JPH09304954A - 電子写真画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高耐久性でかつ高速であっても小型な電子写
真画像形成装置、或いは高耐久性でかつ２色カラー機能
を備えた小型な電子写真画像形成装置を提供すること。 【解決手段】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生物
質と３×１０⁵Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ
・ｓｅｃ以上のキャリア移動度を有する高分子電荷輸送
物質を含有してなる感光層を設けた電子写真感光体を内
蔵してなることを特徴とする、露光開始から現像終了ま
での時間が０．１秒以下の画像形成プロセスに用いられ
る電子写真画像形成装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真画像形成
装置に関し、詳しくは露光から現像までの時間が短い高
速プロセス、或いは露光から現像までの距離をとれない
２色の画像形成部を配置した装置を用いたプロセスに必
要な高速応答性の感光体を内蔵してなる電子写真画像形
成装置に関する。本発明の電子写真画像形成装置は、複
写機、ファクシミリ、レーザープリンタ、ダイレクトデ
ジタル製版機等に応用される。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子写真画像形成装置は、一般に
プロセス速度が速くなると、帯電器、現像器なども大き
くなるため、感光体の径も大きなものを使用するのが普
通であった。したがって、画像露光から現像までの時間
はプロセス速度が速くなってもあまり短くならず、０．
１秒以上かかっていた。そのため、感光体の光減衰速度
は遅くても（電化キャリアの移動度で１０^-6ｃｍ²／Ｖ
・ｓｅｃ前後のもの）十分に使用できた。つまり露光さ
れた感光体が現像部にきたときには、感光体露光部の光
減衰は十分に行われており、良好な画像を得ることがで
きる。

【０００３】ただ２色複写機で、黒と第二色目の画像形
成部が直列に配置されるものは、露光から現像までの距
離が２０ｍｍ程度あるいはそれ以下の短いものになって
しまう。したがって、例えばプロセス速度が２４０ｍｍ
（４０ｃｐｍ相当）以上になると、露光から現像までの
時間が０．１秒以下（０．８３秒以下）になってしまう
ため、光減衰応答性の高い感光体を組み合わせる必要が
ある。

【０００４】積層型電子写真感光体の光減衰速度は、電
荷輸送層のキャリアの移動度に依存しており、電荷キャ
リアの移動度（以下単に「移動度」という）が高ければ
光減衰速度は速くなる。つまり感光体としての応答速度
が速くなる。有機材料を用いた積層型電子写真感光体
は、アモルファスセレンを主体とした感光体と比較し
て、一般に電荷輸送層の移動度は低く、１０^-6〜１０^-7
ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ程度のものであった。しかし、近年
の電荷輸送物質の開発において、１０^-5オーダーの移動
度を示す電荷輸送層を実現できる材料が見つかってお
り、これらを用いた電子写真画像形成装置が特開平８−
６２８６２号公報に記載されている。

【０００５】これら電荷輸送物質は多くが低分子化合物
として開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性
がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用い
られる。しかるに低分子電荷輸送材料と不活性高分子か
らなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセ
スにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいと
いう欠点がある。

【０００６】更に、この構成の電荷輸送層は電荷移動度
に限界があり、カールソンプロセスの高速化あるいは小
型化の障害となっていた。これは通常低分子電荷輸送物
質の含有量が５０重量％以下で使用されることに起因し
ている。すなわち低分子電荷輸送物質の含有量を増すこ
とで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製
膜性が劣化するためである。

【０００７】この点を克服するために高分子型の電荷輸
送物質が注目され、例えば、特開昭５１−７３８８８号
公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１
７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開
昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２
号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１９０
４９号公報及び特開平３−５０５５５号公報などに開示
されている。

【０００８】しかしながら、高分子電荷輸送物質からな
る電荷輸送層と電荷発生層とを組み合わせた感光体の光
感度は、上記の低分子電荷輸送物質を用いた場合に比べ
著しく劣っており、この点の改良が強く望まれていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
従来技術における問題点を解決し、高耐久性でかつ高速
であっても小型な電子写真画像形成装置、或いは高耐久
性でかつ２色カラー機能を備えた小型な電子写真画像形
成装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、（１）
「導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と３×１０⁵
Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上
のキャリア移動度を有する高分子電荷輸送物質を含有し
てなる感光層を設けた電子写真感光体を内蔵してなるこ
とを特徴とする、露光開始から現像終了までの時間が
０．１秒以下の画像形成プロセスに用いられる電子写真
画像形成装置」、（２）「上記電子写真プロセスで使用
される電子写真感光体の感光層が電荷発生物質を主成分
とする電荷発生層と少なくとも３×１０⁵Ｖ／ｃｍの電
界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上のキャリア移
動度を有する高分子電荷輸送物質を含有してなる電荷輸
送層の積層構成であることを特徴とする上記（１）記載
の電子写真画像形成装置」、（３）「上記電子写真プロ
セスで使用される電子写真感光体に含有される高分子電
荷輸送物質が、トリアリールアミン構造を主鎖及び／又
は側鎖に含むポリカーボネートであることを特徴とする
上記（１）又は（２）記載の電子写真画像形成装置」、
（４）「上記電子写真プロセスで使用される電子写真感
光体に含有される高分子電荷輸送物質が、前記一般式１
〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする上記（１）〜上記（３）のいずれかに記載の電
子写真画像形成装置」、（５）「画像形成プロセスの第
一色目の画像を形成する一次帯電、露光、現像各手段、
第二色目の画像を形成する一次帯電、露光、現像各手段
とが、前記感光体周囲に順に配置なされていることを特
徴とする上記（１）〜上記（４）のいずれかに記載の電
子写真画像形成装置」が提供される。

【００１１】本発明においては、複写機などの小型化に
伴う感光体の小径化、或いは２色複写機などで２つの画
像形成部が直列に配置されるプロセスのような場合、露
光から現像までの距離がかなり短く設計しなければなら
ない。また、プロセスが小型化されてもそれなりのプリ
ント速度が要求されるため、感光体の線速（プロセス速
度）はかなり早くなる。このため、露光から現像までの
時間はかなり短いものとなる。このような点に鑑み、光
減衰応答性の早い感光体を用いることが特開平８−６２
８６２号公報に記載されている。

【００１２】しかしながら、近年ではエコロジーなどの
観点から感光体の部品化、或いはメンテナンスフリーが
提唱されており、プロセス（感光体）の耐久性を高める
ことは非常に重要な意味を持っている。前述の公知技術
では、光減衰応答性の早い感光体を達成するために移動
度の大きい電荷輸送層を用いることを提案しており、こ
こで用いられる電荷輸送層は低分子電荷輸送材料をバイ
ンダー樹脂に分散した、所謂分子分散高分子からなるも
のである。この分子分散高分子からなる電荷輸送層は、
設計の自由度の高さから多くの材料・構成のものが開発
されているが、前述のとおり、カールソンプロセスのよ
うな感光体に当接する部材の多いプロセスでは、繰り返
し使用時において膜削れを生じやすいという致命的な欠
点を持っている。感光体の膜削れが生じると、感光体の
静電特性が変化し様々な不具合を生じ、結果として得ら
れる画像品質が低下してしまう。

【００１３】このような観点から、高分子電荷輸送物質
なる概念・材料（古くはポリビニルカルバゾールなどが
ある）が提案されてきたが、一般的には電荷発生層と高
分子電荷輸送物質からなる電荷輸送層を組み合わせた場
合には、分子分散高分子からなる電荷輸送層を用いた場
合に比べ、光感度が悪くなるという欠点を持っている。

【００１４】本発明者らは、プロセス（感光体）の耐久
性を高めることを第一に考え、高分子電荷輸送物質を含
有する電荷輸送層を用いることを必須と考え、上述した
２つの問題点を解決する方法を模索した。その結果、特
定の物性値（３×１０⁵Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０^-5
ｃｍ²／Ｖ／ｓｅｃ以上の移動度）を有する電荷輸送物
質を用いることにより、２つの問題点を解決できること
を見い出し、本発明を完成するに至った。

【００１５】本発明において、上述した２つの問題点が
解決できる理由としては、以下の理由が考えられる。第
１に高分子電荷輸送物質の高い耐摩耗性が挙げられる。
勿論、材料にもよるが分子分散型電荷輸送層に比べ数倍
程度の耐摩耗性を得ることが可能である。第２に、電荷
輸送サイトの高密度化が挙げられる。これは、分子分散
型電荷輸送層では、その機械的強度の点から低分子電荷
輸送物質をある濃度以上に添加することができないため
（低分子電荷輸送物質濃度が高いほど耐摩耗性が低下す
る）であり、一方の高分子電荷輸送物質はそれ単独で製
膜性があり、かつバインダー樹脂として使用できるほど
の耐摩耗性を有しているので、電荷輸送サイト（トリア
リールアミン部位など）を限りなく高密度にすることが
できるためである。このため、高分子電荷輸送物質はポ
リビニルカルバゾールなどで報告されている構造的なト
ラップなどが形成されない限りかなりの高移動度が期待
できる。第３に電荷輸送層が高分子だけ（場合により各
種添加剤は添加されるが、量的な観点から分子分散高分
子の比ではない）で形成されるため、高硬度な感光体が
形成できることが挙げられる。耐摩耗性の点とは別にプ
ロセス内では感光体に圧力がかかる部位は多く、高硬度
な感光体は非常に有利である。

【００１６】上記の理由は、必ずしも全ての高分子電荷
輸送物質に達成できるものではないが、上述の物性値
（特定の移動度）を満足できるものであれば、ほぼ満足
のいく感光体特性及びプロセス特性（良好な画像など）
を得ることができる。

【００１７】以下、図面を用いて本発明の電子写真画像
形成装置を詳細に説明する。図１は、本発明に係る電子
写真画像形成装置の概略図であり、感光体（１）の周囲
に帯電器（２）、画像露光装置（３）、現像器（４）、
転写帯電器（５）、分離帯電器（６）、クリーニング装
置（７）が配置された構成になっている。

【００１８】図２は、本発明に係る電子写真画像形成装
置の別の概略図であり、感光体（１）の周囲に第一色目
の画像を形成する一次帯電（８）、露光（９）、現像
（１０）の各手段、第二色目の画像を形成する一次帯電
（１１）、露光（１２）、現像（１３）の各手段が順に
配置され、更に転写帯電器（５）、分離帯電器（６）、
クリーニング装置（７）が配置された構成になってい
る。

【００１９】次に、図面を用いて本発明で用いられる電
子写真感光体を説明する。図３は、本発明において用い
られる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体
（２１）上に、感光層（２３）が形成されたものであ
る。

【００２０】図４は、別の構成を示す断面図であり、導
電性支持体（２１）上に、電荷発生層（３１）と電荷輸
送層（３３）からなる感光層（２３）が形成されたもの
である。

【００２１】図５は、更に別の構成を示す断面図であ
り、導電性支持体（２１）と感光層（２３）の電荷発生
層（３１）との間に下引き層（２５）が形成されたもの
である。

【００２２】次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質について述べる。本発明に用いられる高分子電荷輸
送物質としては、３×１０⁵Ｖ／ｃｍの電界下で１×１
０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を有する高分子電
荷輸送物質ならば、いずれの公知の高分子電荷輸送材料
を用いることができる。例えば、 （ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重
合体 例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開
昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメ
チルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公
報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特
開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリル
アミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミ
ドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４
−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有す
る特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシ
アリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］
アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール
化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させること
により得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合
物等が例示される。 （ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重
合体 例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロル
メチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベ
ンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成さ
れるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−
５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレ
ン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合によ
り生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチ
レン化合物等が例示される。 （ｃ）ポリシリレン重合体 例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ
（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎープロピルメチ
ルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ
（ｎープロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９
７号公報記載の−(Ｓｉ(R₁)(R₂)）−、又は

【００２３】

【化１３】 の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（R₁、R₂、
R₃、R₄はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基
等）の化合物等が例示される。 （ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する
重合体 例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−ア
ミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び
特開平１−１９０４９号公報記載の一般式

【００２４】

【化１４】 を有するアリールアミン樹脂化合物（ここでＡｒ、Ａ
ｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル
基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、
４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ｒ
及びＲ’は個々に−ＣＨ₂−、−(ＣＨ₂)₂−、−(ＣＨ₂)
₃−及び−(ＣＨ₂)₄−、Ｒ”は−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ
−Ｃ₆Ｈ₄−Ｙ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｏ−ＣＯ−（Ｙは−Ｏ−、−Ｃ
Ｈ₂−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)₂−等）、ｍは０又は１、ｎ
は５〜５０００を表わす。）、特開平１−１７２８号公
報記載のR-[O-A-O-CH₂-CH(OR)-CH₂-O-Ｂ-O-CH₂-CH(OR)-
CH₂]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１０００、Aは−
Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−Ａｒ]ｎ−（Ｚ
はカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオニレン基、
フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレ
ン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、Ａｒ’はアリール
基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ−Ｖ−Ａｒ（Ｖは
−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)₂−等）を表わ
す。）を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエー
テル樹脂、特開平５−６６５９８号公報記載の

【００２５】

【化１５】 （ｎ₁は１〜１０、ｎ₂は０〜４、ｎ₃は０〜５、ｍは０
〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの
（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、
構造単位

【００２６】

【化１６】 （Ｒ₁、Ｒ₂はアルキル、アリール、アラルキル、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は２価の芳香族残基、ｌは０以上の
整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜
６の整数）を有する化合物等が例示される。 （ｅ）その他の重合体 例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特
開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインド
ロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭
５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４
−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデ
ヒド縮合樹脂化合物等が例示される。

【００２７】本発明に使用される電子供与性基を有する
重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合
体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマ
ーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示
されているような、

【００２８】

【化１７】 電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能
である。

【００２９】また本発明における高分子電荷輸送物質と
して、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を
有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下
記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を用
いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なも
のとなる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送
物質を以下に例示し、具体例を示す。

【００３０】

【化１８】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００３１】

【化１９】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【００３２】

【化２０】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００３３】一般式１の具体例 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。

【００３４】アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔー
ブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。

【００３５】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ₄は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
と同様のものが挙げられる。Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無
置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００３６】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００３７】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００３８】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉー
プロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓー
ブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ
基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェ
ノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。

【００３９】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００４０】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００４１】

【化２１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。１，３−プロパンジオール、１，４
−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，
１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパン
ジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオー
ル、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、
１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。

【００４２】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００４３】

【化２２】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００４４】一般式２の具体例 Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【００４５】

【化２３】 （ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【００４６】

【化２４】

【００４７】

【化２５】

【００４８】

【化２６】

【００４９】

【化２７】 を表わす。

【００５０】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で
示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と
同じ意味を有する。

【００５１】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ
₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００５２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ_{10 9}が（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔー
ブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００５３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。

【００５４】

【化２８】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐートリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【００５５】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【００５６】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００５７】

【化２９】 一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じ
ものが挙げられる。

【００５８】

【化３０】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００５９】一般式３の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６０】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００６１】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００６２】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００６３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００６４】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【００６５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００６６】

【化３１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００６７】

【化３２】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
１の場合と同じである。

【００６８】一般式４の具体例 Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６９】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００７０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、
４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、
６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【００７１】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００７２】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７３】

【化３３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００７４】

【化３４】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【００７５】一般式５の具体例 Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００７６】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに
好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル
基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎ
ーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エト
キシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４
−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メト
キシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。

【００７７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００７８】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【００７９】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００８０】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００８１】前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記
（２）のアルキル基が挙げられる。

【００８２】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００８３】

【化３５】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００８４】

【化３６】

【００８５】式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ
及びｎは、一般式１の場合と同じである。

【００８６】一般式６の具体例 Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００８７】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００８８】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【００８９】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００９０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００９１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００９２】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。

【００９３】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【００９４】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【００９５】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【００９６】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００９７】

【化３７】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００９８】

【化３８】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
じである。

【００９９】一般式７の具体例 Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１００】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１０１】また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９
−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈
及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀
で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。

【０１０２】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１０３】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１０４】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１０５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１０６】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１０７】

【化３９】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１０８】

【化４０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
同じである。

【０１０９】一般式８の具体例 Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。

【０１１０】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１１１】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１１２】（２）アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ま
しくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉ
ープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチ
ル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒド
ロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエ
チル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロ
ロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１１３】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１１４】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１１５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１１６】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル
アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１１７】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１１８】

【化４１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１１９】

【化４２】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【０１２０】一般式９の具体例 Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１２１】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１２２】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。

【０１２３】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１２４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１２５】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１２６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１２７】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１２８】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１２９】

【化４３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１３０】

【化４４】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
ある。

【０１３１】一般式１０の具体例 Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１３２】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１３３】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。

【０１３４】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１３５】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１３６】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１３７】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１３８】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１３９】

【化４５】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１４０】導電性支持体（２１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円
筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨な
どで表面処理した管などを使用することができる。

【０１４１】本発明における感光層（２３）は、単層型
でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積
層型について述べる。はじめに、電荷発生層（３１）に
ついて説明する。電荷発生層（２１）は、電荷発生物質
を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用
いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と
有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結
晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セ
レン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモ
ルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シ
リコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハ
ロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リ
ン原子等をドープしたものが良好に用いられる。

【０１４２】一方、有機系材料としては、公知の材料を
用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ
る。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１４３】電荷発生層（３１）に必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独
又は２種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダ
ー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いること
ができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添
加してもよい。

【０１４４】電荷発生層（３１）に併用できる低分子電
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。

【０１４５】電子輸送物質としては、例えばクロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレ
ノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリ
ニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４
オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−
５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１４６】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐージエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。

【０１４７】電荷発生層（３１）を形成する方法には、
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。

【０１４８】また、後述のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用い
て行なうことができる。以上のようにして設けられる電
荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは０．０５〜２μｍである。

【０１４９】次に、電荷輸送層（３３）について説明す
る。電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成
分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形
成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０⁵Ｖ／ｃｍの
電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を
有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を
用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリ
ールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用
される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特
に良好に使用される。また、必要により適当なバインダ
ー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。

【０１５０】電荷輸送層（３３）に併用できるバインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ
タイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上
の混合物として用いることができる。

【０１５１】電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電
荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載
したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層
（３３）の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、
好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。また、
本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリ
ング剤を添加してもよい。

【０１５２】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部
程度が適当である。

【０１５３】次に、感光層（２３）が単層構成の場合に
ついて述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける
場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸
送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用
いることができる。また、必要により可塑剤やレベリン
グ剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用い
ることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送
層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合
して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μ
ｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度
が適当である。

【０１５４】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの
場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２
５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着
性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を
改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられ
る。下引き層（１５）は一般に樹脂を主成分とするが、
これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示
できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物な
どの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述
の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形
成することができる。

【０１５５】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルー
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機
物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０１５６】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。

【０１５７】モノフェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔーブチル−ｐークレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔーブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔー
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。

【０１５８】ビスフェノール系化合物 ２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔーブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔーブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔーブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔーブ
チルフェノール）など。

【０１５９】高分子フェノール系化合物 １，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔーブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔーブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔーブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔーブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。

【０１６０】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐーフェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐーフェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐー
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
ーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔーブチル−ｐーフェニレンジアミンなど。

【０１６１】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔーオクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
ーオクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

【０１６２】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。

【０１６３】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。

【０１６４】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品とし
て容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加
量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１０
０重量部、好ましくは２〜３０重量部である。

【０１６５】

【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部
を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単
位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算
出して１００±２０の範囲であった。

【０１６６】実施例１ φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引
き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工
液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引
き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層
を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。

【０１６７】 ［下引き層用塗工液］ アルキッド樹脂 ６部 （ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製） メラミン樹脂 ４部 （スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製） 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部

【０１６８】 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のジスアゾ顔料 ２．５部

【０１６９】

【化４６】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０１７０】 ［電荷輸送層用塗工液］ 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０１７１】

【化４７】 塩化メチレン １００部

【０１７２】実施例２ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例２の電子写真感光体を作製した。

【０１７３】

【化４８】

【０１７４】実施例３ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例３の電子写真感光体を作製した。

【０１７５】

【化４９】

【０１７６】実施例４ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例４の電子写真感光体を作製した。

【０１７７】

【化５０】

【０１７８】実施例５ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例５の電子写真感光体を作製した。

【０１７９】

【化５１】

【０１８０】実施例６ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例６の電子写真感光体を作製した。

【０１８１】

【化５２】

【０１８２】実施例７ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例７の電子写真感光体を作製した。

【０１８３】

【化５３】

【０１８４】実施例８ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例８の電子写真感光体を作製した。

【０１８５】

【化５４】

【０１８６】実施例９ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例９の電子写真感光体を作製した。

【０１８７】

【化５５】

【０１８８】実施例１０ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして実施例１０の電子写真感光体を全く同様に作製
した。

【０１８９】

【化５６】

【０１９０】比較例１ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造に変
えた以外は、実施例１と全く同様に作製した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０１９１】

【化５７】 塩化メチレン １００部

【０１９２】比較例２ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造に変
えた以外は、実施例１と全く同様に作製した。 ［電荷輸送層用塗工液］ ビスフェノールＡ型ポリカーボネート ８部 （帝人：パンライトＫ１３００） 下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部

【０１９３】

【化５８】 塩化メチレン １１０部

【０１９４】比較例３ 比較例１における低分子電荷輸送物質を以下の構造に変
えた以外は、比較例２と全く同様に作製した。

【０１９５】

【化５９】

【０１９６】比較例４ 比較例１における低分子電荷輸送物質を以下の構造に変
えた以外は、比較例２と全く同様に作製した。

【０１９７】

【化６０】

【０１９８】比較例５ 比較例１における低分子電荷輸送物質を以下の構造に変
えた以外は、比較例２と全く同様に作製した。

【０１９９】

【化６１】

【０２００】さらに、実施例１〜１０及び比較例１〜５
に用いた電荷輸送層用塗工液を用い、ＩＴＯ膜を形成し
たガラス基板上に約１０μｍの電荷輸送層を形成し、次
いで対向電極として金を約３０Å蒸着し、移動度測定用
のサンプルとした。

【０２０１】以上のように作製した実施例１〜１０及び
比較例１〜５の電子写真感光体を実装用にした後、図１
に示す構成で画像露光光源の光量が可変の装置に搭載
し、感光体線速を変化させ、地汚れが発生した場合に
は、露光光量を増加し、その程度が変化しなかった画像
コピーの画像品質を評価した。また、それぞれの感光体
について、露光開始から現像終了までの時間を１００ｍ
ｓｅｃに固定した条件で、１万サイクルの繰り返しテス
トを実施し、１万枚目の画像コピーの画像品質をも評価
した。更に、移動度測定用のサンプルを用いて、光源と
して窒素レーザー（３３７．１ｎｍ）を用いたタイムオ
ブフライト法により、電界強度が３×１０⁵Ｖ／ｃｍで
の電荷輸送層の移動度を測定した。すべての結果を表１
に併せて示す。

【０２０２】

【表１−１】

【０２０３】

【表１−２】

【０２０４】

【表１−３】

【０２０５】

【表１−４】

【０２０６】

【表１−５】

【０２０７】

【表１−６】

【０２０８】

【表１−７】

【０２０９】実施例１１ 実施例１における電荷発生層用塗工液を以下の構造のも
のに変えた以外は実施例１と全く同様にして実施例１１
の感光体を作製した。

【０２１０】 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部

【０２１１】

【化６２】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ：ＸＹＨＬ） ０．５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０２１２】実施例１２ 実施例２における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は実施例２と全く同様にして
実施例１２の感光体を作製した。

【０２１３】実施例１３ 実施例３における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は実施例３と全く同様にして
実施例１３の感光体を作製した。

【０２１４】実施例１４ 実施例４における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は実施例４と全く同様にして
実施例１４の感光体を作製した。

【０２１５】実施例１５ 実施例５における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は実施例５と全く同様にして
実施例１５の感光体を作製した。

【０２１６】実施例１６ 実施例６における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は実施例６と全く同様にして
実施例１６の感光体を作製した。

【０２１７】実施例１７ 実施例７における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は実施例７と全く同様にして
実施例１７の感光体を作製した。

【０２１８】実施例１８ 実施例８における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は実施例８と全く同様にして
実施例１８の感光体を作製した。

【０２１９】実施例１９ 実施例９における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は実施例９と全く同様にして
実施例１９の感光体を作製した。

【０２２０】実施例２０ 実施例１０における電荷発生層用塗工液を実施例１１に
使用したものに変更した以外は実施例１０と全く同して
実施例２０の様に感光体を作製した。

【０２２１】比較例６ 比較例１における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は比較例１と全く同様に感光
体を作製した。

【０２２２】比較例７ 比較例２における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は比較例２と全く同様に感光
体を作製した。

【０２２３】比較例８ 比較例３における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は比較例３と全く同様に感光
体を作製した。

【０２２４】比較例９ 比較例４における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は比較例４と全く同様に感光
体を作製した。

【０２２５】比較例１０ 比較例５における電荷発生層用塗工液を実施例１１に使
用したものに変更した以外は比較例５と全く同様に感光
体を作製した。

【０２２６】上記実施例１１〜２０及び比較例６〜１０
の電子写真感光体を実装用にした後、図２に示す構成で
第２色目の画像露光光源の光量が可変の反転現像方式の
装置に搭載し、感光体線速を変化させ、第２色目の画像
濃度が飽和するまで露光光量を増加し、得られた画像の
画像濃度を評価した。また、それぞれの感光体につい
て、露光開始から現像終了までの時間を１００ｍｓｅｃ
に固定した条件で、１万サイクルの繰り返しテストを実
施し、１万枚目の画像コピーの画像品質をも評価した。
結果を表２に示す。

【０２２７】

【表２−１】

【０２２８】

【表２−２】

【０２２９】

【表２−３】

【０２３０】

【表２−４】

【０２３１】

【表２−５】

【０２３２】

【表２−６】

【０２３３】

【発明の効果】感光体の電荷輸送層の移動度は光減衰に
大きな影響を与えており、特にシステム線速が大きく露
光から現像までの時間が短くなると、移動度の小さな感
光体では、露光光量を増加させても、現像部では十分な
光減衰が行われておらず、良好な画像が得られず、ま
た、移動度の大きな電荷輸送層でも、低分子電荷輸送物
質をバインダー樹脂に分散した所謂分子分散高分子で電
荷輸送層を構成した場合、システム内における繰り返し
使用時の耐久性（特に耐摩耗性）に劣る場合がある。し
かしながら、本明細書中で詳細かつ具体的に説明したよ
うに、移動度の大きな高分子電荷輸送物質で電荷輸送層
が構成された感光体を用いる本発明より、露光開始から
現像終了までの短い電子写真装置において、良好な画像
を得ることができるという著しい効果が発揮される。そ
してこの効果は、繰り返し使用時においてもかなりの時
間継続される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真画像形成装置の一例を模式的
に説明する図である。

【図２】本発明の電子写真画像形成装置の別の一例を模
式的に説明する図である。

【図３】本発明の電子写真画像形成装置に用いる電子写
真感光体の構成を示す断面図である。

【図４】本発明の電子写真画像形成装置に用いる電子写
真感光体の別の構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 感光体 ２ 帯電器 ３ 画像露光装置 ４ 現像器 ５ 転写帯電器 ６ 分離帯電器 ７ クリーニング装置 ８ 第一色目用一次帯電器 ９ 第一色目用画像露光手段 １０ 第一色目用現像器 １１ 第一色目用一次帯電器 １２ 第二色目用画像露光手段 １３ 第二色目用現像器 ２１ 導電性支持体 ２３ 感光層 ２５ 下引き層 ３１ 電荷発生層 ３３ 電荷輸送層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年８月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図５

【補正方法】追加

【補正内容】

【図５】本発明の電子写真画像形成装置に用いる電子写
真感光体のさらに別の構成を示す断面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 成人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 青戸 淳 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 哲郎 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 生野 弘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 紙 英利 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生物
   質と３×１０⁵Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ
   ・ｓｅｃ以上のキャリア移動度を有する高分子電荷輸送
   物質を含有してなる感光層を設けた電子写真感光体を内
   蔵してなることを特徴とする、露光開始から現像終了ま
   での時間が０．１秒以下の画像形成プロセスに用いられ
   る電子写真画像形成装置。
2. 【請求項２】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体の感光層が電荷発生物質を主成分とする電荷
   発生層と少なくとも３×１０⁵Ｖ／ｃｍの電界下で１×
   １０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上のキャリア移動度を有す
   る高分子電荷輸送物質を含有してなる電荷輸送層の積層
   構成であることを特徴とする請求項１記載の電子写真画
   像形成装置。
3. 【請求項３】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、トリア
   リールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカー
   ボネートであることを特徴とする請求項１又は請求項２
   記載の電子写真画像形成装置。
4. 【請求項４】 上記電子写真プロセスで使用される電子
   写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一
   般式１で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
   徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の電子写
   真画像形成装置。 【化１】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
   無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
   又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
   若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
   立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
   ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
   ５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
   脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
   表わす。 【化２】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
   のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
   ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
   ２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
   −、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
   −Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
   す。）または、 【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
   数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
   リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
   Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
   よい。
5. 【請求項５】 上記電子写真画像形成装置で使用される
   電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下
   記一般式２で表わされる高分子電荷輸送物質であること
   を特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の電
   子写真画像形成装置。 【化４】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
   ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
   す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
6. 【請求項６】 上記電子写真画像形成装置で使用される
   電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下
   記一般式３で表わされる高分子電荷輸送物質であること
   を特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の電
   子写真画像形成装置。 【化５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
   わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
7. 【請求項７】 上記電子写真画像形成装置で使用される
   電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下
   記一般式４で表わされる高分子電荷輸送物質であること
   を特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の電
   子写真画像形成装置。 【化６】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
   は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
   １の場合と同じである。
8. 【請求項８】 上記電子写真画像形成装置で使用される
   電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下
   記一般式５で表わされる高分子電荷輸送物質であること
   を特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の電
   子写真画像形成装置。 【化７】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
   Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
   若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
   ｎは、一般式１の場合と同じである。
9. 【請求項９】 上記電子写真画像形成装置で使用される
   電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下
   記一般式６で表わされる高分子電荷輸送物質であること
   を特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の電
   子写真画像形成装置。 【化８】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
   アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆同一又は
   異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若し
   くは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシク
   ロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエー
   テル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一
   であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般
   式１の場合と同じである。
10. 【請求項１０】 上記電子写真画像形成装置で使用され
    る電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、
    下記一般式７で表わされる高分子電荷輸送物質であるこ
    とを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の
    電子写真画像形成装置。 【化９】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
    リール基を表わし、Ｒ ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
    い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
    基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
    じである。
11. 【請求項１１】 上記電子写真画像形成装置で使用され
    る電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、
    下記一般式８で表わされる高分子電荷輸送物質であるこ
    とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子写真画
    像形成装置。 【化１０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
    ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
    ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
    同じである。
12. 【請求項１２】 上記電子写真画像形成装置で使用され
    る電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、
    下記一般式９で表わされる高分子電荷輸送物質であるこ
    とを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の
    電子写真画像形成装置。 【化１１】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
    アリール基、Ａｒ₂₃、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇
    は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
    ｎは、一般式１の場合と同じである。
13. 【請求項１３】 上記電子写真画像形成装置で使用され
    る電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、
    下記一般式１０で表わされる高分子電荷輸送物質である
    ことを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載
    の電子写真画像形成装置。 【化１２】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
    表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
    ある。
14. 【請求項１４】 画像形成プロセスの第一色目の画像を
    形成する一次帯電、露光、現像各手段、第二色目の画像
    を形成する一次帯電、露光、現像各手段とが、前記感光
    体周囲に順に配置なされていることを特徴とする請求項
    １〜請求項１３記載の電子写真画像形成装置。