JPH09304955A - 電子写真プロセス - Google Patents
電子写真プロセスInfo
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- JPH09304955A JPH09304955A JP14652396A JP14652396A JPH09304955A JP H09304955 A JPH09304955 A JP H09304955A JP 14652396 A JP14652396 A JP 14652396A JP 14652396 A JP14652396 A JP 14652396A JP H09304955 A JPH09304955 A JP H09304955A
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Abstract
力できる)の電子写真プロセスを設計するために、繰り
返し使用時において、機械的耐摩耗性に強く感光層がか
なり薄膜でも使用でき、且つ感光体特性が安定である電
子写真感光体を搭載した電子写真プロセスを提供するこ
と。 【解決手段】 感光体の回りに、帯電手段、露光手段、
現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を
具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセ
スに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が20μ
m以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に高分
子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられ
ることを特徴とする電子写真プロセス。
Description
子写真プロセスに関し、より詳しくは繰り返し使用にお
いても長期的に高画質を与える電子写真プロセスに関す
る。本発明の電子写真プロセスは、複写機、ファクシミ
リ、レーザープリンタ、ダイレクトデジタル製版機等に
応用される。
セスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複
写機やプリンタなどに広く使用されている。このような
電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感
光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性な
どをメリットとして、近年使用され始めている。
カルバゾール(PVK)に代表される光導電性樹脂、P
VK−TNF(2,4,7−トリニトロフルオレノン)
に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バイン
ダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送
物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが
知られており、特に機能分離型の感光体が注目されてい
る。
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質
は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入
され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸
送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することによ
り静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体に
おいては、主に紫外線部に吸収を持つ電荷輸送物質と、
主に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて
用いることが知られており、且つ有用である。
開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性がない
ため、通常、不活性高分子に分散・混合して用いられ
る。しかるに低分子電荷輸送材料と不活性高分子からな
る電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスに
おいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいという
欠点がある。このように感光層の膜削れを生じると、感
光体の帯電電位の低下や光感度の劣化を起こし、その結
果、感光体表面のキズなどによるスジなどの画像不良の
ほかに、地汚れ或いは画像濃度低下といった不良画像が
形成される。この点に鑑み、一般的にはその感光体に設
定された寿命の間に摩耗する感光体膜厚相当を初めから
加味して、感光体の膜厚を厚めに設定するのが常識であ
る。このため、通常感光体の感光層膜厚は薄くとも20
μm以上(ほとんどの場合、30μm程度あるいはそれ
以上)に設定されている。
た感光体は、コスト高になるのは勿論のこと、そのほか
にその感光体を用いた電子写真プロセスから出力される
画像の解像度低下という致命的な欠点を有し、この点の
改良が強く望まれていた。さらに、この構成の感光層
(積層タイプの場合には電荷輸送層)は電荷移動度に限
界があり、カールソンプロセスの高速化或いは小型化の
障害となっていた。これは通常、低分子電荷輸送物質の
含有量が50重量%以下で使用されることに起因してい
る。即ち低分子電荷輸送物質の含有量を増すことで確か
に電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製膜性が劣
化するためである。
荷輸送物質が注目され、例えば特開昭51−73888
号公報、特開昭54−8527号公報、特開昭54−1
1737号公報、特開昭56−150749号公報、特
開昭57−78402号公報、特開昭63−28555
2号公報、特開平1−1728号公報記載、特開平1−
19049号公報、特開平3−50555号公報等に開
示されている。しかしながら、高分子電荷輸送物質を含
有する感光層を用いた感光体の光感度は、上記の低分子
電荷輸送物質を用いた場合に比べて著しく劣っており、
この点の改良が強く望まれていた。
術における問題点を改善し、安価で、高信頼性(長期的
に安定な画像を出力できる)の電子写真技術を実現する
ため、繰り返し使用時において、機械的耐摩耗性に強く
感光層がかなり薄膜でも使用でき、且つ感光体特性が安
定である電子写真感光体を搭載した電子写真プロセスを
提供することを目的とする。
「感光体の回りに、帯電手段、露光手段、現像手段、転
写手段、定着手段及びびクリーニング手段を具備した電
子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いら
れる電子写真感光体の感光層の膜厚が20μm以下であ
り、かつ支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送
物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特
徴とする電子写真プロセス。」、(2)「感光体の回り
に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手
段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスに
おいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光
体の感光層の膜厚が15μm以下であり、かつ支持体か
ら最も離れた最表層に高分子電荷輸送物質が含有された
電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真
プロセス。」、(3)「上記電子写真プロセスで使用さ
れる電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質
が、トリアリールアミン構造を主鎖及び/又は側鎖に含
むポリカーボネートであることを特徴とする上記(1)
又は(2)に記載の電子写真プロセス。」、(4)「上
記電子写真プロセスで使用される電子写真感光体に含有
される高分子電化輸送物質が、前記一般式1〜10で表
わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする上
記(1)乃至(3)の何れか1に記載の電子写真プロセ
ス。」、(5)「上記電子写真プロセスで使用される電
子写真感光体の感光層が電荷発生層と電荷輸送層の積層
構造で構成され、高分子電荷輸送物質が該電荷輸送層に
含有されることを特徴とする上記(1)乃至(4)の何
れか1に記載の電子写真プロセス。」によって達成され
る。
価、小型、高耐久、高信頼のほかにカラー化等を含め
て、高画質が要求されている。高画質化を図るために、
電子写真プロセス内のいろいろな部分(帯電、露光、現
像、転写、定着、クリーニング各部の改良、およびトナ
ーの小径化など)の改良を図ることが、多々行なわれて
いる。いずれも、高画質化という広い概念の中では様々
な意味を持っており、それなりの価値はあるものの、広
い意味でカールソンプロセスの概念に属するプロセスで
は、静電潜像を形成する感光体(或いはそれに相当する
広義のフォトレセプター)における解像性(露光光源の
絞りなどを含めて)がすべてのスタートである。この感
光体における解像性を長期間にわたって、安定な状態で
高めておくことが高画質化に最も重要な点であると考え
られる。
感光体の部品化、或いはメンテナンスフリーが提唱され
ており、プロセス(感光体)の耐久性を高めることは非
常に重要な意味を持っている。前述の従来技術では、良
好な電子写真特性をもった感光体を達成するために、電
荷発生層と電荷輸送層からなる機能分離型の積層タイプ
の電子写真感光体を用いることを提案している。ここで
用いられる電荷輸送層は低分子電荷輸送材料をバインダ
ー樹脂に分散した、いわゆる分子分散高分子からなるも
のである。この分子分散高分子からなる電荷輸送層は、
設計の自由度の高さから多くの材料・構成のものが開発
されているが、前述のとおり、カールソンプロセスのよ
うな感光体に当接する部材の多いプロセスでは、繰り返
し使用時において膜削れを生じやすいという致命的な欠
点を持っている。感光体の膜削れが生じると、感光体の
静電特性が変化し様々な不具合点を生じ、結果として得
られる画像品質が低下してしまうことは、前述のとおり
である。
送物質を用いた感光体においては、感光層をかなり厚め
に設定することで、感光体の寿命を長めにする努力をし
ている。しかしながら、感光体上に形成される静電潜像
は感光層内で生成された光キャリアが感光層を完全に横
切ることで、あらかじめ帯電された電荷を中和すること
により、感光体表面に形成される。このため、生成され
た光キャリアは表面若しくは電極まで、感光体にかかる
電界に沿って進むとはいえ、膜厚相当の距離を移動する
必要があり、膜厚が厚くなればなるほど画像光反射部分
からの広がり、いわゆる”にじみ”を生じる。したがっ
て、膜厚が薄いほど”にじみ”の程度は少なくなり、解
像度は向上する。また、積層タイプの感光体では、露光
が電荷輸送層を通過し、電荷発生層に到達することで光
キャリアが生成される。この場合には、電荷輸送層と空
気(感光体表面の大気)との屈折率の違いから、照射さ
れた画像光は電荷輸送層表面でわずかに屈折される。こ
の光が電荷発生層に到達することにより光キャリアが生
成されるため、電荷輸送層の膜厚が大きいほど画像の位
置再現性・解像度が悪くなることは必至である。いずれ
の場合にも電荷輸送層の膜厚が薄いほど、高画質な画像
が得られることは容易に理解される。
輸送層)の膜厚を薄い方向で感光体を設計する試みがな
されてきたが、実際には前述したように、低分子電荷輸
送物質を用いた機械的な耐摩耗性が低く、感光体の繰り
返し使用まで考慮すると、所望の膜厚以下に設定するこ
とができない。本発明者らは、これらの点に鑑み検討し
た結果、高分子電荷輸送物質を感光層に含有し、感光体
の耐摩耗性を向上した上で感光層膜厚を所定以下の膜厚
(20μm以下、より好ましくは15μm以下)にする
ことにより、機械的耐久性を加味した上で高画質化を図
れることを見いだし、本発明を完成するに至った。
いることの利点は以下のとおりである。第1に高分子電
荷輸送物質の高い耐摩耗性が挙げられる。もちろん、材
料にもよるが分子分散型電荷輸送層に比べ数倍程度の耐
摩耗性を得ることが可能である。第2に、電荷輸送サイ
トの高密度化が挙げられる。これは、分子分散型電荷輸
送層では、その機械的強度の点から低分子電荷輸送物質
をある濃度以上に添加することができないため(低分子
電荷輸送物質濃度が高いほど耐摩耗性が低下する)であ
り、一方の高分子電荷輸送物質はそれ単独で製膜性があ
り、且つバインダー樹脂として使用できるほどの耐摩耗
性を有しているので、電荷輸送サイト(例えばトリアリ
ールアミン部位など)を限りなく高密度にすることがで
きるためである。このため、光キャリアの拡散による”
にじみ”現象は、電荷輸送サイト密度の低い低分子分散
系に比べて押さえられる。第3に電荷輸送層が高分子だ
け(場合により各種添加剤は添加されるが、量的な観点
から分子分散高分子の比ではない)で形成されるため、
高硬度な感光体が形成できることが挙げられる。耐摩耗
性の点とは別にプロセス内では感光体に圧力がかかる部
位は多く、高硬度な感光体は非常に有利である。このよ
うな点から、本発明における電子写真感光体は、電子写
真プロセス内に用いられる感光体としてはかなり優れた
ものである。もちろん、出力画像の解像度は感光体特性
だけで決まるものではなく、画像出力に至るまでの各プ
ロセス(現像・転写・定着・クリーニングなど)にも大
きく左右されるが、基本的には静電潜像が原稿を限りな
く忠実に再現できなければ、高画質な画像を得ることが
できないことはごく当然のことである。
セスを説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。図1は、本発明の電子写真プロセスの1例を示
す模式図である。感光体(1)の回りに帯電手段
(2)、露光手段(3)、現像手段(4)、転写手段
(5)、分離手段(6)、クリーニング手段(7)を配
備したごく一般的なプロセス概略図である。
電、露光、現像、転写、分離、クリーニングなどの各手
段として、公知のいずれの手段も使用することができ
る。例えば、帯電手段においてはコロナ帯電法に代表さ
れる非接触帯電方法、帯電ローラなどに代表される接触
若しくは近接配置帯電法のいずれもが使用できる。特
に、オゾンなどの発生量の少ないと言われている接触帯
電法は良好に使用される。露光手段においては、解像度
を向上するために光学系を改良した(例えばレーザービ
ーム径を絞るなど)ものも良好に使用できる。現像手段
においては、湿式現像法、乾式現像法のいずれもが良好
に使用でき、特に湿式現像法が使用できることは高分子
電荷輸送物質を感光層に含む感光体の大きなメリットの
1つである。また、解像度を改良する目的で、トナーを
改良(例えばトナーの粒径を小さくする、カプセルトナ
ーを用いるなど)することも非常に有用である。
段はもちろんのこと、転写ベルト、転写ローラなどの中
間転写体を用いることも有用である。クリーニング手段
として、ブレード法、ブラシ法などの公知の方法を用い
ることができる。また、転写効率及びクリーニング効率
を向上するため、感光体の表面エネルギーを低減させる
べく外添剤を感光体表面に具備できる装置を併用するこ
とは有用であり、良好に使用される。
を用いた電子写真プロセスにおいては、感光体表面にコ
ロナなどによって生成したイオン性の物質が堆積し、こ
れが感光体表面の表面抵抗を下げ、画像の解像度を低下
する、いわゆる”ボケ”と呼ばれる異常画像を発生する
ことがある。このような耐摩耗性の高い感光体を用いた
電子写真プロセス内の安定化方法として、感光体表面を
水系の液体で洗浄する、これら液体をしみこませたもの
で拭き取る等の方法も併用することができる。また、イ
オン性物質の発生源である感光体表面近傍の相対湿度を
低下する目的で、ドラムヒータ等を用いる技術もあるが
もちろんこれらは良好に使用することができる。
子写真感光体を説明する。図2は、本発明において用い
られる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体
(21)上に感光層(23)が形成されたものである。
図3は、別の構成を示す断面図であり、導電性支持体
(21)上に電荷発生層(31)と電荷輸送層(33)
からなる感光層(23)が形成されたものである。図4
は、さらに別の構成を示す断面図であり、導電性支持体
(21)と感光層(23)との間に下引き層(25)が
形成されたものである。
物質について述べる。本発明に用いられる高分子電荷輸
送物質としては、公知の高分子電荷輸送材料を用いるこ
とができる。
合体 例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾールの重合体、特開
昭50−82056号公報開示のN−アクリルアミドメ
チルカルバゾールの重合体、特開昭54−9632号公
報記載のハロゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾール、特
開昭54−11737号公報記載のポリ−N−アクリル
アミドメチルカルバゾール及びポリ−N−アクリルアミ
ドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平4
−183719号公報に記載のカルバゾール構造を有す
る特定のジヒドロキシ化合物即ちビス[N−ヒドロキシ
アリール(又は−ヒドロキシヘテロ)−N−アリール]
アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール
化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させること
により得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合
物等が例示される。 (b)主鎖及び/又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重
合体 例えば、特開昭57−78402号公報記載の、クロル
メチル化ポリスチレンと4−ヒドロキシベンジリデンベ
ンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成さ
れるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平3−
50555号公報に記載のポリ(4−ホルミルスチレ
ン)と1,1−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合によ
り生成される4−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチ
レン化合物等が例示される。 (c)ポリシリレン重合体 例えば、特開昭63−285552号公報記載のポリ
(メチルフェニルシリレン)、ポリ(nープロピルメチ
ルシリレン)−1−メチルフェニルシリレン又はポリ
(nープロピルメチルシリレン)、特開平5−1949
7号公報記載の−(Si(R1)(R2))−、又は
R3、R4はH、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基
等)の化合物等が例示される。 (d)主鎖及び/又は側鎖に第3級アミン構造を有する
重合体 例えば、N,N−ビス(4−メチルフェニル)−4−ア
ミノポリスチレン、特開平1−13061号公報、及び
特開平1−19049号公報記載の一般式
r’はアリール、Zはカルバゾール−4,7−ジイル
基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、
4,4’−ビフェニレン基等の2価の不飽和環式基、R
及びR’は個々に−CH2−、−(CH2)2−、−(CH2)
3−及び−(CH2)4−、R”は−CO−又は−CO−O
−C6H4−Y−C6H4−O−CO−(Yは−O−、−C
H2−、−S−、−C(Me)2−等)、mは0又は1、n
は5〜5000を表わす。)、特開平1−1728号公
報記載のR-[O-A-O-CH2-CH(OR)-CH2-O-B-O-CH2-CH(OR)-
CH2]m−(RはH、-Me、-Et、mは4〜1000、Aは−
Ar−N(Ar')−[Z]−[N(Ar')−Ar]n−(Z
はカルバゾール−4,7−ジイル基、フルオニレン基、
フェニレン基、ピレンジイル基、4,4’−ビフェニレ
ン基等の2価の不飽和環式基、Ar、Ar’はアリール
基)、BはAと同じ意味か又は−Ar−V−Ar(Vは
−CH2−、−O−、−S−、−C(Me)2−等)を表わ
す。)を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエー
テル樹脂、特開平5−66598号公報記載の
〜1)の構造を有する(メタ)アクリル酸エステルの
(共)重合体、特開平5−40350号公報に記載の、
構造単位
r1、Ar2、Ar3は2価の芳香族残基、lは0以上の
整数、mは1以上の整数、nは2以上の整数、pは3〜
6の整数)を有する化合物等が例示される。 (e)その他の重合体 例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特
開昭51−73888号公報記載の、6−ビニルインド
ロ[2,3−b]キノキサリン誘導体の重合物、特開昭
56−150749号公報に記載の、1,1−ビス(4
−ジベンジルアミノフェニル)プロパンのホルムアルデ
ヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合
体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマ
ーや、又、例えば特開平3−109406号公報に開示
されているような、
である。
して、主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を
有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下
記一般式1〜10で表わされる高分子電荷輸送物質を用
いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なも
のとなる。一般式1〜10で表わされる高分子電荷輸送
物質を以下に例示し、具体例を示す。
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、R5、R6は置換
若しくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9、nは繰り返し単位数を表わし
5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状
脂肪族の2価基、又は下記一般式で表わされる2価基を
表わす。
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1〜1
2の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−O
−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−CO
−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を表わ
す。)又は、
数、R103、R104は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。)を表わす。ここで、R101と
R102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なっても
よい。
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。
とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のア
ルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、nープロピル基、iープロピル基、tー
ブチル基、sーブチル基、nーブチル基、iーブチル
基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、
2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メト
キシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4
−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。R4は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のR1、R2、R3
と同様のものが挙げられる。R5、R6は置換若しくは無
置換のアリール基(芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基)を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、上記のR1、
R2、R3と同様のものが挙げられる。
コキシ基(−OR105)としては、R105が上記(2)で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iー
プロポキシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sー
ブトキシ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ
基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 (4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1
〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチ
ルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノ
キシ基、4−メトキシフェニノキシ基、4−クロロフェ
ノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記(2)で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
(A)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xで表わされる構造部分は下記一般式
(A)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式(B)から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。
ものが挙げられる。1,3−プロパンジオール、1,4
−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6
−ヘキサンジオール、1,8−オクタンジオール、1,
10−デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパン
ジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオー
ル、2−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや1,4−シクロヘキサンジオール、
1,3−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
1,4−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。
4,4’−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、2,
2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3’−ジメ
チル−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
4,4’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾ
エート)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキ
シベンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス(4
−ヒドロキシベンゾエート)、1,3−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
r1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
る。
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−
2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は
2−、−CO−又は以下の2価基を表わす。)
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ar1、Ar2及びAr3で
示されるアリレン基としてはR7及びR8で示したアリー
ル基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
(1)〜基(7)を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のR106、R107、R108と
同じ意味を有する。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくはC
1〜C12とりわけC1〜C18さらに好ましくはC1〜C4の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜
C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、nープロピル基、iープロピ
ル基、tーブチル基、sーブチル基、nーブチル基、i
ーブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
コキシ基(−OR109)としては、R109が(2)で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、nープロポキシ基、iープロポキシ基、tー
ブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキシ基、iーブ
トキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 (4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1
〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチ
ルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノ
キシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノ
キシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ基、C1〜
C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニ
ルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−ジ
(pートリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。
(C)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(C)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
ものが挙げられる。
Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
る。
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−
2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
アリレン基としてはR9及びR10で示したアリール基の
2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜
C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、nープロピル基、iープロピ
ル基、tーブチル基、sーブチル基、nーブチル基、i
ーブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
コキシ基(−OR112)としては、R112が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iープロポ
キシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキ
シ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1
〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチ
ルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノ
キシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノ
キシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。
換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基;具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
(D)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(D)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
挙げられる。
Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
は1〜5の整数を表わす。X、k、j及びnは、一般式
1の場合と同じである。
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−
2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
アリレン基としてはR11及びR12で示したアリール基の
2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜
C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、nープロピル基、iープロピ
ル基、tーブチル基、sーブチル基、nーブチル基、i
ーブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
コキシ基(−OR113)としては、R113が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iープロポ
キシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキ
シ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 (4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ
基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、
4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、
6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記(2)で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
(E)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(E)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
挙げられる。
Ar10、Ar11、Ar12は同一又は異なるアリレン基、
X1、X2は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、j及び
nは、一般式1の場合と同じである。
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−
2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
るアリレン基としてはR13及びR14で示したアリール基
の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。(2)アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに
好ましくはC1〜C4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、nープロピル
基、iープロピル基、tーブチル基、sーブチル基、n
ーブチル基、iーブチル基、トリフルオロメチル基、2
−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エト
キシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4
−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メト
キシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。
コキシ基(−OR114)としては、R114が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iープロポ
キシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキ
シ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。
換アミノ基としては、アルキル基が上記(2)で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピ
ルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記R13、R14のアリール基、上記
(2)のアルキル基が挙げられる。
(F)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(F)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
挙げられる。
くは無置換のアリール基、Ar13、Ar14、Ar15、A
r16は同一又は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。X、k、j
及びnは、一般式1の場合と同じである。
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
で示されるアリレン基としてはR15、R16、R17、及び
R18で示した上記のアリール基の2価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。
示す基を置換基として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜
C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、nープロピル基、iープロピ
ル基、tーブチル基、sーブチル基、nーブチル基、i
ーブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
コキシ基(−OR115)としては、R115が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iープロポ
キシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキ
シ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1
〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチ
ルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノ
キシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノ
キシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。
示したアルキル基より誘導される2価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、1,3−プロピレ
ン基、1,4−ブチレン基、2−メチル−1,3−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、4−メチルフェニルメチレン基、2,2−
プロピレン基、2,2−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。
シクロペンチレン基、1,1−シクロヘキシレン基、
1,1−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス(トリエチレン)エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
(G)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(G)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
挙げられる。
リール基を表わし、R19とR20は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同
じである。
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
−フルオリニデン、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ar17、Ar18
及びAr19で示されるアリレン基としてはR19及びR20
で示したアリール基の2価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。
示す基を置換基として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜
C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、nープロピル基、iープロピ
ル基、tーブチル基、sーブチル基、nーブチル基、i
ーブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
コキシ基(−OR116)としては、R116が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iープロポ
キシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキ
シ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記(2)で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Xの構造部分は下記一般式(H)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。
挙げられる。
r20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と
同じである。
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
で示されるアリレン基としてはR21で示したアリール基
の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。
好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ま
しくはC1〜C4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、nープロピル基、i
ープロピル基、tーブチル基、sーブチル基、nーブチ
ル基、iーブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒド
ロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエ
チル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロ
ロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベ
ンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
コキシ基(−OR117)としては、R117が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iープロポ
キシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキ
シ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。
換アミノ基としては、アルキル基が上記(2)で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピル
アミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Xは下記一般式(J)のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。
挙げられる。
アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、j及び
nは、一般式1の場合と同じである。
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
及びAr28で示されるアリレン基としては、R22、
R23、R24、及びR25で示したアリール基の2価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜
C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、nープロピル基、iープロピ
ル基、tーブチル基、sーブチル基、nーブチル基、i
ーブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
コキシ基(−OR118)としては、R118が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iープロポ
キシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキ
シ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。
換アミノ基としては、アルキル基が上記(2)で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピ
ルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
(L)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Xは下記一般式(L)の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
挙げられる。
Ar29、Ar30、Ar31は同一又は異なるアリレン基を
表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じで
ある。
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
れるアリレン基としては、R26及びR27で示したアリー
ル基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜
C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、nープロピル基、iープロピ
ル基、tーブチル基、sーブチル基、nーブチル基、i
ーブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
コキシ基(−OR119)としては、R119が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、nープロポキシ基、iープロポ
キシ基、tーブトキシ基、nーブトキシ基、sーブトキ
シ基、iーブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記(2)で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Xは下記一般式(M)のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。
挙げられる。
1010Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円
筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板及びそれらをD.I.、I.I.、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨な
どで表面処理した管などを使用することができる。
でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積
層型について述べる。はじめに、電荷発生層(31)に
ついて説明する。電荷発生層(31)は、電荷発生物質
を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用
いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と
有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結
晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セ
レン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモ
ルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シ
リコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハ
ロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リ
ン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ
る。これらの電荷発生物質は、単独又は2種以上の混合
物として用いることができる。
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独
又は2種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダ
ー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いること
ができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添
加してもよい。
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオ
レノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレ
ノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、2,
4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−トリ
ニトロ−4H−インデノ[1,2−b]チオフェン−4
オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェン−
5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。これらの電子輸送物質は、単独又は2種以上の混合
物として用いることができる。
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、9−
(pージエチルアミノスチリルアントラセン)、1,1
−ビス−(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独又は2種以上の混合物とし
て用いることができる。
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、CVD法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。
荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用い
て行なうことができる。以上のようにして設けられる電
荷発生層の膜厚は、0.01〜5μm程度が適当であ
り、好ましくは0.05〜2μmである。
る。電荷輸送層(33)は、高分子電荷輸送物質を主成
分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形
成できる。高分子電荷輸送物質は3×105V/cmの
電界下で1×10-5cm2/V・sec以上の移動度を
有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を
用いることができるが、主鎖及び/又は側鎖にトリアリ
ールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用
される。前記一般式1〜10の高分子電荷輸送物質が特
に良好に使用される。また、必要により適当なバインダ
ー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。
ー樹脂としては、ポリカーボネート(ビスフェノールA
タイプ、ビスフェノールZタイプ)、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は2種以上
の混合物として用いることができる。
荷輸送物質は、電荷発生層(31)の説明において記載
したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層
(33)の膜厚は、20μm以下が適当であり、好まし
くは15μm以下である。この理由としては、先述のよ
うに静電潜像の解像性(原稿の再現性)の改良があげら
れ、20μm以上の膜厚では解像性が低下することによ
る。解像度に関しては、膜厚が薄い方が良好な結果が得
られるが、感光層の摩耗は静電疲労特性にも影響を及ぼ
すため、あらかじめ設定できる膜厚の下限値を調べるこ
とにより、上記範囲のうちで任意に設定できる。また、
本発明において電荷輸送層(33)中に可塑剤やレベリ
ング剤を添加してもよい。
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂100重量部に対して0〜30重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂100重量部に対して0〜1重量部
程度が適当である。
ついて述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける
場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸
送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用
いることができる。また、必要により可塑剤やレベリン
グ剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用い
ることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送
層(33)で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層(31)で挙げたバインダー樹脂を混合
して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、20μm以下
が適当であり、好ましくは15μmが適当である。この
場合にも電荷輸送層の場合と同様に予め実験的に設定で
きる膜厚の下限値を調べることにより、上記範囲のうち
で任意に設定できる。
導電性支持体(21)と感光層(23)[積層タイプの
場合には、電荷発生層(31)]との間に下引き層(2
5)を設けることができる。下引き層(25)は、接着
性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を
改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられ
る。下引き層(25)は一般に樹脂を主成分とするが、
これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示
できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物な
どの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述
の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形
成することができる。
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルー
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはAl2O3を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン(パリレン)等の有機
物や、SiO、SnO2、TiO2、ITO、CeO2等
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は0〜5μmが適当である。
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。
ドロキシアニソール、2,6−ジ−tーブチル−4−エ
チルフェノール、ステアリル−β−(3,5−ジ−tー
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネートな
ど。
チルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−
エチル−6−tーブチルフェノール)、4,4’−チオ
ビス−(3−メチル−6−tーブチルフェノール)、
4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−tーブ
チルフェノール)など。
5−tーブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメ
チル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tーブチル−
4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テトラキス−[メ
チレン−3−(3’,5’−ジ−tーブチル−4’−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、ビス
[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ−3’−tーブチ
ルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。
アミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−pーフェニレ
ンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−pー
フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p
ーフェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’
−ジ−tーブチル−pーフェニレンジアミンなど。
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノ
ン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t
ーオクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オ
クタデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
アリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−3,3’−チオジプロピオネートなど。
フィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキ
シ)ホスフィンなど。
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品とし
て容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加
量は、電荷輸送物質100重量部に対して0.1〜10
0重量部、好ましくは2〜30重量部である。
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部
を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単
位nは、いずれの例においても、重量平均分子量から算
出して100±20の範囲であった。
き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工
液を順次、塗布乾燥することにより、3.5μmの下引
き層、0.2μmの電荷発生層、14μmの電荷輸送層
を形成して、本発明で用いられる電子写真感光体を得
た。
外は実施例1と全く同様にして本発明で用いられる電子
写真感光体を作成した。 比較例1 実施例1における電荷輸送層の膜厚を25μmとした以
外は実施例1と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成し
た。
外は実施例3と全く同様にして本発明で用いられる電子
写真感光体を作成した。 比較例2 実施例3における電荷輸送層の膜厚を25μmとした以
外は実施例3と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様にして本
発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
外は実施例5と全く同様にして本発明で用いられる電子
写真感光体を作成した。 比較例3 実施例5における電荷輸送層の膜厚を25μmとした以
外は実施例5と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成し
た。
外は実施例7と全く同様にして本発明で用いられる電子
写真感光体を作成した。 比較例4 実施例7における電荷輸送層の膜厚を25μmとした以
外は実施例7と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成し
た。
外は実施例9と全く同様にして本発明で用いられる電子
写真感光体を作成した。 比較例5 実施例9における電荷輸送層の膜厚を25μmとした以
外は実施例9と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成し
た。
以外は実施例11と全く同様にして本発明で用いられる
電子写真感光体を作成した。 比較例6 実施例11における電荷輸送層の膜厚を25μmとした
以外は実施例11と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成し
た。
以外は実施例13と全く同様にして本発明で用いられる
電子写真感光体を作成した。 比較例7 実施例13における電荷輸送層の膜厚を25μmとした
以外は実施例13と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成し
た。
以外は実施例15と全く同様にして本発明で用いられる
電子写真感光体を作成した。 比較例8 実施例15における電荷輸送層の膜厚を25μmとした
以外は実施例15と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成し
た。
以外は実施例17と全く同様にして本発明で用いられる
電子写真感光体を作成した。 比較例9 実施例17における電荷輸送層の膜厚を25μmとした
以外は実施例17と全く同様に作成した。
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成し
た。
以外は実施例19と全く同様にして本発明で用いられる
電子写真感光体を作成した。 比較例10 実施例19における電荷輸送層の膜厚を25μmとした
以外は実施例19と全く同様に作成した。
更した以外は実施例11と全く同様に作成した。 [電荷輸送層用塗工液] ビスフェノールA型ポリカーボネート 10部 (帝人:パンライトK1300) 下記構造の低分子電荷輸送物質 10部
以外は比較例11と全く同様に作成した。 比較例13 比較例11における電荷輸送層の膜厚を25μmとした
以外は比較例11と全く同様に作成した。
更した以外は、実施例1と全く同様に作製した。 [電荷輸送層用塗工液] ビスフェノールA型ポリカーボネート 10部 (帝人:パンライトK1300) 下記構造の低分子電荷輸送物質 10部
以外は比較例14と全く同様に作成した。 比較例16 比較例14における電荷輸送層の膜厚を25μmとした
以外は比較例14と全く同様に作成した。
比較例1〜16の電子写真感光体を実装用にした後、図
1に示す構成の装置に搭載し、たけのこチャートを用い
て画像を形成し、解像度の評価を行なった。また、実施
例1〜20及び比較例11、12、14、15の電子写
真感光体を3万枚のランニングテストを行ない、3万枚
目の画像も同様に解像度の評価を行なった。結果をあわ
せて表1に示す。
に、本発明の電子写真プロセスは、解像度の高い高画質
を与える優れた電子写真プロセスであり、繰り返し使用
においても長期的に高画質を与える極めて優れた電子写
真プロセスであることがわかる。
である。
光体の構成を示す断面図である。
光体の別の構成を示す断面図である。
光体の更に別の構成を示す断面図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 感光体の回りに、帯電手段、露光手段、
現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を
具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセ
スに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が20μ
m以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に高分
子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられ
ることを特徴とする電子写真プロセス。 - 【請求項2】 感光体の回りに、帯電手段、露光手段、
現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を
具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセ
スに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が15μ
m以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に高分
子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられ
ることを特徴とする電子写真プロセス。 - 【請求項3】 上記電子写真プロセスで使用される電子
写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、トリア
リールアミン構造を主鎖及び/又は側鎖に含むポリカー
ボネートであることを特徴とする請求項1又は請求項2
記載の電子写真プロセス。 - 【請求項4】 上記電子写真プロセスで使用される電子
写真感光体に含有される高分子電化輸送物質が、下記一
般式1で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの電
子写真プロセス。 【化1】 式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、R5、R6は置換
若しくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9、nは繰り返し単位数を表わし
5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状
脂肪族の2価基、又は下記一般式で表わされる2価基を
表わす。 【化2】 式中、R101、R102は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1〜1
2の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−O
−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−CO
−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を表わ
す。)または、 【化3】 (式中、aは1〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R103、R104は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。)を表わす。ここで、R101と
R102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なっても
よい。 - 【請求項5】 上記電子写真プロセスで使用される電子
写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一
般式2で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの電
子写真プロセス。 【化4】 式中、R7、R8は置換若しくは無置換のアリール基、A
r1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
る。 - 【請求項6】 上記電子写真プロセスで使用される電子
写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一
般式3で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの電
子写真プロセス。 【化5】 式中、R9、R10は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
る。 - 【請求項7】 上記電子写真プロセスで使用される電子
写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一
般式4で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの電
子写真プロセス。 【化6】 式中、R11、R12は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
は1〜5の整数を表わす。X、k、j及びnは、一般式
1の場合と同じである。 - 【請求項8】 上記電子写真プロセスで使用される電子
写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一
般式5で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの電
子写真プロセス。 【化7】 式中、R13、R14は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar10、Ar11、Ar12は同一又は異なるアリレン基、
X1、X2は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、j及び
nは、一般式1の場合と同じである。 - 【請求項9】 上記電子写真プロセスで使用される電子
写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一
般式6で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの電
子写真プロセス。 【化8】 式中、R15、R16、R17、R18は置換若しくは無置換の
アリール基、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又
は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。X、k、j及びnは、一
般式1の場合と同じである。 - 【請求項10】 上記電子写真プロセスで使用される電
子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記
一般式7で表わされる高分子電荷輸送物質であることを
特徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの
電子写真プロセス。 【化9】 式中、R19、R20は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、R19とR20は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同
じである。 - 【請求項11】 上記電子写真プロセスで使用される電
子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記
一般式8で表わされる高分子電荷輸送物質であることを
特徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの
電子写真プロセス。 【化10】 式中、R21は置換若しくは無置換のアリール基、A
r20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と
同じである。 - 【請求項12】 上記電子写真プロセスで使用される電
子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記
一般式9で表わされる高分子電荷輸送物質であることを
特徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れかの
電子写真プロセス。 【化11】 式中、R22、R23、R24、R25は置換若しくは無置換の
アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、j及び
nは、一般式1の場合と同じである。 - 【請求項13】 上記電子写真プロセスで使用される電
子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記
一般式10で表わされる高分子電荷輸送物質であること
を特徴とする請求項1乃至請求項3記載のうちの何れか
の電子写真プロセス。 【化12】 式中、R26、R27は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar29、Ar30、Ar31は同一又は異なるアリレン基を
表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じで
ある。 - 【請求項14】 上記電子写真プロセスで使用される電
子写真感光体の感光層が電荷発生層と電荷輸送層の積層
構造で構成され、高分子電荷輸送物質が該電荷輸送層に
含有されることを特徴とする請求項1乃至請求項3記載
のうちの何れかの電子写真プロセス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14652396A JP3643918B2 (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 電子写真プロセス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP14652396A JP3643918B2 (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 電子写真プロセス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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JP3643918B2 JP3643918B2 (ja) | 2005-04-27 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14652396A Expired - Fee Related JP3643918B2 (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 電子写真プロセス |
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