JPH10307412A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高感度で、繰り返し使用後において残留電位
が少なく、さらに、膜削れの少ない電子写真感光体を提
供する。 【解決手段】 感光層にＣｕ−Ｋα線に対するＸ線回折
スペクトルにおいて、ブラッグ角２６．５±０．８°に
回折ピークを有し、ブラッグ角２６．５±０．８°のピ
ークの半値幅が２°以上の下記（１）式で表わされるア
ゾ顔料を電荷発生物質として含有することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、改良された電子写
真感光体に関し、この電子写真感光体は複写機、レーザ
ープリンタ、レーザーファクシミリに好適に使用され
る。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方法としては、カールソンプロ
セスやその他種々の変形プロセスなどが知られており、
複写機やプリンタなどに広く使用されている。このよう
な電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の
感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性
などをメリットとして、近年使用されている。

【０００３】有機系の電子写真感光体には、ポリビニル
カルバゾール（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂、Ｐ
ＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）
に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バイン
ダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送
物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが
知られており、特に機能分離型の感光体が注目されてい
る。

【０００４】この機能分離型の感光体における静電潜像
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質
は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入
され、帯電によって生じている電界に沿って電荷輸送層
中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静
電潜像を形成するものである。機能分離型感光体におい
ては、主に紫外線部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に
可視部から近赤外部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み
合わせて用いることが知られており、且つ有用である。

【０００５】近年では、複写プロセスの高速化、小型化
が進み、感光体に対しては高感度、高速応答性、高耐久
化が要求されている。このうち高耐久化については、繰
り返し使用時における電気的な劣化（残留電位の上昇、
帯電電位の低下）に加え、感光体最表層の膜削れといっ
た機械的耐久化も重要であり、感光体を構成する材料、
感光体構成を試行錯誤的に解析を行なうことにより対策
が講じられている。

【０００６】一方、前者２つ（高感度、高速応答性）に
ついては、感光体の光キャリア発生機構の解析結果に基
づく検討がなされているが、材料系によって様々な光キ
ャリア発生機構が報告され、すべての材料をカバーする
理論は与えられていない（例えば、P.M.Borsenberger a
nd D.S.Weiss:Organic Photoreceptors for ImagingSys
tems..Marcel Dekker(1993)Chap.5,6.)。しかしなが
ら、これらメカニズムは大きく２つに大別することがで
き、１つはフタロシアニン類に代表されるintrinsic
（内因的）なキャリア発生機構であり、もう１つはアゾ
顔料に代表されるextrinsicなキャリア発生機構であ
る。これらの違いは、電荷発生物質単独で光キャリアを
生成できる（前者）か否（後者）かによるものである。
いずれの場合にも、電荷発生物質が光吸収することで励
起状態の電荷発生物質（励起子）を生成する。これが、
同物質（前者）或いは異物質（後者）との相互作用によ
ってジェミネートペアを形成し、これがフリーキャリア
へ解離する。

【０００７】このように、有機材料を電荷発生物質に用
いた感光体においては、無機系材料のように励起子がダ
イレクトにフリーキャリアに解離することはなく、少な
くとも、ジェミネートペアの生成、ジェミネートペアか
らフリーキャリアへの解離の２段階以上のステップによ
ってフリーキャリアが形成される。したがって、各々の
量子効率を大きくすることがフリーキャリア発生全量子
効率を大きくする（高感度）ことになる。このうち前者
については、最低単位である２分子間での電子移動反応
に集約され、この効率は２分子の混合度合い、エネルギ
ーレベル等の因子によって決定される。一方、後者につ
いてはほとんどの場合、電界に依存することが報告され
てはいるものの、そのメカニズムは明らかにされておら
ず、後者のプロセスを促進する技術など見い出されてい
ないのが現状である。このことを考慮すれば、光キャリ
ア発生機構に関わらず解決すべき課題は共通であり、後
者の反応効率をいかに大きくするかが高感度化のための
課題として現存する。

【０００８】このような感光体を形成するための材料と
して、特定の電荷発生物質及びそれを用いた感光体が提
案されている（特開平５−３２９０５号公報）が、これ
らに開示された材料のなかで、特に優れた材料を抽出す
る手段がなかった。また、実用面まで考慮した感光体の
繰り返し使用時の特性まで考慮されていなかった。一
方、感光体の機械的耐久性（膜削れ）に関しては、電荷
輸送物質の多くが低分子化合物として開発されており、
低分子化合物は単独で製膜性がないため、通常、不活性
高分子に分散・混合して用いられる。しかるに低分子電
荷輸送物質と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に
柔らかく、カールソンプロセスにおいては、繰り返し使
用による膜削れを生じやすいという欠点がある。

【０００９】さらに、この構成の電荷輸送層は電荷移動
度に限界があり、カールソンプロセスの高速化或いは小
型化の障害となっていた。これは通常、低分子電荷輸送
物質の含有量が５０重量％以下で使用されることに起因
している。即ち低分子電荷輸送物質の含有量を増すこと
で確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製膜
性が劣化するためである。

【００１０】これらの点を克服するために高分子型の電
荷輸送物質が注目され、例えば特開昭５１−７３８８８
号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１
１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特
開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５
２号公報、特開平１−１７２８号公報記載、特開平１−
１９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開
示されている。しかしながら、高分子電荷輸送物質から
なる電荷輸送層と、電荷発生層とを組み合わせた感光体
の光感度は、上記の低分子電荷輸送物質を用いた場合に
比べて著しく劣っており、この点の改良が強く望まれて
いた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、非常
に高感度な電子写真感光体を提供することにある。ま
た、繰り返し使用後において残留電位の少ない感光体を
提供することにある。さらに、繰り返し使用における膜
削れの少ない感光体を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記のような課題は、本
発明の（１）「導電性支持体上に少なくとも感光層を設
けてなる電子写真感光体において、該感光層に少なくと
もＣｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルにおいて少
なくともブラッグ角２６．５±０．８°に回折ピークを
有し、該ブラッグ角２６．５±０．８°のピークの半値
幅が２°以上の下記（１）式で表わされるアゾ顔料を電
荷発生物質として含有することを特徴とする電子写真感
光体、

【００１３】

【化３】 式中、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂はカップラー残基を表わし、同一で
も異なっていてもよい。Ｒ₂₀₁、Ｒ₂₀₂はそれぞれ、水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シア
ノ基のいずれかを表わし、同一でも異なっていてもよ
い。また、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂は下記（２）式で表わされ、

【００１４】

【化４】 式中、Ｒ₂₀₃は、水素原子、メチル基、エチル基等のア
ルキル基、フェニル基等のアリール基を表わす。
Ｒ₂₀₄、Ｒ₂₀₅、Ｒ₂₀₆、Ｒ₂₀₇、Ｒ₂₀₈はそれぞれ、水素
原子、ニトロ基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素等のハロゲン原子、トリフルオロメチル基、メチル
基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基
等のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、水酸基を表わ
し、Ｚは置換若しくは無置換の芳香族炭素環又は置換若
しくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子
群を表わす。」、（２）「前記（１）式中のＣｐ₁及び
Ｃｐ₂が異なるものであることを特徴とする前記（１）
項に記載の電子写真感光体。」、（３）「感光層が電荷
発生層と、電荷輸送層の積層構成からなることを特徴と
する前記（１）又は（２）項に記載の電子写真感光
体。」、（４）「上記電子写真感光体の電荷輸送層に少
なくともトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖
に含むポリカーボネートを含有することを特徴とする前
記（３）項に記載の電子写真感光体。」によって解決さ
れる。

【００１５】また、（５）「上記電子写真感光体に含有
されるトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に
含むポリカーボネートが、下記（３）式で表わされる高
分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記（４）項
に記載の電子写真感光体、

【００１６】

【化５】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。」、

【００１７】

【化６】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）または、

【００１８】

【化７】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。」、（６）「上記電子写真感光体に含有されるト
リアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリ
カーボネートが、下記（４）式で表わされる高分子電荷
輸送物質であることを特徴とする前記（４）項に記載の
電子写真感光体、

【００１９】

【化８】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場合と同じで
ある。」、（７）「上記電子写真感光体に含有されるト
リアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリ
カーボネートが、下記（５）式で表わされる高分子電荷
輸送物質であることを特徴とする前記（４）項に記載の
電子写真感光体、

【００２０】

【化９】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場合と同じ
である。」、（８）「上記電子写真感光体に含有される
トリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポ
リカーボネートが、下記（６）式で表わされる高分子電
荷輸送物質であることを特徴とする前記（４）項に記載
の電子写真感光体、

【００２１】

【化１０】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記
（３）式の場合と同じである。」、（９）「上記電子写
真感光体に含有されるトリアリールアミン構造を主鎖及
び／又は側鎖に含むポリカーボネートが、下記（７）式
で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
る前記（４）項に記載の電子写真感光体、

【００２２】

【化１１】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、上記（３）式の場合と同じである。」、（１０）
「上記電子写真感光体に含有されるトリアリールアミン
構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートが、
下記（８）式で表わされる高分子電荷輸送物質であるこ
とを特徴とする前記（４）項に記載の電子写真感光体、

【００２３】

【化１２】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又
は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上
記（３）式の場合と同じである。」、（１１）「上記電
子写真感光体に含有されるトリアリールアミン構造を主
鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートが、下記
（９）式で表わされる高分子電荷輸送物質であることを
特徴とする前記（４）項に記載の電子写真感光体、

【００２４】

【化１３】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場合
と同じである。」、（１２）「上記電子写真感光体に含
有されるトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖
に含むポリカーボネートが、下記（１０）式で表わされ
る高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
（４）項に記載の電子写真感光体、

【００２５】

【化１４】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場
合と同じである。」、（１３）「上記電子写真感光体に
含有されるトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側
鎖に含むポリカーボネートが、下記（１１）式で表わさ
れる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
（４）項に記載の電子写真感光体、

【００２６】

【化１５】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、上記（３）式の場合と同じである。」、（１４）
「上記電子写真感光体に含有されるトリアリールアミン
構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートが、
下記（１２）式で表わされる高分子電荷輸送物質である
ことを特徴とする前記（４）項に記載の電子写真感光
体、

【００２７】

【化１６】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場合と同
じである。」によって解決される。

【００２８】有機電子写真感光体においては、その高感
度化が重要なポイントになっている。感光体の高感度化
技術は、（１）量子効率を大きくするか、（２）移動度
を大きくするかの２つに集約される。このうち（２）に
ついては、材料（主に電荷移動物質）にかなり依存する
ことが判っており、すでに現有の電子写真特性を十分に
満足できる材料が開発されつつあるため、また、移動度
そのものを感光体の処方設計だけで変える（大きくす
る）ことは、かなりの困難を要するため、本発明者らは
前者に注目して検討を行なった。

【００２９】これまで、感光体の光キャリア発生は、感
光層内で電荷発生物質が光励起を受けて生ずるものと考
えられており、またこのことを実証した例も非常に少な
かった。本発明者らは、ビスアゾ顔料及びトリスアゾ顔
料を電荷発生物質に用いた感光体の光キャリア発生に関
する検討を行なった結果、光吸収した電荷発生層バルク
に励起子（exciton）を生じ、この励起子が電荷発生層
と、電荷輸送層の界面でフリーキャリアに解離し、光キ
ャリア発生していることを見い出し、ジャパニーズ・ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス誌第２９巻
１２号２７４６〜２７５０頁及びジャーナル・オブ・ア
プライド・フィジックス誌第７２巻１号１１７〜１２３
頁に報告してきた。

【００３０】さらに、本発明者らはその後、鋭意検討を
重ねた結果、次の知見を得た。 （１）電荷発生層（物質）と電荷輸送層（物質）の界面
におけるキャリア発生は、有機電荷発生全般にわたって
認められること。 （２）光キャリア発生量は、電荷発生物質と低分子電荷
輸送物質との接触・混合度合いが多いほど、大きいこ
と。 （３）光キャリア発生は、電荷発生物質と高分子電荷輸
送物質との間でも生じ、かつその量は接触・混合度合い
が多いほど大きいこと。 （４）電荷発生物質と電荷輸送物質の界面におけるキャ
リア発生は、少なくとも２段階の反応であり、１つは光
誘起電子移動反応（ジュミネートペア形成）に基づくも
のであり、更にもう１つは、ジュミネートペアからフリ
ーキャリアへの解離であること。 したがって、量子効率を大きくするためには前記２つの
反応効率を大きくすることが必要である。このうち、前
者のジュミネートペア形成については、電荷発生物質と
低分子電荷輸送物質との接触・混合度合いを大きくする
ことで達成することが可能であるが、後者のジュミネー
トペアからフリーキャリアへの解離過程についてはその
プロセスが明らかでなく、達成手段も明確になっていな
かった。

【００３１】本願の発明は、導電性支持体上に少なくと
も感光層を設けてなる電子写真感光体において、該感光
層に少なくともＣｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクト
ルにおいて少なくともブラッグ角２６．５±０．８°に
回折ピークを有し、該ブラッグ角２６．５±０．８°の
ピークの半値幅が２°以上の前記（１）式で表わされる
アゾ顔料を電荷発生物質として含有することを特徴とす
る電子写真感光体である。このような感光体は、ジュミ
ネートペアからフリーキャリアへの解離過程での効率が
大きく、高感度な感光体であるがその理由は明らかでは
ない。しかしながら、種々の実験結果から類推すると、
特定の結晶型或いは集合体の構造をとっているようであ
り、その結果、ジュミネートペアからフリーキャリアへ
の解離過程において、その解離確率が大きくなるものと
考えられる。

【００３２】上述の特定の結晶型或いは集合体の構造を
とっているか否かの確認は、上述のようにＸ線回折スペ
クトルにより確認出来るものであるが、前記（１）式で
表わされるアゾ顔料のうち、このような構造をとるもの
（ブラッグ角２６．５±０．８°のピークの半値幅が２
°以上である）であれば本発明にはいかなるものでも使
用できる。したがって、反応合成された顔料そのもの
が、この構造であればそのまま使用できるし、この構造
をとっていなければ結晶変換方法を用いて処理したもの
を使用することもできる。この結晶変換方法には、公知
のあらゆる手段を用いることが可能である。例えば、溶
媒を用いた湿式法及び蒸着処理などの乾式法のいずれも
使用できるし、また、機械的に結晶変換する湿式及び乾
式ミリングなどの方法も含まれる。

【００３３】繰り返し使用後の残留電位発生に関して
は、その原因はいくつか考えられる。１つは、電荷輸送
層の劣化などによる光キャリア輸送能の低下であり、今
１つは光キャリア発生能の低下である。前者に関して
は、近年の材料開発によって比較的良好な電荷輸送物質
が開発されており、また劣化防止剤等の添加によっても
感光体の特性が改良されている。一方、後者に関して
は、特に電荷発生物質の性質によるところが大きく、感
光体作成後の初期状態はもちろん、繰り返し使用後にお
いても十分な光キャリア発生能力を示すことが重要であ
る。このためには、物理的・化学的に安定であり、大き
な光キャリア発生能を示す材料を用いることが重要であ
る。この点、本発明に用いられる電荷発生物質はその用
件を満足するものである。以上の検討によって、本発明
を完成するに至った。

【００３４】さらに、本発明の感光体は、電荷輸送層中
の電荷輸送物質が、主成分として高分子電荷輸送物質で
構成されるため、高い機械的耐久性を維持しつつ、電荷
輸送サイトの高密度化に基づく、高い移動度を発現でき
る。したがって、低分子電荷輸送物質−不活性高分子単
独系では実現できなかった高速光応答性を有するように
なる。

【００３５】次に、Ｘ線回折スペクトルの測定方法につ
いて述べる。測定には市販の装置を用いることができ
る。サンプルとして、感光層から抽出した電荷発生物質
を粉体状で測定するか、或いは感光層（電荷発生層）を
直接測定することも可能である。

【００３６】次に、本発明の電子写真感光体の構成を、
図面に沿って説明する。図１〜図３は感光層が単層の場
合であり、図４〜図７は感光層が積層構成の場合であ
る。図１は、本発明の電子写真感光体を表わす断面図で
あり、導電性支持体（１１）上に、電荷発生材料と電荷
輸送材料とバインダー樹脂を主成分とする感光層（１
３）が設けられた構成をとっている。図２は、本発明の
電子写真感光体の別の構成を表わす断面図であり、導電
性支持体（１１）上に、感光層（１３）が設けられ、更
に感光層（１３）上に保護層（１５）を設けた構成をと
っている。図３は、本発明の電子写真感光体のまた別の
構成を表わす断面図であり、導電性支持体（１１）と感
光層（１３）の間に下引き層（１７）が設けられた構成
をとっている。図４は、本発明の電子写真感光体の更に
別の構成を表わす断面図であり、導電性支持体（１１）
上に電荷発生層（２１）と電荷輸送層（２３）が設けら
れた構成をとっている。図５は、本発明の電子写真感光
体の更に別の構成を表わす断面図であり、導電性支持体
（１１）上に電荷輸送層（２３）と電荷発生層（２１）
が設けられた構成をとっている。図６は、本発明の電子
写真感光体の更に別の構成を表わす断面図であり、電荷
輸送層（２３）上に保護層（１５）が設けられた構成を
とっている。図７は、本発明の電子写真感光体の更に別
の構成を表わす断面図であり、導電性支持体（１１）と
電荷発生層（２１）の間に下引き層（１７）が設けられ
た構成をとっている。

【００３７】導電性支持体（１１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、銅、銀、金、白金などの金属、
酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を蒸着又は
スパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラ
スチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウ
ム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板及
びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなど
の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨等で表面処理
した管等を使用することができる。本発明における感光
層（１３）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは
説明の都合上、まず積層型について述べる。電荷発生層
（２１）は、前記（１）で表わされるアゾ顔料で、Ｃｕ
−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルにおいて少なくと
もブラッグ角２６．５±０．８°に回折ピークを有し、
該ブラッグ角２６．５±０．８°のピークの半値幅が２
°以上のアゾ顔料を含有するものを用いた場合に好適な
結果が得られる。

【００３８】これら電荷発生材料は、単独で或いは２種
以上混合して用いられる。また、電荷発生材料として公
知の材料を併用することができる。例えば、金属フタロ
シアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン
系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン
顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニ
ルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するア
ゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビス
スチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジ
アゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾー
ル骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキ
ノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジ
フェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾ
キノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチ
ン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾー
ル系顔料などが挙げられる。

【００３９】本発明の電荷発生層には、必要に応じて電
気的に不活性なバインダー樹脂が併用されることもあ
る。このバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウ
レタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネー
ト、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリ
スチレン、ポリアクリルアミドなどが用いられる。電荷
発生層（２１）は、電荷発生物質を必要ならばバインダ
ー樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、ジオキサン、２−ブタノン、ジクロルエタン等の適
当な溶媒を用いて、ボールミル、アトライター、サンド
ミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈して塗布す
ることにより形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレ
ーコート、ローラーコート法等を用いて行なうことがで
きる。電荷発生層（２１）の膜厚は０．０１〜５μｍ程
度が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍである。

【００４０】電荷輸送層（２３）は、電荷輸送材料及び
バインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これ
を塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。
電荷輸送層には電荷輸送材料とバインダー樹脂とから構
成される。電荷輸送材料には、正孔輸送物質と電子輸送
物質とがある。

【００４１】電子輸送物質には、例えばクロルアニル、
ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリ
ニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４
オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−
５，５−ジオキサイド、３，５−ジメチル−３’，５’
−ジターシャリブチル−４，４’−ジフェノキノンなど
公知の電子受容性物質が挙げられる。

【００４２】正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリル
エチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムア
ルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポ
リビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサ
ジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリール
アミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリール
アミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチル
ベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導
体、トリアリールメタン誘導体、９−スチリルアントラ
セン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導
体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジエン誘
導体などその他公知の材料が挙げられ用いられる。ま
た、電荷輸送層のバインダー樹脂として電荷輸送物質を
兼用することのできる高分子電荷輸送物質を用いること
ができる。前記（３）〜（１２）式の高分子電荷輸送物
質が特に良好に使用される。

【００４３】本発明における高分子電荷輸送物質として
下記（３）〜（１２）式で表わされる高分子電荷輸送物
質が挙げられる。（３）〜（１２）式で表わされる高分
子電荷輸送物質を以下に示し、具体例を示す。

【００４４】

【化１７】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００４５】

【化１８】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【００４６】

【化１９】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００４７】（３）式の具体例 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。

【００４８】アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔー
ブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。

【００４９】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ₄は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
と同様のものが挙げられる。Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無
置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００５０】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００５１】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００５２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉー
プロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓー
ブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ
基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェ
ノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。

【００５３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００５４】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００５５】

【化２０】 一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。１，３−プロパンジオール、１，４
−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，
１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパン
ジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオー
ル、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、
１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。

【００５６】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００５７】

【化２１】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と同じであ
る。

【００５８】（４）式の具体例 Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【００５９】

【化２２】 （ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【００６０】

【化２３】

【００６１】

【化２４】

【００６２】

【化２５】

【００６３】

【化２６】 で表わされる。

【００６４】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で
示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と
同じ意味を有する。

【００６５】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ
₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００６６】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔー
ブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００６７】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。

【００６８】

【化２７】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐートリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【００６９】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【００７０】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７１】

【化２８】 一般式（Ｂ）のジオール化合物としては（３）式と同じ
ものが挙げられる。

【００７２】

【化２９】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と同じであ
る。

【００７３】（５）式の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００７４】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００７５】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００７６】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００７７】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００７８】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【００７９】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００８０】

【化３０】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は（３）式と同じものが
挙げられる。

【００８１】

【化３１】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）
式の場合と同じである。

【００８２】（６）式の具体例 Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００８３】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００８４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、
４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、
６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【００８５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００８６】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００８７】

【化３２】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は（３）式と同じものが
挙げられる。

【００８８】

【化３３】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、（３）式の場合と同じである。

【００８９】（７）式の具体例 Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００９０】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに
好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル
基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎ
ーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エト
キシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４
−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メト
キシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。

【００９１】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００９２】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【００９３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００９４】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００９５】前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記
（２）のアルキル基が挙げられる。

【００９６】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００９７】

【化３４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は（３）式と同じものが
挙げられる。

【００９８】

【化３５】

【００９９】式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ
及びｎは、（３）式の場合と同じである。

【０１００】（８）式の具体例 Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１０１】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１０２】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【０１０３】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１０４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１０５】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【０１０６】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。

【０１０７】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【０１０８】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【０１０９】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【０１１０】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１１１】

【化３６】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は（３）式と同じものが
挙げられる。

【０１１２】

【化３７】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と同
じである。

【０１１３】（９）式の具体例 Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１１４】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１１５】また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９
−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈
及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀
で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。

【０１１６】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１１７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１１８】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１１９】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１２０】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１２１】

【化３８】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は（３）式と同じものが
挙げられる。

【０１２２】

【化３９】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と
同じである。

【０１２３】（１０）式の具体例 Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。

【０１２４】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１２５】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１２６】（２）アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ま
しくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉ
ープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチ
ル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒド
ロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエ
チル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロ
ロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１２７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１２８】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１２９】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１３０】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル
アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１３１】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１３２】

【化４０】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は（３）式と同じものが
挙げられる。

【０１３３】

【化４１】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、（３）式の場合と同じである。

【０１３４】（１１）式の具体例 Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１３５】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１３６】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。

【０１３７】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１３８】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１３９】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１４０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１４１】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１４２】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１４３】

【化４２】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は（３）式と同じものが
挙げられる。

【０１４４】

【化４３】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と同じで
ある。

【０１４５】（１２）式の具体例 Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１４６】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１４７】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。

【０１４８】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１４９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１５０】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１５１】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１５２】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１５３】

【化４４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は（３）式と同じものが
挙げられる。これらの電荷輸送物質は、単独又は２種以
上混合して用いられる。さらに、これら高分子電荷輸送
物質と先述の低分子電荷輸送物質を併用することも可能
である。

【０１５４】次に、単層構成の場合について述べる。こ
の場合、多くは電荷発生物質と電荷輸送物質よりなる機
能分離型のものが挙げられる。即ち、感光層（１３）
は、電荷発生物質、電荷輸送物質を必要ならばバインダ
ー樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、ジオキサン、２−ブタノン、ジクロルエタン等の適
当な溶媒を用いて、ボールミル、アトライター、サンド
ミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈して塗布す
ることにより形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレ
ーコート、ローラーコート法等を用いて行なうことがで
きる。また、必要により、可塑剤やレベリング剤等を添
加することもできる。

【０１５５】バインダー樹脂としては、電荷輸送層（２
３）のところに列挙した材料が良好に使用され、電荷発
生層（２１）に挙げた材料を併用してもよい。電荷輸送
材料は、電荷輸送層（２３）のところに列挙した材料が
良好に使用される。また、感光層のバインダー樹脂と電
荷輸送物質を兼用することのできる高分子電荷輸送物質
を用いることができる。本発明に用いることができる高
分子電荷輸送物質としては、さきに電荷輸送層（２３）
で挙げた材料が良好に使用される。

【０１５６】本発明において感光層中に可塑剤やレベリ
ング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフ
タレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑
剤として使用されているものがそのまま使用でき、その
使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３
０重量部程度が適当である。レベリング剤としては、ジ
メチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオ
イル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロア
ルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用さ
れ、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対し
て０〜１重量部程度が適当である。

【０１５７】また、本発明の電子写真感光体において
は、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、酸化
環境に基づく残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防
止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を
含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送物質
を含む層に添加すると良好な結果が得られる。本発明に
用いることができる酸化防止剤として公知の材料が使用
できるが、とりわけゴム、プラスチック油脂類等用の市
販品を使用することができる。その他、必要により感光
層を保護する目的で紫外線吸収剤を含有させてもよい。
単層感光層の膜厚は５〜１００μｍが適当である。

【０１５８】本発明の電子写真感光体には、感光層保護
の目的で、保護層（１５）が感光層（１３）の上に設け
られることもある。これに使用される材料としては、Ａ
ＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共
重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール
樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミ
ド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチ
レン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメ
チルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシ
ド、ポリスルホン、ＡＳ樹脂、ＡＢ樹脂、ＢＳ樹脂、ポ
リウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エ
ポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、
耐摩耗性を向上する目的で、ポリテトラフルオロエチレ
ンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂及びこれら樹脂に
酸化チタン、酸化スズ、チタン酸カリウム等の無機材料
を分散したもの等を添加することができる。

【０１５９】保護層の形成法としては、通常の塗布法が
採用される。なお、保護層の厚さは、０．５〜１０μｍ
程度が適当である。また、以上の他に真空薄膜作製法に
て形成したｉ−Ｃ、ａ−ＳｉＣなど公知の材料も保護層
として用いることができる。本発明においては、感光層
と保護層との間に別の中間層を設けることも可能である
（図示せず）。中間層には、一般にバインダー樹脂を主
成分として用いる。これら樹脂としては、ポリアミド、
アルコール可溶性ナイロン、水酸化ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなど
が挙げられる。中間層の形成法としては、前述のごとく
通常の塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは０．
０５〜２μｍ程度が適当である。

【０１６０】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（１１）と感光層（１３）との間に下引き
層（１７）を設けることができる。下引き層（１７）は
一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に
感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の
有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ま
しい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコー
ル、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹
脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のア
ルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ア
ルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目
構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、下
引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために、酸
化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化
スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉
末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層
の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成するこ
とができる。

【０１６１】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルー
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機
物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０１６２】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、実施例において用いる部は、特に断りのない限り重
量部を表わす。 実施例１ 直径８０ｍｍのアルミ円筒状支持体上に、下記組成の下
引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗
工液を順次塗布乾燥して、０．３μｍの下引き層、０．
２μｍの電荷発生層、２０μｍの電荷輸送層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。 ［下引き層用塗工液］ アルコール可溶性ナイロン（東レ：ＣＭ８０００） ３部 メタノール ７０部 ブタノール ３０部 ［電荷発生層用塗工液］ ポリビニルブチラール（ＵＣＣ：ＸＹＨＬ） １部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン １００部 下記構造の電荷発生物質 ３部

【０１６３】

【化４５】 ［電荷輸送層用塗工液］ ポリカーボネート（帝人：パンライトＫ１３００） １０部 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ９部

【０１６４】

【化４６】

【０１６５】実施例２ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１６６】

【化４７】

【０１６７】実施例３ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１６８】

【化４８】

【０１６９】実施例４ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１７０】

【化４９】

【０１７１】実施例５ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１７２】

【化５０】

【０１７３】実施例６ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１７４】

【化５１】

【０１７５】実施例７ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１７６】

【化５２】

【０１７７】比較例１ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１７８】

【化５３】

【０１７９】比較例２ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１８０】

【化５４】

【０１８１】比較例３ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１８２】

【化５５】

【０１８３】比較例４ 実施例１に用いた電荷発生物質を以下の構造のものに代
えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光体を作
成した。

【０１８４】

【化５６】

【０１８５】以上の実施例１〜７及び比較例１〜４の各
感光体の特性を、特開昭６０−１００１６７号公報に開
示されている装置を用いて次のように評価した。まず、
−５．８ｋＶの放電電圧にて、コロナ帯電を２０秒間行
ない、次いで２０秒間暗減衰させ、暗減衰後に２．０μ
Ｗ／ｃｍ²の光（５８０±１０ｎｍ）を照射した。この
時、暗減衰後の表面電位を半分の電位に光減衰させるの
に必要な露光量Ｅ_1/2［μＪ／ｃｍ²］を測定した。実施
例１〜７及び比較例１〜４に使用した電荷発生物質のＸ
線回折スペクトルをＸ線回折装置（理学電機：ＲＩＮＴ
１１００）にて測定した。測定結果を表１に合わせて示
す。

【０１８６】

【表１】

【０１８７】さらに、実施例１、２及び比較例１、４の
感光体を実装用にした後、複写機（リコー：スピリオ２
７５０）に搭載し、５万枚のランニングテストを行なっ
た。評価は、１０枚目の画像と５万枚目の画像を評価し
た。結果を表２に示す。

【０１８８】

【表２】

【０１８９】実施例８ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０１９０】

【化５９】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０１９１】

【化６０】

【０１９２】実施例９ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０１９３】

【化６１】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０１９４】

【化６２】

【０１９５】実施例１０ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０１９６】

【化６３】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０１９７】

【化６４】

【０１９８】実施例１１ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０１９９】

【化６５】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０２００】

【化６６】

【０２０１】実施例１２ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０２０２】

【化６７】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０２０３】

【化６８】

【０２０４】実施例１３ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０２０５】

【化６９】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０２０６】

【化７０】

【０２０７】実施例１４ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０２０８】

【化７１】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０２０９】

【化７２】

【０２１０】実施例１５ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０２１１】

【化７３】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０２１２】

【化７４】

【０２１３】実施例１６ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０２１４】

【化７５】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０２１５】

【化７６】

【０２１６】実施例１７ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに代えた以外は、実施例１と全く同様に電子写真感光
体を作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ２部

【０２１７】

【化７７】 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０２１８】

【化７８】

【０２１９】以上、作製した実施例１及び実施例８〜１
７の電子写真感光体を実装用にした後、複写機（リコ
ー：スピリオ２７５０）に搭載し、７万枚のランニング
テストを行なった。評価は、７万枚ランニングにおける
膜厚減少量を測定した。結果を表３に示す。

【０２２０】

【表３】

【０２２１】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的に説明したよう
に、本発明によって、非常に高感度な感光体が提供され
る。また、繰り返し使用による残留電位上昇の少ない感
光体が提供される。これにより、ポジ−ポジ現像では地
汚れの少ない、ネガ−ポジ現像では濃度低下の少ない電
子写真プロセスを設計することができる。さらに、繰り
返し使用において耐摩耗性の高い（膜削れの少ない）感
光体が提供される。これにより、スジ等の異常画像の少
ない電子写真プロセスを設計することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の構成を表わす断面図
である。

【図２】本発明の電子写真感光体の別の構成を表わす断
面図である。

【図３】本発明の電子写真感光体の更に別の構成を表わ
す断面図である。

【図４】本発明の電子写真感光体のまた更に別の構成を
表わす断面図である。

【図５】本発明の電子写真感光体のまた更に別の構成を
表わす断面図である。

【図６】本発明の電子写真感光体のまた更に別の構成を
表わす断面図である。

【図７】本発明の電子写真感光体のまた更に別の構成を
表わす断面図である。

【符号の説明】

１１ 導電性支持体 １３ 感光層 １５ 保護層 １７ 下引き層 ２１ 電荷発生層 ２３ 電荷輸送層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも感光層を設
   けてなる電子写真感光体において、該感光層に少なくと
   もＣｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルにおいて少
   なくともブラッグ角２６．５±０．８°に回折ピークを
   有し、該ブラッグ角２６．５±０．８°のピークの半値
   幅が２°以上の下記（１）式で表わされるアゾ顔料を電
   荷発生物質として含有することを特徴とする電子写真感
   光体。 【化１】 式中、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂はカップラー残基を表わし、同一で
   も異なっていてもよい。Ｒ₂₀₁、Ｒ₂₀₂はそれぞれ、水素
   原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シア
   ノ基のいずれかを表わし、同一でも異なっていてもよ
   い。また、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂は下記（２）式で表わされ、 【化２】 式中、Ｒ₂₀₃は、水素原子、メチル基、エチル基等のア
   ルキル基、フェニル基等のアリール基を表わす。
   Ｒ₂₀₄、Ｒ₂₀₅、Ｒ₂₀₆、Ｒ₂₀₇、Ｒ₂₀₈はそれぞれ、水素
   原子、ニトロ基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
   素等のハロゲン原子、トリフルオロメチル基、メチル
   基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基
   等のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、水酸基を表わ
   し、Ｚは置換若しくは無置換の芳香族炭素環又は置換若
   しくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子
   群を表わす。
2. 【請求項２】 前記（１）式中のＣｐ₁及びＣｐ₂が異な
   るものであることを特徴とする請求項１に記載の電子写
   真感光体。
3. 【請求項３】 感光層が電荷発生層と、電荷輸送層の積
   層構成からなることを特徴とする請求項１又は２に記載
   の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 上記電子写真感光体の電荷輸送層に少な
   くともトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に
   含むポリカーボネートを含有することを特徴とする請求
   項３に記載の電子写真感光体。