２００ｌｐｉ以上の
線数によって中間調処理を施された画像データに基づい
て行われる電子写真方式を用いた画像形成装置におい
て、前記光書き込み手段が、ビーム径３５μｍ以下のレ
ーザービーム光であり、かつ、前記感光体が、導電性支
持体上に少なくとも電荷発生層及び高分子電荷輸送物質
を含有する電荷輸送層を設けてなり、該電荷輸送層が、
３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電界下で１×１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1
・sec^-1以上のキャリア移動度を有する画像形成装置で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電複写機、レー
ザープリンター等の電子写真プロセスを用いる画像形成
装置、特に、トナー像を記録シート（紙など）へ定着す
るいわゆる定着行程を有する画像形成装置に関する。更
に詳しくは、本発明は、光書き込みの解像度が１２００
ｄｐｉ以上である電子写真方式を用いた画像形成装置に
関するものである。また、本発明は、光書き込みが入力
画像に対して２００ｌｐｉ以上の線数によって中間調処
理を施された画像データに基づいて行われる画像形成装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】特開平８−２７２１９７号公報では、支
持体上に感光層を有する電子写真感光体、該感光体を帯
電する帯電手段、該帯電された電子写真感光体に光を照
射する露光手段、現像手段及び転写手段を有する画像形
成装置において、該露光手段が照射する光のスポット面
積と該感光層の厚さの積が２０，０００μｍ³以下であ
る画像形成装置、並びに該画像形成装置に用いることが
特徴となっている。このようにすることで、優れた解像
度及び階調性を有する画像を得ることのできる画像形成
装置及びプロセスカートリッジを提供することが可能で
あるとしている。

【０００３】特開平９−３１９１６４号公報では、コン
トラスト電位をＶｃ［Ｖ］、初期帯電電位をＶｏ
［Ｖ］、レーザービーム径をＳ［μｍ］としたとき、こ
れらが一定の条件、Ｖｃ／Ｖｏ≦０．９２・ｌｏｇ
（Ｓ）−０．０１８・Ｌ−０．２９を満たすことが特徴
である。このようにすることにより、電荷輸送層の膜厚
が従来並みの厚さを有する場合であっても、潜像劣化を
抑えて解像度を高くし、高密度で高精細な画像を再現す
ることが可能であるとしている。

【０００４】特開平１１−９５４６２号公報では、感光
体の電荷輸送層が、Ｒ₁ｍ−Ｍ−（ＯＲ₂）ｎ（Ｍ＝Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ）で示される化合物の少なくとも１種類以上の反応生成物
を含有することを特徴としている。このようにすること
により、繰り返し帯電、露光による連続画像形成に際し
て磨耗や傷などよる膜削れが少なく、優れた耐久性を有
するため、感光層を薄膜化でき、この結果、優れた階調
性再現性を有する高画像品位の出力が得られる電子写真
感光体が可能になるとしている。

【０００５】特開平１２−２１４６０２号公報では、感
光体の電荷輸送層の少なくとも１層が４５ｗｔ％以上の
電荷輸送性材料を含有し、最表面層の摩耗量が電荷輸送
層の摩耗量より少ない感光体であり、露光から現像まで
の時間が１５０ｍｓ以下であることを特徴とする画像形
成装置を用いている。このようにすることで、耐刷性、
安定性に優れ、画像流れが少ない、小型で高速な画像形
成装置を提供することが可能であるとしている。

【０００６】電子写真プロセスを用いる画像形成装置の
感光体としては、いわゆる有機感光体が主流となってい
る。この有機感光体では、導電性基体上にいわゆる電荷
発生層、電荷輸送層を積層した積層タイプが主流となっ
ている。これは電荷輸送層部分に耐久性を持たせるため
であり、最近ではさらに保護層を積層したタイプも上市
されている。

【０００７】さらに、近年ではカラープリンターの急激
な進展により感光体からの高画質化がより一層重要な課
題となっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】

【０００９】電子写真方式を用いる画像形成装置では、
現像電界が高い空間周波数まで追従するようにするため
には、感光体膜厚を小さく（薄く）する必要があること
が知られている（電子写真技術の基礎と応用：コロナ社
ｐ．１５０〜１５１）。しかしながら、従来技術（特開
平１１−９５４６２号公報）においても指摘されている
ように、感光体膜厚を小さくした場合には、クリーニン
グによる磨耗や傷などに対する耐久性が悪化し、また、
帯電工程、露光工程を繰り返し経た場合の劣化が加速さ
れるという問題がある。従来の積層型有機感光体では、
電荷輸送層の結着樹脂としてポリカーボネートが一般的
に使用されているが、上記の問題点によって、電荷輸送
層の膜厚は２０〜３０μｍ程度に設定されていることが
一般的である。従って現状では高耐久を優先にして画質
を犠牲にし、電荷輸送層膜厚を２０〜３０μｍで使用し
ている。

【００１０】すなわち、発明者の行った実験によると、
２０〜３０μｍ程度の電荷輸送層を有する感光体を使用
した場合には、１２００ｄｐｉ以上の解像度になった場
合には、孤立１ドットや１ドットラインなどのような、
いわゆる高い空間周波数の画像再現することができなく
なってしまうことが明らかになった。孤立１ドットや１
ドットラインの再現が悪い画像形成装置では、いわゆる
ビットマップ画像などを複雑な画像処理工程を経ずにス
ルーで出力することができないことを意味する。

【００１１】解像度を６００ｄｐｉ、４００ｄｐｉなど
に低下させることによって、孤立１ドットや１ドットラ
インは再現させるこはできるようになるが、この場合に
は孤立１ドットや１ドットラインが大きくなるため、木
目の粗い画像になってしまう。また、斜め線を含むよう
な画像においては解像度の低下はいわゆるジャギーの悪
化を伴うため、画質の低下を招く。また、文字画像につ
いても種々のフォントが識別できるためには１２００ｄ
ｐｉ以上の解像度が必要であるという問題があり、この
ような高解像度化と孤立１ドット、１ドットラインの再
現を両立するという課題が存在することが明らかになっ
た。（請求項１に対応する課題）。

【００１２】また、発明者の行った実験によれば、２０
〜３０μｍ程度の電荷輸送層を有する感光体を使用した
場合には、２００ｌｐｉ以上の線数によって中間調処理
が施された画像データの書き込みを行い画像を出力した
場合には、階調性が悪く、写真画像のような階調表現が
必要な画像に対しては満足のいく画像が得られないとい
う問題が発生した。（一方、中間調処理を２００ｌｐｉ
未満にした場合には、階調性は確保されるものの、ディ
ザのテクスチャが目視で知覚され、きめの細かい画像が
得られないという問題がある。）さらに、階調性の悪い
条件（この場合は２００ｌｐｉ以上の中間調処理を施し
た場合）では、いわゆるバンディングが発生しやすく、
ノイズの多い画像しか得られないという問題を併せ持つ
ことも明らかになった。（請求項２に対応する課題）

【００１３】本発明では、電荷輸送層膜厚が厚い条件に
おいても、上述の問題が発生しない画像形成装置を提案
する。また、本発明での、書き込み系の構成（書き込み
解像度、ビーム径）と、感光体の構成（電荷輸送層）と
の組み合わせは、従来技術（特開平８−２８６４７０号
公報、特開平９−３１９１６４号公報、特開平１１−９
５４６２号公報、特開平８−２７２１９７号公報）のい
ずれの方法とも異なり、独自のものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明において
は、以下の構成要件を満足することにより、更なる高画
質化を可能とし、繰り返し使用に対しても高画質画像を
安定に得られる画像形成装置を提供することによって本
発明を完成するに至った。

【００１５】すなわち、本発明は以下の構成よりなる。 [１]少なくとも、感光体と、帯電手段と、感光体に対し
て光書き込みを行い静電潜像を形成する光書き込み手段
とを有し、光書き込みの解像度が１２００ｄｐｉ以上で
ある電子写真方式を用いた画像形成装置において、前記
光書き込み手段がビーム径３５μｍ以下のレーザービー
ム光であり、かつ、前記感光体が、導電性支持体上に少
なくとも電荷発生物質を含有する電荷発生層及び高分子
電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を設けてなり、該電
荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電界下で１×１０
^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1以上のキャリア移動度を有するこ
とを特徴とする画像形成装置。

【００１６】［２］少なくとも、感光体と、帯電手段及
と、感光体に対して光書き込みを行い静電潜像を形成す
る光書き込み手段と、入力画像に対して中間調処理をお
こなう画像処理手段とを有し、光書き込み手段によって
光書き込みが、入力画像に対して２００ｌｐｉ以上の線
数によって中間調処理を施された画像データに基づいて
行われる電子写真方式を用いた画像形成装置において、
前記光書き込み手段が、ビーム径３５μｍ以下のレーザ
ービーム光であり、かつ、前記感光体が、導電性支持体
上に少なくとも電荷発生物質を含有する電荷発生層及び
高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を設けてな
り、該電荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電界下で
１×１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1以上のキャリア移動度を
有することを特徴とする画像形成装置。

【００１７】［３］前記電荷輸送層が、トリアリールア
ミン構造を含む高分子電荷輸送物質の少なくとも１種を
用いて形成されてなることを特徴とする［１］又は
［２］記載の画像形成装置。

【００１８】［４］前記トリアリールアミン構造を含む
高分子電荷輸送物質が下記一般式（１）で表わされる化
合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００１９】

【化１３】｛一般式（１）中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して
置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ
₄は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、
Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、
ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表
わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し
単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族
の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わ
される２価基を表わす。

【００２０】

【化１４】式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）または、

【００２１】

【化１５】（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換若しくは無置換のアルキル基又
はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀ ₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。｝

【００２２】［５］前記トリアリールアミン構造を含む
高分子電荷輸送物質が下記一般式（２）で表わされる化
合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００２３】

【化１６】（一般式（２）中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のア
リール基、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリ
レン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の
場合と同じである。）

【００２４】［６］前記トリアリールアミン構造を含む
高分子電荷輸送物質が下記一般式（３）で表わされる化
合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００２５】

【化１７】（一般式（３）中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₄、Ａｒ ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるア
リレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）
の場合と同じである。）

【００２６】［７］前記トリアリールアミン構造を含む
高分子電荷輸送物質が下記一般式（４）で表わされる化
合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００２７】

【化１８】（一般式（４）中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるア
リレン基、ｒは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式（１）の場合と同じである。）

【００２８】［８］前記トリアリールアミン構造を含む
高分子電荷輸送物質が下記一般式（５）で表わされる化
合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００２９】

【化１９】（一般式（５）中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なる
アリレン基、Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン
基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。
Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じであ
る。）

【００３０】［９］前記トリアリールアミン構造を含む
高分子電荷輸送物質が下記一般式（６）で表わされる化
合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００３１】

【化２０】（一般式（６）中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニ
レン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、
ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じである。）

【００３２】［１０］前記トリアリールアミン構造を含
む高分子電荷輸送物質が下記一般式（７）で表わされる
化合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００３３】

【化２１】（一般式（７）中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子又は置換若し
くは無置換のアリール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形
成していてもよい。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は
異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般
式（１）の場合と同じである。）

【００３４】［１１］前記トリアリールアミン構造を含
む高分子電荷輸送物質が下記一般式（８）で表わされる
化合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００３５】

【化２２】（一般式（８）中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリー
ル基、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異な
るアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
（１）の場合と同じである。）

【００３６】［１２］前記トリアリールアミン構造を含
む高分子電荷輸送物質が下記一般式（９）で表わされる
化合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成装
置。

【００３７】

【化２３】（一般式（９）中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａ
ｒ₂₇、Ａｒ₂₈は同一又は異なるアリレン基を表わす。
Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じであ
る。）

【００３８】［１３］前記トリアリールアミン構造を含
む高分子電荷輸送物質が下記一般式（１０）で表わされ
る化合物であることを特徴とする［３］記載の画像形成
装置。

【００３９】

【化２４】（一般式（１０）中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換
のアリール基、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異な
るアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
（１）の場合と同じである。）

【００４０】［１４］前記感光体のおける電荷輸送層の
膜厚が２０μｍ以下であることを特徴とする［１］〜
［１３］のいずれかに記載の画像形成装置。

【００４１】［１５］前記感光体が保護層を有すること
を特徴とする［１４］記載の画像形成装置。

【００４２】以下、本発明に用いられる電子写真感光体
を図面に沿って説明する。図１の感光体は、導電性支持
体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３
５と、高分子電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３
７とが積層された構成をとっている。図２の感光体は、
図１の感光体において導電性支持体３１と電荷発生層３
５の間に中間層３３を設けた構成となっている。図３の
感光体は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成
分とする電荷発生層３５と、高分子電荷輸送物質を主成
分とする又は低分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層
３７とが積層された構成をとっている。さらに、その上
に高分子電荷輸送物質を含有する第２の電荷輸送層とし
ても機能する保護層３９が形成される構成からなる。

【００４３】導電性支持体３１としては、体積抵抗１０
¹⁰Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニ
ウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金
などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化
物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状も
しくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、ある
いは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ス
テンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引き抜き
などの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表
面処理した管などを使用することができる。また、特開
昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッ
ケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持
体３１として用いることができる。

【００４４】この他、上記支持体上に導電性粉体を適当
な結着樹脂に分散して塗工したものについても、本発明
の導電性支持体３１として用いることができる。この導
電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラ
ック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、
銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、
ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などがあげられる。また、
同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレ
ン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン
共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエ
ステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリ
レート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸
セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑
性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。こ
のような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を
適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメ
タン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗
布することにより設けることができる。

【００４５】さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン
（登録商標）などの素材に前記導電性粉体を含有させた
熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、
本発明の導電性支持体３１として良好に用いることがで
きる。

【００４６】次に電荷発生層３５は、電荷発生物質を主
成分とする層であり、電荷発生物質や結着樹脂等を適当
な溶剤に分散ないし溶解し、これを導電性支持体上ある
いは下引き層上に塗布、乾燥することにより形成でき
る。

【００４７】電荷発生層３５には、公知の電荷発生物質
をすべて用いることが可能である。本発明に用いること
ができる電荷発生物質としては例えば、チタニルフタロ
シアニン、バナジルフタロシアニン、銅フタロシアニ
ン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、無金属フタロ
シアニン等のフタロシアニン系顔料、モノアゾ顔料、ジ
スアゾ顔料、非対称ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料等の
アゾ顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、インジゴ
顔料、ピロロピロール顔料、アントラキノン顔料、キナ
クリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクエアリ
ウム顔料等、公知の材料を用いることができる。なお、
これら電荷発生物質は単独でも、２種以上混合して用い
ることも可能である。

【００４８】電荷発生層３５は、電荷発生物質を必要に
応じて結着樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、ア
トライター、サンドミル、超音波などを用いて分散し、
これを導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形
成される。

【００４９】必要に応じて電荷発生層３５に用いられる
結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキ
シ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹
脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニル
ホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリス
ルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリル
アミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノ
キシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸
ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビ
ニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニ
ルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。
結着樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し０〜
５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当で
ある。結着樹脂の添加は、分散前あるいは分散後どちら
でも構わない。

【００５０】ここで用いられる溶剤としては、イソプロ
パノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセル
ソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、
トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特
にケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良
好に使用される。これらは単独で用いても２種以上混合
して用いてもよい。

【００５１】電荷発生層３５は、電荷発生物質、溶剤及
び結着樹脂を主成分とするが、その中には、増感剤、分
散剤、界面活性剤、シリコーンオイル等のいかなる添加
剤が含まれていても良い。

【００５２】塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、ス
プレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナー
コート、リングコート等の方法を用いることができる。
電荷発生層３５の膜厚は、０.０１〜５μｍ程度が適当
であり、好ましくは０.１〜２μｍである。

【００５３】電荷輸送層３７は、高分子電荷輸送物質お
よび／又は結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、
これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成で
きる。また、必要により単独あるいは２種以上の可塑
剤、レベリング剤、酸化防止剤、滑材等を添加すること
が可能であり有用である。

【００５４】高分子電荷輸送物質としては、本発明に示
されるように、該電荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1
の電界下で１×１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1以上のキャリ
ア移動度を有することが可能な高分子電荷輸送物質であ
ることが必要である。なお、本発明で言うキャリア移動
度は、過渡電流波形を測定して、その時の印加電圧と測
定サンプルの膜厚とから求めることができる。これは所
謂タイムオブフライト法として、当業界では良く知られ
た方法である。

【００５５】本発明において、電荷輸送層が、３×１０
⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電界下で１×１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1
以上のキャリア移動度を有することが必要である理由
は、下記のように考えられる。導電性支持体上に、少な
くとも電荷発生層と電荷輸送層を有する一般の有機感光
体は、電荷発生層が基体側にあるため、露光により光生
成したキャリアは、表面まで移動する間に感光体内部に
発生する電界によって広がり、潜像の劣化が生じるとい
う原理的な問題を抱えている。このキャリアの拡散は内
部に発生する電界に依存することはもちろんのこと、時
間的な因子も大きいと考えられる。本発明に示すよう
に、特定電界下において特定値以上のキャリア移動度を
有する場合キャリアの移動が速く、キャリアの横拡散が
大きく抑制されるものと考えられる。従って本発明に示
すような、特定のキャリア移動度を有する電荷輸送層を
有する感光体を用いることで、光書き込み手段がビーム
径３５μｍ以下のレーザービーム光で、光書き込みの解
像度が１２００ｄｐｉ以上の高画質な電子写真方式を用
いた場合においても書き込みのＬＤドット径を劣化させ
ることなく、高画質な画像を得られることができると考
えられる。

【００５６】また、本発明に示すように電荷輸送層に高
分子電荷輸送物質を含有させることが好ましい理由は明
確ではないが、高分子電荷輸送物質の特徴である膜強度
が大きいため、耐摩耗性が優れ耐久性が向上すること、
さらに耐摩耗性が優れることと関係があると考えられ
る。耐摩耗性が優れるため経時で使用した場合偏摩耗せ
ず、かつミクロ的に見た場合においても均一に摩耗する
ため、画質においても劣化が少なく、高耐久性を維持で
きるものと考えられる。

【００５７】本発明に用いられる高分子電荷輸送物質と
しては本発明に示すキャリア移動度を示す公知の高分子
電荷輸送物質から選択することは可能だが、本発明に示
すように、結着樹脂との相溶性、光や酸化性ガスに対す
る安定性等からトリアリールアミン構造を含む化合物を
用いることが好ましい。さらにトリアリールアミン構造
を含む化合物のなかでも先述した塗膜強度、ガス安定性
から本発明に示される一般式（１）〜（１０）の高分子
電荷輸送物質を用いることが特に好ましい。これら電荷
輸送物質は単独で用いてもよいが、２種以上混合して用
いてもよい。

【００５８】さらにオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン
誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン
誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘
導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、ト
リアリールメタン誘導体、９−スチリルアントラセン誘
導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒ
ドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジェン誘導体、
ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導
体等、その他公知の低分子電荷輸送物質を混合しても差
し支えないが、混合した場合、本発明の範囲内のキャリ
ア移動度を示す電荷輸送物質を用いることはもちろんで
ある。

【００５９】以下に一般式（１）〜（１０）の化合物の
具体例を示すが、もちろん本発明はこれらに限定される
ものではない。また本発明における高分子電荷輸送物質
として、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造
を有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、
下記一般式（１）〜（１０）で表わされる高分子電荷輸
送物質を用いることにより、本発明の効果はよりいっそ
う顕著なものとなる。一般式（１）〜（１０）で表わさ
れる高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示
す。

【００６０】＜一般式（１）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化２５】一般式（１）中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置
換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄
は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、
Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、
ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表
わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し
単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族
の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わ
される２価基を表わす。

【００６１】

【化２６】式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【００６２】

【化２７】（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換若しくは無置換のアルキル基又
はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀ ₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００６３】一般式（１）の具体例Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。アルキル基として好ましくは、Ｃ₁
〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。ハロゲン
原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子が挙げられる。

【００６４】Ｒ₄は水素原子又は置換若しくは無置換の
アルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例として
は上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００６５】Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無置換のアリール
基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環基）を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６６】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【００６７】（２）アルキル基。アルキル基としては、
上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００６８】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記
（２）で定義したアルキル基であるものが挙げられ、具
体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシ
エトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ
基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキ
シ基等が挙げられる。

【００６９】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ
₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェニ
ノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−
ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【００７０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【００７１】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が前記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ
基等が挙げられる。

【００７２】（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。

【００７３】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合し一般式
（１）で表わされる化合物を製造するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７４】

【化２８】

【００７５】一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例と
しては以下のものが挙げられる。１，３−プロパンジオ
ール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオ
ール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジ
オール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，
３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プ
ロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテル
グリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサ
ンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロ
ヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオー
ル等が挙げられる。

【００７６】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００７７】＜一般式（２）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化２９】一般式（２）中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリ
ール基、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場
合と同じである。

【００７８】一般式（２）の具体例Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【００７９】

【化３０】（ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【００８０】

【化３１】を表わす。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などが挙げられる。

【００８１】また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で示される
アリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリール基の２
価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。

【００８２】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。
また、これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ
₁₀₈と同じ意味を有する。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【００８３】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁
〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のア
ルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原
子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェ
ニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若し
くはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を
含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【００８４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が前記
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００８５】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ
₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基等が挙げられる。

【００８６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【００８７】（６）次式で表わされるアルキル置換アミ
ノ基。

【化３２】式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に上記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【００８８】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【００８９】前記Ｘで表わされる構造部分は、下記一般
式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合し一般式
（２）で表わされる化合物を製造するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【００９０】

【化３３】一般式（Ｂ）のジオール化合物としては上記一般式
（１）の説明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げら
れる。

【００９１】＜一般式（３）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化３４】一般式（３）中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のア
リール基、Ａｒ₄、Ａｒ ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリ
レン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の
場合と同じである。

【００９２】一般式（３）の具体例Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００９３】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。

【００９４】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【００９５】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけ
Ｃ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基
若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【００９６】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキ
シ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が
挙げられる。

【００９７】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
コキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。

【００９８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【００９９】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は上記
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。

【０１００】（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。

【０１０１】前記Ｘで表わされる構造部分は、下記一般
式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合し一般式
（３）で表わされる化合物を製造するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１０２】

【化３５】一般式（Ｂ）のジオール化合物は上記一般式（１）の説
明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げられる。

【０１０３】＜一般式（４）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化３６】一般式（４）中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のア
リール基、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリ
レン基、ｒは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎ
は、一般式（１）の場合と同じである。

【０１０４】一般式（４）の具体例Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【０１０５】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。

【０１０６】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１０７】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけ
Ｃ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基
若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【０１０８】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキ
シ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が
挙げられる。

【０１０９】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
コキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。

【０１１０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【０１１１】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ
基等が挙げられる。

【０１１２】（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。

【０１１３】前記Ｘで表わされる構造部分は、下記一般
式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合し一般式
（４）で表わされる化合物を製造するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１１４】

【化３７】一般式（Ｂ）のジオール化合物は上記一般式（１）の説
明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げられる。

【０１１５】＜一般式（５）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化３８】一般式（５）中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のア
リール基、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるア
リレン基、Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン
基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。
Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じであ
る。

【０１１６】一般式（５）の具体例Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【０１１７】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。

【０１１８】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１１９】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけ
Ｃ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基
若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【０１２０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキ
シ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が
挙げられる。

【０１２１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ
₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基等が挙げられる。

【０１２２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【０１２３】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ
基等が挙げられる。

【０１２４】（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。

【０１２５】前記Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチ
レン基、置換若しくは無置換のビニレン基を表わし、こ
の置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記（２）のアルキ
ル基が挙げられる。

【０１２６】前記Ｘで表わされる構造部分は、下記一般
式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合し一般式
（５）で表わされる化合物を製造するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１２７】

【化３９】一般式（Ｂ）のジオール化合物は上記一般式（１）の説
明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げられる。

【０１２８】＜一般式（６）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化４０】一般式（６）中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しく
は無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ
₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ ₃は単結
合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは
無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のア
ルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニレ
ン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、
ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じである。

【０１２９】一般式（６）の具体例Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族
炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナ
フチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−
ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アント
リル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレ
ニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロ
ヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェ
ニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環
基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る。

【０１３０】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【０１３１】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１３２】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけ
Ｃ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基
若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【０１３３】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキ
シ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が
挙げられる。

【０１３４】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
コキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置
換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４
−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４
−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基等が挙げられる。

【０１３５】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若しく
は無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロ
アルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテ
ル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニレン基を表わし、
同一であっても異なっていてもよい。

【０１３６】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【０１３７】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【０１３８】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【０１３９】前記Ｘで表わされる構造部分は、下記一般
式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合し一般式
（６）で表わされる化合物を製造するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１４０】

【化４１】一般式（Ｂ）のジオール化合物は上記一般式（１）の説
明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げられる。

【０１４１】＜一般式（７）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化４２】一般式（７）中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは
無置換のアリール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成し
ていてもよい。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異な
るアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
（１）の場合と同じである。

【０１４２】一般式（７）の具体例Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、
Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９−フルオリニデン、
５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが
挙げられる。

【０１４３】また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈及びＡｒ₁₉で示され
るアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。

【０１４４】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１４５】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけ
Ｃ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基
若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【０１４６】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキ
シ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が
挙げられる。

【０１４７】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ
₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基等が挙げられる。

【０１４８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【０１４９】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ
基等が挙げられる。

【０１５０】（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。

【０１５１】前記Ｘの構造部分は、下記一般式（Ｈ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲ
ン法、エステル交換法等を用い重合し一般式（７）で表
わされる化合物を製造するとき、下記一般式（Ｂ）のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘ
の構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基
を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導さ
れるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り
返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカ
ーボネートは交互共重合体となる。

【０１５２】

【化４３】一般式（Ｂ）のジオール化合物は上記一般式（１）の説
明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げられる。

【０１５３】＜一般式（８）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化４４】一般式（８）中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール
基、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なる
アリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
（１）の場合と同じである。

【０１５４】一般式（８）の具体例Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができる。芳
香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基とし
てナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，
９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、ア
ントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フル
オレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シ
クロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビ
フェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複
素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリ
ル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げら
れる。

【０１５５】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。

【０１５６】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１５７】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけ
Ｃ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基
若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【０１５８】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキ
シ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が
挙げられる。

【０１５９】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ
₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基等が挙げられる。

【０１６０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【０１６１】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記
（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的に
は、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル
−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基
等が挙げられる。

【０１６２】（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。

【０１６３】前記Ｘの構造部分は、下記一般式（Ｊ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲ
ン法、エステル交換法等を用い重合し一般式（８）で表
わされる化合物を製造するとき、下記一般式（Ｂ）のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、こ
の構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ
基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導
されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰
り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリ
カーボネートは交互共重合体となる。

【０１６４】

【化４５】一般式（Ｂ）のジオール化合物は上記一般式（１）の説
明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げられる。

【０１６５】＜一般式（９）で表わされる高分子電荷輸
送物質について＞

【化４６】一般式（９）中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しく
は無置換のアリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ
₂₇、Ａｒ₂₈は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、
ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じである。

【０１６６】一般式（９）の具体例Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。芳香族
炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナ
フチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−
ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アント
リル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレ
ニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロ
ヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェ
ニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環
基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る。

【０１６７】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。

【０１６８】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１６９】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけ
Ｃ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基
若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【０１７０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキ
シ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が
挙げられる。

【０１７１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ
₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基等が挙げられる。

【０１７２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【０１７３】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ
基等が挙げられる。

【０１７４】（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。

【０１７５】前記Ｘで表わされる構造部分は、下記一般
式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合し一般式
（９）で表わされる化合物を製造するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１７６】

【化４７】一般式（Ｂ）のジオール化合物は上記一般式（１）の説
明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げられる。

【０１７７】＜一般式（１０）で表わされる高分子電荷
輸送物質について＞

【化４８】一般式（１０）中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なる
アリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
（１）の場合と同じである。

【０１７８】一般式（１０）の具体例Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【０１７９】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。

【０１８０】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１８１】（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけ
Ｃ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基
若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。

【０１８２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキ
シ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−
メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が
挙げられる。

【０１８３】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル
基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ
₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロ
ゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、
フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノ
キシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナ
フチルオキシ基等が挙げられる。

【０１８４】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

【０１８５】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記
（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的
には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ
基等が挙げられる。

【０１８６】（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。

【０１８７】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合し一般式（１０）で表
わされる化合物を製造するとき、下記一般式（Ｂ）のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、こ
の構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ
基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導
されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰
り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリ
カーボネートは交互共重合体となる。

【０１８８】

【化４９】一般式（Ｂ）のジオール化合物は上記一般式（１）の説
明における一般式（Ｂ）と同じものが挙げられる。

【０１８９】結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレ
ン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン
共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエ
ステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリ
レート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セル
ロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、
フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱
硬化性樹脂が挙げられる。

【０１９０】電荷輸送層の膜厚は、コストおよび塗膜の
均一性維持から３５μｍ以下とすることが好ましい。さ
らに２０μｍ以下とすることで本発明の効果は一層顕著
なものとなる。下限値に関しては、使用するシステム
（特に帯電電位等）によって異なるが、５μｍ以上が好
ましい。

【０１９１】ここで用いられる溶剤としては、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、
モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノ
ン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。
これらは単独で使用しても２種以上混合して使用しても
良い。

【０１９２】上記電荷輸送層３７の上に、耐久性の向上
を目的として必要に応じて、フィラー、分散剤、結着樹
脂、さらに電荷輸送物質等を適当な溶媒に分散あるいは
溶解し、塗布及び乾燥を行うことによって、保護層３９
を設けてもよい。

【０１９３】前記保護層に用いることができるフィラー
は、耐摩耗性を向上させる目的で添加される。フィラー
は有機フィラー及び無機フィラーとに分類され、有機フ
ィラー材料としては、ポリテトラフルオロエチレンのよ
うなフッ素樹脂微粒子、シリコーン樹脂微粒子、ａ−カ
ーボン粉末等が挙げられ、無機フィラー材料としては、
銅、スズ、アルミニウム、インジウムなどの金属粉末、
シリカ、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン、アルミナ、酸
化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸
化ビスマス、酸化カルシウム、アンチモンをドープした
酸化錫、錫をドープした酸化インジウム等の金属酸化
物、フッ化錫、フッ化カルシウム、フッ化アルミニウム
等の金属フッ化物、チタン酸カリウム、窒化硼素などの
無機材料が挙げられる。これらのフィラーの中で、フィ
ラーの硬度の点から無機材料を用いることが耐摩耗性の
向上に対し有利である。

【０１９４】フィラーの平均一次粒径は、０．０１〜
０．５μｍであることが、保護層の光透過率や耐摩耗性
の点から好ましい。フィラーの平均一次粒径が０．０１
μｍ未満の場合は、凝集、分散性の低下等から耐摩耗性
の低下を引き起こし、０．５μｍを超える場合には、フ
ィラーの沈降性が促進されたり、それを用いて作製した
感光体によって得られる画像に異常画像が発生したりす
る可能性がある。

【０１９５】前記保護層に含有される結着樹脂には、前
述の電荷輸送層３７に用いられる結着樹脂をすべて使用
することが可能であるが、結着樹脂によってもフィラー
分散性が影響されるため、フィラー分散性に悪影響を与
えないことが重要である。また、酸価を有する樹脂は、
残留電位を低減させる上でも有用であり、結着樹脂とし
てすべてに、あるいは他の結着樹脂と混合させて一部に
添加して使用することが可能である。使用可能な樹脂の
一例としては、ポリエステル、ポリカーボネート、アク
リル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、アクリル酸やメタクリル酸を用いた各
種共重合体、スチレンアクリル共重合体、ポリアリレー
ト、ポリアクリレート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、
ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー
共重合体、塩素化ポリエーテル、アリール樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイ
ミド、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリエーテ
ルスルホン、ポリエチレン、ポリイミド、ポリメチルベ
ンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポ
リスルホン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合
体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン等の樹脂あるいは共重合体等が挙げられる。また、こ
れらの材料は２種以上混合して用いることが可能であ
る。

【０１９６】また、結着樹脂は画像ボケに対しても大き
な影響を与え、耐ＮＯｘ性あるいは耐オゾン性の高い結
着樹脂を使用することは、画像ボケを抑制するだけでな
く、耐摩耗性をも向上させる効果を有する。それらの結
着樹脂としてはポリマーアロイも有効に使用することが
可能であり、少なくともポリエチレンテレフタレートと
のポリマーアロイは画像ボケ抑制効果が高く有用であ
る。

【０１９７】本発明における保護層においては、少なく
とも１種の電荷輸送物質を含有させることが残留電位を
低下させる上で好ましい。保護層に含有される電荷輸送
物質には、前述の電荷発生層上に形成される電荷輸送層
３７に含まれる電荷輸送物質をすべて使用することが可
能であるが、保護層に含有される電荷輸送物質と電荷輸
送層に含有される電荷輸送物質とが各々異なるものであ
ってもよい。その場合、電荷輸送層に含有される電荷輸
送物質よりも保護層に含有される電荷輸送物質の方に低
いイオン化ポテンシャルを持たせることによって、電荷
輸送層／保護層界面における電荷の注入性を向上させる
ことが可能となり、残留電位の低減に非常に有効であ
る。なお、イオン化ポテンシャルは、分光学的に求める
方法、電気化学的に求める方法等、種々の方法を用いて
測定することができる。

【０１９８】また、保護層に電荷輸送物質を含有させ電
荷輸送層としての機能させる場合には、本発明に示すよ
うなキャリア移動度を有する高分子電荷輸送物質を使用
することが好ましい。特に、トリアリールアミン構造を
主鎖および／または側鎖に含むポリカーボネートが良好
に用いられる。高分子電荷輸送物質を含有し、電荷輸送
機能を有する保護層を積層した場合は、下層の電荷輸送
層には、本発明に示すキャリア移動度を示すような、低
分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層としても良い。

【０１９９】前記保護層に用いることができるフィラー
材料は、少なくとも有機溶剤、分散剤とともにボールミ
ル、アトライター、サンドミル、超音波などの従来方法
を用いて分散することができる。この中でも、フィラー
と分散剤との接触効率を高くすることができ、外界から
の不純物の混入が少ないボールミルが分散性の点からよ
り好ましい。使用されるメディアの材質については、従
来使用されているジルコニア、アルミナ、メノウ等すべ
てのメディアを使用することができるが、フィラーの分
散性及び残留電位低減効果の点からアルミナを使用する
ことがより好ましく、耐摩耗性に優れたα型アルミナが
特に好ましい。ジルコニアは分散時のメディアの摩耗量
が大きく、それらの混入によって残留電位が著しく増加
するだけでなく、その摩耗粉の混入によって分散性が低
下し、フィラーの沈降性が大幅に低下する。一方、メデ
ィアにアルミナを使用した場合には、分散時のメディア
の摩耗量は低く抑えられる上に、混入した摩耗粉が残留
電位に与える影響が非常に小さい。また、摩耗粉が混入
しても分散性に対する影響が他のメディアに比べて少な
い。従って、分散に使用するメディアにはアルミナを使
用することがより好ましい。また、分散剤は、塗工液中
のフィラーの凝集、さらにはフィラーの沈降性を抑制
し、フィラーの分散性が著しく向上させることから、フ
ィラーや有機溶剤とともに分散前より添加することが好
ましい。一方、結着樹脂や電荷輸送物質は、分散前に添
加することも可能であるが、その場合分散性が若干低下
する場合が見られる。従って、結着樹脂や電荷輸送物質
は、有機溶剤に溶解された状態で分散後に添加すること
が好ましい。

【０２００】以上のようにして得られた分散液の塗工法
としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコー
ト、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等、
従来の塗工方法を用いることができるが、比較的薄い膜
を均一に、かつフィラー分散性の良好な膜を形成するた
めにはスプレー塗工が適している。

【０２０１】保護層全体の膜厚としては、１μｍ〜１０
μｍ、好ましくは２〜６μｍが適当である。膜厚が極度
に薄い場合には、膜の均一性が低下したり、十分な耐摩
耗性が得られない場合があり、膜厚が極度に厚い場合に
は、残留電位上昇の影響が増大したり、光透過率の低下
により解像度やドット再現性の低下を引き起こす場合が
ある。

【０２０２】本発明の感光体においては、導電性支持体
３１と感光層との間に下引き層を設けることができる。
下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹
脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、
一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であること
が望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアル
コール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶
性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等
のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が
挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電位
の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化
ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示でき
る金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。これらの下
引き層は、前述の感光層の如く適当な溶媒及び塗工法を
用いて形成することができる。更に本発明の下引き層と
して、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、
クロムカップリング剤等を使用することもできる。さら
に、各種分散剤を添加することも可能である。この他、
本発明の下引き層には、Ａｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて設けた
ものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物や
ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等の無機
物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用でき
る。このほかにも公知のものを用いることができる。下
引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０２０３】本発明に用いられる感光体においては、感
光層と保護層との間に中間層を設けることも可能であ
る。中間層には、一般に結着樹脂を主成分として用い
る。これら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶
性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。
中間層の形成法としては、前述のごとく一般に用いられ
る塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは０．０５
〜２μｍ程度が適当である。

【０２０４】本発明においては、耐環境性の改善のた
め、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目
的で、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護層、中
間層等の各層に従来公知の酸化防止剤、可塑剤、滑剤、
紫外線吸収剤、低分子電荷輸送物質およびレベリング剤
を添加することができる。

【０２０５】

【発明の実施の形態】本発明は静電複写機、レーザープ
リンターなどの電子写真プロセスを用いる画像形成装置
に関するものである。以下で本発明の電子写真プロセス
を用いる画像形成装置を図を用いて説明する。図４は本
発明の画像形成装置の一例の概略図である。感光体ドラ
ム１は導体の表面に感光体を塗布することによって形成
され、図４中の矢印方向に回転する。感光体は、導電性
支持体上に少なくとも電荷発生物質を含有する電荷発生
層及び高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を設け
てなり、該電荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電界
下で１×１０^-5ｃｍ²・Ｖ ^-1・sec^-1以上のキャリア移動
度を有するものである。画像形成装置では次のような手
順で画像の形成を行う。１．帯電手段２では、感光体の表面を所望の電位に帯電
する。２．光書き込み手段３では、感光体を露光して、所望の
画像に対応する静電潜像を感光体上に形成する。３．現像手段４では、光書き込み手段３によってつくら
れた静電潜像を、トナーによって現像し感光体上にトナ
ー像を形成する。４．転写手段５は、感光体上のトナー像を不図示の搬送
手段によって搬送される紙などの記録シート６上に転写
する。５．クリーニング手段７は、転写手段５で記録シート上
に転写されず感光体上に残ったトナーを清掃する。６．転写手段５によって、トナー像を転写された記録シ
ートは定着手段８へ搬送される。定着手段８では、トナ
ーは加熱され、記録シート上に定着される。感光体ドラ
ムは図４中の矢印方向に回転するため、上記の１〜６の
工程を繰り返すことによって記録シート上に所望の画像
が形成されていく。

【０２０６】電子写真プロセスでの帯電装置としては、
従来公知の帯電装置を用いることができる。例えば、コ
ロナ放電を利用して感光体の帯電を行うコロナ帯電装置
を用いることができる。図５は、コロナ帯電装置の一例
の概略図である。ワイヤは材質：タングステン、線径６
０［μｍ］である。ワイヤは図５のような位置（ケース
中央）に感光体ドラムの軸方向に張設され、高電圧（−
７［ｋＶ］程度）が印加されている。前記のワイヤは帯
電ケースで覆われている。ケースの材質は、酸化されに
くいステンレス鋼である。また、前記ワイヤと感光体と
の間には、グリッドが張設されており、−０．６［ｋ
Ｖ］程度の電圧が印加される。グリッドはステンレス鋼
板（板厚：０．１［ｍｍ］）をメッシュ状に切り取った
ものである。

【０２０７】図５のコロナ帯電装置では、感光体の帯電
は次のように行われる。張設されたワイヤの近傍では、
強電界が形成され空気の絶縁破壊が起こり、イオンが発
生する。このイオンの一部は、ワイヤと感光体との間の
電界によって移動し、感光体表面が帯電される。感光体
の帯電は、表面電位がグリッドに印加した電位にほぼ等
しくなるまで続くため、感光体の表面電位は、グリッド
に印加する電位によって制御することが可能である。

【０２０８】ワイヤを使用したコロナ帯電装置以外のコ
ロナ帯電装置としては、鋸歯状電極を放電電極として使
用しているものを用いてもよい（特開平８−２０２１０
号公報、特開平６−３０１２８６号公報）。図６はこの
鋸歯状電極を用いたコロナ帯電装置の一例の概略図であ
る。鋸歯状電極は図７のような形状であって、材質は板
厚０．１［ｍｍ］のステンレス鋼板、頂点のピッチは３
［ｍｍ］である。この鋸歯状電極は図６のように、支持
部材に固定され、電源によって高電圧（−５［ｋＶ］）
が印加される。鋸歯状電極を使用したコロナ帯電装置で
も、ワイヤを使用したコロナ帯電装置と同様に、材質が
ステンレス鋼の帯電ケースで覆われており、鋸歯状電極
と感光体との間にはグリッドが配置されている。鋸歯状
電極を使用したコロナ帯電装置での感光体の帯電も、ワ
イヤを使用した場合と同じであり、鋸歯状電極の頂点付
近でコロナ放電がおこる。このほかのコロナ帯電装置と
しては、放電電極が針状（ピン状）の電極であるものも
用いることができる。

【０２０９】鋸歯状電極を使用したコロナ帯電装置で
は、ワイヤを使用した場合にくらべて、小型、低オゾン
発生の利点をもつ。鋸歯状電極では、コロナ放電が方向
性（帯電ケース側へ向かうイオンの流れが、グリッド側
（感光体側）へ向かうイオンの流れにくらべて小さくな
る）をもって起こるため、帯電装置の幅（帯電ケースの
感光体側の開口幅）を小さくすることができる。このこ
とは、画像形成装置全体の小型化に対して重要である。
また、コロナ放電が方向性を持つため、感光体の帯電の
効率が上がり、コロナ帯電装置に流れる電流を小さくす
ることができ、この結果、オゾンの発生量が少なくな
る。

【０２１０】本発明の画像形成装置の帯電装置として
は、これらのコロナ帯電装置ほかに、いわゆる接触帯電
装置を用いることもできる。この接触帯電装置は、コロ
ナ帯電装置で問題であった、１．発生するオゾンが多い２．印加電圧が大きい（５〜７［ｋＶ］）などを改善することができる。このため、低速、中速の
電子写真方式の画像形成装置での帯電装置として広く用
いられている。

【０２１１】接触帯電装置は、被帯電体である感光体
（以下、単に感光体と略す）に、帯電部材を接触させ、
この帯電部材に電圧を印加することによって感光体の帯
電を行う。図８は、接触帯電装置の一例であり、その断
面図を表している。帯電部材２はローラ形状で直径５〜
２０［ｍｍ］、長さ約３００［ｍｍ］であり、弾性層２
ｂを導体２ａの上に形成してある。感光体ドラムは直径
３０〜８０［ｍｍ］、長さ約３００［ｍｍ］であり、感
光体１ｂを導体１ａ上に形成してある。帯電部材は回転
する感光体ドラムに対して接触し、従動回転する。帯電
部材の弾性層は、抵抗率が１０⁷〜１０⁹［Ωｃｍ］の材
料から構成される。また、帯電部材の表面（弾性層の表
面）には、膜厚が１０〜２０［μｍｍ］程度の表面保護
層が形成されている場合もある。帯電部材には、電源３
によって電圧を印加し、感光体の帯電を行う。印加電圧
は、直流で−１．５〜−２．０［ｋＶ］である。このよ
うな構成により、接触帯電装置では感光体を−５００〜
−８００［Ｖ］に均一に帯電することができる。

【０２１２】本発明の電子写真プロセスを用いる画像形
成装置での光書き込み手段は、いわゆるＬＤ（レーザー
ダイオード）を出力画像に対応させて光変調を行う。こ
のＬＤから発光されたレーザー光は、いわゆるコリメー
トレンズ、アパーチャー、シリンドリカルレンズ、ポリ
ゴンミラー、ｆ-θレンズを介して、感光体上に結像す
るようになっている。ポリゴンミラーは、回転する多面
鏡であり、この回転によってレーザー光が感光体上を走
査するようになっている。このため、感光体を露光し
て、所望の画像に対応する静電潜像を感光体上に形成す
ることができる。本発明においては、光書き込みの解像
度が１２０００ｄｐｉ以上であり、ビーム径３５μｍ以
下のレーザービーム光である光書き込み手段を用いる。

【０２１３】

【実施例】以下に、本発明の実施例を示す。

【０２１４】実施例１実施例１の画像形成装置を、図４を用いて説明する。１．感光体ドラム１は導体（アルミニウムなど）の表面
に、下記組成の下引き層３．５μｍ、電荷発生層０．２
μｍ、電荷輸送層２６μｍで塗布することによって形成
され、図４中の矢印方向に回転する。感光体ドラムの直
径は６０ｍｍであり、周速は２３０ｍｍ／secである。２．帯電手段２は、いわゆる接触ローラ帯電装置であ
り、芯金上にいわゆる中抵抗の導電性をもつ弾性層（厚
み３ｍｍ）が形成された構成の帯電ローラに、電源によ
って直流電圧（−１．２１ｋＶ）を印加し、感光体を均
一（−５５０Ｖ）に帯電する。３．光書き込み手段３は、帯電手段２で均一に帯電され
た感光体の表面に、目的の画像に対応した光を照射する
ことによって、静電潜像を形成する。光書き込み手段の
光源はレーザーダイオードであり、ポリゴンミラーによ
って、感光体上をレーザービームで照射しながら走査し
ていく。いわゆるビーム径は主走査方向３５μｍ、副走
査方向３５μｍである。（下記で詳しく説明する。）４．現像手段４は、いわゆる二成分現像装置であり、ト
ナー（体積平均粒径６．８μｍ）とキャリア（粒径５０
μｍ）をトナー濃度５．０％に混合した現像剤が現像容
器内に収納されている。現像装置では、この現像剤を現
像スリーブによって、感光体−現像スリーブ対向部へと
搬送する。感光体−現像スリーブ間の距離（いわゆる現
像ギャップ）は０．３ｍｍである。現像スリーブには電
源により直流電圧（−４００Ｖ）が印加されているた
め、感光体上の静電潜像に対応してトナーが感光体上に
付着する（いわゆる反転現像）。また、現像スリーブ
の周速は４６０ｍｍ／secである。（いわゆる周速比は
２．０である。）５．転写手段５は、現像手段４で現像されたトナー像を
不図示の給紙手段から搬送された記録シート６上に転写
する。実施例１において、転写手段５は転写ベルトと電
源とからなり、電源から転写ベルトに電圧を印加する。
印加する電圧は定電流制御とし、３０μＡである。６．クリーニング手段７は弾性体から形成されるブレー
ドによって構成され、感光体上の残留トナー像（いわゆ
る転写残トナー）のクリーニングを行う。７．転写手段５によっての記録シート（紙など）上に転
写されたトナー像は、定着手段に搬送され、定着手段８
で加熱加圧することによって、トナー像が記録紙シート
上に定着され、画像形成装置機外へと排出され、出力画
像となる。実施例１においても、上述の１〜７の工程を
繰り返すことによって、所望の画像を記録シート上に形
成することが可能になる。

【０２１５】図９は実施例１で用いた書き込みユニット
の概略図である。波長７８０ｎｍの４つのＬＤ（レーザ
ーダイオード）をもつ４ｃｈ（４チャンネル）タイプの
ＬＤアレイ１１を搭載している。ＬＤからのレーザー光
は、いわゆるコリメートレンズ１２、ＮＤフィルタ１
３、アパーチャー１４、シリンドリカルレンズ１５を介
して、ポリゴンミラー１６へと照射される。ポリゴンミ
ラー１６は、６面タイプであり、２７１６．５ｒｐｍの
回転数で回転している。ポリゴンミラー１６で反射され
たレーザー光は、折り返しミラー１８、１９、ｆ-θレ
ンズ１７、２０を介して、感光体上で結像するようにな
っている。実施例１では、レーザービームの感光上での
いわゆるビーム径は、３５μｍ（主走査方向）×３５μ
ｍ（副走査方向）になるように調整されている。ｆ−θ
レンズ１７、２０はプラスチックを成形加工したプラス
チックレンズであり、いわゆるＡＣ面によってレンズ形
状の設計がなされており、この結果、３５μｍ（主走査
方向）×３５μｍ（副走査方向）というきわめて細いビ
ーム径を実現している。また、レーザー光はポリゴンミ
ラー１６が回転することによって、感光体上を走査す
る。実施例１では解像度１２００ｄｐｉの画像形成装置
であり、１ｐｉｘｃｅｌの大きさは、２１．３μｍ×２
１．３μｍである。１ｐｉｘｃｅｌあたりを１６．９ｎ
secの時間で移動しながら、感光体にレーザービームを
照射していく。このとき、いわゆる画素クロックは５
９．２ＭＨｚであり、５９．２ＭＨｚの周波数でＬＤを
光変調することを意味している。

【０２１６】また、実施例１では、上述のようにレーザ
ー光がポリゴンミラー１６の回転によって、感光体上を
走査するが、非画像領域にレーザー光が位置するときに
は、図９に図示された同期検知板２２に、レーザー光が
入射するようになっている。この同期検知板２２は、レ
ーザービームの入射によって基準信号が発生するような
機構を有し、この基準信号に基づいて、画像書き出し位
置のタイミング、いわゆる画素クロックを形成するクロ
ック信号のリセットを行うようになっている。これによ
り、感光体上の所定の位置に、光変調をなされたレーザ
ー光を入射することができるようになっている。

【０２１７】また、実施例１は、１ｐｉｘｃｅｌあたり
４階調の階調表現が可能な、いわゆる４値書きこみを行
うことができるように、ＬＤのパルス幅を４段階で変化
させてこのような多値書きこみを行っている。

【０２１８】感光体仕様 φ６０のアルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き
層塗工液、電荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液
を、浸漬塗工によって順次塗布、乾燥し、膜厚３．５μ
ｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２６μｍの電
荷輸送層を形成した。

【０２１９】下引き層塗工液二酸化チタン粉末４００部メラミン樹脂６５部アルキッド樹脂１２０部２−ブタノン４００部

【０２２０】電荷発生層用塗工液クロロガリウムフタロシアニン顔料２部ポリビニルブチラール（エスレックＢＭ−１：積水化学製）１．０部シクロヘキサノン３０部メチルエチルケトン７０部

【０２２１】電荷輸送層塗工液下記構造式（１）の高分子電荷輸送物質６部（キャリア移動度:１×１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）

【０２２２】

【化５０】テトラヒドロフラン５０部

【０２２３】上記電荷輸送層のキャリア移動度の測定は
以下のように行った。（キャリア移動度測定方法）キャリアの移動度は、まず
真空蒸着法により、市販のスライドガラス上にＩＴＯ膜
を形成し、電荷輸送層（ＣＴＬ）のモビリティ測定用基
体とした。次に実施例に示される電荷輸送層塗工液処方
で、前記基体上に浸漬法により塗布・乾燥し、約１０μ
ｍの電荷輸送層を形成した。次いで、真空蒸着法によ
り、Ａｕを約３０Å蒸着し、上部電極とした。以上のよ
うにして作製された試料を、光源としてＮ₂レーザー
（３３７．１ｎｍ）を用いたタイム−オブ−フライト法
により、電界強度が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1下の電荷輸
送層の移動度を測定した。

【０２２４】上記感光体を用い、先に示した実験機（リ
コー製ＭＦ４５７０を１２００ｄｐｉ２ｂｉｔ書き込み
に改造したもの）を使用し、上記手段により画像を出力
し、下記の画質評価を行った。また、ビーム径はＰＨＯ
ＴＯＮ社製ビームスキャン、ＯＰＣ膜厚はフィッシャー
スコープ社製膜厚計でそれぞれ測定したものである。

【０２２５】（画質評価方法）画質評価は、画質の重要
項目である階調性を測定するという方法で行った。階調
性の評価は、線数を変えて中間調処理をほどこしたパッ
チ（１７段）を出力し、このパッチの明度（Ｌ＊）を測
定する。中間調処理としては、いわゆる線数を２００ｌ
ｐｉの水準で画像を出力した。また、明度（Ｌ＊）の測
定には、分光濃度測色計（Ｘ−Ｒｉｔｅ社製９３８）を
使用した。階調性の数値化は、入力（データ上の面積
率）に対する、１７段のパッチを測色してもとめた明度
値の直線性から、いわゆるＲ＾２（一次式近似での自己
相関係数の２乗）を計算するという方法でおこなった。
Ｒ＾２の値は、上述の入力データと明度（Ｌ＊）との関
係が直線的ならば１．０に近い値（図１０）になり、直
線からずれるにしたがって小さな値（図１１）になる。
また、発明者は自然画像などの高い階調性が要求される
画像の主観的評価を行うことによって、Ｒ＾２の値が
０．９８以上であることを優れた階調性の条件とした。
また、Ｒ＾２の値は、いわゆる低線数画像のほうが大き
くなる傾向がある。しかしながら、線数が２００ｌｐｉ
以下の場合には、いわゆるディザのテクスチャが認識で
きるようになってしまい、自然画像などにおいては不自
然な印象をあたえる結果、画質劣化の要因となってしま
う。このことから、発明者は、中間調処理の線数を２０
０線以上で階調性Ｒ＾２の値０．９８以上であれば高画
質であると判断した。また、記録密度は文字・線画の画
質に関係し、特にジャギー特性に効く。ジャギーが目立
たなくなるのは、９００ｄｐｉ以上必要であり、高画質
を達成するためには１２００ｄｐｉ以上が必要である。

【０２２６】実施例２実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（２）（キャリア移動度:８．８×１
０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に感
光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。

【０２２７】

【化５１】

【０２２８】実施例３実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（３）（キャリア移動度:３．９×１
０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に感
光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。

【０２２９】

【化５２】

【０２３０】実施例４実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（４）（キャリア移動度:１．０×１
０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に感
光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。

【０２３１】

【化５３】

【０２３２】実施例５実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（５）（キャリア移動度:１．０×１
０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に感
光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。

【０２３３】

【化５４】

【０２３４】実施例６実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（６）（キャリア移動度:２．０×１
０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に感
光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。

【０２３５】

【化５５】

【０２３６】実施例７実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（７）（キャリア移動度:２．９×１
０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に感
光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。

【０２３７】

【化５６】

【０２３８】実施例８実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（８）（キャリア移動度:４．９×１
０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に感
光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。

【０２３９】

【化５７】

【０２４０】実施例９実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（９）（キャリア移動度:７．８×１
０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に感
光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。

【０２４１】

【化５８】

【０２４２】実施例１０実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（１０）（キャリア移動度:３．０×
１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に
感光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評
価を行った。

【０２４３】

【化５９】

【０２４４】実施例１１実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（１１）（キャリア移動度:２．０×
１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に
感光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評
価を行った。

【０２４５】

【化６０】

【０２４６】実施例１２実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（１２）（キャリア移動度:２．１×
１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に
感光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評
価を行った。

【０２４７】

【化６１】

【０２４８】比較例１実施例１において、電荷輸送層に用いる高分子電荷輸送
物質を下記構造式（１３）（キャリア移動度:１．０×
１０^-6ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1）に変え、実施例１と同様に
感光体を作製、実施例１と同様にして画像出力・画質評
価を行った。

【０２４９】

【化６２】

【０２５０】比較例２実施例１における、電荷輸送層塗工液を以下のようにし
た以外は、実施例１と同様に感光体を作製、実施例１と
同様にして画像出力・画質評価を行った。電荷輸送層塗工液ポリカーボネート（パンライトＣ−１４００、帝人化成製）６部下記構造式（１４）の電荷輸送物質４部

【０２５１】

【化６３】テトラヒドロフラン５０部

【０２５２】比較例３比較例２における、電荷輸送物質を下記構造式（１５）
に変えた以外は、実施例１と同様に感光体を作製、実施
例１と同様にして画像出力・画質評価を行った。

【０２５３】

【化６４】

【０２５４】比較例４比較例２における、電荷輸送物質を下記構造式（１６）
に変えた以外は、実施例１と同様に感光体を作製、実施
例１と同様にして画像出力・画質評価を行った。

【０２５５】

【化６５】実施例１〜１２、比較例１〜４の画像形成装置の画像評
価を表１に示す。また、図１２には、初期の電荷輸送層
のキャリア移動度と諧調性（Ｒ＾２）の関係を示した。
先に示した実験機：リコー製ＭＦ４５７０を１２００ｄ
ｐｉ２ｂｉｔ書き込みに改造したものを使用し、ビーム
径は３５μｍ、書き込み密度は１２００dpi、中間調処
理としては、いわゆる線数を２００ｌｐｉの水準で画像
を出力し、画質評価を行ったものである。

【０２５６】また、評価の手順としては、最初に実験機
により画像を出力し画質評価を行い、次にリコー製ＭＦ
３５７０にて明部電位：ＶＤ＝−８００Ｖに設定して１
ｔｏ２にてトータル１．５万枚の印刷を行った後再度実
験機により画像を出力し画質評価を行った。

【０２５７】

【表１】

【０２５８】表１は、電荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃ
ｍ^-1の電界下で様々なキャリア移動度（実施例では１×
１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1以上）を有する感光体を用
い、階調性（上述のＲ＾２）を測定した結果である。こ
の結果からからわかるように、電荷輸送層の膜厚薄くし
なくとも、該電荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電
界下で１×１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1以上のキャリア移
動度を有する電子写真感光体を用いることで階調性の優
れた画像を形成することができる画像形成装置を提供す
ることが可能となる。

【０２５９】実施例１３〜１９、比較例５〜８実施例１において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表２のように変えた
ほかは実施例２と同様にして画像出力・画質評価を行っ
た。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに加
え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２６０】

【表２】

【０２６１】画質の評価結果を表３に示す。

【表３】

【０２６２】実施例２０〜２６、比較例９〜１２実施例２において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表４のように変えた
ほかは実施例２と同様にして画像出力・画質評価を行っ
た。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに加
え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２６３】

【表４】

【０２６４】画質の評価結果を表５に示す。

【表５】

【０２６５】実施例２７〜３３、比較例１３〜１６実施例３において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表６のように変えた
ほかは実施例３と同様にして画像出力・画質評価を行っ
た。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに加
え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２６６】

【表６】

【０２６７】画質の評価結果を表７に示す。

【表７】

【０２６８】実施例３４〜４０、比較例１７〜２０実施例４において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表８のように変えた
ほかは実施例４と同様にして画像出力・画質評価を行っ
た。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに加
え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２６９】

【表８】

【０２７０】画質の評価結果を表９に示す。

【表９】

【０２７１】実施例４１〜４７、比較例２１〜２４実施例５において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表１０のように変え
たほかは実施例５と同様にして画像出力・画質評価を行
った。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに
加え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２７２】

【表１０】

【０２７３】画質の評価結果を表１１に示す。

【表１１】

【０２７４】実施例４７〜５３、比較例２５〜２８実施例６において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表１２のように変え
たほかは実施例６と同様にして画像出力・画質評価を行
った。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに
加え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２７５】

【表１２】

【０２７６】画質の評価結果を表１３に示す。

【表１３】

【０２７７】実施例５４〜６０、比較例２９〜３２実施例７において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表１４のように変え
たほかは実施例７と同様にして画像出力・画質評価を行
った。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに
加え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２７８】

【表１４】

【０２７９】画質の評価結果を表１５に示す。

【表１５】

【０２８０】実施例６１〜６７、比較例３３〜３６実施例８において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表１６のように変え
たほかは実施例８と同様にして画像出力・画質評価を行
った。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに
加え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２８１】

【表１６】

【０２８２】画質の評価結果を表１７に示す。

【表１７】

【０２８３】実施例６８〜７４、比較例３７〜４０実施例９において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時の
書き込みビーム径、書き込み密度を表１８のように変え
たほかは実施例９と同様にして画像出力・画質評価を行
った。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐｉに
加え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を行っ
た。

【０２８４】

【表１８】

【０２８５】画質の評価結果を表１９に示す。

【表１９】

【０２８６】実施例７５〜８１、比較例４１〜４４実施例１０において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時
の書き込みビーム径、書き込み密度を表２０のように変
えたほかは実施例１０と同様にして画像出力・画質評価
を行った。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐ
ｉに加え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を
行った。

【０２８７】

【表２０】

【０２８８】画質の評価結果を表２１に示す。

【表２１】

【０２８９】実施例８２〜８８、比較例４５〜４８実施例１１において、感光体の電荷輸送層膜厚、露光時
の書き込みビーム径、書き込み密度を表２２のように変
えたほかは実施例１１と同様にして画像出力・画質評価
を行った。なお中間調処理としては、線数を２００ｌｐ
ｉに加え、２４０ｌｐｉの水準での画像も出力し評価を
行った。

【０２９０】

【表２２】

【０２９１】画質の評価結果を表２３に示す。

【表２３】

【０２９２】

【発明の効果】本発明によると、電荷輸送層の膜厚薄く
しなくともビーム径３５μｍ以下のビーム光、及び該電
荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電界下で１×１０
^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1以上のキャリア移動度を有する電
子写真感光体を用いることで階調性の優れた画像を形成
することができる画像形成装置を提供することが可能と
なる。この効果は、電荷輸送層を薄膜化（２０μｍ以
下）することで顕著なものとなる。

【０２９３】また、電荷輸送物質として高分子電荷輸送
物質を用いることで、これまでの特許に示されているよ
うに耐摩耗性が向上し、摩耗の面からの耐久性向上が図
れることはもちろんのこと、画質上も通常の低分子電荷
輸送物質を用いたときに比較して、繰り返し使用したと
きに劣化が少なく高耐久であることが明らかとなった。

【０２９４】本発明に用いられる高分子電荷輸送物質と
しては本発明に示すキャリア移動度を示す公知の高分子
電荷輸送物質から選択することは可能だが、本発明に示
すように、結着樹脂との相溶性、光や酸化性ガスに対す
る安定性等からトリアリールアミン構造を含む化合物を
用いることが好ましい。さらにトリアリールアミン構造
を含む化合物のなかでも先述した塗膜強度、ガス安定性
から本発明に示される一般式（１）〜（１０）の高分子
電荷輸送物質を用いることが特に好ましい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いる感光体の一例の断面図である。

【図２】本発明に用いる感光体の他の例の断面図であ
る。

【図３】本発明に用いる感光体の他の例の断面図であ
る。

【図４】本発明の画像形成装置の一例の概略断面図であ
る。

【図５】本発明の画像形成装置に用いられるワイヤを使
用したコロナ帯電装置の概略断面図である。

【図６】本発明の画像形成装置に用いられる鋸歯状電極
を使用したコロナ帯電装置の概略断面図である。

【図７】図６の鋸歯状電極の概略断面図である。

【図８】本発明の画像形成装置に用いられる接触帯電装
置の概略断面図である。

【図９】実施例１で用いた光学ユニットの概略断面図で
ある。

【図１０】階調性がよい場合の入力データと明度（Ｌ
＊）の関係を示すグラフである。

【図１１】階調性が悪い場合の入力データと明度（Ｌ
＊）の関係を示すグラフである。

【図１２】実施例１〜１７及び比較例１〜３の電荷輸送
層のキャリア移動度と階調性（Ｒ＾２）の関係を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

１感光体ドラム１ａ感光体１ｂ導体２帯電手段（帯電部材）２ａ弾性層２ｂ導体３光書き込み手段４現像手段５転写手段６記録シート７クリーニング手段８定着手段９電源１１４ｃｈＬＤ（レーザーダイオード）１２コリメートレンズ１３ＮＤフィルタ１４アパーチャ- １５シリンドリカルレンズ１６ポリゴンミラー１７ｆ−θレンズ１１８折り返しミラー１１９折り返しミラー２２０ｆ−θレンズ２２１感光体面２２同期検知板３１導電性支持体３３中間層３５電荷発生層３７電荷輸送層３９保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、感光体と、帯電手段と、感
光体に対して光書き込みを行い静電潜像を形成する光書
き込み手段とを有し、光書き込みの解像度が１２００ｄ
ｐｉ以上である電子写真方式を用いた画像形成装置にお
いて、前記光書き込み手段が、ビーム径３５μｍ以下の
レーザービーム光であり、かつ、前記感光体が、導電性
支持体上に少なくとも電荷発生物質を含有する電荷発生
層及び高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を設け
てなり、該電荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電界
下で１×１０^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1以上のキャリア移動
度を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】少なくとも、感光体と、帯電手段と、感
光体に対して光書き込みを行い静電潜像を形成する光書
き込み手段と、入力画像に対して中間調処理をおこなう
画像処理手段とを有し、光書き込み手段によって光書き
込みが、入力画像に対して２００ｌｐｉ以上の線数によ
って中間調処理を施された画像データに基づいて行われ
る電子写真方式を用いた画像形成装置において、前記光
書き込み手段が、ビーム径３５μｍ以下のレーザービー
ム光であり、かつ、前記感光体が、導電性支持体上に少
なくとも電荷発生物質を含有する電荷発生層及び高分子
電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を設けてなり、該電
荷輸送層が、３×１０⁵Ｖ・ｃｍ^-1の電界下で１×１０
^-5ｃｍ²・Ｖ^-1・sec^-1以上のキャリア移動度を有するこ
とを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】前記電荷輸送層が、トリアリールアミン
構造を含む高分子電荷輸送物質の少なくとも１種を用い
て形成されてなることを特徴とする請求項１又は２記載
の画像形成装置。
【請求項４】前記トリアリールアミン構造を含む高分
子電荷輸送物質が下記一般式（１）で表わされる化合物
であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。【化１】｛一般式（１）中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して
置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ
₄は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、
Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、
ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表
わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し
単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族
の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わ
される２価基を表わす。【化２】式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）または、【化３】（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換若しくは無置換のアルキル基又
はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀ ₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。｝
【請求項５】前記トリアリールアミン構造を含む高分
子電荷輸送物質が下記一般式（２）で表わされる化合物
であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。【化４】（一般式（２）中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のア
リール基、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリ
レン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の
場合と同じである。）
【請求項６】前記トリアリールアミン構造を含む高分
子電荷輸送物質が下記一般式（３）で表わされる化合物
であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。【化５】（一般式（３）中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₄、Ａｒ ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるア
リレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）
の場合と同じである。）
【請求項７】前記トリアリールアミン構造を含む高分
子電荷輸送物質が下記一般式（４）で表わされる化合物
であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。【化６】（一般式（４）中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるア
リレン基、ｒは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式（１）の場合と同じである。）
【請求項８】前記トリアリールアミン構造を含む高分
子電荷輸送物質が下記一般式（５）で表わされる化合物
であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。【化７】（一般式（５）中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なる
アリレン基、Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン
基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。
Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じであ
る。）
【請求項９】前記トリアリールアミン構造を含む高分
子電荷輸送物質が下記一般式（６）で表わされる化合物
であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。【化８】（一般式（６）中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、又はビニ
レン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、
ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じである。）
【請求項１０】前記トリアリールアミン構造を含む高
分子電荷輸送物質が下記一般式（７）で表わされる化合
物であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装
置。【化９】（一般式（７）中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子又は置換若し
くは無置換のアリール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形
成していてもよい。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は
異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般
式（１）の場合と同じである。）
【請求項１１】前記トリアリールアミン構造を含む高
分子電荷輸送物質が下記一般式（８）で表わされる化合
物であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装
置。【化１０】（一般式（８）中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリー
ル基、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異な
るアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
（１）の場合と同じである。）
【請求項１２】前記トリアリールアミン構造を含む高
分子電荷輸送物質が下記一般式（９）で表わされる化合
物であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装
置。【化１１】（一般式（９）中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａ
ｒ₂₇、Ａｒ₂₈は同一又は異なるアリレン基を表わす。
Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式（１）の場合と同じであ
る。）
【請求項１３】前記トリアリールアミン構造を含む高
分子電荷輸送物質が下記一般式（１０）で表わされる化
合物であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装
置。【化１２】（一般式（１０）中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換
のアリール基、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異な
るアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
（１）の場合と同じである。）
【請求項１４】前記感光体のおける電荷輸送層の膜厚
が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１３
のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１５】前記感光体が保護層を有することを特
徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の画像形成装
置。