JPH09319125A - 転写ドラムを用いたカラー電子写真プロセス - Google Patents

転写ドラムを用いたカラー電子写真プロセス

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JPH09319125A
JPH09319125A JP8153374A JP15337496A JPH09319125A JP H09319125 A JPH09319125 A JP H09319125A JP 8153374 A JP8153374 A JP 8153374A JP 15337496 A JP15337496 A JP 15337496A JP H09319125 A JPH09319125 A JP H09319125A
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JP
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group
substituted
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same
electrophotographic process
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JP8153374A
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Atsushi Aoto
淳 青戸
Hidetoshi Kami
英利 紙
Hiroshi Ikuno
弘 生野
Tetsuo Suzuki
哲郎 鈴木
Hiroshi Nagame
宏 永目
Shigeto Kojima
成人 小島
Tatsuya Niimi
達也 新美
Hiroshi Tamura
宏 田村
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 繰り返し使用時においてもスジ等の異常画像
や地肌汚れ等のない高品位画像を安定して提供できるフ
ルカラー電子写真プロセスとすること。 【解決手段】 トナーにより像担持体上に順次形成され
る複数の可視の色現像画像を、表面に誘電体層を具備し
た転写ドラムの該誘電体の背面にある背面電極より印加
した転写バイアスにより表面上に保持した転写材に複数
回転写するカラー電子写真プロセスにおいて、該像担持
体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送物
質が含有されていることを特徴とする電子写真プロセ
ス。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体及
びそれを用いたフルカラー電子写真プロセスに関し、よ
り詳しくは長寿命電子写真感光体及びそれを用いたフル
カラー電子写真プロセスに関する。本発明の電子写真感
光体及びそれを用いたフルカラー電子写真プロセスは、
複写機、ファクシミリ、レーザプリンタ、ダイレクトデ
ジタル製版機等に応用される。
【0002】
【従来の技術】電子写真方法としては、カールソンプロ
セスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複
写機やプリンタなどに広く使用されている。この様な電
子写真方法に用いられる像担持体(以下、感光体と記載
する)の中でも、有機系の感光材料を用いたものが、安
価、大量生産性、無公害性などをメリットとして、近年
使用され始めている。有機系の電子写真感光体には、P
VK(ポリビニルカルバゾール)に代表される光導電性
樹脂、PVK−TNF(2,4,7−トリニトロフルオ
レノン)に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン
−バインダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と
電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光
体などが知られており、特に機能分離型の感光体が注目
されている。
【0003】この機能分離型の感光体における静電潜像
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質
は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入
され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸
送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することによ
り静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体に
おいては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主
に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用
いることが知られており、かつ有用である。電荷輸送物
質は、多くが低分子化合物として開発されているが、低
分子化合物は単独で製膜性がないため、通常、不活性高
分子に分散・混合して用いられる。しかるに低分子電荷
輸送材料と不活性高分子からなる電荷輸送層は一般に柔
らかく、カールソンプロセスにおいては繰り返し使用に
よる膜削れを生じやすいという欠点がある。
【0004】一方、本電子写真プロセスを用いた複写機
やプリンタなどのカラー化の要求が急速に増してきてい
る。フルカラー電子写真プロセスには例えば図5のよう
に、色分解された画像を、(58)、(59)、(6
0)、(61)の4個の作像装置にて各々色画像毎に、
帯電器(51)により帯電された感光体(54)に露光
手段(52)による像露光、現像機(53)による現像
によって画像形成し、搬送ベルト(56)背面から転写
用帯電器(55)による転写の各プロセスを経て、順次
被転写材(57)へ重ねて転写していく方法がある。し
かし、この方式では作像装置が4個必要である上に、各
色の色重ねに関する高精度のレジストレーション制御装
置が必要となり、装置が大型化し、コスト高となる。
【0005】そこで、装置の小型化・軽量化・低コスト
化が図れる、図1のような装置を用いたカラー電子写真
プロセスが提案されている。この装置では、帯電器(1
1)により帯電された感光体(19)に露光手段(1
2)による像露光、ブラック、シアン、マゼンタ、イエ
ローの各現像機(13)〜(16)により感光体(1
9)上に形成された画像を一色毎に、転写ドラム(1
8)表面にある被転写材(17)へ転写する方式を採用
している。このため、感光体は1個のみでよく、さらに
被転写材(17)を一時転写ドラム(18)に固定する
ために色重ね時の位置合わせも比較的容易に行なうこと
ができる。このようなカラー電子写真プロセスにおいて
用いられている感光体としては、一般のモノクロプロセ
スで用いられていたものと同じものが使用されている。
しかし、上述したように感光体表面が低分子電荷輸送物
質と不活性高分子からなる電荷輸送層は繰り返し使用に
よる膜削れを生じやすいという欠点がある。
【0006】このプロセスでは、感光体上に形成された
可視画像を転写する被転写材としては、一般的には紙が
多く用いられ、転写時に感光体と紙が擦り合うことによ
り、感光体表面が削られるという現象が発生する。紙
は、表面の粗さや堅さなどが不均一である。また、製造
する工程で炭酸カルシウム等の無機充填材が添加される
が、これら添加剤の量や分散も不均一である。さらに、
これらは紙の種類によっても大きく異なるものである。
このため、感光体表面が不均一に削られ、画像上にスジ
等の異常画像が発生したり、地肌汚れが発生するという
問題がある。
【0007】特に、近年においては、紙資源の保護とい
う観点から、表面性の悪い低品質の紙や再生紙等も多く
使用されたり、機械の性能の面でも、高速化、小型化が
要求され、感光体表面にかかる負荷は一段と大きくなっ
ている。このような感光体表面の問題は、上述した通り
感光体表面を構成する電荷輸送層が低分子量の電荷輸送
物質と不活性高分子からなるためである。特に、低分子
電荷輸送物質の含有量が50重量%以上で使用されるこ
とに起因している。即ち低分子電荷輸送物質の含有量を
増すことで確かに電荷移動度は上げられるが、このとき
逆に製膜性が劣化するためである。
【0008】この点を克服するために高分子型の電荷輸
送物質が注目され、例えば、特開昭51−73888号
公報、特開昭54−8527号公報、特開昭54−11
737号公報、特開昭56−150749号公報、特開
昭57−78402号公報、特開昭63−285552
号公報、特開平1−1728号公報、特開平1−190
49号公報、特開平3−50555号公報に開示されて
いる。
【0009】しかしながら、高分子電荷輸送物質からな
る電荷輸送層と電荷発生層とを組み合わせた感光体の光
感度は、上記の低分子電荷輸送物質を用いた場合に比べ
著しく劣っており、この点の改良が強く望まれていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術に鑑みなされたものであり、その目的とするところ
は、繰り返し使用時においてもスジ等の異常画像や地肌
汚れ等のない高品位画像を安定して提供できるフルカラ
ー電子写真プロセスを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、図1のよ
うな転写ドラムを用いたフルカラー電子写真プロセスに
おいて、繰り返し使用により発生するスジ等の異常画像
は、感光体と転写紙とが擦れることによる感光体表面の
不均一な摩耗が主要因であり、これらの問題点は、本発
明のごときプロセスにすることで改善できることを突き
止め本発明を完成した。
【0012】すなわち本発明は、トナーにより像担持体
上に順次形成される複数の可視の色現像画像を、表面に
誘電体層を具備した転写ドラムの該誘電体の背面にある
背面電極より印加した転写バイアスにより表面上に保持
した転写材に複数回転写するカラー電子写真プロセスに
おいて、該像担持体が、支持体から最も離れた最表層に
高分子電荷輸送物質が含有されていることを特徴とする
電子写真プロセスを提供する。
【0013】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて用いる高分子電荷輸送物質としては、特にトリア
リールアミン構造を主鎖及び/又は側鎖に含むポリカー
ボネートが良い。
【0014】また、下記の一般式1〜10で示されるも
のが良い。
【0015】
【化13】 式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、R5、R6は置換
若しくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9、nは繰り返し単位数を表わし
5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状
脂肪族の2価基、又は下記一般式で表わされる2価基を
表わす。
【0016】
【化14】 式中、R101、R102は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1〜1
2の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−O
−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−CO
−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を表わ
す。)または、
【0017】
【化15】 (式中、aは1〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R103、R104は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。)を表わす。ここで、R101
102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なっても
よい。
【0018】
【化16】 式中、R7、R8は置換若しくは無置換のアリール基、A
1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
る。
【0019】
【化17】 式中、R9、R10は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
る。
【0020】
【化18】 式中、R11、R12は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
は1〜5の整数を表わす。X、k、j及びnは、一般式
1の場合と同じである。
【0021】
【化19】 式中、R13、R14は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar10、Ar11、Ar12は同一又は異なるアリレン基、
1、X2は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、j及び
nは、一般式1の場合と同じである。
【0022】
【化20】 式中、R15、R16、R17、R18は置換若しくは無置換の
アリール基、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又
は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。X、k、j及びnは、一
般式1の場合と同じである。
【0023】
【化21】 式中、R19、R20は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、R19とR20は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同
じである。
【0024】
【化22】 式中、R21は置換若しくは無置換のアリール基、A
20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と
同じである。
【0025】
【化23】 式中、R22、R23、R24、R25は置換若しくは無置換の
アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、j及び
nは、一般式1の場合と同じである。
【0026】
【化24】 式中、R26、R27は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar29、Ar30、Ar31は同一又は異なるアリレン基を
表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じで
ある。
【0027】次に、図面を用いて本発明を説明する。図
1は、本発明のフルカラー電子写真プロセスの概念図の
1例である。帯電器(11)にて均一に帯電させられた
感光体(19)表面に色分解された一色目画像、例えば
ブラック画像を露光(12)することにより静電潜像を
形成した後、帯電したトナーを有するブラック現像機
(13)にて顕像化されたトナー画像を、転写ドラム
(18)上に保持された被転写材[転写紙(17)]に
転写する。転写ドラム(18)は裏面に電極層を有する
中空の誘電体樹脂ドラムであり、この電極層から印加さ
れるバイアスの電界作用により転写が行なわれる。
【0028】次に、感光体(19)上に2色目の画像、
例えばシアン静電潜像画像を形成し、現像機(14)に
て顕像化し、位置合わせされた転写紙(17)上へ転写
される。ここで、図1における現像機はリボルバー式で
あり回転することにより次々の色を現像することができ
るものである。同様に、3色目画像(マゼンタ画像)、
4色目画像(イエロー画像)と順次繰り返し、転写紙
(17)上にフルカラー画像を形成する。この後、転写
紙(17)は定着過程を経て最終印刷物として出力され
る。上記図1にある装置は、あくまでも1例でありこれ
に限るものではない。
【0029】図2は、本発明において用いられる電子写
真感光体の断面図であり、導電性支持体(21)上に感
光層(23)が形成されたものである。図3は、別の構
成を示す断面図であり、導電性支持体(21)上に電荷
発生層(31)と電荷輸送層(33)からなる感光層
(23)が形成されたものである。図4は、さらに別の
構成を示す断面図であり、導電性支持体(21)と感光
層(23)との間に下引き層(25)が形成されたもの
である。
【0030】次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質について述べる。本発明に用いられる高分子電荷輸
送物質としては、公知の高分子電荷輸送材料を用いるこ
とができる。
【0031】例えば、 (a)主鎖及び/又は側鎖にカルバゾール環を有する重
合体 例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾールの重合体、特開
昭50−82056号公報開示のN−アクリルアミドメ
チルカルバゾールの重合体、特開昭54−9632号公
報記載のハロゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾール、特
開昭54−11737号公報記載のポリ−N−アクリル
アミドメチルカルバゾール及びポリ−N−アクリルアミ
ドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平4
−183719号公報に記載のカルバゾール構造を有す
る特定のジヒドロキシ化合物即ちビス[N−ヒドロキシ
アリール(又は−ヒドロキシヘテロ)−N−アリール]
アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール
化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させること
により得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合
物等が例示される。 (b)主鎖及び/又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重
合体 例えば、特開昭57−78402号公報記載の、クロル
メチル化ポリスチレンと4−ヒドロキシベンジリデンベ
ンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成さ
れるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平3−
50555号公報に記載のポリ(4−ホルミルスチレ
ン)と1,1−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合によ
り生成される4−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチ
レン化合物等が例示される。 (c)ポリシリレン重合体 例えば、特開昭63−285552号公報記載のポリ
(メチルフェニルシリレン)、ポリ(n−プロピルメチ
ルシリレン)−1−メチルフェニルシリレン又はポリ
(n−プロピルメチルシリレン)、特開平5−1949
7号公報記載の−(Si(R1)(R2))−、又は
【0032】
【化25】 の繰り返し単位を有するポリシラン化合物(R1、R2
R3、R4はH、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基
等)の化合物等が例示される。 (d)主鎖及び/又は側鎖に第3級アミン構造を有する
重合体 例えば、N,N−ビス(4−メチルフェニル)−4−ア
ミノポリスチレン、特開平1−13061号公報、及び
特開平1−19049号公報記載の一般式
【0033】
【化26】 を有するアリールアミン樹脂化合物(ここでAr、A
r’はアリール、Zはカルバゾール−4,7−ジイル
基、フルオレニン基、フェニレン基、ピレンジイル基、
4,4’−ビフェニレン基等の2価の不飽和環式基、R
及びR’は個々に−CH2−、−(CH2)2−、−(CH2)
3−及び−(CH2)4−、R”は−CO−又は−CO−O
−C64−Y−C64−O−CO−(Yは−O−、−C
2−、−S−、−C(Me)2−等)、mは0又は1、n
は5〜5000を表わす。)、特開平1−1728号公
報記載のR-[O-A-O-CH2-CH(OR)-CH2-O-B-O-CH2-CH(OR)-
CH2]m−(RはH、-Me、-Et、mは4〜1000、Aは−
Ar−N(Ar')−[Z]−[N(Ar')−Ar]n−(Z
はカルバゾール−4,7−ジイル基、フルオニレン基、
フェニレン基、ピレンジイル基、4,4’−ビフェニレ
ン基等の2価の不飽和環式基、Ar、Ar’はアリール
基)、BはAと同じ意味か又は−Ar−V−Ar(Vは
−CH2−、−O−、−S−、−C(Me)2−等)を表わ
す。)を有するアリールアミン含有ポリヒドロキシエー
テル樹脂、特開平5−66598号公報記載の
【0034】
【化27】 (n1は1〜10、n2は0〜4、n3は0〜5、mは0
〜1)の構造を有する(メタ)アクリル酸エステルの
(共)重合体、特開平5−40350号公報に記載の、
構造単位
【0035】
【化28】 (R1、R2はアルキル、アリール、アラルキル、A
1、Ar2、Ar3は2価の芳香族残基、lは0以上の
整数、mは1以上の整数、nは2以上の整数、pは3〜
6の整数)を有する化合物等が例示される。 (e)その他の重合体 例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特
開昭51−73888号公報記載の、6−ビニルインド
ロ[2,3−b]キノキサリン誘導体の重合物、特開昭
56−150749号公報に記載の、1,1−ビス(4
−ジベンジルアミノフェニル)プロパンのホルムアルデ
ヒド縮合樹脂化合物等が例示される。
【0036】本発明に使用される電子供与性基を有する
重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合
体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマ
ーや、又、例えば特開平3−109406号公報に開示
されているような、
【0037】
【化29】 電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能
である。
【0038】また本発明における高分子電荷輸送物質と
して、主鎖及び/又は側鎖にトリアリールアミン構造を
有するポリカーボネートが有効に使用される。更に、下
記一般式1〜10で表わされる高分子電荷輸送物質を用
いることにより、本発明の効果はよりいっそう顕著なも
のとなる。一般式1〜10で表わされる高分子電荷輸送
物質を以下に例示し、具体例を示す。
【0039】
【化30】 式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、R5、R6は置換
若しくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9、nは繰り返し単位数を表わし
5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状
脂肪族の2価基、又は下記一般式で表わされる2価基を
表わす。
【0040】
【化31】 式中、R101、R102は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1〜1
2の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−O
−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−CO
−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を表わ
す。)又は、
【0041】
【化32】 (式中、aは1〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R103、R104は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。)を表わす。ここで、R101
102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なっても
よい。
【0042】一般式1の具体例 R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。
【0043】アルキル基として好ましくは、C1〜C12
とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のア
ルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−
ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル
基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、
2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、2−メト
キシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4
−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。
【0044】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。R4は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のR1、R2、R3
と同様のものが挙げられる。R5、R6は置換若しくは無
置換のアリール基(芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基)を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。
【0045】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
【0046】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、上記のR1
2、R3と同様のものが挙げられる。
【0047】(3)アルコキシ基(−OR105)。アル
コキシ基(−OR105)としては、R105が上記(2)で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−
プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−
ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ
基、2−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 (4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1
〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチ
ルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノ
キシ基、4−メトキシフェニノキシ基、4−クロロフェ
ノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。
【0048】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記(2)で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
【0049】前記Xで表わされる構造部分は下記一般式
(A)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xで表わされる構造部分は下記一般式
(A)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式(B)から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。
【0050】
【化33】 一般式(B)のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。1,3−プロパンジオール、1,4
−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6
−ヘキサンジオール、1,8−オクタンジオール、1,
10−デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパン
ジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオー
ル、2−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや1,4−シクロヘキサンジオール、
1,3−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
1,4−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。
【0051】また、芳香環を有するジオールとしては、
4,4’−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、2,
2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3’−ジメ
チル−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
4,4’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾ
エート)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキ
シベンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス(4
−ヒドロキシベンゾエート)、1,3−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【0052】
【化34】 式中、R7、R8は置換若しくは無置換のアリール基、A
1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
る。
【0053】一般式2の具体例 R7、R8は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−
2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は
【0054】
【化35】 (ここで、Wは−O−、−S−、−SO−、−SO
2−、−CO−又は以下の2価基を表わす。)
【0055】
【化36】
【0056】
【化37】
【0057】
【化38】
【0058】
【化39】 を表わす。
【0059】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ar1、Ar2及びAr3
示されるアリレン基としてはR7及びR8で示したアリー
ル基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
(1)〜基(7)を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のR106、R107、R108
同じ意味を有する。
【0060】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくはC
1〜C12とりわけC1〜C18さらに好ましくはC1〜C4
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、C1
4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i
−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【0061】(3)アルコキシ基(−OR109)。アル
コキシ基(−OR109)としては、R109が(2)で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−
ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブ
トキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 (4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1
〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチ
ルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノ
キシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノ
キシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。
【0062】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)次式で表わされるアルキル置換アミノ基。
【0063】
【化40】 式中、R110及びR111は各々独立に前記(2)で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ基、C1
4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニ
ルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−ジ
(p−トリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
【0064】(7)メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。
【0065】前記Xで表わされる構造部分は下記一般式
(C)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(C)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
【0066】
【化41】 一般式(B)のジオール化合物としては一般式1と同じ
ものが挙げられる。
【0067】
【化42】 式中、R9、R10は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
る。
【0068】一般式3の具体例 R9、R10は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−
2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【0069】また、Ar4、Ar5及びAr6で示される
アリレン基としてはR9及びR10で示したアリール基の
2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1
4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i
−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【0070】(3)アルコキシ基(−OR112)。アル
コキシ基(−OR112)としては、R112が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【0071】(4)アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1
〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチ
ルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノ
キシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノ
キシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。
【0072】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。
【0073】(6)アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は(2)で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基;具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。
【0074】前記Xで表わされる構造部分は下記一般式
(D)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(D)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
【0075】
【化43】 一般式(B)のジオール化合物は一般式1と同じものが
挙げられる。
【0076】
【化44】 式中、R11、R12は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
は1〜5の整数を表わす。X、k、j及びnは、一般式
1の場合と同じである。
【0077】一般式4の具体例 R11、R12は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−
2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【0078】また、Ar7、Ar8及びAr9で示される
アリレン基としてはR11及びR12で示したアリール基の
2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1
4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i
−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【0079】(3)アルコキシ基(−OR113)。アル
コキシ基(−OR113)としては、R113が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 (4)アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ
基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、
4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノキシ基、
6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【0080】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、pーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記(2)で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
【0081】前記Xで表わされる構造部分は下記一般式
(E)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(E)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
【0082】
【化45】 一般式(B)のジオール化合物は一般式1と同じものが
挙げられる。
【0083】
【化46】 式中、R13、R14は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar10、Ar11、Ar12は同一又は異なるアリレン基、
1、X2は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、j及び
nは、一般式1の場合と同じである。
【0084】一般式5の具体例 R13、R14は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−
2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【0085】また、Ar10、Ar11及びAr12で示され
るアリレン基としてはR13及びR14で示したアリール基
の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。(2)アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに
好ましくはC1〜C4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n
−ブチル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2
−ヒドロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エト
キシエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4
−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メト
キシベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。
【0086】(3)アルコキシ基(−OR114)。アル
コキシ基(−OR114)としては、R114が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【0087】(4)アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
【0088】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。
【0089】(6)アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記(2)で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピ
ルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
【0090】前記X1、X2の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記R13、R14のアリール基、上記
(2)のアルキル基が挙げられる。
【0091】前記Xで表わされる構造部分は下記一般式
(F)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(F)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
【0092】
【化47】 一般式(B)のジオール化合物は一般式1と同じものが
挙げられる。
【0093】
【化48】
【0094】式中、R15、R16、R17、R18は置換若し
くは無置換のアリール基、Ar13、Ar14、Ar15、A
16は同一又は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。X、k、j
及びnは、一般式1の場合と同じである。
【0095】一般式6の具体例 R15、R16、R17、R18は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。
【0096】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
【0097】また、Ar13、Ar14、Ar15及びAr16
で示されるアリレン基としてはR15、R16、R17、及び
18で示した上記のアリール基の2価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。
【0098】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1
4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i
−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【0099】(3)アルコキシ基(−OR115)。アル
コキシ基(−OR115)としては、R115が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【0100】(4)アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1
〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチ
ルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メチルフェノ
キシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−クロロフェノ
キシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。
【0101】前記Y1、Y2、Y3の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。
【0102】このアルキレン基としては、上記(2)で
示したアルキル基より誘導される2価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、1,3−プロピレ
ン基、1,4−ブチレン基、2−メチル−1,3−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、4−メチルフェニルメチレン基、2,2−
プロピレン基、2,2−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。
【0103】同シクロアルキレン基としては、1,1−
シクロペンチレン基、1,1−シクロヘキシレン基、
1,1−シクロオクチレン基等を挙げることができる。
【0104】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス(トリエチレン)エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【0105】前記Xで表わされる構造部分は下記一般式
(G)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Xの構造部分は下記一般式(G)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
【0106】
【化49】 一般式(B)のジオール化合物は一般式1と同じものが
挙げられる。
【0107】
【化50】 式中、R19、R20は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、R19とR20は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同
じである。
【0108】一般式7の具体例 R19、R20は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。
【0109】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
【0110】また、R19、R20は環を形成する場合、9
−フルオリニデン、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ar17、Ar18
及びAr19で示されるアリレン基としてはR19及びR20
で示したアリール基の2価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。
【0111】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1
4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i
−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【0112】(3)アルコキシ基(−OR116)。アル
コキシ基(−OR116)としては、R116が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【0113】(4)アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
【0114】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記(2)で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
【0115】前記Xの構造部分は下記一般式(H)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Xの構造部分は下記一般式(H)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0116】
【化51】 一般式(B)のジオール化合物は一般式1と同じものが
挙げられる。
【0117】
【化52】 式中、R21は置換若しくは無置換のアリール基、A
20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と
同じである。
【0118】一般式8の具体例 R21は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。
【0119】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
【0120】また、Ar20、Ar21、Ar22及びAr23
で示されるアリレン基としてはR21で示したアリール基
の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。
【0121】(2)アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ま
しくはC1〜C4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、C1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチ
ル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒド
ロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエ
チル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロ
ロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベ
ンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【0122】(3)アルコキシ基(−OR117)。アル
コキシ基(−OR117)としては、R117が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【0123】(4)アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
【0124】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。
【0125】(6)アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記(2)で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピル
アミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
【0126】前記Xの構造部分は下記一般式(J)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Xは下記一般式(J)のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0127】
【化53】 一般式(B)のジオール化合物は一般式1と同じものが
挙げられる。
【0128】
【化54】 式中、R22、R23、R24、R25は置換若しくは無置換の
アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、j及び
nは、一般式1の場合と同じである。
【0129】一般式9の具体例 R22、R23、R24、R25は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。
【0130】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
【0131】また、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27
及びAr28で示されるアリレン基としては、R22
23、R24、及びR25で示したアリール基の2価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。
【0132】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1
4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i
−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【0133】(3)アルコキシ基(−OR118)。アル
コキシ基(−OR118)としては、R118が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【0134】(4)アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
【0135】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。
【0136】(6)アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記(2)で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピ
ルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
【0137】前記Xで表わされる構造部分は下記一般式
(L)のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式(B)のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Xは下記一般式(L)の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式(B)から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。
【0138】
【化55】 一般式(B)のジオール化合物は一般式1と同じものが
挙げられる。
【0139】
【化56】 式中、R26、R27は置換若しくは無置換のアリール基、
Ar29、Ar30、Ar31は同一又は異なるアリレン基を
表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じで
ある。
【0140】一般式10の具体例 R26、R27は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。
【0141】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。
【0142】また、Ar29、Ar30、及びAr31で示さ
れるアリレン基としては、R26及びR27で示したアリー
ル基の2価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。
【0143】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C
4の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1
4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
1〜C4のアルキル基若しくはC1〜C4のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i
−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエチル基、
2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジ
ル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベンジル
基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
【0144】(3)アルコキシ基(−OR119)。アル
コキシ基(−OR119)としては、R119が上記(2)で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポ
キシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキ
シ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【0145】(4)アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、C1〜C4のアルコ
キシ基、C1〜C4のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メ
チルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−ク
ロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。
【0146】(5)置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 (6)アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記(2)で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルアミノ基、
N,N−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 (7)アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。
【0147】前記Xの構造部分は下記一般式(M)のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
(B)のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Xは下記一般式(M)のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式(B)
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【0148】
【化57】 一般式(B)のジオール化合物は一般式1と同じものが
挙げられる。
【0149】導電性支持体(21)としては、体積抵抗
1010Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円
筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板及びそれらをD.I.、I.I.、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨な
どで表面処理した管などを使用することができる。
【0150】本発明における感光層(23)は、単層型
でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積
層型について述べる。はじめに、電荷発生層(31)に
ついて説明する。電荷発生層(31)は、電荷発生物質
を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用
いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と
有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結
晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セ
レン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモ
ルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シ
リコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハ
ロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リ
ン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
【0151】一方、有機系材料としては、公知の材料を
用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ
る。これらの電荷発生物質は、単独又は2種以上の混合
物として用いることができる。
【0152】電荷発生層(31)に必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独
又は2種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダ
ー樹脂の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いること
ができる。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添
加してもよい。
【0153】電荷発生層(31)に併用できる低分子電
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。
【0154】電子輸送物質としては、例えばクロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオ
レノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレ
ノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、2,
4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−トリ
ニトロ−4H−インデノ[1,2−b]チオフェン−4
オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェン−
5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。これらの電子輸送物質は、単独又は2種以上の混合
物として用いることができる。
【0155】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、9−
(p−ジエチルアミノスチリルアントラセン)、1,1
−ビス−(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独又は2種以上の混合物とし
て用いることができる。
【0156】電荷発生層(31)を形成する方法には、
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、CVD法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。
【0157】また、後述のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用い
て行なうことができる。以上のようにして設けられる電
荷発生層の膜厚は、0.01〜5μm程度が適当であ
り、好ましくは0.05〜2μmである。
【0158】次に、電荷輸送層(33)について説明す
る。電荷輸送層(33)は、高分子電荷輸送物質を主成
分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形
成できる。高分子電荷輸送物質は3×105V/cmの
電界下で1×10-5cm2/V・sec以上の移動度を
有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を
用いることができるが、主鎖及び/又は側鎖にトリアリ
ールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用
される。前記一般式1〜10の高分子電荷輸送物質が特
に良好に使用される。また、必要により適当なバインダ
ー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。
【0159】電荷輸送層(33)に併用できるバインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート(ビスフェノールA
タイプ、ビスフェノールZタイプ)、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は2種以上
の混合物として用いることができる。
【0160】電荷輸送層(33)に併用できる低分子電
荷輸送物質は、電荷発生層(31)の説明において記載
したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層
(33)の膜厚は、20μm以下が適当であり、好まし
くは15μm以下である。この理由としては、先述のよ
うに静電潜像の解像性(原稿の再現性)の改良があげら
れ、20μm以上の膜厚では解像性が低下することによ
る。解像度に関しては、膜厚が薄い方が良好な結果が得
られるが、感光層の摩耗は静電疲労特性にも影響を及ぼ
すため、あらかじめ実験的に設定できる膜厚の下限値を
調べることにより、上記範囲のうちで任意に設定でき
る。また、本発明において電荷輸送層(33)中に可塑
剤やレベリング剤を添加してもよい。
【0161】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂100重量部に対して0〜30重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂100重量部に対して0〜1重量部
程度が適当である。
【0162】次に、感光層(23)が単層構成の場合に
ついて述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける
場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸
送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用
いることができる。また、必要により可塑剤やレベリン
グ剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用い
ることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送
層(33)で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層(31)で挙げたバインダー樹脂を混合
して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、5〜100μ
m程度が適当であり、好ましくは、10〜40μm程度
が適当である。
【0163】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体(21)と感光層(23)[積層タイプの
場合には、電荷発生層(31)]との間に下引き層(2
5)を設けることができる。下引き層(25)は、接着
性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を
改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられ
る。下引き層(25)は一般に樹脂を主成分とするが、
これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示
できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物な
どの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述
の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形
成することができる。
【0164】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはAl23を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン(パリレン)等の有機
物や、SiO、SnO2、TiO2、ITO、CeO2
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は0〜5μmが適当である。
【0165】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。
【0166】モノフェノール系化合物 2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エ
チルフェノール、ステアリル−β−(3,5−ジ−t−
ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネートな
ど。
【0167】ビスフェノール系化合物 2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−
エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオ
ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、
4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)など。
【0168】高分子フェノール系化合物 1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−
5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメ
チル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テトラキス−[メ
チレン−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、ビス
[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ−3’−t−ブチ
ルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。
【0169】パラフェニレンジアミン類 N−フェニル−N’−イソプロピル−p−フェニレンジ
アミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレ
ンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−
フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p
−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’
−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミンなど。
【0170】ハイドロキノン類 2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジ
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノ
ン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t
−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オ
クタデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
【0171】有機硫黄化合物類 ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−3,3’−チオジプロピオネートなど。
【0172】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホス
フィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキ
シ)ホスフィンなど。
【0173】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品とし
て容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加
量は、電荷輸送物質100重量部に対して0.1〜10
0重量部、好ましくは2〜30重量部である。
【0174】
【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部
を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単
位nは、いずれの例においても、重量平均分子量から算
出して100±20の範囲であった。
【0175】実施例1 φ80mmのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引
き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工
液を順次、塗布乾燥することにより、3.5μmの下引
き層、0.2μmの電荷発生層、25μmの電荷輸送層
を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。
【0176】 [下引き層用塗工液] アルキッド樹脂 6部 (ベッコゾール 1307−60−EL、大日本インキ化学工業製) メラミン樹脂 4部 (スーパーベッカミン G−821−60、大日本インキ化学工業製) 酸化チタン 40部 メチルエチルケトン 200部 [電荷発生層用塗工液] 下記構造のトリスアゾ顔料 2.5部
【0177】
【化58】 ポリビニルブチラール(UCC社製:XYHL) 0.5部 シクロヘキサノン 200部 メチルエチルケトン 80部
【0178】 [電荷輸送用塗工液] 下記構造の高分子電荷輸送物質 10部
【0179】
【化59】 塩化メチレン 100部
【0180】実施例2 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0181】
【化60】
【0182】実施例3 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0183】
【化61】
【0184】実施例4 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0185】
【化62】
【0186】実施例5 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0187】
【化63】
【0188】実施例6 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0189】
【化64】
【0190】実施例7 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0191】
【化65】
【0192】実施例8 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0193】
【化66】
【0194】実施例9 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0195】
【化67】
【0196】実施例10 実施例1における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例1と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。
【0197】
【化68】
【0198】比較例1 実施例1における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに変更した以外は、実施例1と全く同様に作成した。 [電荷輸送層用塗工液] ビスフェノールA型ポリカーボネート 10部 (帝人:パンライトK1300) 下記構造の低分子電荷輸送物質 10部
【0199】
【化69】 塩化メチレン 100部
【0200】以上のように作製した実施例1〜10及び
比較例1の電子写真感光体を図1のごとき装置に装着
し、5万枚のランニングテストを行なった。このとき、
実施例1〜10の各感光体を用いた場合には、全ての場
合で5万枚ランニングにおいても初期と変わらぬ安定し
た高品位な画像であった。一方、比較例1の感光体を用
いた場合には、何ヶ所かに黒スジ状の異常画像が発生
し、かつ地汚れも多く発生した悪質な画像であった。
【0201】
【発明の効果】本発明の電子写真プロセスにすることに
より、すなわち、トナーにより像担持体上に順次形成さ
れる複数の可視の色現像画像を、表面に誘電体層を具備
した転写ドラムの該誘電体の背面にある背面電極より印
加した転写バイアスにより表面上に保持した被転写材に
複数回転写するカラー電子写真プロセスにおいて、該像
担持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸
送物質が含有されていることを特徴とする電子写真プロ
セスにすることにより、繰り返し使用においてもスジ等
の異常画像や地肌汚れ等のない高品位な画像を提供でき
るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子写真プロセスを実行する一装置例
を示す模式図である。
【図2】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の構成を示す断面図である。
【図3】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の別の構成を示す断面図である。
【図4】本発明の電子写真プロセスに用いる電子写真感
光体の更に別の構成を示す断面図である。
【図5】従来のカラー電子写真プロセスを実行する1装
置例を示す模式図である。
【符号の説明】
11 帯電器 12 露光手段 13 ブラック現像機 14 シアン現像機 15 マゼンタ現像機 16 イエロー現像機 17 被転写材 18 転写ドラム 19 感光体 21 導電性支持体 23 感光層 25 下引き層 31 電荷発生層 33 電荷輸送層 51 帯電器 52 露光手段 53 現像機 54 感光体 55 帯電器 56 搬送ベルト 57 転写材 58 ブラック画像作像ユニット 59 シアン画像作像ユニット 60 マゼンタ画像作像ユニット 61 イエロー画像作像ユニット
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 哲郎 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 永目 宏 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小島 成人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 新美 達也 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田村 宏 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 トナーにより像担持体上に順次形成され
    る複数の可視の色現像画像を、表面に誘電体層を具備し
    た転写ドラムの該誘電体の背面にある背面電極より印加
    した転写バイアスにより表面上に保持した被転写材に複
    数回転写するカラー電子写真プロセスにおいて、該像担
    持体が、支持体から最も離れた最表層に高分子電荷輸送
    物質が含有されていることを特徴とする電子写真プロセ
    ス。
  2. 【請求項2】 上記電子写真プロセスで使用される像担
    持体に含有される高分子電荷輸送物質が、トリアリール
    アミン構造を主鎖及び/又は側鎖に含むポリカーボネー
    トであることを特徴とする請求項1記載の電子写真プロ
    セス。
  3. 【請求項3】 上記電子写真プロセスで使用される像担
    持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式1
    で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化1】 式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換若しくは
    無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
    又は置換若しくは無置換のアルキル基、R5、R6は置換
    若しくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
    立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
    k≦1、0≦j≦0.9、nは繰り返し単位数を表わし
    5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状
    脂肪族の2価基、又は下記一般式で表わされる2価基を
    表わす。 【化2】 式中、R101、R102は各々独立して置換若しくは無置換
    のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
    l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1〜1
    2の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−O
    −、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−CO
    −O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を表わ
    す。)または、 【化3】 (式中、aは1〜20の整数、bは1〜2000の整
    数、R103、R104は置換又は無置換のアルキル基又はア
    リール基を表わす。)を表わす。ここで、R101
    102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なっても
    よい。
  4. 【請求項4】 上記電子写真プロセスで使用される像担
    持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式2
    で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化4】 式中、R7、R8は置換若しくは無置換のアリール基、A
    1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
    す。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
    る。
  5. 【請求項5】 上記電子写真プロセスで使用される像担
    持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式3
    で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化5】 式中、R9、R10は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
    わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じであ
    る。
  6. 【請求項6】 上記電子写真プロセスで使用される像担
    持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式4
    で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化6】 式中、R11、R12は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
    は1〜5の整数を表わす。X、k、j及びnは、一般式
    1の場合と同じである。
  7. 【請求項7】 上記電子写真プロセスで使用される像担
    持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式5
    で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化7】 式中、R13、R14は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ar10、Ar11、Ar12は同一又は異なるアリレン基、
    1、X2は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
    若しくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、j及び
    nは、一般式1の場合と同じである。
  8. 【請求項8】 上記電子写真プロセスで使用される像担
    持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式6
    で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化8】 式中、R15、R16、R17、R18は置換若しくは無置換の
    アリール基、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又
    は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単結合、置換若
    しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
    クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
    ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
    一であっても異なってもよい。X、k、j及びnは、一
    般式1の場合と同じである。
  9. 【請求項9】 上記電子写真プロセスで使用される像担
    持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式7
    で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化9】 式中、R19、R20は水素原子、置換若しくは無置換のア
    リール基を表わし、R19とR20は環を形成していてもよ
    い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
    基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同
    じである。
  10. 【請求項10】 上記電子写真プロセスで使用される像
    担持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
    8で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
    する請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化10】 式中、R21は置換若しくは無置換のアリール基、A
    20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なるアリレ
    ン基を表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と
    同じである。
  11. 【請求項11】 上記電子写真プロセスで使用される像
    担持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
    9で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
    する請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化11】 式中、R22、R23、R24、R25は置換若しくは無置換の
    アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
    は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、j及び
    nは、一般式1の場合と同じである。
  12. 【請求項12】 上記電子写真プロセスで使用される像
    担持体に含有される高分子電荷輸送物質が、下記一般式
    10で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴
    とする請求項1又は請求項2記載の電子写真プロセス。 【化12】 式中、R26、R27は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ar29、Ar30、Ar31は同一又は異なるアリレン基を
    表わす。X、k、j及びnは、一般式1の場合と同じで
    ある。
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