JPH09311492A - 画像形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接触帯電法を使用しても、感光層が摩耗しに
くく、電気特性の劣化が少なく、画像欠陥の発生が少な
い電子写真感光体とそれを使用する画像形成法を提供す
ること。 【解決手段】 接触帯電法により感光体に電荷を付与
し、画像信号を感光体面に照射することにより潜像を形
成し、現像剤により顕像化する画像形成法において、接
触帯電法に使用される帯電部材が吸着機能を有する無機
繊維であり、該画像形成法に用いられる電子写真感光体
の支持体からもっとも離れた最表層に高分子電荷輸送物
質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴
とする画像形成法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体及
びそれを用いた画像形成法に関し、より詳しくは長寿命
電子写真感光体及び接触帯電器、特には接触帯電器の帯
電部材として吸着機能を有する無機繊維を用いた画像形
成法に関する。本発明の電子写真感光体及びそれを用い
た画像形成法は、電子写真複写機、ファクシミリ、レー
ザープリンタ、ＬＥＤプリンタ、ダイレクトデジタル製
版機等に応用される。

【０００２】

【従来の技術】画像形成法を使用した複写装置は例え
ば、電子写真複写機、ファクシミリ、レーザービームプ
リンタ、ＬＥＤプリンタ等がある。これらの複写装置で
は感光体として従来、セレン感光体やアモルファス・シ
リコン感光体が使用されてきたが、コストが高い、製造
工程が煩雑である、使用上の制約が多い、セレン系では
環境上の問題がある等の理由から、近年では優れた感光
特性、低コスト、製造の容易性等の面で有機感光体が多
く使用されるようになっている。しかし、有機感光体は
硬度が低い故に前記感光体に比して耐摩耗性が劣る、長
期的に使用すると電子写真特性が変化するなどの不具合
があった。

【０００３】画像形成法に関しては次のとおりである。
感光体に潜像を形成するためにはまず、感光体に電荷を
付与する必要がある。そのための帯電装置としてはコロ
ナ帯電法が一般的であるが、オゾンなどの人体に有害な
化学種を発生するため、近年では環境的な配慮からロー
ラやブラシを用いた接触帯電法（特開昭６３−１４９６
６８号公報、特開平５−２２３５１３号公報、特開平７
−２８１５０３号公報等）が使用されてきている。

【０００４】コロナ帯電法は非接触で大面積の感光体に
ソフトに電荷を付与するに好適な帯電法であり、感光体
にピンホールがあってもそのピンホールに付随して生じ
る異常画像の発生は極めて少ないため、前記した複写装
置には未だ多く使用されている。しかしながら、帯電器
を構成するチャージワイヤーには４０００〜７０００ボ
ルトもの高電圧が印加されるために、感光体に電荷が付
与されると同時に多量のオゾンを発生し、生体系に悪影
響を与えるという問題点がある。さらに、空気中の窒素
と反応し窒素酸化物（Ｎｏｘ）を形成し、さらに水分と
作用し硝酸となり、これが感光体に作用することによっ
て、解像度低下、ひどい場合には画像流れを起こす。感
光層中に影響が及ぶと電子写真特性や機械特性を劣化さ
せ、感光層の削れを促進し、感光体の寿命を早めるとい
う問題が指摘されている。

【０００５】一方、帯電部材を感光体に当接して電荷を
付与する接触帯電法（ローラ帯電法、ブラシ帯電法等）
では、印加電圧として１０００〜２０００Ｖ程度の比較
的低い電圧を帯電装置に印加するため、オゾンや窒素酸
化物の発生量は、夫々コロナ帯電法の１／１００、１／
１０と少なく、生体系に及ぼす被害は、大幅に改善され
る。

【０００６】しかし直接帯電法であるため、感光体に放
電破壊現象が起こりやすく、ピンホールが生じた部分で
は電荷リークのために電位低下を起こし、ローラに沿っ
て異常画像が発生する。さらに、接触帯電のため感光体
を摩耗させ易く帯電低下、感度変化を起こし画像上、黒
スジや白スジが発生する。さらに帯電の際のコロナ生成
物が少なくなったとはいえ、離散することなく感光体へ
直接作用するため、画像流れや感光体の特性変化は少な
からず発生する。

【０００７】前記複写装置に搭載される有機感光体とし
ては単層型の感光体、電荷輸送層を最上層に持つ機能分
離型の感光体が使用される。しかしながら、これまでの
感光体は電荷輸送層の材料が低分子の電荷輸送物質で構
成されるため、前記帯電ローラや、現像剤、クリーニン
グブレードなどの接触体で感光層が摩耗しやすく、また
長時間の使用で帯電時に生成されたコロナ生成物が感光
体に作用し、前記したような解像度低下、画像流れ、帯
電特性、感度の変化等が現れ感光体の寿命を短くすると
いう問題点があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、上記問題に鑑み、接触帯電法を使用しても、感光
層が摩耗しにくく、電気特性の劣化が少なく、画像欠陥
の発生が少ない電子写真感光体とそれを使用する画像形
成法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、感光層が
摩耗する原因及び感光体特性が劣化を起こす原因として
は、電荷輸送層が不均一であるために、ストレスが均等
にかからないこと、さらにその層が低分子の輸送物質で
構成されるために、機械的（硬度、引っ張り強度など）
及び化学的特性が本質的に弱いこと等のためとの考えの
下で、前記問題点を解決するために鋭意検討した結果、
特定の高分子の電荷輸送物質を含有した層を最表層に有
する電子写真感光体を、吸着機能を有する無機繊維を主
体とする帯電部材で構成される接触帯電法で帯電する画
像形成法を使用することによって、電気特性の劣化及び
画像欠陥の発生が少なく、しかも摩耗が少ないことを見
い出し本発明を完成するに至った。

【００１０】本発明に係る画像形成法についてこの方法
に用いられる図１の画像形成装置の概要例を用いて説明
する。本発明に使用される感光体（１）は後程詳述する
図２〜４に示される構成のものであり、本感光体（１）
は導電性支持体から最も離れた位置に高分子輸送物質を
含有した層を有する単層型ないし機能分離型の感光体を
用いる。

【００１１】次に潜像形成するために必要な電荷付与手
段として接触帯電法を用いる。接触帯電法にはローラ帯
電法、ブラシ帯電法、ブレード式の帯電法などがある
が、図１に示されるものブレード式の帯電法の例であ
る。

【００１２】接触帯電法を使用するメリットはコロナ帯
電法に比べて１／３〜１／５程度の低い印加電圧で潜像
形成に必要な表面電位３００〜１０００ボルトが得られ
ること、そのため（印加電圧が低いため）オゾンや窒素
酸化物等のコロナ生成物の発生が少なく、生体系への影
響が抑制されること等である。ただし、直接帯電法であ
り、異物混入が避けられないため、感光体が電気的、機
械的にダメージを受けやすく、放電破壊を起こしやすい
こと、感光層の削れを与えやすいこと等があり、感光体
にピンホールが生じた場合、異常画像が発生しやすいこ
と等の問題点があるが、これらはいずれも本発明に記載
の特定の高分子輸送物質で構成される感光体を用いるこ
とで、従来の感光体（低分子の輸送物質を用いた感光
体）に比べ改善度は大きい。

【００１３】さらには、感光体の長寿命化と高画質化維
持を図るために、以下のような方策が考えられる。感光
体寿命にはコロナ生成物の排除は不可欠であることか
ら、接触帯電装置の帯電部材をコロナ生成物を排除する
ような構成手段、例えば、帯電ロールを中空にして排気
する方法、帯電部材をコロナ生成物を吸着するような材
料、触媒作用を持つ材料（例えば活性炭、シリカゲル、
ゼオライト、活性アルミナ等の物質と導電性粉末を混合
し結着樹脂に分散する）を用いて帯電部材を構成した
り、帯電ローラにコロナ生成物を吸着するような部材を
当接し、付着した異物を除去する方法などがある。吸着
機能を有する無機繊維、特には活性炭素繊維を帯電部材
に使用した場合には、繊維に無数の５〜２５μｍのミク
ロポアがあいており、そのポアにコロナ生成物が吸着さ
れるため、帯電装置に使用した場合、コロナ生成物の発
生量を皆無にすることが可能である。帯電装置に使用す
る帯電部材は数十μｍの繊維の集合体であるので、１０
０％繊維の場合最も吸着特性に優れており、感光体への
接触もソフトであり、繊維自体の電気抵抗が１００オー
ム前後と極めて低いため、環境変動による帯電特性の変
動もなく安定な帯電性が得られる。また、本帯電装置を
使用した場合には繊維状であるため、異物が帯電装置の
中に入り込むことは少なく、大半の異物は帯電部材の入
り口でせき止められるため、異物による感光体の削れは
少ない。しかし、異物が金属粉やトナーの固形物のよう
な場合には傷つくこともある。そのため、感光体のダメ
ージを極力回避するために、帯電装置の当接圧は帯電電
位が均一化できる範囲で、できるだけ低く押さえること
が必要である。

【００１４】活性炭素繊維は目的に応じてトウ、フェル
ト、織物、チップ、紙などの各種形態があるが、帯電部
材に使用できる形態は限られる。帯電部材としてはオゾ
ンや窒素酸化物の吸着機能に優れること、通気性が大で
あること、耐久性があり、感光体にソフトに接触し傷つ
けにくいこと、粉塵を発生しないこと、感光体を変質さ
せないこと、異質な繊維の混入がないこと等の要件が必
要である。具体的な部材としてはポリニトリルアクリル
系繊維の素材で作製されたもので、機械的強度が１５ｋ
ｇ／ｃｍ程度あるいはそれ以上、目付が１００ｇ／ｃｍ
²程度の織物状の形態のものが好適である。織り目は細
かいほど望ましい。ポリアクリルニトリル系の繊維で作
製されたものはオゾン、窒素酸化物の吸着特性がセルロ
ース系、フェノール系、ピッチ系などの繊維を原材料と
するものより数段優れている。

【００１５】ところで、前記したように、帯電部材の電
気抵抗が数十オームと低いことと、異物特に化学物質、
金属粉の混入が少ないとはいえ、完全に回避はできない
こと、さらには放電破壊に対しての余裕度はローラ方式
に比べて高い（ローラに分散される抵抗制御剤や異物混
入による感光体削れなどが少ない）が、何らかの異常が
あった場合、放電破壊に対しても余裕度のある本発明の
感光体であっても、放電破壊の危険性を否定することは
できない。放電破壊現象を発生させないためには本方式
の場合、帯電電位を下げることにより発生を皆無にする
ことができる。

【００１６】通常、画像形成には７００〜１０００ボル
トあるいは１２００ボルトに帯電して作像されるが、放
電破壊の観点から帯電電位は低い方が安定した画像が得
られる。本発明に用いられる帯電装置では、８００ボル
トで使用しても従来の帯電ローラのように放電破壊する
ことはないが、できれば７００ボルト以下で使用するこ
とが望ましく、好ましくは７００〜３００ボルトの範囲
である。帯電電位が３００ボルト以下になると画像形成
に必要な十分なコントラストが得られにくくなる。

【００１７】画像形成に必要なコントラスト電位は２０
０ボルト以上あればよく、４００ボルト前後のコントラ
スト電位で十分な画像が得られる。帯電部材には通常直
流の電圧を印加するが、帯電電位の均一性をより一層必
要とする場合には交流を重畳した直流電圧を印加する手
段もある。ただし、この方式では交流電圧のピーク値で
放電破壊する可能性があるので重畳する電位は必要以上
に上げることは禁物である。

【００１８】画像露光系（３）はアナログ方式の複写装
置では原稿をハロゲンランプや蛍光灯で照射し、原稿と
逆の像を感光体上に結像させる。デジタル方式の場合に
は原稿像をＣＣＤ（電荷結合素子）で読み取り、デジタ
ル変換したＬＤ光若しくはＬＥＤ光をドットの形で感光
体面に照射し結像できる。この処置により、原稿に対応
した潜像が感光体に形成される。

【００１９】次いで、この潜像は現像装置（４）により
可視像化される。現像装置（４）における現像剤には一
成分と二成分系があり、このいずれも本発明には使用可
能である。例えば二成分の現像剤は７０〜１２０μｍの
磁性粉と７〜１２μｍのトナーの混合物で、互いに逆極
性に帯電している。感光体の摩耗は現像剤によっても行
われ、摩耗要因の約半分が現像剤で占められる。

【００２０】この可視像は転写装置（５）により被転写
紙（１１）に転写され、分離装置（６）により感光体
（１）より剥離され、定着装置（１０）に送られハード
コピーとなる。一方感光体（１）上のトナー像はブレー
ド式のクリーニング装置（８）で清掃され、（光）除電
器（９）により感光体（１）の内部電荷が消去され、一
連の複写プロセスは終了する。

【００２１】感光体の寿命は主として前記したように感
光層摩耗とコロナ生成物及び放電破壊で左右されるが、
特定の高分子輸送物質で構成される感光体を、本発明に
おける吸着機能を有する無機繊維、特には活性炭素繊維
を帯電部材とする接触帯電法（ブレード式）で７００ボ
ルト以下好ましくは６００〜３００ボルトに帯電する画
像形成法で使用することにより、従来の低分子輸送物質
で構成される感光体に比べて、耐摩耗性に優れ、電子写
真特性が安定しており、放電破壊が生じないという優れ
た特性を長期に亘って維持できる。

【００２２】次に、本発明で用いられる電子写真感光体
を図２〜４を用いて説明する。図２は、本発明において
用いられる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持
体（２１）上に、感光層（２３）が形成されたものであ
る。

【００２３】図３は、本発明における感光体の別の構成
を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に、電荷
発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光層
（２３）が形成されたものである。

【００２４】図４は、本発明における感光体の更に別の
構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光
層（２３）との間に下引き層（２５）が形成されたもの
である。

【００２５】次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質について述べる。本発明に用いられる高分子電荷輸
送物質としては、公知の高分子電荷輸送材料を用いるこ
とができる。例えば、

【００２６】（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール
環を有する重合体 例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開
昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメ
チルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公
報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特
開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリル
アミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミ
ドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４
−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有す
る特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシ
アリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］
アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール
化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させること
により得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合
物等が例示される。

【００２７】（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構
造を有する重合体 例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロル
メチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベ
ンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成さ
れるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−
５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレ
ン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合によ
り生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチ
レン化合物等が例示される。

【００２８】（ｃ）ポリシリレン重合体 例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ
（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎープロピルメチ
ルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ
（ｎープロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９
７号公報記載の−(Ｓｉ(R₁)(R₂)）−、又は

【００２９】

【化１３】 の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（R₁、R₂、
R₃、R₄はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基
等）の化合物等が例示される。 （ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する
重合体 例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−ア
ミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び
特開平１−１９０４９号公報記載の一般式

【００３０】

【化１４】 を有するアリールアミン樹脂化合物 （ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−
４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピ
レンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不
飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ₂−、−(ＣＨ₂)
₂−、−(ＣＨ₂)₃−及び−(ＣＨ₂)₄−、Ｒ”は−ＣＯ−
又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｙ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｏ−ＣＯ−（Ｙ
は−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)₂−等）、ｍ
は０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１
−１７２８号公報記載のR-[O-A-O-CH₂-CH(OR)-CH₂-O-Ｂ
-O-CH₂-CH(OR)-CH₂]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１
０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−
Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フ
ルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，
４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、
Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ
−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍ
ｅ)₂−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポ
リヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公
報記載の

【００３１】

【化１５】 （ｎ₁は１〜１０、ｎ₂は０〜４、ｎ₃は０〜５、ｍは０
〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの
（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、
構造単位

【００３２】

【化１６】 （Ｒ₁、Ｒ₂はアルキル、アリール、アラルキル、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は２価の芳香族残基、ｌは０以上の
整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜
６の整数）を有する化合物等が例示される。

【００３３】（ｅ）その他の重合体 例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特
開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインド
ロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭
５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４
−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデ
ヒド縮合樹脂化合物等が例示される。

【００３４】本発明に使用される電子供与性基を有する
重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合
体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマ
ーや、また、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開
示されているような、

【００３５】

【化１７】 電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能
である。更に必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加し
てもよい。

【００３６】本発明に用いられる高分子電荷輸送物質と
して、下記一般式１〜１０で表わされる高分子電荷輸送
物質が有効に用いられる。一般式１〜１０で表わされる
高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を示す。

【００３７】

【化１８】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００３８】

【化１９】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【００３９】

【化２０】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００４０】一般式１の具体例 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。

【００４１】アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎープロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−
ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。

【００４２】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ₄は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
と同様のものが挙げられる。Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無
置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００４３】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００４４】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００４５】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ
基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェ
ノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。

【００４６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００４７】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００４８】

【化２１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。１，３−プロパンジオール、１，４
−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，
１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパン
ジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオー
ル、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、
１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。

【００４９】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００５０】

【化２２】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００５１】一般式２の具体例 Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【００５２】

【化２３】 （ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【００５３】

【化２４】

【００５４】

【化２５】

【００５５】

【化２６】

【００５６】

【化２７】 を表わす。

【００５７】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で
示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と
同じ意味を有する。

【００５８】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ
₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００５９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−
ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００６０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。

【００６１】

【化２８】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐートリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【００６２】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【００６３】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００６４】

【化２９】 一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じ
ものが挙げられる。

【００６５】

【化３０】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００６６】一般式３の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６７】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００６８】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００６９】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００７０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００７１】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【００７２】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７３】

【化３１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００７４】

【化３２】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
１の場合と同じである。

【００７５】一般式４の具体例 Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００７６】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００７７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、
４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、
６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【００７８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００７９】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００８０】

【化３３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００８１】

【化３４】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【００８２】一般式５の具体例 Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００８３】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに
好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エト
キシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４
−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メト
キシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。

【００８４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００８５】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【００８６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００８７】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００８８】前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記
（２）のアルキル基が挙げられる。

【００８９】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００９０】

【化３５】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００９１】

【化３６】

【００９２】式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ
及びｎは、一般式１の場合と同じである。

【００９３】一般式６の具体例 Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００９４】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００９５】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【００９６】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００９７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００９８】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００９９】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。

【０１００】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【０１０１】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【０１０２】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【０１０３】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１０４】

【化３７】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１０５】

【化３８】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
じである。

【０１０６】一般式７の具体例 Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１０７】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１０８】また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９
−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈
及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀
で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。

【０１０９】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１１０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１１１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１１２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１１３】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１１４】

【化３９】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１１５】

【化４０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
同じである。

【０１１６】一般式８の具体例 Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。

【０１１７】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１１８】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１１９】（２）アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ま
しくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ
−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒド
ロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエ
チル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロ
ロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１２０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１２１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１２２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１２３】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル
アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１２４】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１２５】

【化４１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１２６】

【化４２】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【０１２７】一般式９の具体例 Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１２８】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１２９】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。

【０１３０】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１３１】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１３２】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１３３】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１３４】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１３５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１３６】

【化４３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１３７】

【化４４】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
ある。

【０１３８】一般式１０の具体例 Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１３９】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１４０】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。

【０１４１】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１４２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１４３】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１４４】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１４５】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１４６】

【化４５】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１４７】導電性支持体（２１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円
筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨な
どで表面処理した管などを使用することができる。

【０１４８】本発明における感光層（２３）は、単層型
でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積
層型について述べる。はじめに、電荷発生層（３１）に
ついて説明する。電荷発生層（２１）は、電荷発生物質
を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用
いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と
有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結
晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セ
レン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモ
ルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シ
リコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハ
ロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リ
ン原子等をドープしたものが良好に用いられる。

【０１４９】一方、有機系材料としては、公知の材料を
用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ
る。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１５０】電荷発生層（３１）に必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独
又は２種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダ
ー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いること
ができる。さらに、必要に応じて低分子電荷輸送物質を
添加してもよい。

【０１５１】電荷輸送層（３１）に併用できる低分子電
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。

【０１５２】電子輸送物質としては、例えばクロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレ
ノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリ
ニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４
オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−
５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１５３】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。

【０１５４】電荷発生層（３１）を形成する方法には、
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。

【０１５５】また、後述のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用い
て行なうことができる。以上のようにして設けられる電
荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは０．０５〜２μｍである。

【０１５６】次に、電荷輸送層（３３）について説明す
る。電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成
分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形
成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０⁵Ｖ／ｃｍの
電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を
有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を
用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリ
ールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用
される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特
に良好に使用される。また、必要により適当なバインダ
ー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。

【０１５７】電荷輸送層（３３）に併用できるバインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ
タイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上
の混合物として用いることができる。

【０１５８】電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電
荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載
したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層
（３３）の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、
好ましくは、１０〜４０μｍ程度が適当である。また、
本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレベリ
ング剤を添加してもよい。

【０１５９】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部
程度が適当である。

【０１６０】次に、感光層（２３）が単層構成の場合に
ついて述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける
場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸
送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用
いることができる。また、必要により可塑剤やレベリン
グ剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用い
ることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送
層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合
して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μ
ｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度
が適当である。

【０１６１】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの
場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２
５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着
性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を
改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられ
る。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、
これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示
できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物な
どの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述
の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形
成することができる。

【０１６２】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機
物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０１６３】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。

【０１６４】モノフェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。

【０１６５】ビスフェノール系化合物 ２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）など。

【０１６６】高分子フェノール系化合物 １，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。

【０１６７】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。

【０１６８】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

【０１６９】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。

【０１７０】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。

【０１７１】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品とし
て容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加
量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１０
０重量部、好ましくは２〜３０重量部である。

【０１７２】

【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部
を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単
位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量から算
出して１００±２０の範囲であった。（共重合体の場合
は繰り返し単位合計として１００±２０の範囲）

【０１７３】実施例１ φ８０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引
き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工
液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引
き層、０．２μｍの電荷発生層、２８μｍの電荷輸送層
を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。

【０１７４】 ［下引き層用塗工液］ アルキッド樹脂 ６部 （ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製） メラミン樹脂 ４部 （スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製） 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部

【０１７５】 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のジスアゾ顔料 ２．５部

【０１７６】

【化４６】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０１７７】 ［電荷輸送層用塗工液］ 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０１７８】

【化４７】

【０１７９】

【化４８】

【０１８０】

【化４９】

【０１８１】

【化５０】 塩化メチレン １００部

【０１８２】実施例２ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作製した。

【０１８３】

【化５１】

【０１８４】

【化５２】

【０１８５】

【化５３】

【０１８６】実施例３ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作製した。

【０１８７】

【化５４】

【０１８８】

【化５５】

【０１８９】

【化５６】

【０１９０】実施例４ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作製した。

【０１９１】

【化５７】

【０１９２】

【化５８】

【０１９３】

【化５９】

【０１９４】実施例５ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作製した。

【０１９５】

【化６０】

【０１９６】

【化６１】

【０１９７】

【化６２】

【０１９８】

【化６３】

【０１９９】実施例６ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作製した。

【０２００】

【化６４】

【０２０１】

【化６５】

【０２０２】

【化６６】

【０２０３】

【化６７】

【０２０４】実施例７ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作製した。

【０２０５】

【化６８】

【０２０６】

【化６９】

【０２０７】実施例８ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作製した。

【０２０８】

【化７０】

【０２０９】

【化７１】

【０２１０】

【化７２】

【０２１１】

【化７３】

【０２１２】実施例９ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作製した。

【０２１３】

【化７４】

【０２１４】

【化７５】

【０２１５】実施例１０ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０２１６】

【化７６】

【０２１７】

【化７７】

【０２１８】

【化７８】

【０２１９】

【化７９】

【０２２０】

【化８０】

【０２２１】比較例１実施例１における電荷輸送層用塗
工液を以下のものに変更した以外は全く同様に作成し
た。 ［電荷輸送層用塗工液］ ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部 （帝人：パンライトＫ１３００） 下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部

【０２２２】

【化８１】 塩化メチレン １００部

【０２２３】以上のように作製した実施例１〜１０及び
比較例１の電子写真感光体を実装用にした後、ブレード
式の接触帯電法で電荷を付与するように改造した電子写
真複写装置（リコー製：イマジオ４２０Ｖ）に搭載し、
Ａ３サイズ５万枚のランニングテストを行った。この実
験ではコロナ生成物の影響をできるだけ排除するため
に、図１の（７）に示される除電装置は取り外して行な
った。

【０２２４】実施例１〜１０においては帯電部材には活
性炭素繊維の織物形態（東邦レーヨン製、商品名ＦＷ２
１０）を２つ折りし、間に弾性部材としてウレタンフォ
ームを挟みこれを両側からアクリル板に固定してねじ止
めし、イマジオ４２０Ｖの主帯電装置に組み付けた。帯
電部材の抵抗は８０オーム程度である。電圧の印加は−
３０００ボルトまで出力するＤＣ電源（フルーク４１５
Ｂ）を使用した。なお、念のためピンホールが生じたと
きの電源の遮断を回避するために、電源と帯電部材の間
に２．３メグオームの抵抗を挿入し、感光体の帯電電位
をほぼ−１３００、−８００、−５５０Ｖになるように
設定した。一方、比較例１の帯電装置には、真鍮の支持
体に１０の８乗オームのヒドリンゴム、次いで被覆層と
して１０の１４乗のフッ素樹脂、ヒドリンゴムを主体と
する層を厚み０．２ｍｍ被覆して直径１２ｍｍの帯電ロ
ーラを作製し、同様に主帯電装置に組み付けた。

【０２２５】特性評価は５０００枚／日の割合でのべ１
０日に亘り行った。ただし、評価時のみ現像装置をセッ
トし、通常は非通紙の状態でランニングを行った。画像
評価用の原稿は、文字画像と写真を印刷した評価用の原
稿に新たに解像度を判断する竹の子チャートを２カ所張
り付けたものを用意した。また画像評価以外に表面電位
計（３４４タイプ、トレック社製）をセットし、感光体
の表面電位（帯電電位及び画像部電位）の推移を測定
し、感光体の膜削れは膜厚計（渦電流式膜厚計、フィッ
シャー社製）使用し、周方向４カ所、軸方向５カ所の測
定を行い平均値で出した。測定環境は２３〜２９℃／６
２〜６９％ＲＨの環境であった。評価結果を表１に示
す。

【０２２６】

【表１】

【０２２７】実施例１〜１０においては５万枚の評価に
おいて電位が高いほど異常が起こる傾向が見えるが、そ
の程度は比較サンプルに比して程度は軽く、５５０ボル
トでは全く問題はなかった。しかし、比較サンプルの方
は膜削れが大となり、−５５０ボルトでも感光体の電位
変動、不均一削れによると考えられる画像のシャープ性
悪化が生じ、−１３００、−８００ボルトでは一部画像
の流れ状態を呈し、耐久性の面で不十分性が認められ
た。なお、コロナ生成物に起因して発生する画像流れは
実施例のものでは一切発生しなかった。

【０２２８】また、帯電電位を−１３００Ｖにしたとき
には印加電圧は−１８００Ｖにもなるが、この程度の電
圧では比較例１に示す感光体であっても通常は放電破壊
に至ることはなく、また異物の混入によるものではな
い。放電破壊の主たる要因は局部的な深い削れが発生し
たためであると考えられる。電位の変化が大きいのは膜
削れによるものと、感光層自身の構成に起因するものと
考えられた。

【０２２９】

【発明の効果】以上、詳細かつ具体的に説明したよう
に、本発明で示す吸着機能を有する無機繊維で構成され
る接触帯電装置と特定の高分子輸送物質を含有する層を
支持体から最も離れた最表面に構成した感光体を使用す
ることで、従来の感光体及び帯電ローラにあった問題点
を改善され、耐摩耗性と画像品質及び感光体の劣化が抑
制される。さらには感光体の帯電電位を７００ボルト以
下好ましくは６００〜３００ボルトで帯電する画像形成
法によって、さらに、画像品質の安定性が増し、しかも
画像流れの発生は皆無であり、画像品質の長期安定化が
維持可能となる。また、感光体の削れが少ないことから
感光体上に残留するトナーのクリーニング性が良好とな
るという極めて優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成法を実行するのに用いられる
画像形成装置の概要例を示す模式図である。

【図２】本発明の画像形成法に用いる電子写真感光体の
構成を示す断面図である。

【図３】本発明の画像形成法に用いる電子写真感光体の
別の構成を示す断面図である。

【図４】本発明の画像形成法に用いる電子写真感光体の
更に別の構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 感光体 ２ 帯電ローラ ３ 画像露光系 ４ 現像装置 ５ 転写装置 ６ 分離装置 ７ 除電装置 ８ クリーニング装置 ９ 光除電器 １０ 定着装置 １１ 被転写紙 ２１ 導電性支持体 ２３ 感光層 ２５ 下引き層 ３１ 電荷発生層 ３３ 電荷輸送層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 青戸 淳 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 哲郎 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 生野 弘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 紙 英利 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 接触帯電法により感光体に電荷を付与
   し、画像信号を感光体面に照射することにより潜像を形
   成し、現像剤により顕像化する画像形成法において、接
   触帯電法に使用される帯電部材が吸着機能を有する無機
   繊維であり、該画像形成法に用いられる電子写真感光体
   の支持体からもっとも離れた最表層に高分子電荷輸送物
   質が含有された電子写真感光体が用いられることを特徴
   とする画像形成法。
2. 【請求項２】 前記画像形成法で使用される電子写真感
   光体に含有される高分子電荷輸送物質が、トリアリール
   アミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネー
   トであることを特徴とする請求項１記載の画像形成法。
3. 【請求項３】 前記画像形成法で使用される電子写真感
   光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式１
   で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化１】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
   無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
   又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
   若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
   立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
   ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
   ５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
   脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
   表わす。 【化２】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
   のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
   ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
   ２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
   −、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
   −Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
   す。）または、 【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
   数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
   リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
   Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってい
   てもよい。
4. 【請求項４】 前記画像形成法で使用される電子写真感
   光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式２
   で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化４】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
   ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
   す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
5. 【請求項５】 前記画像形成法で使用される電子写真感
   光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式３
   で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
   わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
6. 【請求項６】 前記画像形成法で使用される電子写真感
   光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式４
   で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化６】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
   は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
   １の場合と同じである。接触帯電法により感光体に電荷
   を付与し、画像信号を感光体面に照射することにより潜
   像を形成し、現像剤により顕像化する画像形成法におい
   て、該画像形成法で使用される電子写真感光体に含有さ
   れる高分子電荷輸送物質が、下記一般式５で表わされる
   高分子電荷輸送物質であることを特徴とする画像形成
   法。
7. 【請求項７】 前記画像形成法で使用される電子写真感
   光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式５
   で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化７】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
   Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
   若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
   ｎは、一般式１の場合と同じである。
8. 【請求項８】 前記画像形成法で使用される電子写真感
   光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式６
   で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化８】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
   アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆同一又は
   異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若し
   くは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシク
   ロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエー
   テル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同一
   であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般
   式１の場合と同じである。
9. 【請求項９】 前記画像形成法で使用される電子写真感
   光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式７
   で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化９】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
   リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
   い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
   基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
   じである。
10. 【請求項１０】 前記画像形成法で使用される電子写真
    感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
    ８で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
    する請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化１０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
    ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
    ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
    同じである。
11. 【請求項１１】 前記画像形成法で使用される電子写真
    感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
    ９で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
    する請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化１１】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
    アリール基、Ａｒ₂₃、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇
    は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
    ｎは、一般式１の場合と同じである。
12. 【請求項１２】 前記画像形成法で使用される電子写真
    感光体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
    １０で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴
    とする請求項１又は請求項２記載の画像形成法。 【化１２】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
    表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
    ある。