JPH09319122A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH09319122A JPH09319122A JP8151815A JP15181596A JPH09319122A JP H09319122 A JPH09319122 A JP H09319122A JP 8151815 A JP8151815 A JP 8151815A JP 15181596 A JP15181596 A JP 15181596A JP H09319122 A JPH09319122 A JP H09319122A
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- JP
- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性支持体上に電荷発生物質および高分子
電荷輸送物質を含有する感光層を設けてなる電子写真感
光体において、繰り返し使用時の耐摩耗性に優れ、且つ
高感度であり、残留電位の少ない電子写真感光体を提供
する。 【解決手段】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(1)等で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1
種、および低分子電荷輸送物質を含有する。 【化1】
電荷輸送物質を含有する感光層を設けてなる電子写真感
光体において、繰り返し使用時の耐摩耗性に優れ、且つ
高感度であり、残留電位の少ない電子写真感光体を提供
する。 【解決手段】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(1)等で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1
種、および低分子電荷輸送物質を含有する。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
関し、更に詳しくは、複写機、レーザープリンター、レ
ーザーファクシミリなどに好適に使用される電子写真感
光体に関するものである。
関し、更に詳しくは、複写機、レーザープリンター、レ
ーザーファクシミリなどに好適に使用される電子写真感
光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子写真方法としては、カールソンプロ
セスやその様々な変形プロセスなどが知られており、複
写機やプリンターなどに広く使用されている。この様な
電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感
光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性な
どをメリットとして、近年使用されてきている。有機系
の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール(PV
K)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF(2,
4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される電荷移
動錯体型、フタロシアニン−結着剤に代表される顔料分
散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用
いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能
分離型の電子写真感光体が注目されている。
セスやその様々な変形プロセスなどが知られており、複
写機やプリンターなどに広く使用されている。この様な
電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感
光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性な
どをメリットとして、近年使用されてきている。有機系
の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール(PV
K)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF(2,
4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される電荷移
動錯体型、フタロシアニン−結着剤に代表される顔料分
散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用
いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能
分離型の電子写真感光体が注目されている。
【0003】この機能分離型の電子写真感光体における
静電潜像形成のメ力ニズムは、感光体を帯電したのち光
照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過して電荷発生
層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷
発生物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送
層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがっ
て電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和する
ことにより静電潜像を形成するものである。機能分離型
の電子写真感光体においては、主に紫外部に吸収を持つ
電荷輸送物質と、主に可視部から近赤外部に吸収を持つ
電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られてお
り、かつ有用である。
静電潜像形成のメ力ニズムは、感光体を帯電したのち光
照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過して電荷発生
層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷
発生物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送
層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがっ
て電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和する
ことにより静電潜像を形成するものである。機能分離型
の電子写真感光体においては、主に紫外部に吸収を持つ
電荷輸送物質と、主に可視部から近赤外部に吸収を持つ
電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られてお
り、かつ有用である。
【0004】電荷輸送物質としては、多くの低分子化合
物が開発されているが、低分子化合物は単独では成膜性
がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用い
られる。しかるに、例えば機能分離型の積層感光体にお
いては、低分子電荷輸送物質と不活性高分子からなる電
荷輸送層は一般に脆く、カールソンプロセスにおける繰
り返し使用時に膜削れが生じやすいという欠点がある。
また、この構成の電荷輸送層は電荷移動度に限界があ
り、カールソンプロセスの高速化あるいは小型化の障害
となっていた。これは、通常、低分子電荷輸送物質の含
有率が不活性高分子成分100重量部に対して100重
量部以下で使用されることに起因しており、低分子電荷
輸送物質の含有率を増すことにより電荷移動度をある程
度上げることは可能であるが、低分子電荷輸送物質の含
有率を増すと成膜性が劣化し、電子写真感光体の繰り返
し使用による膜削れが大きくなるという欠点がある。
物が開発されているが、低分子化合物は単独では成膜性
がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用い
られる。しかるに、例えば機能分離型の積層感光体にお
いては、低分子電荷輸送物質と不活性高分子からなる電
荷輸送層は一般に脆く、カールソンプロセスにおける繰
り返し使用時に膜削れが生じやすいという欠点がある。
また、この構成の電荷輸送層は電荷移動度に限界があ
り、カールソンプロセスの高速化あるいは小型化の障害
となっていた。これは、通常、低分子電荷輸送物質の含
有率が不活性高分子成分100重量部に対して100重
量部以下で使用されることに起因しており、低分子電荷
輸送物質の含有率を増すことにより電荷移動度をある程
度上げることは可能であるが、低分子電荷輸送物質の含
有率を増すと成膜性が劣化し、電子写真感光体の繰り返
し使用による膜削れが大きくなるという欠点がある。
【0005】このような欠点を改良するために高分子型
の電荷輸送物質が注目され、例えば、特開昭50−82
056号公報、特開昭51−73888号公報、特開昭
54−8527号公報、特開昭54−11737号公
報、特開昭56−150749号公報、特開昭57−7
8402号公報、特開昭63−285552号公報、特
開平1−1728号公報、特開平3−50555号公報
などに開示されている。これらの高分子型の電荷輸送物
質を用いた場合には、成膜性が良好で機械的強度が強く
耐摩耗性に優れ、繰り返し使用による膜削れを防止する
ことができる。
の電荷輸送物質が注目され、例えば、特開昭50−82
056号公報、特開昭51−73888号公報、特開昭
54−8527号公報、特開昭54−11737号公
報、特開昭56−150749号公報、特開昭57−7
8402号公報、特開昭63−285552号公報、特
開平1−1728号公報、特開平3−50555号公報
などに開示されている。これらの高分子型の電荷輸送物
質を用いた場合には、成膜性が良好で機械的強度が強く
耐摩耗性に優れ、繰り返し使用による膜削れを防止する
ことができる。
【0006】しかしながら、電荷発生物質と高分子電荷
輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の電子写真
感光体は、低分子電荷輸送物質を用いる機能分離型の電
子写真感光体に比べて光感度が劣っており、また残留電
位が大きいという欠点がある。
輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の電子写真
感光体は、低分子電荷輸送物質を用いる機能分離型の電
子写真感光体に比べて光感度が劣っており、また残留電
位が大きいという欠点がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題は
このような問題点を解決し、導電性支持体上に電荷発生
物質および高分子電荷輸送物質を含有する感光層を設け
てなる電子写真感光体において、繰り返し使用時の耐摩
耗性に優れ、且つ高感度であり、残留電位の少ない電子
写真感光体を提供することにある。
このような問題点を解決し、導電性支持体上に電荷発生
物質および高分子電荷輸送物質を含有する感光層を設け
てなる電子写真感光体において、繰り返し使用時の耐摩
耗性に優れ、且つ高感度であり、残留電位の少ない電子
写真感光体を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、導
電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体におい
て、感光層が電荷発生物質、下記一般式(1)〜(1
0)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種お
よび低分子電荷輸送物質を含有することを特徴とする電
子写真感光体によって達成される。
電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体におい
て、感光層が電荷発生物質、下記一般式(1)〜(1
0)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種お
よび低分子電荷輸送物質を含有することを特徴とする電
子写真感光体によって達成される。
【0009】以下に、一般式(1)〜(10)で表され
る高分子電荷輸送物質について詳細に説明する。
る高分子電荷輸送物質について詳細に説明する。
【0010】
【化42】 {式中、R′1、R′2、R′3は、それぞれ独立して置
換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
し、R′4は水素原子または置換もしくは無置換のアル
キル基を表す。R1、R2は置換もしくは無置換のアリー
ル基を表す。o、p、qは、それぞれ独立して0〜4の
整数を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。
換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
し、R′4は水素原子または置換もしくは無置換のアル
キル基を表す。R1、R2は置換もしくは無置換のアリー
ル基を表す。o、p、qは、それぞれ独立して0〜4の
整数を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。
【化43】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B)
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B)
【化44】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕}
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕}
【0011】R′1、R′2、R′3のアルキル基は、好
ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好まし
くはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。
具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチ
ル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒド
ロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエ
チル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロ
ロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベ
ンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子が挙げられる。R′4の置換もしくは無
置換のアルキル基としては、上記のR′1、R′2、R′
3と同様のものが挙げられる。
ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好まし
くはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。
具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチ
ル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒド
ロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエ
チル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロ
ロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベ
ンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子が挙げられる。R′4の置換もしくは無
置換のアルキル基としては、上記のR′1、R′2、R′
3と同様のものが挙げられる。
【0012】R1、R2のアリール基としては、フェニル
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5
H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル
基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル
基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基など
の複素環基などが挙げられる。
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5
H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル
基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル
基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基など
の複素環基などが挙げられる。
【0013】上述のアリール基は以下に示す基を置換基
として有していてもよい。
として有していてもよい。
【0014】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。
基、シアノ基、ニトロ基。
【0015】(2)アルキル基:上記のR′1、R′2、
R′3のアルキル基として示したものと同様のものが挙
げられる。
R′3のアルキル基として示したものと同様のものが挙
げられる。
【0016】(3)アルコキシ基(−OR41):R41は
上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロ
ポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブト
キシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、
2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げ
られる。
上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロ
ポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブト
キシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、
2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げ
られる。
【0017】(4)アリールオキシ基:アリール基とし
てフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C
1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハ
ロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的に
は、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチ
ルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフ
ェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2
−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
てフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C
1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハ
ロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的に
は、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチ
ルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフ
ェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2
−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
【0018】(5)置換メルカプト基またはアリールメ
ルカプト基:具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げ
られる。
ルカプト基:具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げ
られる。
【0019】(6)アルキル置換アミノ基:アルキル基
は上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N
−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基など
が挙げられる。
は上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N
−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基など
が挙げられる。
【0020】(7)アシル基:具体的にはアセチル基、
プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル
基などが挙げられる。
プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル
基などが挙げられる。
【0021】Xは下記一般式(1′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(1′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(1′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0022】
【化45】
【0023】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては以下のものが挙げられる。l,3−プロパンジオ
ール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオ
ール、1,6−へキサンジオール、1,8−オクタンジ
オール、1,10−デカンジオール、2−メチル−1,
3−プロパンジオール、2,2−ジメチル−1,3−プ
ロパンジオール、2−エチル−1,3−プロパンジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテル
グリコール等の脂肪族ジオール、1,4−シクロヘキサ
ンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、シクロ
ヘキサン−1,4‐ジメタノール等の環状脂肪族ジオー
ルなどが挙げられる。
しては以下のものが挙げられる。l,3−プロパンジオ
ール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオ
ール、1,6−へキサンジオール、1,8−オクタンジ
オール、1,10−デカンジオール、2−メチル−1,
3−プロパンジオール、2,2−ジメチル−1,3−プ
ロパンジオール、2−エチル−1,3−プロパンジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテル
グリコール等の脂肪族ジオール、1,4−シクロヘキサ
ンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、シクロ
ヘキサン−1,4‐ジメタノール等の環状脂肪族ジオー
ルなどが挙げられる。
【0024】また、芳香環を有するジオールとしては、
4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、2,2−
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,
5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4′
‐ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,
4′−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサンテン、
エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾエー
ト)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベ
ンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス(4−ヒ
ドロキシベンゾエート)、1,3−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フェノール
変性シリコーンオイルなどが挙げられる。
4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、2,2−
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,
5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4′
‐ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,
4′−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサンテン、
エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾエー
ト)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベ
ンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス(4−ヒ
ドロキシベンゾエート)、1,3−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フェノール
変性シリコーンオイルなどが挙げられる。
【0025】次に、一般式(2)で表される高分子電荷
輸送物質を示す。
輸送物質を示す。
【化46】 〔式中、R3、R4は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar1、Ar2、Ar3は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1)に記載さ
れたものと同様の基を表す。〕
表し、Ar1、Ar2、Ar3は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1)に記載さ
れたものと同様の基を表す。〕
【0026】R3、R4のアリール基としては、フェニル
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5
H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、
フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複
素環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、または下
記一般式(イ)で示される非縮合多環基などが挙げられ
る。
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5
H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、
フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複
素環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、または下
記一般式(イ)で示される非縮合多環基などが挙げられ
る。
【0027】
【化47】 〔式中、Wは、−O−、−S−、−SO−、−SO
2−、−CO−および下記一般式(ロ)、(ハ)、
(ニ)、(ホ)で示す2価基を表す。
2−、−CO−および下記一般式(ロ)、(ハ)、
(ニ)、(ホ)で示す2価基を表す。
【化48】 (式中、cは1〜12の整数を表し、d、e、fは1〜
3の整数表す。)〕
3の整数表す。)〕
【0028】また、Ar1、Ar2、Ar3のアリレン基
としては、R3、R4で示したアリール基の2価の基が挙
げられる。R3、R4のアリール基、Ar1、Ar2、Ar
3のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。また、これらの置換基は上記一般式(イ)、
(ニ)、(ホ)におけるR31、R32、R33の具体例でも
ある。
としては、R3、R4で示したアリール基の2価の基が挙
げられる。R3、R4のアリール基、Ar1、Ar2、Ar
3のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。また、これらの置換基は上記一般式(イ)、
(ニ)、(ホ)におけるR31、R32、R33の具体例でも
ある。
【0029】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。
基、シアノ基、ニトロ基。
【0030】(2)アルキル基:好ましくは、C1〜C
12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖
または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基
はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のア
ルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4
のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換さ
れたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−
ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル
基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、
2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メト
キシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4
−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。
12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖
または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基
はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のア
ルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4
のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換さ
れたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−
ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル
基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、
2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メト
キシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4
−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。
【0031】(3)アルコキシ基(−OR41):R41は
上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロ
ポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブト
キシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、
2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げ
られる。
上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロ
ポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブト
キシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、
2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げ
られる。
【0032】(4)アリールオキシ基:アリール基とし
てフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C
1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハ
ロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的に
は、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチ
ルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフ
ェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2
−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
てフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C
1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハ
ロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的に
は、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチ
ルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフ
ェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2
−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
【0033】(5)置換メルカプト基またはアリールメ
ルカプト基:具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げ
られる。
ルカプト基:具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げ
られる。
【0034】(6)一般式−N(R42)(R43)で表さ
れる置換アミノ基。式中、R42及びR43は各々独立に上
記(2)で示したアルキル基、または上記R3、R4で示
したアリール基を表し、好ましいアリール基としては、
例えばフェニル基、ビフェニル基またはナフチル基が挙
げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4の
アルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有して
も良い。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成
しても良い。具体的には、ジエチルアミノ基、N−メチ
ル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ
基、N、N−ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基な
どが挙げられる。
れる置換アミノ基。式中、R42及びR43は各々独立に上
記(2)で示したアルキル基、または上記R3、R4で示
したアリール基を表し、好ましいアリール基としては、
例えばフェニル基、ビフェニル基またはナフチル基が挙
げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4の
アルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有して
も良い。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成
しても良い。具体的には、ジエチルアミノ基、N−メチ
ル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ
基、N、N−ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基な
どが挙げられる。
【0035】(7)メチレンジオキシ基、またはメチレ
ンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレン
ジチオ基など。
ンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレン
ジチオ基など。
【0036】Xは下記一般式(2′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(2′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(2′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0037】
【化49】
【0038】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
【0039】次に、一般式(3)で表される高分子電荷
輸送物質を示す。
輸送物質を示す。
【化50】 〔式中、R5、R6は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar4、Ar5、Ar6は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1)に記載さ
れたものと同様の基を表す。〕
表し、Ar4、Ar5、Ar6は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1)に記載さ
れたものと同様の基を表す。〕
【0040】R5、R6のアリール基としては、フェニル
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5
H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル
基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル
基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基など
の複素環基などが挙げられる。また、Ar4、Ar5、A
r6のアリレン基としては、R5、R6で示したアリール
基の2価の基が挙げられる。R5、R6のアリール基、A
r4、Ar5、Ar6のアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。
基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5
H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル
基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル
基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル
基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基など
の複素環基などが挙げられる。また、Ar4、Ar5、A
r6のアリレン基としては、R5、R6で示したアリール
基の2価の基が挙げられる。R5、R6のアリール基、A
r4、Ar5、Ar6のアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。
【0041】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。
基、シアノ基、ニトロ基。
【0042】(2)アルキル基:好ましくは、C1〜C
12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖
または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基
はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のア
ルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4
のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換さ
れたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−
ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル
基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、
2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メト
キシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4
−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。
12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖
または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基
はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のア
ルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4
のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換さ
れたフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−
ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル
基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、
2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メト
キシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4
−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。
【0043】(3)アルコキシ基(−OR41):R41は
上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロ
ポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブト
キシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、
2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げ
られる。
上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロ
ポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブト
キシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、
2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げ
られる。
【0044】(4)アリールオキシ基:アリール基とし
てフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C
1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハ
ロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的に
は、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチ
ルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフ
ェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2
−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
てフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C
1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハ
ロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的に
は、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチ
ルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフ
ェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2
−ナフチルオキシ基などが挙げられる。
【0045】(5)置換メルカプト基またはアリールメ
ルカプト基:具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げ
られる。
ルカプト基:具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、
フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げ
られる。
【0046】(6)アルキル置換アミノ基:アルキル基
は上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N
−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基など
が挙げられる。
は上記(2)で示したアルキル基を表わす。具体的には
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N
−プロピルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基など
が挙げられる。
【0047】(7)アシル基:具体的にはアセチル基、
プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル
基などが挙げられる。
プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル
基などが挙げられる。
【0048】Xは下記一般式(3′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(3′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(3′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0049】
【化51】
【0050】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
【0051】次に、一般式(4)で表される高分子電荷
輸送物質を示す。
輸送物質を示す。
【化52】 〔式中、R7、R8は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar7、Ar8、Ar9は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。rは1〜5の整数を表す。Xは
前記一般式(1)に記載されたものと同様の基を表
す。〕
表し、Ar7、Ar8、Ar9は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。rは1〜5の整数を表す。Xは
前記一般式(1)に記載されたものと同様の基を表
す。〕
【0052】R7、R8のアリール基の具体例としては、
一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール基の具
体例として例示したものを挙げることができ、Ar7、
Ar8、Ar9のアリレン基の具体例としては、それらア
リール基の2価の基を挙げることができる。また、これ
らアリール基またはアリレン基における置換基の具体例
としては、一般式(3)の説明においてアリール基また
はアリレン基における置換基として例示したものを挙げ
ることができる。
一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール基の具
体例として例示したものを挙げることができ、Ar7、
Ar8、Ar9のアリレン基の具体例としては、それらア
リール基の2価の基を挙げることができる。また、これ
らアリール基またはアリレン基における置換基の具体例
としては、一般式(3)の説明においてアリール基また
はアリレン基における置換基として例示したものを挙げ
ることができる。
【0053】Xは下記一般式(4′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(4′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(4′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0054】
【化53】 一般式(C)のジオール化合物の具体例としては、前記
一般式(1)の説明において例示したものを挙げること
ができる。
一般式(1)の説明において例示したものを挙げること
ができる。
【0055】次に、一般式(5)で表される高分子電荷
輸送物質を示す。
輸送物質を示す。
【化54】 〔式中、R9、R10は置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ar10、Ar11、Ar12は同一または異なるア
リレン基を表す。X1、X2は置換もしくは無置換のエチ
レン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは前記一般式(1)に記載されたものと同
様の基を表す。〕
を表し、Ar10、Ar11、Ar12は同一または異なるア
リレン基を表す。X1、X2は置換もしくは無置換のエチ
レン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは前記一般式(1)に記載されたものと同
様の基を表す。〕
【0056】R9、R10のアリール基の具体例として
は、一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール基
の具体例として例示したものを挙げることができ、Ar
10、Ar11、Ar12のアリレン基の具体例としては、そ
れらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3)の説明においてアリー
ル基またはアリレン基における置換基として例示したも
のを挙げることができる。
は、一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール基
の具体例として例示したものを挙げることができ、Ar
10、Ar11、Ar12のアリレン基の具体例としては、そ
れらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3)の説明においてアリー
ル基またはアリレン基における置換基として例示したも
のを挙げることができる。
【0057】X1、X2のエチレン基またはビニレン基に
おける置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール
基の具体例として例示したアリール基、あるいは一般式
(3)の説明においてアリール基またはアリレン基にお
ける置換基として例示したアルキル基などが挙げられ
る。
おける置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール
基の具体例として例示したアリール基、あるいは一般式
(3)の説明においてアリール基またはアリレン基にお
ける置換基として例示したアルキル基などが挙げられ
る。
【0058】Xは下記一般式(5′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(5′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(5′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0059】
【化55】
【0060】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
【0061】次に、一般式(6)で表される高分子電荷
輸送物質を示す。
輸送物質を示す。
【化56】 〔式中、R11、R12、R13、R14は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16
は同一または異なるアリレン基を表す。Y1、Y2、Y3
は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換も
しくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置
換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子または
ビニレン基を表し、同一であっても異なっていてもよ
い。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦
0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜500
0の整数である。Xは前記一般式(1)に記載されたも
のと同様の基を表す。〕
のアリール基を表し、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16
は同一または異なるアリレン基を表す。Y1、Y2、Y3
は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換も
しくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置
換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子または
ビニレン基を表し、同一であっても異なっていてもよ
い。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦
0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜500
0の整数である。Xは前記一般式(1)に記載されたも
のと同様の基を表す。〕
【0062】R11、R12、R13、R14のアリール基の具
体例としては、一般式(3)の説明においてR5、R6の
アリール基の具体例として例示したものを挙げることが
でき、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16のアリレン基の
具体例としては、それらアリール基の2価の基を挙げる
ことができる。また、これらアリール基またはアリレン
基における置換基の具体例としては、一般式(3)の説
明においてアリール基またはアリレン基における置換基
として例示したものを挙げることができる。
体例としては、一般式(3)の説明においてR5、R6の
アリール基の具体例として例示したものを挙げることが
でき、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16のアリレン基の
具体例としては、それらアリール基の2価の基を挙げる
ことができる。また、これらアリール基またはアリレン
基における置換基の具体例としては、一般式(3)の説
明においてアリール基またはアリレン基における置換基
として例示したものを挙げることができる。
【0063】Y1、Y2、Y3のアルキレン基としては、
一般式(3)の説明においてアリール基またはアリレン
基における置換基として例示したアルキル基より誘導さ
れる2価の基が挙げられる。具体的には、メチレン基、
エチレン基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン
基、2−メチル−1,3−プロピレン基、ジフルオロメ
チレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、
メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、4−メチル
フェニルメチレン基、2,2−プロピレン基、2,2−
ブチレン基、ジフェニルメチレン基などを挙げることが
できる。シクロアルキレン基としては、1,1−シクロ
ペンチレン基、1,1−シクロヘキシレン基、1,1−
シクロオクチレン基などを挙げることができる。また、
アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル
基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル
基、ビス(トリエチレン)エーテル基、ポリテトラメチ
レンエーテル基などが挙げられる。
一般式(3)の説明においてアリール基またはアリレン
基における置換基として例示したアルキル基より誘導さ
れる2価の基が挙げられる。具体的には、メチレン基、
エチレン基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン
基、2−メチル−1,3−プロピレン基、ジフルオロメ
チレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、
メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、4−メチル
フェニルメチレン基、2,2−プロピレン基、2,2−
ブチレン基、ジフェニルメチレン基などを挙げることが
できる。シクロアルキレン基としては、1,1−シクロ
ペンチレン基、1,1−シクロヘキシレン基、1,1−
シクロオクチレン基などを挙げることができる。また、
アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル
基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル
基、ビス(トリエチレン)エーテル基、ポリテトラメチ
レンエーテル基などが挙げられる。
【0064】Xは下記一般式(6′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(6′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(6′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0065】
【化57】
【0066】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
【0067】次に、一般式(7)で表される高分子電荷
輸送物質を示す。
輸送物質を示す。
【化58】 〔式中、R15、R16は水素原子、置換もしくは無置換の
アリール基を表し、R15とR16は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1)に記載さ
れたものと同様の基を表す。〕
アリール基を表し、R15とR16は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1)に記載さ
れたものと同様の基を表す。〕
【0068】R15、R16のアリール基の具体例として
は、一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール基
の具体例として例示したものを挙げることができ、また
R15とR16が環を形成する場合としては、9−フルオリ
ニデン、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデ
ンなどを挙げることができる。Ar17、Ar18、Ar19
のアリレン基の具体例としては、それらアリール基の2
価の基を挙げることができる。また、これらアリール基
またはアリレン基における置換基の具体例としては、一
般式(3)の説明においてアリール基またはアリレン基
における置換基として例示したものを挙げることができ
る。
は、一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール基
の具体例として例示したものを挙げることができ、また
R15とR16が環を形成する場合としては、9−フルオリ
ニデン、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデ
ンなどを挙げることができる。Ar17、Ar18、Ar19
のアリレン基の具体例としては、それらアリール基の2
価の基を挙げることができる。また、これらアリール基
またはアリレン基における置換基の具体例としては、一
般式(3)の説明においてアリール基またはアリレン基
における置換基として例示したものを挙げることができ
る。
【0069】Xは下記一般式(7′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(7′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(7′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0070】
【化59】
【0071】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
【0072】次に、一般式(8)で表される高分子電荷
輸送物質を示す。
輸送物質を示す。
【化60】 〔式中、R17は置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ar20、Ar21、Ar 22、Ar23は同一または異な
るアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k
≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式(1)
に記載されたものと同様の基を表す。〕
し、Ar20、Ar21、Ar 22、Ar23は同一または異な
るアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k
≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式(1)
に記載されたものと同様の基を表す。〕
【0073】R17のアリール基の具体例としては、一般
式(3)の説明においてR5、R6のアリール基の具体例
として例示したものを挙げることができ、Ar20、Ar
21、Ar22、Ar23のアリレン基の具体例としては、そ
れらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3)の説明においてアリー
ル基またはアリレン基における置換基として例示したも
のを挙げることができる。
式(3)の説明においてR5、R6のアリール基の具体例
として例示したものを挙げることができ、Ar20、Ar
21、Ar22、Ar23のアリレン基の具体例としては、そ
れらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3)の説明においてアリー
ル基またはアリレン基における置換基として例示したも
のを挙げることができる。
【0074】Xは下記一般式(8′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(8′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(8′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0075】
【化61】
【0076】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
【0077】次に、一般式(9)で表される高分子電荷
輸送物質を示す。
輸送物質を示す。
【化62】 〔式中、R18、R19、R20、R21は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar24、Ar25、Ar26、A
r27、Ar28は同一または異なるアリレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは前記一般式(1)に記載されたものと同
様の基を表す。〕
のアリール基を表し、Ar24、Ar25、Ar26、A
r27、Ar28は同一または異なるアリレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは前記一般式(1)に記載されたものと同
様の基を表す。〕
【0078】R18、R19、R20、R21のアリール基の具
体例としては、一般式(3)の説明においてR5、R6の
アリール基の具体例として例示したものを挙げることが
でき、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28のアリ
レン基の具体例としては、それらアリール基の2価の基
を挙げることができる。また、これらアリール基または
アリレン基における置換基の具体例としては、一般式
(3)の説明においてアリール基またはアリレン基にお
ける置換基として例示したものを挙げることができる。
体例としては、一般式(3)の説明においてR5、R6の
アリール基の具体例として例示したものを挙げることが
でき、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28のアリ
レン基の具体例としては、それらアリール基の2価の基
を挙げることができる。また、これらアリール基または
アリレン基における置換基の具体例としては、一般式
(3)の説明においてアリール基またはアリレン基にお
ける置換基として例示したものを挙げることができる。
【0079】Xは下記一般式(9′)のトリアリールア
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(9′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
ミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル
交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)のジ
オール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(9′)のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビス
クロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位
中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネー
トは交互共重合体となる。
【0080】
【化63】
【0081】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
【0082】次に、一般式(10)で表される高分子電
荷輸送物質を示す。
荷輸送物質を示す。
【化64】 〔式中、R22、R23は置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ar29、Ar30、Ar31は同一または異なるア
リレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦
1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式(1)
に記載されたものと同様の基を表す。〕
を表し、Ar29、Ar30、Ar31は同一または異なるア
リレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦
1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式(1)
に記載されたものと同様の基を表す。〕
【0083】R22、R23のアリール基の具体例として
は、一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール基
の具体例として例示したものを挙げることができ、Ar
29、Ar30、Ar31のアリレン基の具体例としては、そ
れらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3)の説明においてアリー
ル基またはアリレン基における置換基として例示したも
のを挙げることができる。
は、一般式(3)の説明においてR5、R6のアリール基
の具体例として例示したものを挙げることができ、Ar
29、Ar30、Ar31のアリレン基の具体例としては、そ
れらアリール基の2価の基を挙げることができる。ま
た、これらアリール基またはアリレン基における置換基
の具体例としては、一般式(3)の説明においてアリー
ル基またはアリレン基における置換基として例示したも
のを挙げることができる。
【0084】Xは下記一般式(10′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(10′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(10′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0085】
【化65】
【0086】一般式(C)のジオール化合物の具体例と
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
しては、前記一般式(1)の説明において例示したもの
を挙げることができる。
【0087】次に、本発明において用いられる低分子電
荷輸送物質について説明する。低分子電荷輸送物質とし
ては、従来公知の低分子電荷輸送物質を用いることがで
きるが、特に下記一般式(11)〜(21)で表される
化合物が好ましい。
荷輸送物質について説明する。低分子電荷輸送物質とし
ては、従来公知の低分子電荷輸送物質を用いることがで
きるが、特に下記一般式(11)〜(21)で表される
化合物が好ましい。
【0088】
【化66】 (式中、R201、R202、R203およびR204は水素原子、
置換もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基を表す。Ar101は置換もしくは無置
換のアリール基を表し、またAr101とR201は共同で環
を形成してもよい。Ar102は置換もしくは無置換のア
リレン基を表す。n1は0または1の整数を表す。)
置換もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基を表す。Ar101は置換もしくは無置
換のアリール基を表し、またAr101とR201は共同で環
を形成してもよい。Ar102は置換もしくは無置換のア
リレン基を表す。n1は0または1の整数を表す。)
【0089】
【化67】 (式中、R205は低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表し、n2は0〜4の整数を表す。
R206およびR207は水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基またはハロゲン原子を表し、R206とR207は
同一でも異なっていてもよい。)
たはハロゲン原子を表し、n2は0〜4の整数を表す。
R206およびR207は水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基またはハロゲン原子を表し、R206とR207は
同一でも異なっていてもよい。)
【0090】上記一般式(11)および(12)で表さ
れる低分子電荷輸送物質の具体例を表1〜表10および
表11〜表12に示す。
れる低分子電荷輸送物質の具体例を表1〜表10および
表11〜表12に示す。
【0091】
【表1】
【0092】
【表2】
【0093】
【表3】
【0094】
【表4】
【0095】
【表5】
【0096】
【表6】
【0097】
【表7】
【0098】
【表8】
【0099】
【表9】
【0100】
【表10】
【0101】
【表11】
【0102】
【表12】
【0103】
【化68】 (式中、R208は炭素数1〜11のアルキル基、置換も
しくは無置換のフェニル基あるいは複素環残基を表し、
R209およびR210は水素原子、低級アルキル基、炭素数
1〜4のヒドロキシアルキル基、炭素数1〜4のクロル
アルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を
表し、R209とR210は同一でも異なっていてもよい。ま
たR209とR210は共同で窒素を含む複素環を形成しても
よい。R211およびR212は水素原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、R211と
R212は同一でも異なっていてもよい。)
しくは無置換のフェニル基あるいは複素環残基を表し、
R209およびR210は水素原子、低級アルキル基、炭素数
1〜4のヒドロキシアルキル基、炭素数1〜4のクロル
アルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を
表し、R209とR210は同一でも異なっていてもよい。ま
たR209とR210は共同で窒素を含む複素環を形成しても
よい。R211およびR212は水素原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、R211と
R212は同一でも異なっていてもよい。)
【0104】
【化69】 〔式中、R213は水素原子またはハロゲン原子を表し、
R214は置換もしくは無置換の芳香族残基あるいは複素
環残基(但し置換基はハロゲン原子、シアノ基、ジ低級
アルキルアミノ基、置換もしくは無置換のジアラルキル
アミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはニ
トロ基から選ばれる)を表す。〕
R214は置換もしくは無置換の芳香族残基あるいは複素
環残基(但し置換基はハロゲン原子、シアノ基、ジ低級
アルキルアミノ基、置換もしくは無置換のジアラルキル
アミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはニ
トロ基から選ばれる)を表す。〕
【0105】上記一般式(13)および(14)で表さ
れる低分子電荷輸送物質の具体例を表13〜表15およ
び表16〜表17に示す。
れる低分子電荷輸送物質の具体例を表13〜表15およ
び表16〜表17に示す。
【0106】
【表13】
【0107】
【表14】
【0108】
【表15】
【0109】
【表16】
【0110】
【表17】
【0111】
【化70】 (式中、R215、R216およびR217は置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ある
いは複素環基を表し、R215、R216およびR217のうち
の少なくとも二つはアリール基または複素環基を表
す。)
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ある
いは複素環基を表し、R215、R216およびR217のうち
の少なくとも二つはアリール基または複素環基を表
す。)
【0112】 上記一般式(15)で表される低分子電
荷輸送物質としては、さらに具体的には、下記一般式
(15−1)〜(15−7)で表される低分子電荷輸送
物質が好ましい。
荷輸送物質としては、さらに具体的には、下記一般式
(15−1)〜(15−7)で表される低分子電荷輸送
物質が好ましい。
【0113】
【化71】
【0114】
【化72】
【0115】
【化73】
【0116】
【化74】
【0117】
【化75】
【0118】
【化76】
【0119】
【化77】
【0120】上記一般式(15−1)〜(15−7)で
表される低分子電荷輸送物質の具体例を表18〜表49
に示す。
表される低分子電荷輸送物質の具体例を表18〜表49
に示す。
【0121】
【表18】
【0122】
【表19】
【0123】
【表20】
【0124】
【表21】
【0125】
【表22】
【0126】
【表23】
【0127】
【表24】
【0128】
【表25】
【0129】
【表26】
【0130】
【表27】
【0131】
【表28】
【0132】
【表29】
【0133】
【表30】
【0134】
【表31】
【0135】
【表32】
【0136】
【表33】
【0137】
【表34】
【0138】
【表35】
【0139】
【表36】
【0140】
【表37】
【0141】
【表38】
【0142】
【表39】
【0143】
【表40】
【0144】
【表41】
【0145】
【表42】
【0146】
【表43】
【0147】
【表44】
【0148】
【表45】
【0149】
【表46】
【0150】
【表47】
【0151】
【表48】
【0152】
【表49】
【0153】
【化78】 (式中、Ar103およびAr104は置換もしくは無置換の
アリール基あるいは複素芳香環基を表す。)
アリール基あるいは複素芳香環基を表す。)
【0154】上記一般式(16)で表される低分子電荷
輸送物質としては、さらに具体的には、下記一般式(1
6−1)〜(16−3)で表される低分子電荷輸送物質
が好ましい。
輸送物質としては、さらに具体的には、下記一般式(1
6−1)〜(16−3)で表される低分子電荷輸送物質
が好ましい。
【0155】
【化79】
【0156】
【化80】
【0157】
【化81】
【0158】上記一般式(16−1)〜(16−3)で
表される低分子電荷輸送物質の具体例を表50〜表61
に示す。
表される低分子電荷輸送物質の具体例を表50〜表61
に示す。
【0159】
【表50】
【0160】
【表51】
【0161】
【表52】
【0162】
【表53】
【0163】
【表54】
【0164】
【表54】
【0165】
【表55】
【0166】
【表56】
【0167】
【表57】
【0168】
【表58】
【0169】
【表59】
【0170】
【表60】
【0171】
【表61】
【0172】
【化82】 (式中、Ar105は置換もしくは無置換のアリール基あ
るいは複素芳香環基を表す。R218およびR219は置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基あるいは複素環基を表し、R218およびR219のう
ちの少なくとも一つはアリール基または複素環基を表
す。)
るいは複素芳香環基を表す。R218およびR219は置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基あるいは複素環基を表し、R218およびR219のう
ちの少なくとも一つはアリール基または複素環基を表
す。)
【0173】上記一般式(17)で表される低分子電荷
輸送物質としては、さらに具体的には、下記一般式(1
7−1)〜(17−3)で表される低分子電荷輸送物質
が好ましい。
輸送物質としては、さらに具体的には、下記一般式(1
7−1)〜(17−3)で表される低分子電荷輸送物質
が好ましい。
【0174】
【化83】
【0175】
【化84】
【0176】
【化85】
【0177】上記一般式(17−1)〜(17−3)で
表される低分子電荷輸送物質の具体例を表62〜表69
に示す。
表される低分子電荷輸送物質の具体例を表62〜表69
に示す。
【0178】
【表62】
【0179】
【表63】
【0180】
【表64】
【0181】
【表65】
【0182】
【表66】
【0183】
【表67】
【0184】
【表68】
【0185】
【表69】
【0186】
【化86】 (式中、R220、R222は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基またはジ低級アルキルアミノ基を表し、
R221は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子またはニトロ基を表す。n3は0また
は1の整数を表す。)
級アルコキシ基またはジ低級アルキルアミノ基を表し、
R221は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子またはニトロ基を表す。n3は0また
は1の整数を表す。)
【0187】
【化87】 〔式中、R223はカルバゾリル基、ピリジル基、チエニ
ル基、インドリル基またはフリル基、あるいはそれぞれ
置換もしくは無置換のフェニル基、スチリル基、ナフチ
ル基またはアントリル基(但し置換基はジ低級アルキル
アミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、アラルキルアミノ基またはアミノ基から選ばれ
る)を表す。〕
ル基、インドリル基またはフリル基、あるいはそれぞれ
置換もしくは無置換のフェニル基、スチリル基、ナフチ
ル基またはアントリル基(但し置換基はジ低級アルキル
アミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、アラルキルアミノ基またはアミノ基から選ばれ
る)を表す。〕
【0188】上記一般式(18)および(19)で表さ
れる低分子電荷輸送物質の具体例を表70〜表74に示
す。
れる低分子電荷輸送物質の具体例を表70〜表74に示
す。
【0189】
【表70】
【0190】
【表71】
【0191】
【表72】
【0192】
【表73】
【0193】
【表74】
【0194】
【化88】 (式中、Ar106は置換もしくは無置換のビフェニレン
を表し、R224、R225およびR226は水素原子、ハロゲ
ン原子またはシアノ基、あるいはそれぞれ置換もしくは
無置換のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルメルカプト基、メチレンジオキシ基、メチ
レンジチオ基またはアリール基を表す。R224、R225お
よびR226は同一でも異なっていてもよい。u、v、w
は1〜5の整数を表し、それぞれが2〜5の整数のとき
はR224、R225およびR226は同一でも異なっていても
よい。)
を表し、R224、R225およびR226は水素原子、ハロゲ
ン原子またはシアノ基、あるいはそれぞれ置換もしくは
無置換のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルメルカプト基、メチレンジオキシ基、メチ
レンジチオ基またはアリール基を表す。R224、R225お
よびR226は同一でも異なっていてもよい。u、v、w
は1〜5の整数を表し、それぞれが2〜5の整数のとき
はR224、R225およびR226は同一でも異なっていても
よい。)
【0195】
【化89】 (式中、R227およびR228は置換もしくは無置換のアル
キル基、置換もしくは無置換のアリール基を表し、R
227およびR228のうちの少なくとも一つは置換もしくは
無置換のアリール基を表す。)
キル基、置換もしくは無置換のアリール基を表し、R
227およびR228のうちの少なくとも一つは置換もしくは
無置換のアリール基を表す。)
【0196】上記一般式(20)および(21)で表さ
れる低分子電荷輸送物質の具体例を表75〜表79に示
す。
れる低分子電荷輸送物質の具体例を表75〜表79に示
す。
【0197】
【表75】
【0198】
【表76】
【0199】
【表77】
【0200】
【表78】
【0201】
【表79】
【0202】次に、本発明の電子写真感光体の構成を図
面によって説明する。図1は、本発明の電子写真感光体
の一例を模式的に示す断面図であり、導電性支持体1の
上に、電荷発生物質、前記一般式(1)〜(10)で表
される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および低分
子電荷輸送物質を含有する感光層2が設けられている。
図2および図3は、他の構成の電子写真感光体を模式的
に示す断面図であり、導電性支持体1の上に、電荷発生
物質を含有する電荷発生層3と前記一般式(1)〜(1
0)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種お
よび低分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層4とが積
層された感光層2が設けられている。図4は、別の構成
の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性
支持体1と感光層2の間に下引き層5が設けられてい
る。図5は、更に別の構成の電子写真感光体を模式的に
示す断面図であり、感光層2の上に保護層6が設けられ
ている。
面によって説明する。図1は、本発明の電子写真感光体
の一例を模式的に示す断面図であり、導電性支持体1の
上に、電荷発生物質、前記一般式(1)〜(10)で表
される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および低分
子電荷輸送物質を含有する感光層2が設けられている。
図2および図3は、他の構成の電子写真感光体を模式的
に示す断面図であり、導電性支持体1の上に、電荷発生
物質を含有する電荷発生層3と前記一般式(1)〜(1
0)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種お
よび低分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層4とが積
層された感光層2が設けられている。図4は、別の構成
の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性
支持体1と感光層2の間に下引き層5が設けられてい
る。図5は、更に別の構成の電子写真感光体を模式的に
示す断面図であり、感光層2の上に保護層6が設けられ
ている。
【0203】導電性支持体1としては、体積抵抗1×1
010Ωcm以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、銅、銀、金、白金などの金属、
酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着ま
たはスパッタリングによりフィルム状もしくは円筒状の
プラスチックまたは紙などに被覆したもの、あるいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板およびそれらをD.I.、I.I.、押し出
し、引き抜き等の工法で素管化したのち切削、超仕上
げ、研磨等で表面処理した管などを使用することができ
る。
010Ωcm以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、銅、銀、金、白金などの金属、
酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着ま
たはスパッタリングによりフィルム状もしくは円筒状の
プラスチックまたは紙などに被覆したもの、あるいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板およびそれらをD.I.、I.I.、押し出
し、引き抜き等の工法で素管化したのち切削、超仕上
げ、研磨等で表面処理した管などを使用することができ
る。
【0204】本発明の電子写真感光体における感光層
は、電荷発生物質、前記一般式(1)〜(10)で表さ
れる高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および低分子
電荷輸送物質を含有する単層構成の感光層、或いは電荷
発生物質を含有する電荷発生層と前記一般式(1)〜
(10)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1
種および低分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とが
積層された積層構成の感光層のいずれでもよい。
は、電荷発生物質、前記一般式(1)〜(10)で表さ
れる高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および低分子
電荷輸送物質を含有する単層構成の感光層、或いは電荷
発生物質を含有する電荷発生層と前記一般式(1)〜
(10)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1
種および低分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とが
積層された積層構成の感光層のいずれでもよい。
【0205】以下に、まず積層構成の感光層について説
明する。電荷発生層は、電荷発生物質を主成分とする層
であり、電荷発生物質としては、無機系の電荷発生物質
あるいは有機系の電荷発生物質のいずれも用いることが
できる。無機系の電荷発生物質としては、結晶セレン、
アモルファスセレン、セレン−テルル、セレン−テルル
−ハロゲン、セレン−ヒ素等のセレン化合物やアモルフ
ァスシリコンなどが挙げられる。アモルファスシリコン
においては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン
原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子
等をドープしたものが良好に用いられる。
明する。電荷発生層は、電荷発生物質を主成分とする層
であり、電荷発生物質としては、無機系の電荷発生物質
あるいは有機系の電荷発生物質のいずれも用いることが
できる。無機系の電荷発生物質としては、結晶セレン、
アモルファスセレン、セレン−テルル、セレン−テルル
−ハロゲン、セレン−ヒ素等のセレン化合物やアモルフ
ァスシリコンなどが挙げられる。アモルファスシリコン
においては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン
原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子
等をドープしたものが良好に用いられる。
【0206】一方、有機系の電荷発生物質としては、公
知の電荷発生物質を用いることができ、例えば、金属フ
タロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシア
ニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メ
チン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフ
ェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン
骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有す
るアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキ
サジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨
格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有す
るアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系または
多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメ
タン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及び
ナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、
インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料な
どが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独または
2種以上の混合物として用いることができる。
知の電荷発生物質を用いることができ、例えば、金属フ
タロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシア
ニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メ
チン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフ
ェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン
骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有す
るアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキ
サジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨
格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有す
るアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系または
多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメ
タン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及び
ナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、
インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料な
どが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独または
2種以上の混合物として用いることができる。
【0207】電荷発生層には、必要に応じてバインダー
樹脂を用いることができ、バインダー樹脂としては、例
えばポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケ
トン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹
脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリアクリルアミドなどが挙げられる。これ
らは単独または2種以上の混合物として用いることがで
きる。
樹脂を用いることができ、バインダー樹脂としては、例
えばポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケ
トン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹
脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリアクリルアミドなどが挙げられる。これ
らは単独または2種以上の混合物として用いることがで
きる。
【0208】電荷発生層を形成する方法としては、大別
すると、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティ
ング法とが挙げられる。真空薄膜作製法としては、真空
蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、CVD法
などが挙げられ、上述した無機系あるいは有機系の電荷
発生物質を用いて電荷発生層を良好に形成することがで
きる。また、キャスティング法によって電荷発生層を形
成するには、上述した無機系あるいは有機系の電荷発生
物質を、必要によりバインダー樹脂と共に、テトラヒド
ロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエ
タン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライ
ター、サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希
釈して塗布し乾燥させればよい。塗布方法としては、浸
漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法などを用
いることができる。このようにして形成される電荷発生
層の膜厚は、0.01〜5μm程度が適当であり、特に
0.05〜2μmが好ましい。
すると、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティ
ング法とが挙げられる。真空薄膜作製法としては、真空
蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、CVD法
などが挙げられ、上述した無機系あるいは有機系の電荷
発生物質を用いて電荷発生層を良好に形成することがで
きる。また、キャスティング法によって電荷発生層を形
成するには、上述した無機系あるいは有機系の電荷発生
物質を、必要によりバインダー樹脂と共に、テトラヒド
ロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエ
タン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライ
ター、サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希
釈して塗布し乾燥させればよい。塗布方法としては、浸
漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法などを用
いることができる。このようにして形成される電荷発生
層の膜厚は、0.01〜5μm程度が適当であり、特に
0.05〜2μmが好ましい。
【0209】電荷輸送層は前記一般式(1)〜(10)
で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種を主成
分とし、さらに低分子電荷輸送物質を含有してなる層で
あり、低分子電荷輸送物質としては前記一般式(11)
〜(21)で表される化合物が特に好ましい。
で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種を主成
分とし、さらに低分子電荷輸送物質を含有してなる層で
あり、低分子電荷輸送物質としては前記一般式(11)
〜(21)で表される化合物が特に好ましい。
【0210】電荷輸送層における低分子電荷輸送物質の
適切な添加量は、電荷輸送層の構成材料によって異な
り、また添加量が多いと電荷輸送層の機械的耐久性(耐
摩耗性)が低下する場合があるため、予備的な試験によ
り決定することが望ましいが、高分子電荷輸送物質10
0重量部に対し0.1〜70重量部が適当であり、特に
0.5〜50重量部が好ましい。
適切な添加量は、電荷輸送層の構成材料によって異な
り、また添加量が多いと電荷輸送層の機械的耐久性(耐
摩耗性)が低下する場合があるため、予備的な試験によ
り決定することが望ましいが、高分子電荷輸送物質10
0重量部に対し0.1〜70重量部が適当であり、特に
0.5〜50重量部が好ましい。
【0211】電荷輸送層を形成するには、前記一般式
(1)〜(10)で表される高分子電荷輸送物質の少な
くとも1種と低分子電荷輸送物質を適当な溶剤、例え
ば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、モノ
クロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチレン、シク
ロヘキサノンなどに溶解あるいは分散し、その溶液ある
いは分散液を電荷発生層上あるいは導電性支持体上に塗
布し乾燥させればよい。電荷輸送層には、必要により可
塑剤やレベリング剤などを添加することもできるし、ま
た必要に応じて、バインダー樹脂を併用することも可能
である。
(1)〜(10)で表される高分子電荷輸送物質の少な
くとも1種と低分子電荷輸送物質を適当な溶剤、例え
ば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、モノ
クロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチレン、シク
ロヘキサノンなどに溶解あるいは分散し、その溶液ある
いは分散液を電荷発生層上あるいは導電性支持体上に塗
布し乾燥させればよい。電荷輸送層には、必要により可
塑剤やレベリング剤などを添加することもできるし、ま
た必要に応じて、バインダー樹脂を併用することも可能
である。
【0212】必要に応じて用いられるバインダー樹脂と
しては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共
重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無
水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノ
キシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エ
チルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール、ポリビニルトルエン、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性
または熱硬化性樹脂が挙げられる。バインダー樹脂の使
用量は、高分子電荷輸送物質100重量部に対して15
0重量部以下が適当である。
しては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共
重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無
水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノ
キシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エ
チルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール、ポリビニルトルエン、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性
または熱硬化性樹脂が挙げられる。バインダー樹脂の使
用量は、高分子電荷輸送物質100重量部に対して15
0重量部以下が適当である。
【0213】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、電
荷輸送層中の高分子成分100重量部に対して30重量
部以下が適当である。
オクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、電
荷輸送層中の高分子成分100重量部に対して30重量
部以下が適当である。
【0214】レベリング剤としては、ジメチルシリコー
ンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマーあるいはオリゴマーが使用され、その使用
量は、電荷輸送層中の高分子成分100重量部に対して
1重量部以下が適当である。このようにして形成される
電荷輸送層の厚さは、5〜100μm程度が適当であ
る。
ンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマーあるいはオリゴマーが使用され、その使用
量は、電荷輸送層中の高分子成分100重量部に対して
1重量部以下が適当である。このようにして形成される
電荷輸送層の厚さは、5〜100μm程度が適当であ
る。
【0215】次に単層構成の感光層について説明する。
単層構成の感光層は、電荷発生物質、前記一般式(1)
〜(10)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも
1種および低分子電荷輸送物質を含有する層であり、低
分子電荷輸送物質としては前記一般式(11)〜(2
1)で表される化合物が特に好ましい。感光層における
低分子電荷輸送物質の適切な添加量は、感光層の構成材
料によって異なり、また添加量が多いと電荷輸送層の機
械的耐久性(耐摩耗性)が低下する場合があるため、予
備的な試験により決定することが望ましいが、一般的に
は、高分子電荷輸送物質100重量部に対し5〜100
重量部が適当である。
単層構成の感光層は、電荷発生物質、前記一般式(1)
〜(10)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも
1種および低分子電荷輸送物質を含有する層であり、低
分子電荷輸送物質としては前記一般式(11)〜(2
1)で表される化合物が特に好ましい。感光層における
低分子電荷輸送物質の適切な添加量は、感光層の構成材
料によって異なり、また添加量が多いと電荷輸送層の機
械的耐久性(耐摩耗性)が低下する場合があるため、予
備的な試験により決定することが望ましいが、一般的に
は、高分子電荷輸送物質100重量部に対し5〜100
重量部が適当である。
【0216】単層構成の感光層を形成するには、電荷発
生物質、前記一般式(1)〜(10)で表される高分子
電荷輸送物質の少なくとも1種および低分子電荷輸送物
質を、必要に応じてバインダー樹脂と共に、テトラヒド
ロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、2−ブタ
ン、ジクロロエタン等の適当な溶媒を用いてボールミ
ル、アトラシター、サンドミルなどにより分散し、その
分散液を適度に希釈して導電性支持体上に塗布し乾燥さ
せればよい。塗布は、浸漬塗工法、スプレーコート法、
ローラーコート法などにより行うことができる。
生物質、前記一般式(1)〜(10)で表される高分子
電荷輸送物質の少なくとも1種および低分子電荷輸送物
質を、必要に応じてバインダー樹脂と共に、テトラヒド
ロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、2−ブタ
ン、ジクロロエタン等の適当な溶媒を用いてボールミ
ル、アトラシター、サンドミルなどにより分散し、その
分散液を適度に希釈して導電性支持体上に塗布し乾燥さ
せればよい。塗布は、浸漬塗工法、スプレーコート法、
ローラーコート法などにより行うことができる。
【0217】バインダー樹脂としては、電荷輸送層や電
荷発生層の形成において例示したバインダー樹脂を用い
ることができる。また、単層構成の感光層には必要によ
り可塑剤やレベリング剤などを添加することもできる。
このようにして形成される単層構成の感光層の膜厚は、
5〜100μm程度が適当である。
荷発生層の形成において例示したバインダー樹脂を用い
ることができる。また、単層構成の感光層には必要によ
り可塑剤やレベリング剤などを添加することもできる。
このようにして形成される単層構成の感光層の膜厚は、
5〜100μm程度が適当である。
【0218】本発明の電子写真感光体においては、導電
性支持体と感光層との間に下引き層を設けることができ
る。下引き層は一般に樹脂を主成分とするが、これらの
樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考
えると、一般の有機溶剤にたいして耐溶剤性の高い樹脂
であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリ
ビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウ
ムなどの水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル
化ナイロンなどのアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン
樹脂、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等の三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。
性支持体と感光層との間に下引き層を設けることができ
る。下引き層は一般に樹脂を主成分とするが、これらの
樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考
えると、一般の有機溶剤にたいして耐溶剤性の高い樹脂
であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリ
ビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウ
ムなどの水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル
化ナイロンなどのアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン
樹脂、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等の三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。
【0219】また、下引き層にはモアレ防止、残留電位
の低減などのために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸
化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示で
きる金属酸化物の微粉末を加えてもよい。これらの下引
き層は、前述の電荷発生層や電荷輸送層、または単層構
成の感光層の形成におけるように適当な溶媒、塗工法を
用いて形成することができる。
の低減などのために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸
化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示で
きる金属酸化物の微粉末を加えてもよい。これらの下引
き層は、前述の電荷発生層や電荷輸送層、または単層構
成の感光層の形成におけるように適当な溶媒、塗工法を
用いて形成することができる。
【0220】さらに、下引き層としては、シランカップ
リング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング
剤などを使用して、例えばゾル−ゲル法等により形成し
た金属酸化物層も有用である。この他に、下引き層とし
て、Al2O3を陽極酸化によって設けたもの、ポリパラ
キシリレン(パリレン)などの有機物やSiO、SnO
2、TiO2、ITO、CeO2等の無機物を真空薄膜作
製法によって設けたものも良好に使用できる。このよう
にして形成される下引き層の膜厚は5μm以下が適当で
ある。
リング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング
剤などを使用して、例えばゾル−ゲル法等により形成し
た金属酸化物層も有用である。この他に、下引き層とし
て、Al2O3を陽極酸化によって設けたもの、ポリパラ
キシリレン(パリレン)などの有機物やSiO、SnO
2、TiO2、ITO、CeO2等の無機物を真空薄膜作
製法によって設けたものも良好に使用できる。このよう
にして形成される下引き層の膜厚は5μm以下が適当で
ある。
【0221】また、本発明の電子写真感光体には、感光
層を保護する目的で、感光層の上に保護層が設けられる
こともある。これに使用される材料としては、ABS樹
脂、ACS樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合
体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹
脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、
ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレ
ン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチル
ペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、
ポリスルホン、AS樹脂、AB樹脂、BS樹脂、ポリウ
レタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキ
シ樹脂などの樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐
摩耗性を向上させる目的で、ポリテトラフルオロエチレ
ンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂およびこれら樹脂
に酸化チタン、酸化スズ、チタン酸カリウム等の無機材
料を分散したものなどを添加することもできる。保護層
の形成法としては、通常の塗布法が採用される。保護層
の厚さは、0.1〜10μm程度が適当である。また、
以上のほかに真空薄膜作製法にて形成したa−C、a−
SiCなど公知の材料も保護層として用いることができ
る。
層を保護する目的で、感光層の上に保護層が設けられる
こともある。これに使用される材料としては、ABS樹
脂、ACS樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合
体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹
脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、
ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレ
ン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチル
ペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、
ポリスルホン、AS樹脂、AB樹脂、BS樹脂、ポリウ
レタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキ
シ樹脂などの樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐
摩耗性を向上させる目的で、ポリテトラフルオロエチレ
ンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂およびこれら樹脂
に酸化チタン、酸化スズ、チタン酸カリウム等の無機材
料を分散したものなどを添加することもできる。保護層
の形成法としては、通常の塗布法が採用される。保護層
の厚さは、0.1〜10μm程度が適当である。また、
以上のほかに真空薄膜作製法にて形成したa−C、a−
SiCなど公知の材料も保護層として用いることができ
る。
【0222】さらに、本発明における電子写真感光体に
は、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度の低下、残
留電位の上昇を防止する目的で、単層感光層、電荷発生
層、電荷輸送層、あるいは中間層などに酸化防止剤を添
加することができる。特に、酸化防止剤を電荷輸送物質
を含む層に添加することにより、感度の低下や残留電位
の上昇をより良く防止することができる。
は、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度の低下、残
留電位の上昇を防止する目的で、単層感光層、電荷発生
層、電荷輸送層、あるいは中間層などに酸化防止剤を添
加することができる。特に、酸化防止剤を電荷輸送物質
を含む層に添加することにより、感度の低下や残留電位
の上昇をより良く防止することができる。
【0223】酸化防止剤としては、例えば、2,6−ジ
−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシア
ニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノ
ール、ステアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネートなどのモノフェ
ノール系化合物、2,2′−メチレン−ビス−(4−メ
チル−6−t−ブチルフェノール)、2,2′−メチレ
ン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、4,4′−チオビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、4,4′−ブチリデンビス−(3−
メチル−6−t−ブチルフェノール)などのビスフェノ
ール系化合物、1,1,3−トリス−(2−メチル−4
−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,
3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テ
トラキス−[メチレン−3−(3′,5′−ジ−t−ブ
チル−4′−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メ
タン、ビス[3,3′−ビス(4′−ヒドロキシ−3′
−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコー
ルエステル、トコフェロール類などの高分子フェノール
系化合物、N−フェニル−N′−イソプロピル−p−フ
ェニレンジアミン、N,N′−ジ−sec−ブチル−p
−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブ
チル−p−フェニレンジアミン、N,N′−ジ−イソプ
ロピル−p−フェニレンジアミン、N,N′−ジメチル
−N,N′−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミン
などのパラフェニレンジアミン類、2,5−ジ−t−オ
クチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキ
ノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5
−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチ
ルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−
メチルハイドロキノンなどのハイドロキノン類、ジラウ
リル−3,3′−チオジプロピオネート、ジステアリル
−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−
3,3′−チオジプロピオネートなどの有機硫黄化合物
類、トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)
ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノ
キシ)ホスフインなどの有機燐化合物類が挙げられる。
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸
化防止剤として知られており、市販品として容易に入手
できる。酸化防止剤の添加量としては、高分子電荷輸送
物質100重量部に対して0.1〜30重量部が好まし
い。
−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシア
ニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノ
ール、ステアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネートなどのモノフェ
ノール系化合物、2,2′−メチレン−ビス−(4−メ
チル−6−t−ブチルフェノール)、2,2′−メチレ
ン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、4,4′−チオビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、4,4′−ブチリデンビス−(3−
メチル−6−t−ブチルフェノール)などのビスフェノ
ール系化合物、1,1,3−トリス−(2−メチル−4
−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,
3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テ
トラキス−[メチレン−3−(3′,5′−ジ−t−ブ
チル−4′−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メ
タン、ビス[3,3′−ビス(4′−ヒドロキシ−3′
−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコー
ルエステル、トコフェロール類などの高分子フェノール
系化合物、N−フェニル−N′−イソプロピル−p−フ
ェニレンジアミン、N,N′−ジ−sec−ブチル−p
−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブ
チル−p−フェニレンジアミン、N,N′−ジ−イソプ
ロピル−p−フェニレンジアミン、N,N′−ジメチル
−N,N′−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミン
などのパラフェニレンジアミン類、2,5−ジ−t−オ
クチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキ
ノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5
−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチ
ルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−
メチルハイドロキノンなどのハイドロキノン類、ジラウ
リル−3,3′−チオジプロピオネート、ジステアリル
−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−
3,3′−チオジプロピオネートなどの有機硫黄化合物
類、トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)
ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノ
キシ)ホスフインなどの有機燐化合物類が挙げられる。
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸
化防止剤として知られており、市販品として容易に入手
できる。酸化防止剤の添加量としては、高分子電荷輸送
物質100重量部に対して0.1〜30重量部が好まし
い。
【0224】
【作用】本発明によれば、導電性支持体上に感光層を有
する電子写真感光体において、感光層に電荷発生物質、
前記一般式(1)〜(10)で表される高分子電荷輸送
物質の少なくとも1種および低分子電荷輸送物質を含有
させることにより、繰り返し使用時の耐摩耗性に優れ、
且つ高感度であり、残留電位の少ない電子写真感光体を
得ることができる。低分子電荷輸送物質として前記一般
式(11)〜(21)で表される低分子電荷輸送物質を
単独あるいは2種以上の組合せで用いることにより、特
に優れた上記効果を有する電子写真感光体を得ることが
できる。
する電子写真感光体において、感光層に電荷発生物質、
前記一般式(1)〜(10)で表される高分子電荷輸送
物質の少なくとも1種および低分子電荷輸送物質を含有
させることにより、繰り返し使用時の耐摩耗性に優れ、
且つ高感度であり、残留電位の少ない電子写真感光体を
得ることができる。低分子電荷輸送物質として前記一般
式(11)〜(21)で表される低分子電荷輸送物質を
単独あるいは2種以上の組合せで用いることにより、特
に優れた上記効果を有する電子写真感光体を得ることが
できる。
【0225】感光層中に電荷発生物質、前記一般式
(1)〜(10)で表される高分子電荷輸送物質の少な
くとも1種および低分子電荷輸送物質を含有させること
により、高感度であり、且つ残留電位を小さくすること
ができる理由は現在明らかでないが、次のように考えら
れる。
(1)〜(10)で表される高分子電荷輸送物質の少な
くとも1種および低分子電荷輸送物質を含有させること
により、高感度であり、且つ残留電位を小さくすること
ができる理由は現在明らかでないが、次のように考えら
れる。
【0226】すなわち、1)高分子電荷輸送物質はそれ
自体が高分子であるため、機械的耐久性には優れている
が、その構造上、立体的な自由度が制限されるため、電
荷輸送物質として用いる際に、電荷発生物質との接触面
積が十分に確保されず、キャリア発生量の低下および電
荷発生物質から高分子電荷輸送物質へのキャリア注入性
の低下が生じる。本発明のように低分子電荷輸送物質を
添加することにより、電荷発生物質と電荷輸送物質との
接触面積が拡大し、キャリア発生量の増加および上記キ
ャリア注入性の向上が起こり、高感度化および残留電位
の低減化が達成される。また、2)高分子電荷輸送物質
に低分子電荷輸送物質を添加することにより、感光層中
の電荷輸送セグメント数が増加し、感光層の電荷移動度
が向上する。これにより、電荷発生物質で生じたキャリ
アが表面層の電荷をキャンセルするに要する時間が低減
し、またキャリア輸送過程においてキャリアがトラップ
に捕捉される確率が低減する。従って、高感度化および
残留電位の低減が図られる。
自体が高分子であるため、機械的耐久性には優れている
が、その構造上、立体的な自由度が制限されるため、電
荷輸送物質として用いる際に、電荷発生物質との接触面
積が十分に確保されず、キャリア発生量の低下および電
荷発生物質から高分子電荷輸送物質へのキャリア注入性
の低下が生じる。本発明のように低分子電荷輸送物質を
添加することにより、電荷発生物質と電荷輸送物質との
接触面積が拡大し、キャリア発生量の増加および上記キ
ャリア注入性の向上が起こり、高感度化および残留電位
の低減化が達成される。また、2)高分子電荷輸送物質
に低分子電荷輸送物質を添加することにより、感光層中
の電荷輸送セグメント数が増加し、感光層の電荷移動度
が向上する。これにより、電荷発生物質で生じたキャリ
アが表面層の電荷をキャンセルするに要する時間が低減
し、またキャリア輸送過程においてキャリアがトラップ
に捕捉される確率が低減する。従って、高感度化および
残留電位の低減が図られる。
【0227】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれにより限定されるものではない。なお、以下
の記載における使用量に関する「部」は重量部を示す。
発明はこれにより限定されるものではない。なお、以下
の記載における使用量に関する「部」は重量部を示す。
【0228】実施例1 アルミニウム板上に、下記組成の下引き層塗工液、電荷
発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布し乾燥させ
て、それぞれ厚さ3μmの下引き層、0.3μmの電荷
発生層、および22μmの電荷輸送層を形成し、電子写
真感光体を作成した。
発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布し乾燥させ
て、それぞれ厚さ3μmの下引き層、0.3μmの電荷
発生層、および22μmの電荷輸送層を形成し、電子写
真感光体を作成した。
【0229】 [下引き層塗工液] アルキッド樹脂溶液(ベッコライトM−6401−50、 大日本インキ化学工業社製) 375部 メラミン樹脂溶液(スーパーベッカミンG−821−60、 大日本インキ化学工業社製) 210部 二酸化チタン(タイペークCR−EL、 石原産業社製) 1250部 2−ブタノン 7800部
【0230】 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 2.5部
【化90】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 175部 シクロヘキサン 75部
【0231】 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 100部
【化91】 前記例示化合物No.11−37の低分子電荷輸送物質 20部 ジクロロメタン 680部 シリコンオイル(KF50−100CS、 信越化学工業社製 ) 0.01部
【0232】実施例1−2〜15 実施例1−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表80に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表80に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0233】
【表80】
【0234】比較例1−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例1−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例1−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0235】実施例1−16 アルミニウム板上に、下記組成の下引き層塗工液、電荷
発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布し乾燥させ
て、それぞれ厚さ0.3μmの下引き層、0.2μmの
電荷発生層、および25μmの電荷輸送層を形成し、電
子写真感光体を作成した。
発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布し乾燥させ
て、それぞれ厚さ0.3μmの下引き層、0.2μmの
電荷発生層、および25μmの電荷輸送層を形成し、電
子写真感光体を作成した。
【0236】 [下引き層塗工液] ポリアミド樹脂(CM−8000、東レ社製) 2部 メタノール 58.8部 ブタノール 39.2部
【0237】 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 2.5部
【化92】 ポリビニルブチラール樹脂(デンカブチラール#4000−1 電気化学工業社製) 1部 シクロヘキサノン 206部 シクロヘキサン 88部
【0238】 [電荷輸送層塗工液] 実施例1−1の高分子電荷輸送物質 100部 前記例示化合物No.11−92の低分子電荷輸送物質 20部 ジクロロメタン 680部 シリコンオイル(KF50−100CS、 信越化学工業社製 ) 0.01部
【0239】実施例1−17〜30 実施例1−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表81に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例1−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表81に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例1−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0240】
【表81】
【0241】比較例1−2 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例1−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例1−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0242】実施例2−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化93】
【0243】実施例2−2〜15 実施例2−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表82に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
2−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表82に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
2−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0244】
【表82】
【0245】比較例2−1 実施例2−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例2−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例2−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0246】実施例2−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化94】
【0247】実施例2−17〜30 実施例2−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表83に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例2−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表83に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例2−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0248】
【表83】
【0249】比較例2−2 実施例2−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例2−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例2−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0250】実施例3−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化95】
【0251】実施例3−2〜15 実施例3−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表84に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
3−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表84に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
3−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0252】
【表84】
【0253】比較例3−1 実施例3−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例3−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例3−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0254】実施例3−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化96】
【0255】実施例3−17〜30 実施例3−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表85に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例3−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表85に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例3−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0256】
【表85】
【0257】比較例3−2 実施例3−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例3−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例3−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0258】実施例4−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化97】
【0259】実施例4−2〜15 実施例4−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表86に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
4−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表86に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
4−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0260】
【表86】
【0261】比較例4−1 実施例4−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例4−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例4−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0262】実施例4−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化98】
【0263】実施例4−17〜30 実施例4−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表87に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例4−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表87に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例4−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0264】
【表87】
【0265】比較例4−2 実施例4−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例4−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例4−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0266】実施例5−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化99】
【0267】実施例5−2〜15 実施例5−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表88に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
5−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表88に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
5−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0268】
【表88】
【0269】比較例5−1 実施例5−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例5−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例5−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0270】実施例5−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化100】
【0271】実施例5−17〜30 実施例5−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表89に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例5−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表89に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例5−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0272】
【表89】
【0273】比較例5−2 実施例5−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例5−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例5−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0274】実施例6−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化101】
【0275】実施例6−2〜15 実施例6−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表90に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
6−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表90に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
6−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0276】
【表90】
【0277】比較例6−1 実施例6−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例6−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例6−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0278】実施例6−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化102】
【0279】実施例6−17〜30 実施例6−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表91に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例6−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表91に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例6−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0280】
【表91】
【0281】比較例6−2 実施例6−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例6−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例6−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0282】実施例7−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化103】
【0283】実施例7−2〜15 実施例7−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表92に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
7−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表92に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
7−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0284】
【表92】
【0285】比較例7−1 実施例7−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例7−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例7−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0286】実施例7−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化104】
【0287】実施例7−17〜30 実施例7−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表93に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例7−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表93に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例7−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0288】
【表93】
【0289】比較例7−2 実施例7−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例7−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例7−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0290】実施例8−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化105】
【0291】実施例8−2〜15 実施例8−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表94に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
8−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表94に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
8−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0292】
【表94】
【0293】比較例8−1 実施例8−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例8−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例8−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0294】実施例8−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化106】
【0295】実施例8−17〜30 実施例8−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表95に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例8−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表95に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例8−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0296】
【表95】
【0297】比較例8−2 実施例8−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例8−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例8−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0298】実施例9−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化107】
【0299】実施例9−2〜15 実施例9−1における例示化合物No.11−37の低
分子電荷輸送物質に代えて下記表96に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
9−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
分子電荷輸送物質に代えて下記表96に示す前記例示化
合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例
9−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0300】
【表96】
【0301】比較例9−1 実施例9−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電荷
輸送物質を除いた以外は実施例9−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
輸送物質を除いた以外は実施例9−1と同様にして電子
写真感光体を作成した。
【0302】実施例9−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化108】
【0303】実施例9−17〜30 実施例9−16における例示化合物No.11−92の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表97に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例9−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表97に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例9−16と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0304】
【表97】
【0305】比較例9−2 実施例9−16において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例9−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例9−16と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0306】実施例10−1 実施例1−1において電荷輸送層塗工液中の高分子電荷
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた以
外は実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【化109】
【0307】実施例10−2〜15 実施例10−1における例示化合物No.11−37の
低分子電荷輸送物質に代えて下記表98に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例10−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
低分子電荷輸送物質に代えて下記表98に示す前記例示
化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実施
例10−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0308】
【表98】
【0309】比較例10−1 実施例10−1において電荷輸送層塗工液中の低分子電
荷輸送物質を除いた以外は実施例10−1と同様にして
電子写真感光体を作成した。
荷輸送物質を除いた以外は実施例10−1と同様にして
電子写真感光体を作成した。
【0310】実施例10−16 実施例1−16において電荷輸送層塗工液中の高分子電
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
荷輸送物質を下記構造式の高分子電荷輸送物質に代えた
以外は実施例1−16と同様にして電子写真感光体を作
成した。
【化110】
【0311】実施例10−17〜30 実施例10−16における例示化合物No.11−92
の低分子電荷輸送物質に代えて下記表99に示す前記例
示化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実
施例10−16と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
の低分子電荷輸送物質に代えて下記表99に示す前記例
示化合物No.の低分子電荷輸送物質を用いた以外は実
施例10−16と同様にして電子写真感光体を作成し
た。
【0312】
【表99】
【0313】比較例10−2 実施例10−16において電荷輸送層塗工液中の低分子
電荷輸送物質を除いた以外は実施例10−16と同様に
して電子写真感光体を作成した。
電荷輸送物質を除いた以外は実施例10−16と同様に
して電子写真感光体を作成した。
【0314】以上のようにして作成した実施例および比
較例の電子写真感光体について、静電複写紙試験装置
(川口電気製作所製、EPA−8100型)を用いて、
次の様にして感光体特性を評価した。すなわち、先ず暗
所にて−6KVのコロナ放電を20秒間行って帯電せし
め、更に20秒間暗所に放置した後、このときの表面電
位V0(V)を測定した。次いでタングステンランプ光
を感光体表面での照度が5.3ルックスになるように照
射して、V0が1/5になるまでの時間(秒)を求め、
露光量E1/5(lux・sec)を算出し、更に、光
照開始15秒後の表面電位V15(V)を残留電位として
測定した。その結果を表100〜表119に示す。
較例の電子写真感光体について、静電複写紙試験装置
(川口電気製作所製、EPA−8100型)を用いて、
次の様にして感光体特性を評価した。すなわち、先ず暗
所にて−6KVのコロナ放電を20秒間行って帯電せし
め、更に20秒間暗所に放置した後、このときの表面電
位V0(V)を測定した。次いでタングステンランプ光
を感光体表面での照度が5.3ルックスになるように照
射して、V0が1/5になるまでの時間(秒)を求め、
露光量E1/5(lux・sec)を算出し、更に、光
照開始15秒後の表面電位V15(V)を残留電位として
測定した。その結果を表100〜表119に示す。
【0315】
【表100】
【0316】
【表101】
【0317】
【表102】
【0318】
【表103】
【0319】
【表104】
【0320】
【表105】
【0321】
【表106】
【0322】
【表107】
【0323】
【表108】
【0324】
【表109】
【0325】
【表110】
【0326】
【表111】
【0327】
【表112】
【0328】
【表113】
【0329】
【表114】
【0330】
【表115】
【0331】
【表116】
【0332】
【表117】
【0333】
【表118】
【0334】
【表119】
【0335】表100〜表119から明らかなように、
電荷発生層および前記一般式(1)〜(10)で表され
る高分子電荷輸送物質と前記一般式(11)〜(21)
で表される低分子電荷輸送物質とを含有する電荷輸送層
を有する実施例の電子写真感光体は、電荷輸送層が低分
子電荷輸送物質を含有しない比較例の電子写真感光体に
比べ、高感度であり、残留電位の少ないものである。
電荷発生層および前記一般式(1)〜(10)で表され
る高分子電荷輸送物質と前記一般式(11)〜(21)
で表される低分子電荷輸送物質とを含有する電荷輸送層
を有する実施例の電子写真感光体は、電荷輸送層が低分
子電荷輸送物質を含有しない比較例の電子写真感光体に
比べ、高感度であり、残留電位の少ないものである。
【0336】実施例11 実施例1−1の下引き層塗工液および電荷発生層塗工液
を用い、浸漬塗布法によりアルミ素管上に厚さ3μmの
下引き層および0.3μmの電荷発生層を形成した。つ
いで、下記構造式の高分子電荷輸送物質100部と前記
例示化合物No.11−33の低分子電荷輸送物質20
部とをジクロロメタンに溶解し、この溶液を浸漬塗布法
により電荷発生層上に塗布し乾燥させて、厚さ30μm
の電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
を用い、浸漬塗布法によりアルミ素管上に厚さ3μmの
下引き層および0.3μmの電荷発生層を形成した。つ
いで、下記構造式の高分子電荷輸送物質100部と前記
例示化合物No.11−33の低分子電荷輸送物質20
部とをジクロロメタンに溶解し、この溶液を浸漬塗布法
により電荷発生層上に塗布し乾燥させて、厚さ30μm
の電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
【化111】
【0337】実施例12 実施例11における高分子電荷輸送物質を下記構造式の
高分子電荷輸送物質に代え、さらに例示化合物No.1
1−33の低分子電荷輸送物質を前記例示化合物No.
11−37の低分子電荷輸送物質に代えた以外は実施例
11と同様にして電子写真感光体を作成した。
高分子電荷輸送物質に代え、さらに例示化合物No.1
1−33の低分子電荷輸送物質を前記例示化合物No.
11−37の低分子電荷輸送物質に代えた以外は実施例
11と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化112】
【0338】実施例13 実施例11における高分子電荷輸送物質を下記構造式の
高分子電荷輸送物質に代え、さらに例示化合物No.1
1−33の低分子電荷輸送物質を前記例示化合物No.
15−2−35の低分子電荷輸送物質に代えた以外は実
施例11と同様にして電子写真感光体を作成した。
高分子電荷輸送物質に代え、さらに例示化合物No.1
1−33の低分子電荷輸送物質を前記例示化合物No.
15−2−35の低分子電荷輸送物質に代えた以外は実
施例11と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化113】
【0339】比較例11 実施例11と同様にしてアルミ素管上に下引き層および
電荷発生層を形成し、電荷発生層上にポリカーボネート
樹脂(C−1400、帝人化成社製)100部および前
記例示化合物No.15−4−1の低分子電荷輸送物質
90部を含有する厚さ30μmの電荷輸送層を形成し、
電子写真感光体を作成した。このようにして得られた実
施例11〜13、比較例11の電子写真感光体を電子写
真複写機(IMAGIO MF530、リコー社製)に
搭載し、A4縦長サイズ5万枚の複写を行った後、感光
体の摩耗量(電荷輸送層の膜厚減少量)を測定した。そ
の結果を表120に示す。
電荷発生層を形成し、電荷発生層上にポリカーボネート
樹脂(C−1400、帝人化成社製)100部および前
記例示化合物No.15−4−1の低分子電荷輸送物質
90部を含有する厚さ30μmの電荷輸送層を形成し、
電子写真感光体を作成した。このようにして得られた実
施例11〜13、比較例11の電子写真感光体を電子写
真複写機(IMAGIO MF530、リコー社製)に
搭載し、A4縦長サイズ5万枚の複写を行った後、感光
体の摩耗量(電荷輸送層の膜厚減少量)を測定した。そ
の結果を表120に示す。
【0340】
【表120】
【0341】表120から明らかなように、前記一般式
(1)〜(10)で表される高分子電荷輸送物質と前記
一般式(11)〜(21)で表される低分子電荷輸送物
質とからなる電荷輸送層を有する実施例の電子写真感光
体は、低分子電荷輸送物質と不活性高分子からなる電荷
輸送層を有する比較例の電子写真感光体に比べ、繰り返
し使用時における耐摩耗性に優れているものである。
(1)〜(10)で表される高分子電荷輸送物質と前記
一般式(11)〜(21)で表される低分子電荷輸送物
質とからなる電荷輸送層を有する実施例の電子写真感光
体は、低分子電荷輸送物質と不活性高分子からなる電荷
輸送層を有する比較例の電子写真感光体に比べ、繰り返
し使用時における耐摩耗性に優れているものである。
【0342】
【発明の効果】本発明によれば、導電性支持体上に感光
層を有する電子写真感光体において、感光層に電荷発生
物質、前記一般式(1)〜(10)で表される高分子電
荷輸送物質の少なくとも1種および低分子電荷輸送物質
を含有させることにより、繰り返し使用時の耐摩耗性に
優れ、且つ高感度であり、残留電位の少ない電子写真感
光体を得ることができる。
層を有する電子写真感光体において、感光層に電荷発生
物質、前記一般式(1)〜(10)で表される高分子電
荷輸送物質の少なくとも1種および低分子電荷輸送物質
を含有させることにより、繰り返し使用時の耐摩耗性に
優れ、且つ高感度であり、残留電位の少ない電子写真感
光体を得ることができる。
【0343】さらに、低分子電荷輸送物質として前記一
般式(11)〜(21)で表される低分子電荷輸送物質
を単独あるいは2種以上の組合せで用いることにより、
特に優れた上記効果を有する電子写真感光体を得ること
ができる。
般式(11)〜(21)で表される低分子電荷輸送物質
を単独あるいは2種以上の組合せで用いることにより、
特に優れた上記効果を有する電子写真感光体を得ること
ができる。
【図1】本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図2】本発明の他の構成の電子写真感光体を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図3】本発明の他の構成の電子写真感光体を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図4】本発明の別の構成の電子写真感光体を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図5】本発明の更に別の構成の電子写真感光体を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
1 導電性支持体 2 感光層 3 電荷発生層 4 電荷輸送層 5 下引き層 6 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 哲郎 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 紙 英利 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (22)
- 【請求項1】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(1)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化1】 {式中、R′1、R′2、R′3は、それぞれ独立して置
換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
し、R′4は水素原子または置換もしくは無置換のアル
キル基を表す。R1、R2は置換もしくは無置換のアリー
ル基を表す。o、p、qは、それぞれ独立して0〜4の
整数を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。 【化2】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化3】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項2】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(2)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化4】 {式中、R3、R4は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar1、Ar2、Ar3は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。 【化5】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化6】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項3】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(3)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化7】 {式中、R5、R6は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar4、Ar5、Ar6は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。 【化8】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化9】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項4】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(4)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化10】 {式中、R7、R8は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar7、Ar8、Ar9は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。rは1〜5の整数を表す。Xは
脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、または下記一般
式(A)で表される2価基を表す。 【化11】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化12】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項5】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(5)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化13】 {式中、R9、R10は置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ar10、Ar11、Ar12は同一または異なるア
リレン基を表す。X1、X2は置換もしくは無置換のエチ
レン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、
または下記一般式(A)で表される2価基を表す。 【化14】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化15】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項6】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(6)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化16】 {式中、R11、R12、R13、R14は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16
は同一または異なるアリレン基を表す。Y1、Y2、Y3
は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換も
しくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置
換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子または
ビニレン基を表し、同一であっても異なっていてもよ
い。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦
0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜500
0の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2
価基、または下記一般式(A)で表される2価基を表
す。 【化17】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化18】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項7】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(7)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化19】 {式中、R15、R16は水素原子、置換もしくは無置換の
アリール基を表し、R15とR16は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。 【化20】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化21】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項8】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(8)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化22】 {式中、R17は置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ar20、Ar21、Ar 22、Ar23は同一または異な
るアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k
≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、
環状脂肪族の2価基、または下記一般式(A)で表され
る2価基を表す。 【化23】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化24】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項9】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般式
(9)で表される高分子電荷輸送物質、および低分子電
荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感光
体。 【化25】 {式中、R18、R19、R20、R21は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar24、Ar25、Ar26、A
r27、Ar28は同一または異なるアリレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、
または下記一般式(A)で表される2価基を表す。 【化26】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化27】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項10】 導電性支持体上に感光層を有する電子
写真感光体において、感光層が電荷発生物質、下記一般
式(10)で表される高分子電荷輸送物質、および低分
子電荷輸送物質を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化28】 {式中、R22、R23は置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ar29、Ar30、Ar31は同一または異なるア
リレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦
1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、
環状脂肪族の2価基、または下記一般式(A)で表され
る2価基を表す。 【化29】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化30】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} - 【請求項11】 感光層が電荷発生物質を含有する電荷
発生層と高分子電荷輸送物質および低分子電荷輸送物質
を含有する電荷輸送層との積層感光層であることを特徴
とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9また
は10記載の電子写真感光体。 - 【請求項12】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
1)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化31】 (式中、R201、R202、R203およびR204は水素原子、
置換もしくは無置換の低級アルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基を表す。Ar101は置換もしくは無置
換のアリール基を表し、またAr101とR201は共同で環
を形成してもよい。Ar102は置換もしくは無置換のア
リレン基を表す。n1は0または1の整数を表す。) - 【請求項13】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
2)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化32】 (式中、R205は低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表し、n2は0〜4の整数を表す。
R206およびR207は水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基またはハロゲン原子を表し、R206とR207は
同一でも異なっていてもよい。) - 【請求項14】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
3)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化33】 (式中、R208は炭素数1〜11のアルキル基、置換も
しくは無置換のフェニル基あるいは複素環残基を表し、
R209およびR210は水素原子、低級アルキル基、炭素数
1〜4のヒドロキシアルキル基、炭素数1〜4のクロル
アルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を
表し、R209とR210は同一でも異なっていてもよい。ま
たR209とR210は共同で窒素を含む複素環を形成しても
よい。R211およびR212は水素原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、R211と
R212は同一でも異なっていてもよい。) - 【請求項15】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
4)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化34】 〔式中、R213は水素原子またはハロゲン原子を表し、
R214は置換もしくは無置換の芳香族残基あるいは複素
環残基(但し置換基はハロゲン原子、シアノ基、ジ低級
アルキルアミノ基、置換もしくは無置換のジアラルキル
アミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはニ
トロ基から選ばれる)を表す。〕 - 【請求項16】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
5)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化35】 (式中、R215、R216およびR217は置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ある
いは複素環基を表し、R215、R216およびR217のうち
の少なくとも二つはアリール基または複素環基を表
す。) - 【請求項17】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
6)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化36】 (式中、Ar103およびAr104は置換もしくは無置換の
アリール基あるいは複素芳香環基を表す。) - 【請求項18】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
7)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化37】 (式中、Ar105は置換もしくは無置換のアリール基あ
るいは複素芳香環基を表す。R218およびR219は置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基あるいは複素環基を表し、R218およびR219のう
ちの少なくとも一つはアリール基または複素環基を表
す。) - 【請求項19】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
8)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化38】 (式中、R220、R222は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基またはジ低級アルキルアミノ基を表し、
R221は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子またはニトロ基を表す。n3は0また
は1の整数を表す。) - 【請求項20】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(1
9)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化39】 〔式中、R223はカルバゾリル基、ピリジル基、チエニ
ル基、インドリル基またはフリル基、あるいはそれぞれ
置換もしくは無置換のフェニル基、スチリル基、ナフチ
ル基またはアントリル基(但し置換基はジ低級アルキル
アミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、アラルキルアミノ基またはアミノ基から選ばれ
る)を表す。〕 - 【請求項21】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(2
0)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化40】 (式中、Ar106は置換もしくは無置換のビフェニレン
を表し、R224、R225およびR226は水素原子、ハロゲ
ン原子またはシアノ基、あるいはそれぞれ置換もしくは
無置換のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルメルカプト基、メチレンジオキシ基、メチ
レンジチオ基またはアリール基を表す。R22 4、R225お
よびR226は同一でも異なっていてもよい。u、v、w
は1〜5の整数を表し、それぞれが2〜5の整数のとき
はR224、R225およびR226は同一でも異なっていても
よい。) - 【請求項22】 低分子電荷輸送物質が下記一般式(2
1)で表される化合物であることを特徴とする請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の電子写真感光体。 【化41】 (式中、R227およびR228は置換もしくは無置換のアル
キル基、置換もしくは無置換のアリール基を表し、R
227およびR228のうちの少なくとも一つは置換もしくは
無置換のアリール基を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8151815A JPH09319122A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真感光体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8151815A JPH09319122A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH09319122A true JPH09319122A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15526924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP8151815A Pending JPH09319122A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 電子写真感光体 |
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JP (1) | JPH09319122A (ja) |
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- 1996-05-24 JP JP8151815A patent/JPH09319122A/ja active Pending
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