JP3643918B2 - 電子写真プロセス - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高画質を与える電子写真プロセスに関し、より詳しくは繰り返し使用においても長期的に高画質を与える電子写真プロセスに関する。
本発明の電子写真プロセスは、複写機、ファクシミリ、レーザープリンタ、ダイレクトデジタル製版機等に応用される。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真方法としては、カールソンプロセスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複写機やプリンタなどに広く使用されている。このような電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性などをメリットとして、近年使用され始めている。
【０００３】
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型の感光体が注目されている。
【０００４】
この機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体においては、主に紫外線部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られており、且つ有用である。
【０００５】
電荷輸送物質は多くが低分子化合物として開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用いられる。しかるに低分子電荷輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいという欠点がある。このように感光層の膜削れを生じると、感光体の帯電電位の低下や光感度の劣化を起こし、その結果、感光体表面のキズなどによるスジなどの画像不良のほかに、地汚れ或いは画像濃度低下といった不良画像が形成される。この点に鑑み、一般的にはその感光体に設定された寿命の間に摩耗する感光体膜厚相当を初めから加味して、感光体の膜厚を厚めに設定するのが常識である。このため、通常感光体の感光層膜厚は薄くとも２０μｍ以上（ほとんどの場合、３０μｍ程度あるいはそれ以上）に設定されている。
【０００６】
このようにかなり厚い膜厚の感光層を用いた感光体は、コスト高になるのは勿論のこと、そのほかにその感光体を用いた電子写真プロセスから出力される画像の解像度低下という致命的な欠点を有し、この点の改良が強く望まれていた。
さらに、この構成の感光層（積層タイプの場合には電荷輸送層）は電荷移動度に限界があり、カールソンプロセスの高速化或いは小型化の障害となっていた。これは通常、低分子電荷輸送物質の含有量が５０重量％以下で使用されることに起因している。即ち低分子電荷輸送物質の含有量を増すことで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製膜性が劣化するためである。
【０００７】
これらの点を克服するために高分子型の電荷輸送物質が注目され、例えば特開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−１７２８号公報記載、特開平１−１９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示されている。
しかしながら、高分子電荷輸送物質を含有する感光層を用いた感光体の光感度は、上記の低分子電荷輸送物質を用いた場合に比べて著しく劣っており、この点の改良が強く望まれていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来技術における問題点を改善し、安価で、高信頼性（長期的に安定な画像を出力できる）の電子写真技術を実現するため、繰り返し使用時において、機械的耐摩耗性に強く感光層がかなり薄膜でも使用でき、且つ感光体特性が安定である電子写真感光体を搭載した電子写真プロセスを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような課題は、本発明の（１）「感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（１）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
【化１】

式中、Ｒ ₇ 、Ｒ ₈ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₁ 、Ａｒ ₂ 、Ａｒ ₃ は同一又は異なるアリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【化２】

式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）または、
【化３】

（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁とＲ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。」、（２）「感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（２）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
【化４】

式中、Ｒ ₉ 、Ｒ ₁₀ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₄ 、Ａｒ ₅ 、Ａｒ ₆ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。」、（３）「感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（３）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
【化５】

式中、Ｒ ₁₁ 、Ｒ ₁₂ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₇ 、Ａｒ ₈ 、Ａｒ ₉ は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。」、（４）「感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（４）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
【化６】

式中、Ｒ ₁₅ 、Ｒ ₁₆ 、Ｒ ₁₇ 、Ｒ ₁₈ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₁₃ 、Ａｒ ₁₄ 、Ａ ｒ ₁₅ 、Ａｒ ₁₆ は同一又は異なるアリレン基、Ｙ ₁ 、Ｙ ₂ 、Ｙ ₃ は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。」、（５）「感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（５）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
【化７】

式中、Ｒ ₂₁ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₂₀ 、Ａｒ ₂₁ 、Ａｒ ₂₂ 、Ａｒ ₂₃ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。」、（６）「感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（６）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
【化８】

式中、Ｒ ₂₂ 、Ｒ ₂₃ 、Ｒ ₂₄ 、Ｒ ₂₅ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₂₄ 、Ａｒ ₂₅ 、Ａｒ ₂₆ 、Ａｒ ₂₇ 、Ａｒ ₂₈ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。」、（７）「感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（７）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
【化９】

式中、Ｒ ₂₆ 、Ｒ ₂₇ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₂₉ 、Ａｒ ₃₀ 、Ａｒ ₃₁ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。」、（８）「上記電子写真プロセスで使用される電子写真感光体の感光層が電荷発生層と電荷輸送層の積層構造で構成され、高分子電荷輸送物質が該電荷輸送層に含有されることを特徴とする請求項１乃至請求項７記載のうちの何れかの電子写真プロセス。」によって達成される。
【００１０】
近年の電子写真プロセスにおいては、安価、小型、高耐久、高信頼のほかにカラー化等を含めて、高画質が要求されている。高画質化を図るために、電子写真プロセス内のいろいろな部分（帯電、露光、現像、転写、定着、クリーニング各部の改良、およびトナーの小径化など）の改良を図ることが、多々行なわれている。いずれも、高画質化という広い概念の中では様々な意味を持っており、それなりの価値はあるものの、広い意味でカールソンプロセスの概念に属するプロセスでは、静電潜像を形成する感光体（或いはそれに相当する広義のフォトレセプター）における解像性（露光光源の絞りなどを含めて）がすべてのスタートである。この感光体における解像性を長期間にわたって、安定な状態で高めておくことが高画質化に最も重要な点であると考えられる。
【００１１】
また、近年ではエコロジーなどの観点から感光体の部品化、或いはメンテナンスフリーが提唱されており、プロセス（感光体）の耐久性を高めることは非常に重要な意味を持っている。前述の従来技術では、良好な電子写真特性をもった感光体を達成するために、電荷発生層と電荷輸送層からなる機能分離型の積層タイプの電子写真感光体を用いることを提案している。ここで用いられる電荷輸送層は低分子電荷輸送材料をバインダー樹脂に分散した、いわゆる分子分散高分子からなるものである。この分子分散高分子からなる電荷輸送層は、設計の自由度の高さから多くの材料・構成のものが開発されているが、前述のとおり、カールソンプロセスのような感光体に当接する部材の多いプロセスでは、繰り返し使用時において膜削れを生じやすいという致命的な欠点を持っている。感光体の膜削れが生じると、感光体の静電特性が変化し様々な不具合点を生じ、結果として得られる画像品質が低下してしまうことは、前述のとおりである。
【００１２】
先述のとおり、このような低分子の電荷輸送物質を用いた感光体においては、感光層をかなり厚めに設定することで、感光体の寿命を長めにする努力をしている。しかしながら、感光体上に形成される静電潜像は感光層内で生成された光キャリアが感光層を完全に横切ることで、あらかじめ帯電された電荷を中和することにより、感光体表面に形成される。このため、生成された光キャリアは表面若しくは電極まで、感光体にかかる電界に沿って進むとはいえ、膜厚相当の距離を移動する必要があり、膜厚が厚くなればなるほど画像光反射部分からの広がり、いわゆる”にじみ”を生じる。したがって、膜厚が薄いほど”にじみ”の程度は少なくなり、解像度は向上する。また、積層タイプの感光体では、露光が電荷輸送層を通過し、電荷発生層に到達することで光キャリアが生成される。この場合には、電荷輸送層と空気（感光体表面の大気）との屈折率の違いから、照射された画像光は電荷輸送層表面でわずかに屈折される。この光が電荷発生層に到達することにより光キャリアが生成されるため、電荷輸送層の膜厚が大きいほど画像の位置再現性・解像度が悪くなることは必至である。いずれの場合にも電荷輸送層の膜厚が薄いほど、高画質な画像が得られることは容易に理解される。
【００１３】
このような観点から、感光層（或いは電荷輸送層）の膜厚を薄い方向で感光体を設計する試みがなされてきたが、実際には前述したように、低分子電荷輸送物質を用いた機械的な耐摩耗性が低く、感光体の繰り返し使用まで考慮すると、所望の膜厚以下に設定することができない。
本発明者らは、これらの点に鑑み検討した結果、高分子電荷輸送物質を感光層に含有し、感光体の耐摩耗性を向上した上で感光層膜厚を所定以下の膜厚（２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下）にすることにより、機械的耐久性を加味した上で高画質化を図れることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１４】
本発明において、高分子電荷輸送物質を用いることの利点は以下のとおりである。
第１に高分子電荷輸送物質の高い耐摩耗性が挙げられる。もちろん、材料にもよるが分子分散型電荷輸送層に比べ数倍程度の耐摩耗性を得ることが可能である。第２に、電荷輸送サイトの高密度化が挙げられる。これは、分子分散型電荷輸送層では、その機械的強度の点から低分子電荷輸送物質をある濃度以上に添加することができないため（低分子電荷輸送物質濃度が高いほど耐摩耗性が低下する）であり、一方の高分子電荷輸送物質はそれ単独で製膜性があり、且つバインダー樹脂として使用できるほどの耐摩耗性を有しているので、電荷輸送サイト（例えばトリアリールアミン部位など）を限りなく高密度にすることができるためである。このため、光キャリアの拡散による”にじみ”現象は、電荷輸送サイト密度の低い低分子分散系に比べて押さえられる。第３に電荷輸送層が高分子だけ（場合により各種添加剤は添加されるが、量的な観点から分子分散高分子の比ではない）で形成されるため、高硬度な感光体が形成できることが挙げられる。耐摩耗性の点とは別にプロセス内では感光体に圧力がかかる部位は多く、高硬度な感光体は非常に有利である。このような点から、本発明における電子写真感光体は、電子写真プロセス内に用いられる感光体としてはかなり優れたものである。
もちろん、出力画像の解像度は感光体特性だけで決まるものではなく、画像出力に至るまでの各プロセス（現像・転写・定着・クリーニングなど）にも大きく左右されるが、基本的には静電潜像が原稿を限りなく忠実に再現できなければ、高画質な画像を得ることができないことはごく当然のことである。
【００１５】
次に、図面を用いて本発明の電子写真プロセスを説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は、本発明の電子写真プロセスの１例を示す模式図である。感光体（１）の回りに帯電手段（２）、露光手段（３）、現像手段（４）、転写手段（５）、分離手段（６）、クリーニング手段（７）を配備したごく一般的なプロセス概略図である。
【００１６】
本発明の電子写真プロセスには、これら帯電、露光、現像、転写、分離、クリーニングなどの各手段として、公知のいずれの手段も使用することができる。
例えば、帯電手段においてはコロナ帯電法に代表される非接触帯電方法、帯電ローラなどに代表される接触若しくは近接配置帯電法のいずれもが使用できる。特に、オゾンなどの発生量の少ないと言われている接触帯電法は良好に使用される。露光手段においては、解像度を向上するために光学系を改良した（例えばレーザービーム径を絞るなど）ものも良好に使用できる。現像手段においては、湿式現像法、乾式現像法のいずれもが良好に使用でき、特に湿式現像法が使用できることは高分子電荷輸送物質を感光層に含む感光体の大きなメリットの１つである。また、解像度を改良する目的で、トナーを改良（例えばトナーの粒径を小さくする、カプセルトナーを用いるなど）することも非常に有用である。
【００１７】
転写手段においては、直接紙に転写する手段はもちろんのこと、転写ベルト、転写ローラなどの中間転写体を用いることも有用である。クリーニング手段として、ブレード法、ブラシ法などの公知の方法を用いることができる。また、転写効率及びクリーニング効率を向上するため、感光体の表面エネルギーを低減させるべく外添剤を感光体表面に具備できる装置を併用することは有用であり、良好に使用される。
【００１８】
この他に、一般的に耐摩耗性の高い感光体を用いた電子写真プロセスにおいては、感光体表面にコロナなどによって生成したイオン性の物質が堆積し、これが感光体表面の表面抵抗を下げ、画像の解像度を低下する、いわゆる”ボケ”と呼ばれる異常画像を発生することがある。このような耐摩耗性の高い感光体を用いた電子写真プロセス内の安定化方法として、感光体表面を水系の液体で洗浄する、これら液体をしみこませたもので拭き取る等の方法も併用することができる。また、イオン性物質の発生源である感光体表面近傍の相対湿度を低下する目的で、ドラムヒータ等を用いる技術もあるがもちろんこれらは良好に使用することができる。
【００１９】
次に、図面を用いて本発明で用いられる電子写真感光体を説明する。
図２は、本発明において用いられる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体（２１）上に感光層（２３）が形成されたものである。
図３は、別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に電荷発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光層（２３）が形成されたものである。
図４は、さらに別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層（２３）との間に下引き層（２５）が形成されたものである。
【００２８】
次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送物質について述べる。
本発明における高分子電荷輸送物質として、下記一般式１〜７で表わされる高分子電荷輸送物質を用いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なものとなる。一般式１〜７で表わされる高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示す。
【００２９】
【化１８】

式中、Ｒ ₇ 、Ｒ ₈ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₁ 、Ａｒ ₂ 、Ａｒ ₃ は同一又は異なるアリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００３０】
【化１９】

式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）又は、
【００３１】
【化２０】

（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁とＲ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００４３】
一般式１の具体例
Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は
【００４４】
【化２３】

（ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）
【００４５】
【化２４】

【００４６】
【化２５】

【００４７】
【化２６】

【００４８】
【化２７】

を表わす。
【００４９】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と同じ意味を有する。
【００５０】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００５１】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００５２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【００５３】
【化２８】

式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義したアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐートリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
【００５４】
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等。
【００５５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００５６】
【化２９】

一般式（Ｂ）のジオール化合物としては、以下のものが挙げられる。
すなわち、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４ ' −ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４ ' −ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４ ' −ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４ ' −ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３ ' −ジメチル−４，４ ' −ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４ ' −ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００５７】
【化３０】

式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００５８】
一般式２の具体例
Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００５９】
また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示されるアリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６０】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００６１】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００６２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００６３】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００６４】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００６５】
【化３１】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００６６】
【化３２】

式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００６７】
一般式３の具体例
Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００６８】
また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６９】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７０】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００７１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００７２】
【化３３】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００８３】
【化３６】

【００８４】
式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００８５】
一般式４の具体例
Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００８６】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８７】
また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及びＲ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【００８８】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００８９】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００９０】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００９１】
前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なっていてもよい。
【００９２】
このアルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
【００９３】
同シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【００９４】
同アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【００９５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００９６】
【化３７】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１０７】
【化４０】

式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１０８】
一般式５の具体例
Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１０９】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１１０】
また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
【０１１１】
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１１２】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１１３】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１１４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１１５】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１１６】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１１７】
【化４１】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１１８】
【化４２】

式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１１９】
一般式６の具体例
Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１２０】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２１】
また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１２２】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１２３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１２４】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１２５】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１２６】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１２７】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２８】
【化４３】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１２９】
【化４４】

式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１３０】
一般式７の具体例
Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１３１】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１３２】
また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１３３】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１３４】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１３５】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１３６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１３７】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３８】
【化４５】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１３９】
導電性支持体（２１）としては、体積抵抗１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【０１４０】
本発明における感光層（２３）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型について述べる。
はじめに、電荷発生層（３１）について説明する。電荷発生層（３１）は、電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【０１４１】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４２】
電荷発生層（３１）に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加してもよい。
【０１４３】
電荷発生層（３１）に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
【０１４４】
電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４５】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐージエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４６】
電荷発生層（３１）を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
【０１４７】
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【０１４８】
次に、電荷輸送層（３３）について説明する。
電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。
【０１４９】
電荷輸送層（３３）に併用できるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１５０】
電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層（３３）の膜厚は、２０μｍ以下が適当であり、好ましくは１５μｍ以下である。この理由としては、先述のように静電潜像の解像性（原稿の再現性）の改良があげられ、２０μｍ以上の膜厚では解像性が低下することによる。解像度に関しては、膜厚が薄い方が良好な結果が得られるが、感光層の摩耗は静電疲労特性にも影響を及ぼすため、あらかじめ設定できる膜厚の下限値を調べることにより、上記範囲のうちで任意に設定できる。
また、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
【０１５１】
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１５２】
次に、感光層（２３）が単層構成の場合について述べる。
キャスティング法で単層感光層を設ける場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用いることができる。
また、必要により可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、２０μｍ以下が適当であり、好ましくは１５μｍが適当である。この場合にも電荷輸送層の場合と同様に予め実験的に設定できる膜厚の下限値を調べることにより、上記範囲のうちで任意に設定できる。
【０１５３】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【０１５４】
さらに、本発明における感光体の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルーゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。
この他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１５５】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
本発明に用いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げられる。
【０１５６】
モノフェノール系化合物
２，６−ジ−ｔーブチル−ｐークレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔーブチル−４−エチルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔーブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなど。
【０１５７】
ビスフェノール系化合物
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔーブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔーブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔーブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔーブチルフェノール）など。
【０１５８】
高分子フェノール系化合物
１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔーブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔーブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔーブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔーブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、トコフェノール類など。
【０１５９】
パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔーブチル−ｐーフェニレンジアミンなど。
【０１６０】
ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔーオクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔーオクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１６１】
有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１６２】
有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１６３】
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品として容易に入手できる。
本発明における酸化防止剤の添加量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは２〜３０重量部である。
【０１６４】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算出して１００±２０の範囲であった。
【０１６５】
参考例１
φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、１４μｍの電荷輸送層を形成して、参考のための電子写真感光体を得た。
【０１６６】
［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂 ６部
（ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂 ４部
（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
酸化チタン ４０部
メチルエチルケトン ２００部
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部
【０１６７】
【化４６】

下記構造の低分子電荷輸送物質 １．０部
【０１６８】
【化４７】

ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．５部
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０１６９】
［電荷輸送用塗工液］
下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部
【０１７０】
【化４８】

塩化メチレン １００部
【０１７１】
参考例２
参考例１における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は参考例１と全く同様にして、電子写真感光体を作成した。
比較例１
参考例１における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は参考例１と全く同様に作成した。
【０１７２】
実施例１
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
【０１７３】
【化４９】

【０１７４】
実施例２
実施例１における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は実施例１と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
比較例２
実施例１における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例１と全く同様に作成した。
【０１７５】
実施例３
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
【０１７６】
【化５０】

【０１７７】
実施例４
実施例３における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は実施例３と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
比較例３
実施例３における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例３と全く同様に作成した。
【０１７８】
実施例５
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
【０１７９】
【化５１】

【０１８０】
実施例６
実施例５における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は実施例５と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
比較例４
実施例５における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例５と全く同様に作成した。
【０１８４】
実施例７
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
【０１８５】
【化５３】

【０１８６】
実施例８
実施例７における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は実施例７と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
比較例５
実施例７における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例７と全く同様に作成した。
【０１９０】
実施例９
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
【０１９１】
【化５５】

【０１９２】
実施例１０
実施例９における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は実施例９と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
比較例６
実施例９における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例９と全く同様に作成した。
【０１９３】
実施例１１
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
【０１９４】
【化５６】

【０１９５】
実施例１２
実施例１１における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は実施例１１と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
比較例７
実施例１１における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例１１と全く同様に作成した。
【０１９６】
実施例１３
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
【０１９７】
【化５７】

【０１９８】
実施例１４
実施例１３における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は実施例１３と全く同様にして本発明で用いられる電子写真感光体を作成した。
比較例８
実施例１３における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例１３と全く同様に作成した。
【０１９９】
比較例９
参考例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は参考例１と全く同様に作成した。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
【０２００】
【化５８】

塩化メチレン １００部
【０２０１】
比較例１０
比較例９における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は比較例９と全く同様に作成した。
比較例１１
比較例９における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は比較例９と全く同様に作成した。
【０２０２】
比較例１２
参考例１における電荷輸送層用塗工液を以下のものに変更した以外は、参考例１と全く同様に作製した。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
【０２０３】
【化５９】

塩化メチレン １００部
【０２０４】
比較例１３
比較例１２における電荷輸送層の膜厚を１９μｍとした以外は比較例１２と全く同様に作成した。
比較例１４
比較例１２における電荷輸送層の膜厚を２５μｍとした以外は比較例１２と全く同様に作成した。
【０２０５】
以上のように作製した実施例１〜１４、及び参考例１〜２と比較例１〜１４の電子写真感光体を実装用にした後、図１に示す構成の装置に搭載し、たけのこチャートを用いて画像を形成し、解像度の評価を行なった。
また、実施例１〜１４、及び参考例１〜２と比較例９、１０、１２、１３の電子写真感光体を３万枚のランニングテストを行ない、３万枚目の画像も同様に解像度の評価を行なった。
結果をあわせて表１に示す。
【０２０６】
【表１】

【０２０７】
【発明の効果】
以上、詳細且つ具体的に説明したように、本発明の電子写真プロセスは、解像度の高い高画質を与える優れた電子写真プロセスであり、繰り返し使用においても長期的に高画質を与える極めて優れた電子写真プロセスであることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真プロセスの一例を示す模式図である。
【図２】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の別の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 感光体
２ 帯電器
３ 画像露光手段
４ 現像器
５ 転写帯電器
６ 分離帯電器
７ クリーニング装置
２１ 導電性支持体
２３ 感光層
２５ 下引き層
３１ 電荷発生層
３３ 電荷輸送層

Claims (8)

1. 感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（１）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
   

   

   式中、Ｒ ₇ 、Ｒ ₈ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₁ 、Ａｒ ₂ 、Ａｒ ₃ は同一又は異なるアリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
   

   

   式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）または、
   

   

   （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁とＲ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。
2. 感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（２）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
   

   

   式中、Ｒ ₉ 、Ｒ ₁₀ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₄ 、Ａｒ ₅ 、Ａｒ ₆ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
3. 感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（３）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
   

   

   式中、Ｒ ₁₁ 、Ｒ ₁₂ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₇ 、Ａｒ ₈ 、Ａｒ ₉ は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
4. 感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（４）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
   

   

   式中、Ｒ ₁₅ 、Ｒ ₁₆ 、Ｒ ₁₇ 、Ｒ ₁₈ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₁₃ 、Ａｒ ₁₄ 、Ａｒ ₁₅ 、Ａｒ ₁₆ は同一又は異なるアリレン基、Ｙ ₁ 、Ｙ ₂ 、Ｙ ₃ は単結合、置換若しくは無置 換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
5. 感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（５）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
   

   

   式中、Ｒ ₂₁ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₂₀ 、Ａｒ ₂₁ 、Ａｒ ₂₂ 、Ａｒ ₂₃ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
6. 感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（６）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
   

   

   式中、Ｒ ₂₂ 、Ｒ ₂₃ 、Ｒ ₂₄ 、Ｒ ₂₅ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₂₄ 、Ａｒ ₂₅ 、Ａｒ ₂₆ 、Ａｒ ₂₇ 、Ａｒ ₂₈ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
7. 感光体の周囲に、帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、定着手段及びクリーニング手段を具備した電子写真プロセスにおいて、該電子写真プロセスに用いられる電子写真感光体の感光層の膜厚が２０μｍ以下であり、かつ支持体から最も離れた最表層に下記一般式（７）で表わされる構造部分を有するポリカーボネート高分子電荷輸送物質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴とする電子写真プロセス。
   

   

   式中、Ｒ ₂₆ 、Ｒ ₂₇ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ ₂₉ 、Ａｒ ₃₀ 、Ａｒ ₃₁ は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
8. 上記電子写真プロセスで使用される電子写真感光体の感光層が電荷発生層と電荷輸送層の積層構造で構成され、高分子電荷輸送物質が該電荷輸送層に含有されることを特徴とする請求項１乃至請求項７記載のうちの何れかの電子写真プロセス。

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