JP3859770B2 - 画像形成法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体及びそれを用いた画像形成法に関し、より詳しくは長寿命電子写真感光体及び該電子写真感光体への荷電方式が接触帯電法である画像形成法に関する。
本発明の電子写真感光体及びそれを用いた画像形成法は、複写機、ファクシミリ、レーザープリンタ、ダイレクトデジタル製版機等に応用される。
【０００２】
【従来の技術】
画像形成法を用いた複写装置としては前記した装置が挙げられる。これらの複写装置では感光体として従来、セレン感光体やアモルファス・シリコン感光体が使用されてきたが、コストが高い、製造工程が煩雑である、使用上の制約が多い、セレン系では環境上の問題があるなどの理由から、近年では優れた感光特性、低コスト、製造の容易性等の面で有機系感光体が多く使用されるようになってきている。しかし、現用の有機感光体は硬度が低いため、前記感光体に比して耐摩耗性が劣る、長期に亘って使用すると電子写真特性が変化する等の不具合が生じていた。
【０００３】
ところで感光体に画像を形成するためにはまず、感光体に電荷を付与する必要がある。そのための帯電法はコロナ帯電法が一般的に使われているが、オゾンなどの人体に影響を及ぼす化学種の発生があるため、近年では環境的な配慮からローラーやブラシを用いた接触帯電法（特開昭６３−１４９６６８号公報、特開昭６３−１４９６６８号公報、特開平７−２８１５０３号公報等）が使用されるようになっている。
【０００４】
コロナ帯電法は非接触で大面積の感光体にソフトに電荷を付与するという点で好適な方式であり、感光体にピンホールがあってもそのピンホールに付随して生じる異常画像の発生は少ないため、前記した複写装置には未だ多く使用されている。しかしながら、帯電器を構成するチャージワイヤーには４０００〜７０００ボルトもの高電圧が印加されるため、感光体への電荷付与と同時に多量のオゾンを発生し、生体系に悪影響を与えるという問題がある。さらに、空気を構成する窒素と作用し窒素酸化物を形成し、さらに水分と作用し硝酸となり、これが感光体に作用することによって、解像度低下を引き起こし、さらにひどくなると、画像流れを起こす。また、感光層中に滲入すると、電子写真特性や機械特性を劣化させ、感光層の削れを促進し、感光体の寿命を早めるという問題点が指摘されている。
【０００５】
帯電部材を感光体に接触させて電荷を付与する方式（接触帯電法）にはローラー帯電法、ブラシ帯電法、ブレード帯電法などがある。これらの方式では帯電部材への印加電圧として１０００〜２０００ボルト程度の比較的低い電圧とするため、オゾンや窒素酸化物の発生量はコロナ放電法に比べてオゾンは１／１００の０．２ｐｐｍ程度、窒素酸化物は１／１０の０．０３ｐｐｍ程度と少なく、生体系に及ぼす影響は大幅に緩和される。
【０００６】
しかしながら、接触帯電法であるため、現像剤を構成するキャリアや固まったトナーが帯電部材の下に入り込んだ場合圧接されて、感光体にピンホールが発生し放電破壊が起こりやすくなる。ピンホールが生じると電荷リークを起こし、電圧低下を起こし、そのため帯電部材が接触している長手方向全面にわたって異常画像を引き起こす。さらに帯電の際発生したコロナ生成物は少なくなったとはいえ、離散する量が少ないので、コロナ生成物がそのまま付着し、コロナ放電法と同様に解像度低下、画像流れ等を引き起こし、さらには感光層の劣化に至る。また、帯電部材が帯電中は常時感光体に接触しているため感光体の摩耗が少なからず発生し、この摩耗により帯電の不均一性が起こり、白筋、黒筋などの異常画像を起こし、さらには削れの部分からのコロナ生成物の滲入が発生し、感光体寿命が短くなるという問題点が指摘されている。
【０００７】
前記複写装置に搭載される有機感光体としては単層型の感光体、電荷輸送層を支持体から最も隔離された位置に有する機能分離型の感光体が使用される。しかしながら、これまでの感光体は電荷輸送層が低分子で構成されていたため、摩耗しやすく、また長時間の使用で帯電時に生成されたコロナ生成物が感光体に影響を及ぼし、前記したような解像度低下、画像流れ、帯電特性、感度変化等が現れ、感光体寿命が短くなるという問題点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
したがって本発明の目的は、上記問題に鑑み、感光層が摩耗しにくく、電気特性の劣化が少なく、画像欠陥の発生が少ない電子写真感光体とこれを用いる接触帯電法による電荷付与手段の画像形成法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、感光層が摩耗する原因及び感光体特性が劣化を起こす原因としては、電荷輸送層が不均一となっているためストレスが均等にかからないこと、さらにその層が低分子の輸送物質で構成されるため、機械特性（硬度、引っ張り強度など）及び化学的特性が本質的に弱いこと等のためとの考えの下で、前記問題点を解決するために鋭意検討した結果、特定の高分子の輸送物質を含有した層を支持体から最も離れた最表層に有する電子写真感光体を、接触帯電法を用い、しかも帯電電位を７００ボルト以下好ましくは６００〜３００ボルトで帯電する画像形成法で使用することによって、摩耗が少なく電気特性の劣化及び画像欠陥の発生が少ないことを見い出し本発明を完成するに至った。
【００１０】
本発明に使用される画像形成法について図１を用いて説明する。
本発明に使用される感光体（１）は後程詳述する図２〜４に示される構成のものであり、感光体は導電性支持体から最も離れた最表層に高分子輸送物質を含有した層を有する単層型ないし機能分離型の感光体である。
【００１１】
図１における帯電装置（２）について勘案すると、感光体に潜像を形成するための電荷付与手段は接触帯電法であるが、コロナ帯電法を用いた場合には前記したように、非接触なため帯電ローラのように帯電装置による感光体の摩耗がなく、感光体のピンホールの影響が現れにくいというメリットがあるものの、人体及び感光体に有害なコロナ生成物を発生する。
【００１２】
コロナ生成物はコロナ帯電器を構成するチャージワイヤーに印加される電位が高くなるほど発生量が多くなり、オゾンでは印加電圧が高くなるにつれ指数関数的に、窒素酸化物はおおよそリニアーに増加する傾向にある。したがって、印加電圧を下げるほど急激に生成物が低下し、感光体が受ける影響が抑制される。これは接触帯電法を用いた場合でもほぼ同様と考えられる。
【００１３】
一般に、感光体の帯電電位は７００〜１０００ボルト程度で使用されることがほとんどである。表面電位を高くするのは良好なＳＮ比、高いコントラストを得るためであるが、電位が高くなるにつれコロナ生成物の影響も多くなり、また、支持体からの不均一な電荷注入が起こりやすくなるため、感光体の劣化が大きくなるという問題が生じる。したがって、感光体の高寿命化を図るためには感光体の帯電電位を適度に下げて使用することが望ましい。好ましい帯電電位としては感光体の膜厚によっても左右されるが、２０〜４０μｍの一般的な感光層膜厚では７００ボルト以下で使用するのが望ましく、好ましくは６００〜３００ボルトである。帯電電位の感光体の表面電位は低いほどダメージが少なくなり、感光体の耐久化には有利となる。特に本発明で使用される感光体は従来の低分子の輸送物質を含有した感光体に比べ有利である。膜厚が薄くなると過剰な電界が感光層に架かることになるので、上記範囲より低くする必要が生じることもあるため、さらに低くする必要も出てくるが、あまり薄くすると機械的な耐久性に問題が出てくるので、せいぜい１０〜１５μｍが限度である。この場合でも３００ボルトでも実用性のある画像を出すことが可能である。この点でも本発明に使用される感光体は有利である。
【００１４】
さらに高耐久化を望むためにはコロナ生成物の影響を抑制することが望ましい。この手段としてはいくつかの方法があるが、コロナ帯電器を使用する場合について若干説明すると、コロナ生成物を排除するような物質、例えば活性炭素繊維からなるシートをチャージワイヤーに沿って張り付けるか、オゾンを分解する物質、例えばリモネンを含有する液体を帯電装置のケーシングの内側に塗布する方法、さらにはグリッドを紙形態の活性炭素繊維のシートを構成する方法、ケーシング自体を生成物を吸着する機能を有する物質で構成する方法などがある。
【００１５】
さらにいずれの装置にも緩やかな風の流れを生じる排気装置を付設し、オゾンなどの生成物の滞りをなくするようにするのは当然である。オゾンは印加電圧が高くなるほど発生量が急増するので、できるだけ放電効率のよい、すなわち、低い電圧でも所定の帯電電位が得られる構造、すなわち、タングステンワイヤーとグリッドの距離、シールドの距離の適性化を行い、低い電圧でも安定した放電特性が得られるような構造のものが望ましい。
【００１６】
放電効率を上げ、コロナ生成物を少なくする方式としての一例としては、タングステンワイヤーに変えて針電極にする方式も提案（古川、石井他：９２年電子写真学会春期討論会）されている。これらの考え方は接触帯電法でも同様で、可能な限りコロナ生成物の影響を排除する手段をとることが良質の画像を長期にわたって維持し得ることになる。
【００１７】
本発明の画像形成プロセスに関する図１を再び参照して、接触帯電装置（２）の後に設けられる画像露光系（３）はアナログ方式の複写装置では原稿をハロゲンランプや蛍光灯で照射し、原稿と逆の像を感光体上に結像させるが、デジタル方式の場合は原稿像をＣＣＤ（電荷結合素子）で読み取り、デジタル変換したＬＤ光若しくはＬＥＤ光をドットの形で感光体面に照射させる。この処置により、原稿に対応した潜像が感光体に形成される。
【００１８】
次いで、この潜像は現像装置（４）により可視像化される。現像装置における現像剤には一成分と二成分系があり、このいずれも本発明には使用可能である。例えば二成分の現像剤は７０〜１２０μｍの磁性粉と７〜１２μｍ程度のトナーで構成され、摩擦帯電で互いに逆極性に帯電している。
【００１９】
このようにして得られた可視像は転写ベルト（５）により被転写紙（９）に転写され、分離装置により感光体より剥離され、定着装置（８）に送られハードコピーとなる。一方、感光体上のトナー像はブレード式のクリーニング装置（６）で清掃され、除電器（７）により感光体（１）の内部電荷が消去され、一連の複写プロセスは終了する。
【００２０】
以上説明したように感光体の寿命は主として感光層の摩耗とコロナ生成物の作用で左右されるが、特定の高分子を含有した層を導電性支持体から最も隔離された位置に有する感光体を帯電法で該感光体に電荷を付与する方式の画像形成法によっても、特には低印加電圧とした接触帯電法による画像形成法を使用することによって、従来に比して耐摩耗性に優れ、感度変化を起こしにくく、帯電特性も良好な特性を達成できる。
【００２１】
次に、本発明で用いられる電子写真感光体を図２〜４を用いて説明する。
図２は、本発明において用いられる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体（２１）上に、感光層（２３）が形成されたものである。
【００２２】
図３は、別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に、電荷発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光層（２３）が形成されたものである。
【００２３】
図４は、更に別の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層（２３）との間に下引き層（２５）が形成されたものである。
【００２４】
次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送物質について述べる。
本発明に用いられる高分子電荷輸送物質として、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質が有効に用いられる。一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示す。
【００２５】
【化１３】

式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
【００２６】
【化１４】

式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）又は、
【００２７】
【化１５】

（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁とＲ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００２８】
一般式１の具体例
Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００２９】
アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００３０】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ₄は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。
Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００３１】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００３２】
上記のアリール基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。
【００３３】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００３４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００３５】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００３６】
【化１６】

一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。
１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
【００３７】
また、芳香環を有するジオールとしては、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００３８】
【化１７】

式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００３９】
一般式２の具体例
Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、又は
【００４０】
【化１８】

（ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）
【００４１】
【化１９】

【００４２】
【化２０】

【００４３】
【化２１】

【００４４】
【化２２】

を表わす。
【００４５】
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と同じ意味を有する。
【００４６】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００４７】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００４８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【００４９】
【化２３】

式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義したアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基としては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
【００５０】
（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等。
【００５１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００５２】
【化２４】

一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じものが挙げられる。
【００５３】
【化２５】

式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００５４】
一般式３の具体例
Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００５５】
また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示されるアリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００５６】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００５７】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００５８】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００５９】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００６０】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００６１】
【化２６】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００６２】
【化２７】

式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００６３】
一般式４の具体例
Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００６４】
また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００６５】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００６６】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００６７】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００６８】
【化２８】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００６９】
【化２９】

式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００７０】
一般式５の具体例
Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００７１】
また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示されるアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００７２】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００７３】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００７４】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【００７５】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００７６】
前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げられる。
【００７７】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００７８】
【化３０】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００７９】
【化３１】

【００８０】
式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００８１】
一般式６の具体例
Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００８２】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８３】
また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及びＲ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【００８４】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００８５】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００８６】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００８７】
前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なっていてもよい。
【００８８】
このアルキレン基としては、上記（２）で示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
【００８９】
同シクロアルキレン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【００９０】
同アルキレンエーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【００９１】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００９２】
【化３２】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【００９３】
【化３３】

式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよい。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【００９４】
一般式７の具体例
Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００９５】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００９６】
また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが挙げられる。
また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【００９７】
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【００９８】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【００９９】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１００】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１０１】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１０２】
【化３４】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１０３】
【化３５】

式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１０４】
一般式８の具体例
Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１０５】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１０６】
また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
【０１０７】
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１０８】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１０９】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１１０】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１１１】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１１２】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１１３】
【化３６】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１１４】
【化３７】

式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１１５】
一般式９の具体例
Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１１６】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１１７】
また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１１８】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１１９】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１２０】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１２１】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
【０１２２】
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１２３】
前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２４】
【化３８】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１２５】
【化３９】

式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じである。
【０１２６】
一般式１０の具体例
Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１２７】
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２８】
また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【０１２９】
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【０１３０】
（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
【０１３１】
（４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１３２】
（５）置換メルカプト基又はアリールメルカプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
（７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１３３】
前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３４】
【化４０】

一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが挙げられる。
【０１３５】
導電性支持体（２１）としては、体積抵抗１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などで表面処理した管などを使用することができる。
【０１３６】
本発明における感光層（２３）は、単層型でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型について述べる。
はじめに、電荷発生層（３１）について説明する。電荷発生層（２１）は、電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【０１３７】
一方、有機系材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１３８】
電荷発生層（３１）に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。また、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂の他に、先に記した一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が良好に用いられるが、その他の高分子電荷輸送物質として以下のものが挙げられる。
（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重合体
例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメチルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有する特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシアリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させることにより得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合物等が例示される。
（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重合体
例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロルメチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成されるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合により生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチレン化合物等が例示される。
（ｃ）ポリシリレン重合体
例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ（ｎ−プロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９７号公報記載の
−(Ｓｉ(R₁)(R₂)）−、又は
【０１３９】
【化４１】

の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（R₁、R₂、R₃、R₄はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基等）の化合物等が例示される。
（ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する重合体
例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び特開平１−１９０４９号公報記載の一般式
【０１４０】
【化４２】

を有するアリールアミン樹脂化合物
（ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ₂−、−(ＣＨ₂)₂−、−(ＣＨ₂)₃−及び−(ＣＨ₂)₄−、Ｒ”は−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｙ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｏ−ＣＯ−（Ｙは−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)₂−等）、ｍは０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１−１７２８号公報記載の
R-[O-A-O-CH₂-CH(OR)-CH₂-O-Ｂ-O-CH₂-CH(OR)-CH₂]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)₂−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公報記載の
【０１４１】
【化４３】

（ｎ₁は１〜１０、ｎ₂は０〜４、ｎ₃は０〜５、ｍは０〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、構造単位
【０１４２】
【化４４】

（Ｒ₁、Ｒ₂はアルキル、アリール、アラルキル、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は２価の芳香族残基、ｌは０以上の整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜６の整数）を有する化合物等が例示される。
（ｅ）その他の重合体
例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインドロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
【０１４３】
本発明に使用される電子供与性基を有する重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示されているような、
【０１４４】
【化４５】

電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能である。更に必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加してもよい。
【０１４５】
電荷輸送層（３１）に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
【０１４６】
電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４７】
正孔輸送物質としては、以下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１４８】
電荷発生層（３１）を形成する方法には、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく挙げられる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
【０１４９】
また、後述のキャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
【０１５０】
次に、電荷輸送層（３３）について説明する。
電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０⁵Ｖ／ｃｍの電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特に良好に使用される。また、必要により適当なバインダー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。
【０１５１】
電荷輸送層（３３）に併用できるバインダー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上の混合物として用いることができる。
【０１５２】
電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層（３３）の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
また、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。
【０１５３】
可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適当である。
【０１５４】
次に、感光層（２３）が単層構成の場合について述べる。
キャスティング法で単層感光層を設ける場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用いることができる。
また、必要により可塑剤やレベリング剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用いることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。
【０１５５】
本発明に用いられる電子写真感光体には、導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【０１５６】
さらに、本発明における感光体の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルーゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。
この他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１５７】
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
本発明に用いることができる酸化防止剤として、下記のものが挙げられる。
【０１５８】
モノフェノール系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなど。
【０１５９】
ビスフェノール系化合物
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）など。
【０１６０】
高分子フェノール系化合物
１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル、トコフェノール類など。
【０１６１】
パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１６２】
ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１６３】
有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネートなど。
【０１６４】
有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１６５】
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品として容易に入手できる。
本発明における酸化防止剤の添加量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは２〜３０重量部である。
【０１６６】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算出して１００±２０の範囲であった。（共重合体の場合は繰り返し単位合計として１００±２０の範囲）
【０１６７】
参考例１
φ６０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。
【０１６８】
［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂 ６部
（ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂 ４部
（スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）
酸化チタン ４０部
メチルエチルケトン ２００部
【０１６９】
［電荷発生層用塗工液］
下記構造のジスアゾ顔料 ２．５部
【０１７０】
【化４６】

ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．５部
シクロヘキサノン ２００部
メチルエチルケトン ８０部
【０１７１】
［電荷輸送層用塗工液］
下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部
【０１７２】
【化４７】

【０１７３】
【化４８】

塩化メチレン １００部
【０１７４】
実施例１
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
【０１７５】
【化４９】

【０１７６】
【化５０】

【０１７７】
【化５１】

【０１７８】
参考例２
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
【０１７９】
【化５２】

【０１８０】
【化５３】

【０１８１】
参考例３
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
【０１８２】
【化５４】

【０１８３】
【化５５】

【０１８４】
【化５６】

【０１８５】
参考例４
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
【０１８６】
【化５７】

【０１８７】
【化５８】

【０１８８】
【化５９】

【０１８９】
【化６０】

【０１９０】
参考例５
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
【０１９１】
【化６１】

【０１９２】
【化６２】

【０１９３】
【化６３】

【０１９４】
【化６４】

【０１９５】
参考例６
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
【０１９６】
【化６５】

【０１９７】
【化６６】

【０１９８】
参考例７
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
【０１９９】
【化６７】

【０２００】
【化６８】

【０２０１】
【化６９】

【０２０２】
【化７０】

【０２０３】
参考例８
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
【０２０４】
【化７１】

【０２０５】
【化７２】

【０２０６】
【化７３】

【０２０７】
参考例９
参考例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物質を以下の構造のものに変えた以外は参考例１と全く同様にして本発明における電子写真感光体を作製した。
示した。
【０２０８】
【化７４】

【０２０９】
【化７５】

【０２１０】
【化７６】

【０２１１】
【化７７】

【０２１２】
【化７８】

【０２１３】
比較例１
実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造に変えた以外は、実施例１と全く同様に作製した。
［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部
（帝人：パンライトＫ１３００）
下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部
【０２１４】
【化７９】

塩化メチレン １００部
【０２１５】
以上のように作製した実施例１〜１０及び比較例１の電子写真感光体を実装用にした後、ローラ帯電方式の複写機（リコー製：スピリオ２７００）に搭載し、５万枚のランニングテストを行った。
【０２１６】
特性評価は解像度の劣化状態、感光体の表面電位の変化及び感光層の膜厚変化について行った。ランニング２５００枚／日の割合で行い、画像パターンは文字画像と写真が印刷された原稿に解像度が判定できるように、竹の子チャートを４枚張り付けたものを使用した。感光体の表面電位は非接触の表面電位計（３４４タイプ、トレック社製）、感光体の膜厚は接触型の膜厚計（渦電流式、フィシャー社製）それぞれ用いた。
【０２１７】
測定環境は２３〜２６℃／６５〜７２％ＲＨの条件で行い、感光体の初期表面電位を−１０００ボルトと−５５０ボルトの２条件に設定した。膜厚は感光体の周方向４カ所、長手方向５カ所を測定し、平均値で出した。
評価結果を表１に示す。
【０２１８】
【表１】

【０２１９】
実施例１及び参考例１〜９に示すサンプルでは一部画像の乱れがあるものの、比較サンプルに比して明らかに画像は良好であり、帯電電位を下げることによってさらに感光体の劣化程度は抑制されさらに安定した特性が保証される。比較に使用したサンプルは膜削れが大きく、それに伴う画像の乱れが発生し、耐久性は実施例に使用したサンプルに明らかに劣ることが確認された。
【０２２０】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的に説明したように、本発明によれば、感光体に電荷を付与する手法として接触帯電法を用いた複写装置であっても、高分子輸送物質を含有した感光層を支持体より最も隔離した層に有する感光体を用いることによって、従来の低分子輸送物質を感光層に有する感光体に比べて遥かに耐久性があり、良好な画像を保証でき、さらに画像形成に必要な帯電電位を下げることによって、感光体が受けるダメージが低下するため、ＳＮ比が向上しさらなる高耐久化の維持が可能となるという極めて優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の画像形成法の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の画像形成法に用いる電子写真感光体の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の画像形成法に用いる電子写真感光体の別の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の画像形成法に用いる電子写真感光体の更に別の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 感光体
２ 帯電装置
３ 画像露光系
４ 現像装置
５ 転写ベルト
６ クリーニング装置
７ 除電器
８ 定着装置
９ 被転写紙
２１ 導電性支持体
２３ 感光層
２５ 下引き層
３１ 電荷発生層
３３ 電荷輸送層

Claims (1)

1. 接触帯電法により感光体に電荷を付与し、画像信号を感光体面に照射することにより潜像を形成し、現像剤により顕像化する画像形成法において、該画像形成法で使用される電子写真感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式２で表わされる高分子電荷輸送物質であり、かつ帯電電位を６００〜３００ボルトに設定して行なうことを特徴とする画像形成法。
   

   

   式中、Ｒ_７、Ｒ_８は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３は同一又は異なるアリレン基を表わす。ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を表わす。
   

   

   式中、Ｒ _１０１ 、Ｒ _１０２ は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ _２ −、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）または、
   

   

   （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ _１０３ 、Ｒ _１０４ は置換又は無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ _１０１ とＲ _１０２ 、Ｒ _１０３ とＲ _１０４ は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

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