JP2003098712A - 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスユニット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高耐久性を有し、繰り返し使用に対しても良
好な画像が持続して得られる高性能で信頼性の高い電子
写真感光体を提供すること。また、前記電子写真感光体
を用いることにより、小型で且つ高速印刷が可能である
高信頼性の画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装
置用プロセスユニットを提供すること。 【解決手段】 導電性支持体上に少なくとも感光層を設
けてなる電子写真感光体において、この電子写真感光体
の最表面層が少なくとも無機フィラーとバインダー樹脂
を含有しており、この無機フィラーが三方晶系のα−ア
ルミナであることを特徴とする電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高耐久性を有し、
かつ長期間にわたり高画質化を実現した電子写真感光体
に関する。また、それらの感光体を使用した画像形成方
法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスユニット
に関する。

【０００２】

【従来の技術】複写機、ファクシミリ、レーザープリン
タ等に応用されている電子写真感光体を用いた電子写真
方法とは、少なくとも電子写真感光体に帯電、画像露
光、現像の過程を経た後、画像保持体（転写紙）へのト
ナー画像の転写、定着及び電子写真感光体表面のクリー
ニングというプロセスよりなる方法である。電子写真感
光体が、この電子写真法において要求される基本的な特
性としては 暗所で適当な電位に帯電できること、 暗所において電荷の散逸が少ないこと、 光照射によって速やかに電荷を散逸できること、 等が挙げられる。更にこれらの特性以外に画質特性等の
長期信頼性や低公害性、コストの低さ等も要求される。

【０００３】従来、電子写真方式において使用される感
光体としては、導電性支持体上にセレンないしセレン合
金を主体とする光導電層を設けたもの、酸化亜鉛、硫化
カドミウム等の無機系光導電材料をバインダー中に分散
させたもの、及び非晶質シリコン系材料を用いたもの等
が一般的に知られているが、近年ではコストの低さ、感
光体設計の自由度の高さ、無公害性等から有機系感光体
が広く利用されるようになってきている。

【０００４】有機系の電子写真感光体には、ポリビニル
カルバゾール（ＰＶＫ）に代表わされる光導電性樹脂、
ＰＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノ
ン）に代表わされる電荷移動錯体型、フタロシアニン−
バインダーに代表わされる顔料分散型、電荷発生物質と
電荷輸送物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光
体などが知られており、特に機能分離型の感光体が感
度、耐久性、安定性など様々な特性において優れており
注目されている。

【０００５】この機能分離型の感光体における静電潜像
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質
は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入
され、帯電によって生じた電界に沿って電荷輸送層中を
移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静電潜
像を形成するものである。機能分離型感光体において
は、主に紫外部に吸収を持ち高い移動度を有する電荷輸
送物質と、主に可視部に吸収を持ち高い量子効率を有す
る電荷発生物質とを組み合わせて用いることが知られて
おり、かつ有用である。

【０００６】ところが、電子写真方法に用いられる有機
系電子写真感光体の電荷輸送物質は多くが低分子化合物
として開発されており、低分子化合物は単独で成膜性が
ないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用いら
れる。しかるに、低分子電荷輸送物質と不活性高分子か
らなる電荷輸送層は一般に柔らかく、電子写真プロセス
において繰り返し使用された場合に現像システムやクリ
ーニングシステムによる機械的な感光体表面への負荷に
より膜削れを生じ易いという耐摩耗性の低さが短所とし
て挙げられる。実際、感光体の膜削れにより感度の劣
化、帯電性の低下などの悪影響が現れ、画像濃度低下、
地肌汚れ等の異常画像が発生し、感光体の寿命となるこ
とがある。

【０００７】近年、画像形成装置の小型化から感光体の
小径化が進み、機械の高速化やメンテナンスフリーの動
きも加わり感光体の高耐久化が切望されるようになって
きた。感光体の高耐久化には前述の耐摩耗性を改善する
ことが第一の課題である。この技術としては、表面層
に硬化性バインダーを用いたもの（特開昭５６−４８６
３７号公報に記載）、感光体のバインダー樹脂を改良
したもの（特開平５−２１６２５０号公報に記載）、
高分子型電荷輸送物質を用いたもの（特開昭６４−１７
２８号公報に記載）、表面層に無機フィラーを分散さ
せたもの（特開平４−２８１４６１号公報に記載）等が
挙げられる。

【０００８】これらの技術のうち、の硬化性バインダ
ーを用いたものは、電荷輸送物質との相溶性が悪いため
や重合開始剤、未反応残基などの不純物により露光部電
位が上昇し画像濃度低下が発生する。また、のバイン
ダー樹脂を改良したものは、低分子電荷輸送物質の組成
分割合から著しい耐摩耗性向上が発揮されない。また、
の高分子型電荷輸送物質を用いたものは、ある程度の
耐摩耗性向上が可能であるもののその耐久性は充分なも
のではなく、材料の重合、精製が難しく高純度なものが
得にくい、更に塗工液が高粘度となる等の製造上の問題
がある。一方、の無機フィラーを分散させたものは、
通常の低分子電荷輸送物質を不活性高分子に分散させた
感光体に比べ、高い耐摩耗性が発揮され、且つ繰り返し
の電気特性も良好であり注目される。

【０００９】ところが、この表面層に無機フィラーを分
散させた感光体もいくつかの問題点を有している。例え
ば、繰り返し使用において画像流れを発生するという欠
点がある。この原因としては、無機フィラーを分散させ
たことにより無機フィラーが帯電器等から発生するオゾ
ン、ＮＯｘ等の酸化性ガスの吸着サイトとなり結果とし
て感光体表面が低抵抗化するため、無機フィラーの含有
により耐摩耗性が向上した結果摩耗による感光体表面の
更新が追いつかずトナーや紙粉のフィルミングが起こり
これに酸化性ガスが吸着したことに起因している。この
画像流れは無機フィラーとして酸性の性質を有するシリ
カや低抵抗である酸化スズ等を用いた場合に激しく発生
し、逆に塩基性である酸化チタンや高抵抗であるアルミ
ナを用いた場合は穏やかである。

【００１０】画像流れに対する対策としては、無機フィ
ラー表面の疎水化（特開昭６０−５７３４６号公報、特
開平７−２６１４１７号公報に記載）や、酸化防止剤の
併用（特開平８−２９２５８５号公報に記載）が検討さ
れているが、充分な効果は得られていない。一方画像流
れとは逆に、無機フィラーとして酸化チタンやアルミナ
を用いた場合、露光部電位が高くなり画像濃度不足や地
肌汚れなどの異常画像が発生する。これは前述の酸化チ
タンやアルミナの材質によるものでフィラー表面の電荷
トラップに起因している。このためシリカや酸化スズ
（特開昭５７−３０８４６号公報に記載）を用いた場合
は露光部電位は著しく上昇することはない。

【００１１】また、他の欠点として、表面層に無機フィ
ラーを添加したことにより露光時の光の直進性が低下
し、画像の解像度低下、階調性低下が発生する。この現
象は白色度の高い無機フィラー、例えば酸化チタン（特
開昭６１−２５１８６０号公報に記載）、アルミナ等を
用いた場合に顕著である。これに対しては、無機フィラ
ーの１次粒径を微細にすることが効果的であるが、フィ
ラーの粒径があまり細かくなると所望の耐摩耗性が発揮
されない、凝集力が増加し分散が困難となるなどの別の
問題が発生する。

【００１２】また、更に用いるフィラーの形状（特開昭
６２−２５０４６０号公報に記載）、粒径分布（特開昭
５９−２２３４４５号公報に記載）、膜中の凝集状態
（特開昭５９−２２３４４３号公報に記載）に起因する
問題も発生する。例えば、微粒子の製法として粉砕法を
用いたものは鋭利な破砕形状を有するためフィラーによ
る感光体表面の突起でクリーニングブレードが欠け、ス
ジ状のクリーニング不良が発生することがある。また、
微粉末を多く含むフィラーを用いると粒径の違いから生
ずる摩耗ムラが発生し、感度、帯電性のばらつきにより
濃度低下や地肌汚れの異常画像が発生することがある。
また、フィラーの凝集もブレードの破損、摩耗ムラの原
因となる。

【００１３】無機フィラーを分散させた感光体における
これらのいくつかの欠点は、使用する無機フィラー材料
によって引き起こされるものであるが、全ての課題を満
足するような良好な無機フィラーは見い出されていない
のが現状である。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高耐
久性を有し、繰り返し使用に対しても良好な画像が持続
して得られる高性能で信頼性の高い電子写真感光体を提
供することにある。また、前記電子写真感光体を用いる
ことにより、小型で且つ高速印刷が可能である高信頼性
の画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロ
セスユニットを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
重ねた結果、電子写真感光体の最表面層が少なくとも無
機フィラーとバインダー樹脂を含有しており、この無機
フィラーとして平均粒径０．０７〜０．３μｍで粒径分
布の狭い三方晶系α−アルミナ微粒子を用いることによ
り、前記目的を達成することができることを発見して本
発明を成すに至った。

【００１６】すなわち、上記課題は、本発明の（１）
「導電性支持体上に少なくとも感光層を設けてなる電子
写真感光体において、この電子写真感光体の最表面層が
少なくとも無機フィラーとバインダー樹脂を含有してお
り、この無機フィラーが三方晶系のα−アルミナである
ことを特徴とする電子写真感光体」、（２）「前記α−
アルミナ粒子が、アルミニウムアンモニウムカーボネー
トハイドロオキサイド［ＮＨ_４ＡｌＣＯ_３（ＯＨ）_２］
を熱分解することより製造されたものであることを特徴
とする前記第（１）項に記載の電子写真感光体」、
（３）「前記α−アルミナ粒子が、平均粒径０．０７〜
０．３μｍであることを特徴とする前記第（１）項に記
載の電子写真感光体」、（４）「前記α−アルミナ粒子
が、粒径分布として微粒側からの累積１０％、累積９０
％の粒径をそれぞれＤａ、ＤｂとしたときにＤｂ／Ｄａ
の値が４以下であることを特徴とする前記第（１）項に
記載の電子写真感光体」、（５）「前記α−アルミナ粒
子が、１次粒径１μｍ以上の粗大粒子を含まないことを
特徴とする前記第（１）項に記載の電子写真感光体」、
（６）「前記α−アルミナ粒子が、その比表面積（ＢＥ
Ｔ表面積）８〜２０ｍ^２／ｇであることを特徴とする前
記第（１）項に記載の電子写真感光体」、（７）「前記
α−アルミナ粒子が、不純物としてナトリウム含有量が
２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする前記第（１）項
に記載の電子写真感光体」、（８）「前記α−アルミナ
粒子が、純度として９９．９９重量％以上であることを
特徴とする前記第（１）項に記載の電子写真感光体」、
（９）「前記最表面層が、ポリカルボン酸化合物を含有
するものであることを特徴とする前記第（１）項乃至第
（８）項の何れかに記載の電子写真感光体」、（１０）
「前記最表面層に含有されるバインダー樹脂が高分子電
荷輸送物質であることを特徴とする前記第（１）項乃至
第（８）項の何れかに記載の電子写真感光体」、（１
１）「前記最表面層に含有されるバインダー樹脂が、主
鎖又は、且つ側鎖にトリアリールアミン構造を有するポ
リカーボネートであることを特徴とする前記第（１）項
乃至第（８）項の何れかに記載の電子写真感光体」、
（１２）「前記、少なくとも無機フィラーとバインダー
樹脂を含有する最表面層が、電荷輸送層の表面部分であ
ることを特徴とする前記第（１）項乃至第（８）項の何
れかに記載の電子写真感光体」により達成される。

【００１７】また、上記課題は、本発明の（１３）「前
記第（１）項乃至第（８）項の何れかに記載の電子写真
感光体に少なくとも帯電、露光、現像、転写を繰り返す
ことにより画像を形成することを特徴とする画像形成方
法」により達成される。

【００１８】また、上記課題は、本発明の（１４）「前
記第（１）項乃至第（８）項の何れかに記載の電子写真
感光体に加えて、帯電手段、露光手段、現像手段および
転写手段を有することを特徴とした画像形成装置」によ
り達成される。

【００１９】また、上記課題は、（１５）「前記第
（１）項乃至第（８）項の何れかに記載の電子写真感光
体に加えて、帯電手段、現像手段、転写手段、クリーニ
ング手段および除電手段よりなる群から選ばれた少なく
とも一つの手段を一体化し、これを着脱可能としたこと
を特徴とする画像形成装置用プロセスユニット」により
達成される。

【００２０】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明におけるように、最表面層が少なくとも無機フィラ
ーとバインダー樹脂を含有してなる電子写真感光体にお
いて、この無機フィラーとして平均粒径０．０７〜０．
３μｍで粒径分布の狭い三方晶系α−アルミナ微粒子を
用いることにより、どのような理由から、高耐久性を有
し且つ繰り返し使用に対して画像流れを発生せず、更に
解像度や階調性が高く、地肌汚れや画像濃度低下のない
良好な画像が持続して得られるという効果が奏せられる
のかは現在明らかになっていないが、以下のような理由
が考えられる。

【００２１】本発明の構成の最表面層に無機フィラーを
含有する電子写真感光体が非常に高い耐摩耗性を有する
ことは既に周知の事実であり、以下無機フィラーを最表
面層に有する感光体の問題点に対し本発明の感光体が特
に有効である理由を記載する。

【００２２】本発明の電子写真感光体は繰り返し使用に
おける画像流れの発生が抑制される。この理由として
は、最表面層に含有されている無機フィラーが酸性の性
質のシリカや低抵抗性の酸化スズと異なる塩基性で高抵
抗の三方晶系α−アルミナを使用している。この画像流
れに対してはフィラーの材質だけでなく、酸化性ガスの
吸着作用から粒子の表面積も大きく影響する。本発明に
用いられる三方晶系α−アルミナとしては、原料として
アルミニウムアンモニウムカーボネートハイドロオキサ
イド［ＮＨ_４ＡｌＣＯ_３（ＯＨ）_２］用いこれを１２０
０゜C前後で低温焼成することより製造されたものである
ため、粒径分布が狭く微粉の割合が非常に少ない特徴を
有している。

【００２３】また、本発明の電子写真感光体は最表面層
に塩基性フィラーや高抵抗フィラーを含有させた感光体
でみられる露光部電位の上昇が僅かである。この理由と
しては、本発明の三方晶系α−アルミナが微粉末を含ま
ないため電荷をトラップに影響する表面積が小さいこ
と、更に不純物として電位上昇を招くナトリウム含有量
が２０ｐｐｍ以下であり、９９．９９重量％以上の高純
度であることが関係している。また更に、本発明のα−
アルミナは前述の製造法に起因するところの凝集力が低
く単粒子化しているため、粉砕、分散に高エネルギーを
必要とせずこの際混入する不純物量を低減できる。この
単粒子化を表わす値として、ガス吸着量から算出するＢ
ＥＴ比表面積が粒径としては８〜２０ｍ^２／ｇと大きい
ことが挙げられる。例えば、粒子が凝集すると表面積に
対応するガス吸着量が低下し、ＢＥＴ比表面積の値が小
さくなってしまう。

【００２４】また、本発明の電子写真感光体は最表面層
に酸化チタンやアルミナ等の白色度の高いフィラーを用
いた時に発生する画像の解像度低下、階調性低下がほと
んど見られない。最表面層に無機フィラーを含有する感
光体は通常の感光体と異なり、入射した光がフィラー表
面で反射、フィラー内部での吸収、散乱によって直進性
が低下し上記問題が発生する。このうち最も影響が大き
い原因が反射で、光が伝搬、入射する媒体とフィラー材
料固有の屈折率の差によって決まる相対的なものである
ために、フィラー材質の選択により決定されてしまう。
感光体の屈折率はおおよそ１．６、無機フィラーの屈折
率はアルミナで１．７６、シリカで１．５５、酸化チタ
ンで２．７１であり、屈折率の差から反射の影響はシリ
カでは問題とならず、酸化チタンでは上記画像の劣化を
回避することは困難である。アルミナにおいては添加量
の増加に伴い反射の影響が現れるが、小粒径化により抑
制が可能である。しかし、バイヤー法、有機アルミニウ
ム加水分解法、アンモニウムミョウバン熱分解法、エチ
レンクロルヒドリン法、水中火炎法、気相転移成長法に
より製造されるα−アルミナは実質的に粒径０．３μｍ
以上であり、また高エネルギー粉砕を用いた粉末は粒径
１μｍ以上の粗大粒子を含有し、反射が大きい。これに
対し、本発明のアルミニウムアンモニウムカーボネート
ハイドロオキサイド［ＮＨ_４ＡｌＣＯ_３（ＯＨ）_２］の
熱分解によって製造されたα−アルミナは０．０７〜
０．３μｍの小粒径で粒径分布が狭く、１μｍ以上の粗
大粒子を含有しない点で反射が少ない。次に反射以外の
影響としては、フィラー内部での吸収があるが多結晶ア
ルミナでは実質的にゼロとしてよく、散乱の影響のみと
なる。本発明のα−アルミナは粒子内部まで均質な三方
晶系からなり内部に気孔をもたず、フィラー内部での散
乱の影響も少ない。これらの理由により、本発明のα−
アルミナを用いることで解像度低下、階調性低下を防止
できていると考えられる。

【００２５】また、最表面層に無機フィラーを用いた感
光体は、フィラーの形状、粒径分布、膜中の凝集状態に
起因する機械的問題もしばしば発生する。本発明の三方
晶系α−アルミナは多面体形状をしおり、分散に高エネ
ルギーを必要としないため鋭利な破砕面を有していな
い。また、塗工液中の分散性も良好で、塗工膜において
も顕著な凝集もなく均一に分散されている。このため、
クリーニングブレードの破損による黒スジ状の欠陥画像
が発生しない。また本製造法で造られたα−アルミナは
平均粒径０．０７〜０．３μｍで、且つ微粉末が少な
く、１μｍ以上の粗大粒子を含有しておらず、粒径分布
が狭く、前述したように膜中の分散も良好なため、高い
耐摩耗性を有しており摩耗ムラも発生しない。

【００２６】以下、本発明に用いられる電子写真感光体
の構成について、図面に基づいて説明する。図１は、本
発明の電子写真感光体の一例を表わす断面図であり、導
電性支持体（３１）上に、電荷発生物質とバインダー樹
脂とを主成分とする感光層（３３）が設けられている。
図１−Ａは、無機フィラーを含有する最表面層が感光層
全体の場合を示したものであり、図１−Ｂは、無機フィ
ラーの含有する最表面層が感光層の表面部分である場合
を示したものである。

【００２７】図２は、本発明の電子写真感光体の他の例
を表わす断面図であり、導電性支持体（３１）上に、電
荷発生物質を主成分とする電荷発生層（３５）と、電荷
輸送物質を主成分とする電荷輸送層（３７）とが積層さ
れた構成をとっている。図２−Ａは、無機フィラーを含
有する最表面層が電荷輸送層全体の場合を示したもので
あり、図２−Ｂは、無機フィラーを含有する最表面層が
電荷輸送層の表面部分である場合を示したものである。

【００２８】図３は、本発明の電子写真感光体の他の例
を表わす断面図であり、導電性支持体（３１）上に、電
荷発生物質とバインダー樹脂とを主成分とする感光層
（３３）が設けられ、更に感光層表面に保護層（３９）
が設けられた構成をとっている。この場合、無機フィラ
ーを含有する最表面層は保護層（３９）である。

【００２９】図４は、本発明の電子写真感光体の他の例
を表わす断面図であり、導電性支持体（３１）上に、電
荷発生物質を主成分とする電荷発生層（３５）と電荷輸
送物質を主成分とする電荷輸送層（３７）とが積層され
た構成をとっており、更に電荷輸送層（３７）上に保護
層（３９）が設けられてなる。この場合、無機フィラー
を含有する最表面層は保護層（３９）である。

【００３０】図５は、本発明の電子写真感光体の他の例
を表わす断面図であり、導電性支持体（３１）上に、電
荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層（３７）と電荷発
生物質を主成分とする電荷発生層（３５）とが積層され
た構成をとっており、更に電荷発生層（３５）上に保護
層（３９）が設けられてなる。この場合、無機フィラー
を含有する最表面層は保護層（３９）である。

【００３１】以下、本発明の導電性支持体について説明
する。導電性支持体（３１）としては、体積抵抗１０
^１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミ
ニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白
金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸
化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状
もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あ
るいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ス
テンレスなどの板、およびそれらを押し出し、引き抜き
などの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表
面処理を施した管などを使用することができる。また、
特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレス
ニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性
支持体（３１）として用いることができる。

【００３２】この他、上記支持体上に導電性粉体を適当
な結着樹脂に分散して塗工したものについても、本発明
の導電性支持体（３１）として用いることができる。こ
の導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレン
ブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロ
ム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化ス
ズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などが挙げられる。ま
た、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、ス
チレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジ
エン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポ
リエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、
酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトル
エン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、
シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタ
ン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑
性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。こ
のような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂と
を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロ
メタン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して
塗布することにより設けることができる。

【００３３】さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、ポリテト
ラフロロエチレン系フッ素樹脂などの素材に前記導電性
粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設
けてなるものも、本発明の導電性支持体（３１）として
良好に用いることができる。

【００３４】次に、感光層について説明する。感光層は
積層構造でも単層構造でもよい。積層構造の場合は、感
光層は電荷発生物質を含んだ電荷発生層と電荷輸送物質
を含んだ電荷輸送層とから構成される。また、単層構造
の場合には、感光層は少なくとも電荷発生物質を含んだ
層から構成される。以下、積層構造の感光層及び単層構
造の感光層のそれぞれについて述べる。

【００３５】＜感光層が複数層からなるものの場合＞電
荷発生層（３５）は、電荷発生物質を主成分とする層
で、必要に応じてバインダー樹脂を併用することもでき
る。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を
用いることができる。無機系材料には、結晶セレン、ア
モルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル
−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シ
リコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおい
ては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子で
ターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をド
ープしたものが良好に用いられる。一方、有機系材料と
しては、公知の材料を用いることができる。例えば、金
属フタロシアニン、無金属フタロシアニン等のフタロシ
アニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸
メチン顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリ
フェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミ
ン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有
するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オ
キサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン
骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨
格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有
するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系また
は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニル
メタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及
びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系染
料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔
料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独ま
たは２種以上の混合物として用いることができる。

【００３６】電荷発生層（３５）に必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカ−ボネ−ト、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが挙げられる。これらのバインダー樹脂は、単独
または２種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層の結着樹脂として上述のバインダー樹脂
の他に、高分子電荷輸送物質（例えば、特開昭６４−１
７２８号公報、特開昭６４−１３０６１号公報、特開昭
６４−１９０４９号公報、特開平４−１１６２７号公
報、特開平４−２２５０１４号公報、特開平４−２３０
７６７号公報、特開平４−３２０４２０号公報、特開平
５−２３２７２７号公報、特開平６−２３４８３８号公
報、特開平６−２３４８３９号公報、特開平６−２９５
０７７号公報、特開平７−５６３７４号公報、特開平７
−３２５４０９号公報、特開平９−８０７７２号公報、
特開平９−８０７８３号公報、特開平９−８０７８４号
公報、特開平９−１２７７１３号公報、特開平９−２１
１８７７号公報、特開平９−２２２７４０号公報、特開
平９−２６５１９７号公報、特開平９−２６５２０１号
公報、特開平９−２９７４１９号公報、特開平９−３０
４９５６号公報等に記載）を用いることができる。これ
らの高分子電荷輸送物質の中でも、主鎖又は／且つ側鎖
にトリアリールアミン構造を有するポリカーボネートが
有効である。電荷発生層（３５）で用いられるバインダ
ー樹脂の量は電荷発生物質１００重量部に対し、０〜５
００重量部、好ましくは０〜２００重量部が適当であ
る。更に、必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加して
もよい。

【００３７】電荷発生層（３５）に併用できる低分子電
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。電子輸送物質としては、たとえばクロルアニル、ブ
ロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリ
ニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４
−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−
５，５−ジオキサイド、ジフェノキノン誘導体などの電
子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、
単独または２種以上の混合物として用いることができ
る。

【００３８】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。正孔輸
送物質としては、オキサゾール誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘
導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘
導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導
体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリ
アリールメタン誘導体、９−スチリルアントラセン誘導
体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒド
ラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジェン誘導体、ピ
レン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体
等、その他公知の材料が挙げられる。これらの正孔輸送
物質は、単独または２種以上の混合物として用いること
ができる。電荷発生層（３５）で用いられる低分子電荷
輸送物質の量は電荷発生物質１００重量部に対し、０〜
５００重量部、好ましくは０〜３００重量部が適当であ
る。

【００３９】電荷発生層（３５）を形成する方法には、
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。

【００４０】また、後者のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系もしくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、トルエン、
ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタ
ン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、アニソー
ル、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エ
チル、酢酸ブチル等の溶媒を用いてボールミル、アトラ
イター、サンドミル、ビーズミル等により分散し、分散
液を適度に希釈して塗布することにより、形成できる。
また、必要に応じて、ジメチルシリコーンオイル、メチ
ルフェニルシリコーンオイル等のレベリング剤を添加す
ることができる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコー
ト、ビードコート、リングコート法などを用いて行なう
ことができる。以上のようにして設けられる電荷発生層
の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好まし
くは０．０５〜２μｍである。

【００４１】電荷輸送層（３７）は、電荷輸送物質およ
びバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、こ
れを電荷発生層（３５）上に塗布、乾燥することにより
形成できる。電荷輸送物質としては、前記電荷発生層
（３５）で記載した電子輸送物質、正孔輸送物質及び高
分子電荷輸送物質を用いることができる。

【００４２】バインダー樹脂としては、ポリスチレン、
スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタ
ジエン共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロ
ース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メ
ラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッ
ド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。

【００４３】電荷輸送物質の量はバインダー樹脂１００
重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜
１５０重量部が適当である。但し、高分子電荷輸送物質
を用いる場合は単独の使用、バインダー樹脂との併用も
可能である。

【００４４】電荷輸送層（３７）の塗工に用いられる溶
媒としては前記電荷発生層と同様なものが使用できる
が、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を良好に溶解する
ものが適している。これらの溶剤は単独で使用しても２
種以上混合して使用しても良い。また、電荷輸送層（３
７）の形成には電荷発生層（３５）と同様な塗工法が可
能である。

【００４５】また、必要により可塑剤、レベリング剤を
添加することもできる。電荷輸送層（３７）に併用でき
る可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフ
タレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されている
ものがそのまま使用でき、その使用量は、バインダー樹
脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度が適当であ
る。電荷輸送層（３７）に併用できるレベリング剤とし
ては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリ
コーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフ
ルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマー
が使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量
部に対して０〜１重量部程度が適当である。

【００４６】電荷輸送層（３７）の膜厚は、５〜５０μ
ｍ程度が適当であり、解像度、地肌汚れ等の画像特性及
び帯電電位、感度等の電気特性上、好ましくは１０〜４
０μｍ程度が適当である。

【００４７】更に、電荷輸送層（３７）が感光体の表面
層になる場合、電荷輸送層（３７）の全層又は表面部分
に耐摩耗性を向上させる目的で無機フィラーを含有させ
る。この無機フィラーとして平均粒径０．０７〜０．３
μｍで粒径分布の狭い三方晶系α−アルミナ微粒子を用
いることにより、高耐久性を有し且つ繰り返し使用に対
して画像流れを発生せず、更に解像度や階調性が高く、
地肌汚れや画像濃度低下のない良好な画像が持続して得
られる。

【００４８】本発明の三方晶系α−アルミナ微粒子とし
ては、例えば、特開昭６１−２０１６１９号公報、特公
平６−１７２２４号公報、特許第２９８３０４２号公報
記載のものが挙げられ、原料としてアルミニウムアンモ
ニウムカーボネートハイドロオキサイド［ＮＨ_４ＡｌＣ
Ｏ_３（ＯＨ）_２］を用い、これを１２００℃前後で低温
焼成する製造方法により良好に製造される。このように
して製造された本発明のα−アルミナ粒子は、三方晶系
（ＡＳＴＭ Ｘ−ｒａｙ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄａｔｅ Ｆ
ｉｌｅ ＮＯ．１０−１７３）であり、電界放出型走査
線電子顕微鏡ＦＥ−ＳＥＭ（日立製作所製：Ｓ−４２０
０）による観察から粒子の２軸平均径を測定した結果、
０．０７〜０．３μｍの微小な多面体形状を有してい
る。

【００４９】更に、この三方晶系α−アルミナはＦＥ−
ＳＥＭ観察から個数基準粒径分布が狭く、微粒側からの
累積１０％、累積９０％の粒径をそれぞれＤａ、Ｄｂと
したときにＤｂ／Ｄａの値が４以下、且つ粒径１μｍ以
上の粒子を実質的に含まず、バイヤー法、水熱合成アル
ミナの粉砕粉体と比較して非常に粒径が揃っている。

【００５０】これらの平均粒径、粒径分布の多面体形状
三方晶系α−アルミナは、感光体の最表層に用いるのに
最適である。また、本発明に用いられる三方晶系α−ア
ルミナの特徴として、１次粒子の凝集性が弱く単粒子化
しており、これを示す値としてガス吸着量から算出する
ＢＥＴ比表面積が粒径としては８〜２０ｍ^２／ｇと大き
いことが挙げられる。このため分散に高エネルギーの粉
砕法を必要とせず、微粉末の分布が少ない、粒子形状と
して鋭利な破砕面を有さない、分散による不純物の混入
が少ない等の利点がある。更に本発明のα−アルミナ粒
子は、発光分析による不純物イオンの定量によりナトリ
ウム含有量が１０ｐｐｍ以下と少なく、不純物量を全体
から除いて９９．９９重量％以上の高純度である。従っ
て、本発明の三方晶系α−アルミナを最表層に含有させ
た感光体では、繰り返し使用による露光部電位の上昇を
抑えることができる。

【００５１】本発明の無機フィラーとしては前記三方晶
系α−アルミナ粒子の他に必要に応じて、銅、スズ、ア
ルミニウム、インジウムなどの金属粉末、シリカ、酸化
錫、酸化亜鉛、酸化チタン、他の結晶形アルミナ、酸化
ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化
ビスマス、酸化カルシウム、アンチモンをドープした酸
化錫、錫をドープした酸化インジウム等の金属酸化物、
フッ化錫、フッ化カルシウム、フッ化アルミニウム等の
金属フッ化物、チタン酸カリウム、窒化硼素など粒子を
併用してもかまわない。また、これらの無機フィラーの
分散性改良などの目的で表面処理を施すことが可能であ
り、このとき用いられる表面処理剤としてはチタネート
系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジ
ルコアルミネート系カップリング剤、高級脂肪酸、シラ
ンカップリング剤、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、
シリコーン、ステアリン酸アルミニウム、あるいはそれ
らの混合処理等が挙げられる。

【００５２】最表面層に含有される無機フィラーの割合
は、目的とする耐摩耗性、無機フィラーの粒径、材質、
用いられる画像形成プロセス等様々な要因に左右される
が、無機フィラーが分散されている表面部分の全量に対
し０．５〜５０重量％、好ましくは２〜４０重量％であ
る。

【００５３】無機フィラ−を含有する表面部分は、例え
ば無機フィラーを有機溶剤と合わせボールミル、アトラ
イター、サンドミル、ビーズミル、超音波などの従来方
法を用いて分散した後、バインダー樹脂を加え塗工する
ことにより設けられる。この無機フィラーを含有する表
面層が電荷輸送層（３７）の全層の場合は電荷発生層
（３５）上に直接塗工し、電荷輸送層（３７）の表面部
分の場合は電荷輸送層上に塗工される。このとき用いら
れる塗工法は、電荷発生層（３５）で記載した塗工法を
用いることができる。

【００５４】この塗工液には必要に応じてポリカルボン
酸化合物等の分散剤、電荷輸送物質、レベリング剤、可
塑剤等の添加剤が用いられる。これらのバインダー樹脂
や添加剤は無機フィラー分散処理前、途中及び分散後に
添加しても良い。この塗工液に用いられる有機溶剤は無
機フィラーの分散性、塗工方法等によって左右される
が、一般的には電荷発生層（３５）で記載したものが使
用可能であり、２種以上の溶剤が混合されても良い。

【００５５】無機フィラーが分散した最表面部分に用い
られるバインダー樹脂、電荷輸送物質等の材料は、電荷
輸送層（３７）で挙げたものが使用可能であるが、電荷
輸送層の表面部分にのみ無機フィラーを含有する場合、
無機フィラーを含有しない下層の電荷輸送部分と用いる
材料の種類、組成を必要に応じて変えることができる。

【００５６】また、この無機フィラーと共に用いるバイ
ンダー樹脂として、電荷発生層（３５）で記載した高分
子電荷輸送物質が好適に用いられ、特に中でも、主鎖又
は／且つ側鎖にトリアリールアミン構造を有するポリカ
ーボネートが有効である。本発明に用いられる更に有用
なトリアリールアミン構造有するポリカーボネートとし
ては、以下の一般式１〜一般式１０の高分子電荷輸送物
質が挙げられる。

【００５７】

【化１】 （式中、Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３ はそれぞれ独立して置換も
しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ_４は水
素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ _５ ，
Ｒ_６ は置換もしくは無置換のアリール基、ｏ，ｐ，ｑ
はそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ，ｊは組成を表し
電荷輸送構造が３０重量％以上７０重量％以下にるよう
に調節される。ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００
の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価
基、または下記一般式で表わされる２価基を表わす。

【００５８】

【化２】 （式中、Ｒ_１０１，Ｒ_１０２ は各々独立して置換もし
くは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原
子を表わす。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素
原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ_２−，−Ｃ
Ｏ−，−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の
２価基を表わす。）または、

【００５９】

【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ_１０３、Ｒ_１０４は置換または無置換のアルキル
基又はアリール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ
_１０１ とＲ_１０２，Ｒ_１０３とＲ_１０４は、それぞれ
同一でも異なってもよい。

【００６０】一般式１の具体例 Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３はそれぞれ独立して置換もしくは無置
換のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体
例としては以下のものを挙げることができ、同一であっ
ても異なってもよい。アルキル基として好ましくは、Ｃ
_１〜 Ｃ_１２とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ
_１〜 Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、こ
れらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ
基、Ｃ_１〜 Ｃ_４のアルコキシ基、フェニル基、又はハ
ロゲン原子、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ_１〜
Ｃ_４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有し
ても良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、
ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-
ヒドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエ
チル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベ
ンジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル
基、4-フェニルベンジル基等が挙げられる。ハロゲン原
子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子が挙げられる。Ｒ_４は水素原子又は置換もしくは無
置換のアルキル基を表わすがそのアルキル基の具体例と
しては上記のＲ_１, Ｒ_２, Ｒ_３ と同様のものが挙げら
れる。Ｒ_５,Ｒ_６は置換もしくは無置換のアリール基を
表わすが、その具体例としては以下のものを挙げること
ができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水
素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル
基、ピレニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-
フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフ
ェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニ
ル基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデン
フェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ター
フェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チ
エニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニ
ル基、カルバゾリル基などが挙げられる。上述のアリー
ル基は以下に示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、上記のＲ_１, Ｒ_２, Ｒ_３
と同様のものが挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１０５）としては、Ｒ
_１０５は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキシ
基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げら
れる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。 Ｘは下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い
重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併
用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造
されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又は
ブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ａ）
のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記
一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの
重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この
場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００６１】

【化４】

【００６２】

【化５】

【００６３】一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例と
しては以下のものが挙げられる。1,3-プロパンジオー
ル、1,4-ブタンジオール、1,5-ペンタンジオール、1,6-
ヘキサンジオール、1,8-オクタンジオール、1,10-デカ
ンジオール、2-メチル-1,3-プロパンジオール、2,2-ジ
メチル-1,3-プロパンジオール、2-エチル-1,3-プロパン
ジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコ
ール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエ
ーテルグリコール等の脂肪族ジオールや1,4-シクロヘキ
サンジオール、1,3-シクロヘキサンジオール、シクロヘ
キサン-1,4-ジメタノール等の環状脂肪族ジオールが挙
げられる。また、芳香環を有するジオールとしては、4,
4’-ジヒドロキシジフェニル、ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）メタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）エタ
ン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）-1-フェニルエ
タン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン、2,
2-ビス（3-メチル-4-ヒドロキシフェニル）プロパン、
1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、1,
1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、2,2-
ビス（3-フェニル-4-ヒドロキシフェニル）プロパン、
2,2-ビス（3-イソプロピル-4-ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）ブタン、2,
2-ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、2,2-ビス（3,5-ジブロモ-4-ヒドロキシフェニル）
プロパン、4,4’-ジヒドロキシジッフェニルスルホン、
4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’-ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3’-ジメチル-4,
4’-ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4’-ジヒド
ロキシジフェニルオキシド、2,2-ビス（4-ヒドロキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、9,9-ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）フルオレン、9,9-ビス（4-ヒドロキシフ
ェニル）キサンテン、エチレングリコール-ビス（4-ヒ
ドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール-ビス
（4-ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコー
ル-ビス（4-ヒドロキシベンゾエート）1,3-ビス（4-ヒ
ドロキシフェニル）-テトラメチルジシロキサン、フェ
ノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００６４】

【化６】 （式中、Ｒ_７, Ｒ_８は置換もしくは無置換のアリール
基、Ａｒ_１, Ａｒ_２, Ａｒ _３は同一又は異なるアリレン
基を表わす。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、一般式１の場合
と同じである。）

【００６５】一般式２の具体例 Ｒ_７, Ｒ_８ は置換もしくは無置換のアリール基を表わ
すが、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-フル
オレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニ
レニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフ
ェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフ
ェニリル基、または、

【００６６】

【化７】 ここで、Ｗは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ_２−，
−ＣＯ−及び以下の２価基を表わす。

【００６７】

【化８】 （式中、ｃは１〜１２の整数を表わす。）

【００６８】

【化９】 （式中、ｄは１〜３の整数を表わす。）

【００６９】

【化１０】 （式中、ｅは１〜３の整数を表わす。）

【００７０】

【化１１】 （式中、ｆは１〜３の整数を表わす。）で表わされる。
複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フ
リル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げ
られる。また、 Ａｒ_１, Ａｒ_２およびＡｒ_３で示され
るアリレン基としてはＲ_７ および Ｒ_８ で示したアリ
ール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なっても
よい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
を置換基として有してもよい。また、これら置換基は上
記一般式中のＲ_１０６、 Ｒ_１０７、 Ｒ_１０８の具体例
として表わされる。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、 Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_{１ ８}、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これら
のアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲ
ン原子、 Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ_１〜 Ｃ
_４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有して
も良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-
ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-ヒ
ドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエチ
ル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベン
ジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、
4-フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（− ＯＲ_１０９）としては、Ｒ
_１０９は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキシ
基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げら
れる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）

【００７１】

【化１２】 式中、Ｒ_１１０及びＲ_１１１は各々独立に（２）で定義
したアルキル基またはアリール基を表し、アリール基と
しては例えばフェニル基、ビフェニル基、またはナフチ
ル基が挙げられ、これらはＣ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ
基、 Ｃ_１〜 Ｃ_４のアルキル基またはハロゲン原子を置
換基として含有しても良い。またアリール基上の炭素原
子と共同で環を形成しても良い。具体的には、ジエチル
アミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ-
ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ（ｐ-トリル）アミノ
基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ
基、ユロリジル基等が挙げられる。 （７）メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等
のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基、等
が挙げられる。 Ｘは下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い
重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併
用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造
されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又は
ブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｃ）
のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記
一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの
重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この
場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７２】

【化１３】

【００７３】

【化１４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００７４】

【化１５】 （式中、Ｒ_９, Ｒ_１０は置換もしくは無置換のアリール
基、Ａｒ_４ ，Ａｒ_５，Ａｒ_６ は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、一般式１の場
合と同じである。）

【００７５】一般式３の具体例 Ｒ_９, Ｒ_１０は置換もしくは無置換のアリール基を表わ
すが、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-フル
オレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニ
レニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフ
ェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフ
ェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエ
ニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル
基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、 Ａｒ
_４ ，Ａｒ_５、およびＡｒ_６で示されるアリレン基とし
てはＲ_９およびＲ_１０で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、 Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これら
のアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲ
ン原子、 Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ_１〜 Ｃ
_４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有して
も良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-
ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-ヒ
ドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエチ
ル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベン
ジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、
4-フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１１２）としては、Ｒ
_１１２ は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体
的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、
ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、
ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキ
シ基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチ
ルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げ
られる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、 Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、 Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。 Ｘは下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い
重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併
用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造
されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又は
ブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｄ）
のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記
一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの
重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この
場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７６】

【化１６】

【００７７】

【化１７】 一般式(Ｂ)のジオール化合物は一般式１と同じものが挙
げられる。

【００７８】

【化１８】 （式中、Ｒ_１１, Ｒ_１２ は置換もしくは無置換のアリ
ール基、Ａｒ_７, Ａｒ₈,Ａｒ₉は同一又は異なるアリレ
ン基、ｓは１〜５の整数を表わす。 Ｘ，ｋ，ｊおよび
ｎは、一般式１の場合と同じである。）

【００７９】一般式４の具体例 Ｒ_１１, Ｒ_１２ は置換もしくは無置換のアリール基を
表わすが、その具体例としては以下のものを挙げること
ができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水
素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル
基、ピレニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-
フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフ
ェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニ
ル基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデン
フェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ター
フェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チ
エニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニ
ル基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａ
ｒ_７, Ａｒ₈、およびＡｒ₉で示されるアリレン基として
はＲ_１１およびＲ_１２で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、 Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これら
のアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲ
ン原子、 Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ_１〜 Ｃ
_４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有して
も良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-
ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-ヒ
ドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエチ
ル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベン
ジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、
4-フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１１３ ）としては、Ｒ
_１１３は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキシ
基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げら
れる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。 Ｘは下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い
重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併
用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造
されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又は
ブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｅ）
のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記
一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの
重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この
場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００８０】

【化１９】

【００８１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００８２】

【化２０】［一般式５］ （式中、Ｒ_１３， Ｒ_１４は置換もしくは無置換のアリ
ール基、Ａｒ_１０， Ａｒ _１１， Ａｒ_１２は同一又は異
なるアリレン基、 Ｘ_１， Ｘ_２ は置換もしくは無置換
のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を
表わす。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、一般式１の場合と同
じである。）

【００８３】一般式５の具体例 Ｒ_１３， Ｒ_１４ は置換もしくは無置換のアリール基を
表わすが、その具体例としては以下のものを挙げること
ができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水
素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル
基、ピレニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-
フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフ
ェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニ
ル基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデン
フェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ター
フェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チ
エニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニ
ル基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａｒ
_１０， Ａｒ_１１ およびＡｒ_１２で示されるアリレン基
としてはＲ _１３およびＲ_１４ で示したアリール基の２
価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述
のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基と
して有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、 Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらの
アルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲ
ン原子、 Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ_１〜 Ｃ
_４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有して
も良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-
ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-ヒ
ドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエチ
ル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベン
ジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、
4-フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１１４ ）としては、 Ｒ
_１１４ は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体
的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、
ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、
ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキ
シ基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチ
ルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げ
られる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。 Ｘ_１，Ｘ_２ は置換もしくは無置換のエチレン基、置換
もしくは無置換のビニレン基を表し、この置換基として
は、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ_１３，
Ｒ_１４のアリール基、上記（２）のアルキル基が挙げら
れる。Ｘは下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を
有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等
を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合
物を併用することにより主鎖中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合
体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般
式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメ
ートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００８４】

【化２１】

【００８５】

【化２２】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００８６】

【化２３】 （式中、Ｒ_１５，Ｒ_１６，Ｒ_１７，Ｒ_１８は置換もしく
は無置換のアリール基、Ａｒ_１３， Ａｒ_１４，Ａｒ
_１５，Ａｒ_１６は同一又は異なるアリレン基、 Ｙ_１，
Ｙ_２，Ｙ_３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン
基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換も
しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄
原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよ
い。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、一般式１の場合と同じで
ある。）

【００８７】一般式６の具体例 Ｒ_１５，Ｒ_１６，Ｒ_１７，Ｒ_１８は置換もしくは無置換
のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のも
のを挙げることができ、同一であっても異なってもよ
い。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環
基としてナフチル基、ピレニル基、2-フルオレニル基、
9,9-ジメチル-2-フルオレニル基、アズレニル基、アン
トリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオ
レニリデンフェニル基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シク
ロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフ
ェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素
環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る。また、Ａｒ_１３，Ａｒ_１４，Ａｒ_１５および Ａｒ
_１６で示されるアリレン基としては、Ｒ_１５，Ｒ_１６，
Ｒ_１７ およびＲ_１８ で示した上記のアリール基の２価
基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述の
アリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基とし
て有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これら
のアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有し
ても良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、
ｎ-ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-
ヒドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエ
チル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベ
ンジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル
基、4-フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１１５）としては、 Ｒ
_１１５は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキシ
基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げら
れる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 Ｙ_１，Ｙ_２，Ｙ_３ は単結合、置換もしくは無置換のア
ルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン
基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素
原子、硫黄原子、ビニレン基、を表し同一であっても異
なってもよい。アルキレン基としては、上記（２）で示
したアルキル基より誘導される２価基を表わす。具体的
には、メチレン基、エチレン基、1,3-プロピレン基、1,
4-ブチレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、ジフルオ
ロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン
基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、4-メチ
ルフェニルメチレン基、2,2-プロピレン基、2,2-ブチレ
ン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。
シクロアルキレン基としては、1,1-シクロペンチレン
基、1,1-シクロへキシレン基、1,1-シクロオクチレン基
等を挙げることができる。アルキレンエーテル基として
は、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エ
チレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エー
テル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられ
る。Ｘは下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有
するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を
用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物
を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、
製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、
又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式
（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００８８】

【化２４】

【００８９】

【化２５】 一般式(Ｂ)のジオール化合物は一般式１と同じものが挙
げられる。

【００９０】

【化２６】 （式中、Ｒ_１９，Ｒ_２０ は水素原子、置換もしくは無
置換のアリール基を表し，Ｒ_１９とＲ_２０は環を形成し
ていてもよい。Ａｒ_１７，Ａｒ_１８，Ａｒ_１９は同一又
は異なるアリレン基を表わす。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎ
は、一般式１の場合と同じである。）

【００９１】一般式７の具体例 Ｒ_１９，Ｒ_２０ は置換もしくは無置換のアリール基を
表わすが、その具体例としては以下のものを挙げること
ができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水
素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル
基、ピレニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-
フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフ
ェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニ
ル基、5Ｈ-ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフ
ェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフ
ェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエ
ニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル
基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ｒ_１９，
Ｒ_２０ は環を形成する場合、9-フルオリニリデン、5H-
ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが挙げら
れる。また、Ａｒ_１７，Ａｒ_１８ およびＡｒ_１９で示
されるアリレン基としてはＲ _１９およびＲ_２０で示した
アリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なっ
てもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示
す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これら
のアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲ
ン原子、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ _１〜 Ｃ
_４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有して
も良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-
ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-ヒ
ドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエチ
ル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベン
ジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、
4-フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１１6）としては、Ｒ_１１6
は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキシ
基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げら
れる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。 Ｘは下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い
重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併
用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造
されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又は
ブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｈ）
のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記
一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの
重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この
場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００９２】

【化２７】

【００９３】

【化２８】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００９４】

【化２９】［一般式８］ （式中、Ｒ_２１は置換もしくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ_２０，Ａｒ_２１，Ａｒ _２２，Ａｒ_２３ は同一又は異
なるアリレン基を表わす。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、一
般式１の場合と同じである。）

【００９５】一般式８の具体例 Ｒ_２１ は置換もしくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-フル
オレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニ
レニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフ
ェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフ
ェニリル基などが挙げられる。複素環基としては、チエ
ニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル
基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａ
ｒ_２０，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２ およびＡｒ_２３ で示され
るアリレン基としてはＲ_２１で示したアリール基の２価
基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述の
アリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基とし
て有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これら
のアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲ
ン原子、 Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ_１〜 Ｃ
_４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有して
も良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-
ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-ヒ
ドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエチ
ル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベン
ジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、
4-フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１１７）としては、 Ｒ
_１１７ は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体
的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、
ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、
ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキ
シ基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチ
ルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げ
られる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。 Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い
重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併
用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造
されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又は
ブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｊ）
のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記
一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの
重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この
場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００９６】

【化３０】

【００９７】

【化３１】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００９８】

【化３２】 （式中、Ｒ_２２，Ｒ_２３，Ｒ_２４，Ｒ_２５は置換もしく
は無置換のアリール基、Ａｒ_２４，Ａｒ_２５，Ａ
ｒ_２６，Ａｒ_２７，Ａｒ_２８は同一又は異なるアリレン
基を表わす。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、一般式１の場合
と同じである。）

【００９９】一般式９の具体例 Ｒ_２２，Ｒ_２３，Ｒ_２４，Ｒ_２５は置換もしくは無置換
のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のも
のを挙げることができ、同一であっても異なってもよ
い。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合多環
基としてナフチル基、ピレニル基、2-フルオレニル基、
9,9-ジメチル-2-フルオレニル基、アズレニル基、アン
トリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオ
レニリデンフェニル基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シク
ロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフ
ェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素
環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る。また、 Ａｒ_２４，Ａｒ_２５，Ａｒ_２６，Ａｒ_２７
およびＡｒ_２８で示されるアリレン基としては、
Ｒ_２２，Ｒ_２３，Ｒ_２４ およびＲ_２５で示した上記の
アリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なっ
てもよい。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示
す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、 Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これら
のアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲ
ン原子、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはＣ_１〜 Ｃ
_４ のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有して
も良い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-
ブチル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-ヒ
ドロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエチ
ル基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベン
ジル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、
4-フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１１８）としては、Ｒ
_１１８は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキシ
基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げら
れる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。 Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い
重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併
用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造
されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又は
ブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｌ）
のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記
一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの
重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この
場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１００】

【化３３】

【０１０１】

【化３４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１０２】

【化３５】［一般式１０］ （式中、Ｒ_２６，Ｒ_２７ は置換もしくは無置換のアリ
ール基、 Ａｒ_２９，Ａｒ _３０，Ａｒ_３１は同一又は異
なるアリレン基を表わす。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、一
般式１の場合と同じである。）

【０１０３】一般式１０の具体例 Ｒ_２６，Ｒ_２７ は置換もしくは無置換のアリール基を
表わすが、その具体例としては以下のものを挙げること
ができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水
素基として、フェニル基、縮合多環基としてナフチル
基、ピレニル基、2-フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-
フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフ
ェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニ
ル基、5Ｈ-ジベンゾ ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデン
フェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ター
フェニリル基などが挙げられる。複素環基として、チエ
ニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル
基、カルバゾリル基などが挙げられる。また、Ａ
ｒ_２９，Ａｒ_３０ およびＡｒ_３１ で示されるアリレ
ン基としてはＲ_２６ およびＲ_２７で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ_１〜 Ｃ
_１２ とりわけＣ_１〜 Ｃ_８、さらに好ましくはＣ_１〜
Ｃ_４ の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これら
のアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、
Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲ
ン原子、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基もしくはC１〜C4の
アルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ-プロピル基、ｔ-ブチル基、ｓ-ブチル基、ｎ-ブ
チル基、ｉ-ブチル基、トリフルオロメチル基、2-ヒド
ロキシエチル基、2-シアノエチル基、2-エトキシエチル
基、2-メトキシエチル基、ベンジル基、4-クロロベンジ
ル基、4-メチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-
フェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ_１１９）としては、 Ｒ
_１１９は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ
−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、2-ヒドロキシエトキシ
基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-メチル
ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げら
れる。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ_１〜
Ｃ_４ のアルコキシ基、Ｃ_１〜 Ｃ_４ のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。具体的
には、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチル
オキシ基、4-メチルフェノキシ基、4-メトキシフェノキ
シ基、4-クロロフェノキシ基、6-メチル−２−ナフチル
オキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ-メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル-Ｎ−
プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジベンジルアミノ基等が挙
げられる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。 Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有する
ジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い
重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併
用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造
されるポリカーボネート樹脂はランダム共重合体、又は
ブロック共重合体となる。また、Ｘは下記一般式（Ｍ）
のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記
一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの
重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この
場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１０４】

【化３６】

【０１０５】

【化３７】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１０６】ここで用いられるバインダー樹脂は、無機
フィラーを固定化し最表面層の強度を維持する目的で含
有され、無機フィラー１００重量部に対し２５重量部以
上、好ましくは５０重量部以上が最低限必要である。ま
た、電荷輸送物質はじめとする添加物は電荷輸送層（３
７）と同じ添加割合で使用できる。

【０１０７】また、この無機フィラーを含有する表面部
分の膜厚としては、電荷輸送層（３７）の全層でも可能
であるが画像特性、電気特性上２０μｍ以下が望まし
く、更に好ましくは１〜１０μｍの範囲である。

【０１０８】無機フィラー分散層用塗工液に用いられる
分散剤は、塗工液作製時に無機フィラーの分散性を向上
させ塗工液を安定性を高める目的で必要に応じて添加さ
れる。この分散剤としては無機フィラーを一次粒径に近
い値まで分散する、電気的特性・画像特性に悪影響を及
ぼさない、などの点でポリカルボン酸化合物が特に有効
である。

【０１０９】このポリカルボン酸化合物としては、複数
のカルボン酸残基を有する低分子化合物、オリゴマー、
高分子化合物を指し、例えば有機脂肪酸、高酸化樹脂等
が挙げられる。このポリカルボン酸化合物がオリゴマ
ー、高分子化合物としては、ポリエステル樹脂、アクリ
ル樹脂、アクリル酸やメタクリル酸を用いた共重合体、
スチレンアクリル共重合体等が挙げられる。ここで用い
られるポリカルボン酸化合物の酸価としては、１０〜４
００（ｍｇＫＯＨ／ｇ）のものが有効に使用できる。
（酸価とは、１ｇ中に含まれる遊離脂肪酸を中和するの
に要する水酸化カリウムのミリグラム数で定義され
る。） このポリカルボン酸化合物添加量としては、含有される
無機フィラー１００重量部に対し０．０１〜５０重量
部、好ましくは０．１〜２０重量部である。

【０１１０】次に、感光層が単層構成の場合について述
べる。単層構成は導電性支持体上に少なくとも電荷発生
物質をバインダー樹脂中に分散した感光層（３３）を設
けたものである。感光層（３３）は、電荷発生物質とバ
インダー樹脂の他に必要に応じて電荷輸送物質を適当な
溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することに
よって形成できる。また、必要により可塑剤やレベリン
グ剤等を添加することもできる。それぞれ電荷発生物
質、電荷輸送物質、可塑剤、レベリング剤は前記電荷発
生層（３５）、電荷輸送層（３７）について既に述べた
と同様のものが使用できる。

【０１１１】バインダー樹脂としては、既に電荷輸送層
（３７）で挙げたバインダー樹脂のほかに、電荷発生層
（３５）で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよ
い。また、先に挙げた高分子電荷輸送物質も良好に使用
できる。樹脂成分１００重量部に対する電荷発生物質の
量は１〜４０重量部が好ましく、電荷輸送物質の量は０
〜１９０重量部が好ましく、さらに好ましくは５０〜１
５０重量部である。感光層は、電荷発生物質、バインダ
ー樹脂を必要に応じて電荷輸送物質とともにテトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサ
ン等の溶媒を用いて分散機等で分散した塗工液を、浸漬
塗工法やスプレーコート、ビードコート、リングコート
などで塗工して形成できる。

【０１１２】感光層の膜厚は、５〜２５μｍ程度が適当
である。この単層構成の感光層（３３）が感光体の表面
層になる場合、感光層（３３）の全層又はその表面部分
に耐摩耗性を向上させる目的で無機フィラ−を含有させ
る。この無機フィラーとして平均粒径０．０７〜０．３
μｍで粒径分布の狭い三方晶系α−アルミナ微粒子を用
いることにより、高耐久性を有し且つ繰り返し使用に対
して画像流れを発生せず、更に解像度や階調性が高く、
地肌汚れや画像濃度低下のない良好な画像が持続して得
られる。この単層構成における表面部分に分散される無
機フィラーとしては前述のものが使用可能で、バインダ
ー樹脂をはじめその他の構成材料としては基本的に上記
単層構成の感光層（３３）に用いられるものが含有可能
で、また更に必要に応じて電荷輸送層（３７）で記載の
ポリカルボン酸化合物、可塑剤、レベリング剤等が添加
される。また、これらの含有される材料の添加量、無機
フィラー分散層の製造法、膜厚としては前述の電荷輸送
層（３７）、単層構成の感光層（３３）について述べた
と同様の事項が適用できる。

【０１１３】本発明の感光体においては、導電性支持体
（３１）と感光層との間に下引き層を設けることができ
る。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これら
の樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考える
と、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂である
ことが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニル
アルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の
水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロ
ン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エ
ポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等
が挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電
位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸
化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示で
きる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。

【０１１４】これらの下引き層は、前述の感光層の如く
適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することができる。
更に本発明の下引き層として、シランカップリング剤、
チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用
することもできる。この他、本発明の下引き層には、Ａ
ｌ_２Ｏ_３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリ
レン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｔ
ｉＯ_２、ＩＴＯ、ＣｅＯ_２等の無機物を真空薄膜作成法
にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知
のものを用いることができる。下引き層の膜厚は０〜５
μｍが適当である。

【０１１５】本発明の感光体では、感光層保護の目的
で、感光層（３３）の表面側に保護層（３９）を設ける
ことができる。保護層（３９）は感光体の最表面側の層
で高い耐摩耗性が要求されるため、無機フィラーを含有
させることが有効であるが、この無機フィラーとして平
均粒径０．０７〜０．３μｍで粒径分布の狭い三方晶系
α−アルミナ微粒子を用いることにより、高耐久性を有
し且つ繰り返し使用に対して画像流れを発生せず、更に
解像度や階調性が高く、地肌汚れや画像濃度低下のない
良好な画像が持続して得られる。

【０１１６】この保護層に用いられるバインダー樹脂と
しては、ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニル
モノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリール樹
脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホ
ン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
カーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹
脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニ
レンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリアリ
レート、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポ
リウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エ
ポキシ樹脂等の樹脂を併用することができる。

【０１１７】この保護層（３９）に分散される無機フィ
ラーとしては前述のものが使用可能でき、必要に応じて
電荷輸送層（３７）について述べたと同様にポリカルボ
ン酸化合物、可塑剤、レベリング剤等が添加される。ま
た、これらの材料の添加量、無機フィラーの分散法、保
護層（３９）の製造法としては、電荷輸送層（３７）に
ついて述べたと同様の事項が適用できる。なお、保護層
（３９）の厚さは０．５〜５μｍ程度が適当である。

【０１１８】本発明の感光体においては、感光層（３
３）又は電荷輸送層（３７）と保護層（３９）との間に
中間層を設けることも可能である。中間層には、一般に
バインダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂とし
ては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性
ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビ
ニルアルコールなどが挙げられる。中間層の形成法とし
ては、前述のごとく一般的な塗工法が採用できる。な
お、中間層の厚さは０．０５〜２μｍ程度が適当であ
る。

【０１１９】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護
層、中間層等の各層に酸化防止剤を添加することができ
る。本発明に用いることができる酸化防止剤として、下
記のものが挙げられる。

【０１２０】フェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、
２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、１，１，３−トリス−（２−メチル
−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、
１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼ
ン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−
ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ
−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］ク
リコールエステル、トコフェロ−ル類など。

【０１２１】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。

【０１２２】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

【０１２３】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。

【０１２４】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。

【０１２５】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品を容
易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加量
は、添加する層の総重量に対して０．０１〜１０重量％
である。

【０１２６】次に図面を用いて本発明の画像形成方法な
らびに画像形成装置を詳しく説明する。本発明の画像形
成方法ならびに画像形成装置とは、本発明の最表面層が
少なくとも無機フィラーとして平均粒径０．０７〜０．
３μｍで粒径分布の狭い三方晶系α−アルミナ微粒子を
含有する感光体を用い、例えば少なくとも感光体に帯
電、画像露光、現像の過程を経た後、画像保持体（転写
紙）へのトナー画像の転写、定着及び感光体表面のクリ
ーニングというプロセスよりなる画像形成方法ならびに
画像形成装置である。場合により、静電潜像を直接転写
体に転写し現像する画像形成方法等では、感光体に配し
た上記プロセスを必ずしも有するものではない。

【０１２７】図６は、画像形成装置の一例を示す概略図
である。感光体を平均的に帯電させる手段として、帯電
チャージャ（３）が用いられる。この帯電手段として
は、コロトロンデバイス、スコロトロンデバイス、固体
放電素子、針電極デバイス、ローラー帯電デバイス、導
電性ブラシデバイス等が用いられ、公知の方式が全て使
用可能である。

【０１２８】次に、均一に帯電された感光体上に静電潜
像を形成するために画像露光部５が用いられる。この光
源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンラン
プ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセ
ンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。
そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャ
ープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外
カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フ
ィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルター
を用いることもできる。

【０１２９】次に、感光体上に形成された静電潜像を可
視化するために現像ユニット６が用いられる。現像方式
としては、乾式トナーを用いた一成分現像法、二成分現
像法、湿式トナーを用いた湿式現像法がある。感光体に
正(負)帯電を施し、画像露光を行うと、感光体表面上に
は正(負)の静電潜像が形成される。これを負(正)極性の
トナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られ
るし、また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像
が得られる。

【０１３０】次に、感光体上で可視化されたトナー像を
転写体上に転写するために転写チャージャ（１０）が用
いられる。また、転写をより良好に行なうために転写前
チャージャ（７）を用いてもよい。これらの転写手段と
しては、転写チャージャ、バイアスローラーを用いる静
電転写方式、粘着転写法、圧力転写法等の機械転写方
式、磁気転写方式が利用可能である。静電転写方式とし
ては、前記帯電手段が利用可能である。

【０１３１】次に、転写体を感光体より分離する手段と
して分離チャージャ（１１）、分離爪（１２）が用いら
れる。その他分離手段としては、静電吸着誘導分離、側
端ベルト分離、先端グリップ搬送、曲率分離、等が用い
られる。分離チャージャとしては、前記帯電手段が利用
可能である。

【０１３２】次に、転写後感光体上に残されたトナーを
クリーニングするためにファーブラシ（１４）、クリー
ニングブレード（１５）が用いられる。また、クリーニ
ングをより効率的に行うためにクリーニング前チャージ
ャ（１３）を用いてもよい。その他クリーニング手段と
しては、ウェブ方式、マグネットブラシ方式等がある
が、それぞれ単独でまた複数の方式を併用してもよい。

【０１３３】次に、必要に応じて感光体上の潜像を取り
除く目的で除電手段が用いられる。除電手段としては除
電ランプ（２）、除電チャージャが用いられ、それぞれ
前記露光光源、帯電手段が利用できる。

【０１３４】その他、感光体に近接していない原稿読み
取り、給紙、定着、排紙等のプロセスは公知のものが全
て使用できる。本発明は、このような画像形成手段に本
発明に係る電子写真感光体を用いる画像形成方法及び画
像形成装置である。

【０１３５】この画像形成手段は、複写装置、ファクシ
ミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよい
が、プロセスユニットの形態でそれら装置内に組み込ま
れ、着脱自在としたものであってもよい。図７は、画像
形成装置用プロセスユニットの１例を示す概略図であ
る。

【０１３６】画像形成装置用プロセスユニットとは、感
光体を内蔵し、他に帯電手段、現像手段、転写手段、ク
リーニング手段、除電手段の少なくとも一つを一体化
し、着脱可能とした装置（部品）である。本発明は、最
表面層が少なくとも無機フィラーとして平均粒径０．０
７〜０．３μｍで粒径分布の狭い三方晶系α−アルミナ
微粒子を含有する感光体と帯電、現像、転写、クリーニ
ング、除電手段の少なくとも一つを一体化した画像形成
装置用プロセスユニットを提供するものである。

【０１３７】

【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。尚、実施例中使用する部は、すべて重量部を表わ
す。

【０１３８】［実施例１］φ３０ｍｍのアルミニウムド
ラム上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用
塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布乾燥すること
により、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生
層、２２μｍの電荷輸送層を形成した。最表面層の無機
フィラー含有層用塗工液は、下記無機フィラーと溶剤を
アルミナボールを用いて２４時間ボールミル分散し、そ
の分散液にバインダー樹脂と電荷輸送物質及び溶剤を加
え調整した。この塗工液を電荷輸送層上にスプレー塗
工、乾燥し無機フィラー含有の最表面層を３μｍ設け、
本発明の電子写真感光体を得た。

【０１３９】 〔下引き層用塗工液〕 アルキッド樹脂 （ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製） ６部 メラミン樹脂 （スーパーベッカミンＧ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製） ４部 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ５０部

【０１４０】 〔電荷発生層用塗工液〕 下記構造のビスアゾ顔料 ２．５部

【０１４１】

【化３８】 ポリビニルブチラール（ＸＹＨＬ、ＵＣＣ製） ０．５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０１４２】 〔電荷輸送層用塗工液〕 ビスフェノールＺポリカーボネート （パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製） １０部 下記構造の低分子電荷輸送物質（Ｄ−１） ７部

【０１４３】

【化３９】 テトラヒドロフラン １００部 １％シリコーンオイル（ＫＦ５０−１００ＣＳ、信越化学工業製） テトラヒドロフラン溶液 １部

【０１４４】 〔無機フィラー含有層用塗工液〕 三方晶系α−アルミナ微粒子 （タイミクロンＴＭ−５Ｄ、大明化学工業製） ２部 バインダー樹脂 ビスフェノールＺポリカーボネート （パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製） ４部 低分子電荷輸送物質（電荷輸送層に記載の低分子電荷輸送物質Ｄ−１） ３部 シクロヘキサノン ６０部 テトラヒドロフラン ２００部

【０１４５】［実施例２］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーを三方晶系α−アルミナ微粒
子（タイミクロンＴＭ−ＤＡＲ：大明化学工業製）２部
に変えた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製
した。

【０１４６】［実施例３］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーを三方晶系α−アルミナ微粒
子（タイミクロンＴＭ−ＤＡ：大明化学工業製）２部に
変えた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し
た。

【０１４７】［実施例４］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーとして三方晶系α−アルミナ
微粒子粒子（タイミクロンＴＭ−５Ｄ：大明化学工業製
化学工業製）２部を用い、塗工液作製行程において無機
フィラー分散時に分散剤としてポリカルボン酸化合物
（ＢＹＫ−Ｐ１０４，ビックケミー製）０．０２部を含
有させ、最表面層の膜厚を５μｍとした以外は実施例１
と同様に電子写真感光体を作製した。

【０１４８】［実施例５］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーとして三方晶系α−アルミナ
微粒子（タイミクロンＴＭ−ＤＡＲ：大明化学工業製）
２部を用い、また塗工液作製行程において無機フィラー
分散時に分散剤としてポリカルボン酸化合物（ＢＹＫ−
Ｐ１０４，ビックケミー製）０．０２部を含有させ、最
表面層の膜厚を５μｍとした以外は実施例１と同様に電
子写真感光体を作製した。

【０１４９】［実施例６］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーとして三方晶系α−アルミナ
微粒子（タイミクロンＴＭ−ＤＡ：大明化学工業製）２
部を用い、また塗工液作製行程において無機フィラー分
散時に分散剤としてポリカルボン酸化合物（ＢＹＫ−Ｐ
１０４，ビックケミー製）０．０２部を含有させ、最表
面層の膜厚を５μｍとした以外は実施例１と同様に電子
写真感光体を作製した。

【０１５０】［実施例７］実施例４のバインダー樹脂を
ポリカーボネート（パンライト Ｃ−１４００，帝人化
成製）４部に変えた以外は実施例４と同様に電子写真感
光体を作製した。

【０１５１】［実施例８］実施例４のバインダー樹脂を
下記構造の高分子電荷輸送物質（ＰＤ−１）７部に変
え、低分子電荷輸送物質を添加しないこと以外は実施例
４と同様に電子写真感光体を作製した。

【０１５２】

【化４０】 ｋ＝０．４０、ｊ＝０．６０、Ｍｗ＝１３５０００（ポ
リスチレン換算）

【０１５３】［比較例１］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーをルチル型−酸化チタン粉末
（ＣＲ−ＥＬ：石原産業製）２部を用い、また塗工液作
製行程において無機フィラー分散時に分散剤としてポリ
カルボン酸化合物（ＢＹＫ−Ｐ１０４，ビックケミー
製）０．０２部を含有させ、最表面層の膜厚を３μｍと
した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し
た。

【０１５４】［比較例２］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーを球形シリカ粒子（ＫＥ−Ｐ
３０：日本触媒製）１．５部に変えた以外は実施例１と
同様に電子写真感光体を作製した。

【０１５５】［比較例３］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーを六方稠密格子α−アルミナ
粒子（ＡＡ−２：住友化学工業製）２部に変えた以外は
実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。

【０１５６】［比較例４］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーをアルミナ超微粒子（Alumin
ium Oxide C：日本アエロジル製）２部に変えた以外は
実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。

【０１５７】［比較例５］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーをα−アルミナ粉末（ＡＫＰ
−３０：住友化学工業製）２部を用い、また塗工液作製
行程において無機フィラー分散時に分散剤としてポリカ
ルボン酸化合物（ＢＹＫ−Ｐ１０４，ビックケミー製）
０．０２部を含有させ、最表面層の膜厚を５μｍとした
以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。

【０１５８】［比較例６］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーをα−アルミナ粉末（ＡＬ−
Ｍ４１：住友化学工業製）２部に変えた以外は実施例１
と同様に電子写真感光体を作製した。

【０１５９】［比較例７］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーをα−アルミナ粉末（ＡＭＳ
−１２：住友化学工業製）２部に変えた以外は実施例１
と同様に電子写真感光体を作製した。

【０１６０】［比較例８］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーをθ−アルミナ粉末（ＴＭ−
１００Ｄ：大明化学工業製）２部に変えた以外は実施例
１と同様に電子写真感光体を作製した。

【０１６１】［比較例９］実施例１の無機フィラー含有
層用塗工液の無機フィラーをγ−アルミナ粉末（ＴＭ−
３００Ｄ：大明化学工業製ＡＭＳ−１２：住友化学工業
製）２部に変えた以外は実施例１と同様に電子写真感光
体を作製した。

【０１６２】［比較例１０］実施例１の無機フィラー含
有最表層を設けない以外は実施例１と同様に電子写真感
光体を作製した。

【０１６３】

【表１】

【０１６４】実施例のα−アルミナ粒子は、ＡＳＴＭ
Ｘ−ｒａｙ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄａｔｅ Ｆｉｌｅ Ｎ
Ｏ．１０−１７３から結晶形が三方晶系である。また、
電界放出型走査線電子顕微鏡ＦＥ−ＳＥＭ（日立製作所
製：Ｓ−４２００）による観察から粒子の２軸平均径を
測定した結果、０．０７〜０．３μｍのα−アルミナ微
粒子であり、個数基準粒径分布が狭く、微粒側からの累
積１０％、累積９０％の粒径をそれぞれＤａ、Ｄｂとし
たときにＤｂ／Ｄａの値が４以下、且つ粒径１μｍ以上
の粒子を実質的に含まず、バイヤー法、水熱合成アルミ
ナ等の粉砕粉体と比較して非常に粒径が揃っている。ま
た、本発明に用いられる三方晶系α−アルミナは１次粒
子の凝集性が弱く単粒子化しており、これを示す値とし
てガス吸着量から算出するＢＥＴ比表面積が粒径として
は８〜２０ｍ^２／ｇと大きい。更に、この三方晶系α−
アルミナ粒子は、発光分析による不純物イオンの定量に
よりナトリウム含有量が１０ｐｐｍ以下と少なく、不純
物量を全体から除いて９９．９９以上の高純度である。

【０１６５】以上のように作製した実施例１〜８、比較
例１〜１０の電子写真感光体を、電子写真装置用プロセ
スユニットに装着し、画像露光光源を ６５５ｎｍの半
導体レーザーに改造したリコー製ｉｍａｇｉｏＭＦ２２
００を用いて、画像評価を行った。まず、温度２５゜C、
湿度５５％の環境下で初期画像をとり、その後帯電負荷
の加速試験として５ｐｐｍのオゾンガス雰囲気下に１０
時間放置した後初期と同じ環境にもどし画像変化を確認
した。その後、更に３万枚の複写を行い複写終了後の感
光体の摩耗量と画像変化を調べた。その結果を表２に示
す。

【０１６６】

【表２】

【０１６７】表２の評価結果より、耐摩耗性の向上を狙
い最表面層に無機フィラーを分散させた感光体におい
て、実施例１〜８に示されるように、無機フィラーとし
て平均粒径０．０７〜０．３μｍで粒径分布の狭い三方
晶系α−アルミナ微粒子を用いることにより、比較例１
〜９の別のフィラーを用いた場合に比べ、画像流れや地
肌汚れが発生せず、階調性と解像度が共に高く且つ画像
濃度の低下のない良好な画像が持続して得られることが
わかる。また、比較例１０の無機フィラー含有した表面
層を用いなかった場合に比べ、耐摩耗性が高く、長寿命
の感光体が達成されていることが分かる。したがって、
本発明の最表面層に無機フィラーとして平均粒径０．０
７〜０．３μｍで粒径分布の狭い三方晶系α−アルミナ
微粒子を用いることにより、高耐久性を有し、繰り返し
使用に対しても良好な画像が持続して得られる高性能で
信頼性の高い電子写真感光体を提供できることが判明し
た。また合わせて、本発明の電子写真感光体を用いた画
像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセス
ユニットが高性能、高信頼性を有していることが判明し
た。

【０１６８】

【発明の効果】以上、詳細かつ具体的なせつめいより明
らかなように、本発明によれば、最表面層に少なくとも
無機フィラーとバインダー樹脂とを含有する電子写真感
光体において、この無機フィラーとして平均粒径０．０
７〜０．３μｍで粒径分布の狭い三方晶系α−アルミナ
微粒子を用いることにより、耐摩耗性が高く且つ高画質
が持続できる高耐久、高性能で且つ信頼性の高い電子写
真感光体を提供できる。また、本発明の電子写真感光体
を用いることにより、高性能、高信頼性の画像形成方
法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスユニット
が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の感光体の一例を示す断面図である。

【図２】本発明の感光体の他の一例を示す断面図であ
る。

【図３】本発明の感光体の他の一例を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の感光体の他の一例を示す断面図であ
る。

【図５】本発明の感光体の他の一例を示す断面図であ
る。

【図６】本発明の画像形成装置の一例を示す概略図であ
る。

【図７】本発明の画像形成装置用プロセスユニットの一
例を示す概略図である。

【符号の説明】

１ 感光体 ２ 除電ランプ ３ 帯電チャージャ ４ イレーサ ５ 画像露光部 ６ 現像ユニット ７ 転写前チャージャ ８ レジストローラ ９ 転写紙 １０ 転写チャージャ １１ 分離チャージャ １２ 分離爪 １３ クリーニング前チャージャ １４ ファーブラシ １５ クリーニングブレード ３１ 導電性支持体 ３３ 感光層 ３５ 電荷発生層 ３７ 電荷輸送層 ３９ 保護層 １０１ 感光ドラム １０２ 帯電装置 １０３ 露光 １０４ 現像装置 １０５ 転写体 １０６ 転写装置 １０７ クリーニングブレード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｇ 5/05 １０４ Ｇ０３Ｇ 5/05 １０４Ａ １０４Ｂ 5/06 ３１２ 5/06 ３１２ 5/07 １０３ 5/07 １０３

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも感光層を設
   けてなる電子写真感光体において、この電子写真感光体
   の最表面層が少なくとも無機フィラーとバインダー樹脂
   を含有しており、この無機フィラーが三方晶系のα−ア
   ルミナであることを特徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】 前記α−アルミナ粒子が、アルミニウム
   アンモニウムカーボネートハイドロオキサイド［ＮＨ_４
   ＡｌＣＯ_３（ＯＨ）_２］を熱分解することより製造され
   たものであることを特徴とする請求項１に記載の電子写
   真感光体。
3. 【請求項３】 前記α−アルミナ粒子が、平均粒径０．
   ０７〜０．３μｍであることを特徴とする請求項１に記
   載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 前記α−アルミナ粒子が、粒径分布とし
   て微粒側からの累積１０％、累積９０％の粒径をそれぞ
   れＤａ、ＤｂとしたときにＤｂ／Ｄａの値が４以下であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 前記α−アルミナ粒子が、１次粒径１μ
   ｍ以上の粗大粒子を含まないことを特徴とする請求項１
   に記載の電子写真感光体。
6. 【請求項６】 前記α−アルミナ粒子が、その比表面積
   （ＢＥＴ表面積）８〜２０ｍ^２／ｇであることを特徴と
   する請求項１に記載の電子写真感光体。
7. 【請求項７】 前記α−アルミナ粒子が、不純物として
   ナトリウム含有量が２０ｐｐｍ以下であることを特徴と
   する請求項１に記載の電子写真感光体。
8. 【請求項８】 前記α−アルミナ粒子が、純度として９
   ９．９９重量％以上であることを特徴とする請求項１に
   記載の電子写真感光体。
9. 【請求項９】 前記最表面層が、ポリカルボン酸化合物
   を含有するものであることを特徴とする請求項１乃至８
   の何れかに記載の電子写真感光体。
10. 【請求項１０】 前記最表面層に含有されるバインダー
    樹脂が高分子電荷輸送物質であることを特徴とする請求
    項１乃至８の何れかに記載の電子写真感光体。
11. 【請求項１１】 前記最表面層に含有されるバインダー
    樹脂が、主鎖又は、且つ側鎖にトリアリールアミン構造
    を有するポリカーボネートであることを特徴とする請求
    項１乃至８の何れかに記載の電子写真感光体。
12. 【請求項１２】 前記、少なくとも無機フィラーとバイ
    ンダー樹脂を含有する最表面層が、電荷輸送層の表面部
    分であることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記
    載の電子写真感光体。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至８何れかに記載の電子写
    真感光体に少なくとも帯電、露光、現像、転写を繰り返
    すことにより画像を形成することを特徴とする画像形成
    方法。
14. 【請求項１４】 請求項１乃至８の何れかに記載の電子
    写真感光体に加えて、帯電手段、露光手段、現像手段お
    よび転写手段を有することを特徴とした画像形成装置。
15. 【請求項１５】 請求項１乃至８の何れかに記載の電子
    写真感光体に加えて、帯電手段、現像手段、転写手段、
    クリーニング手段および除電手段よりなる群から選ばれ
    た少なくとも一つの手段を一体化し、これを着脱可能と
    したことを特徴とする画像形成装置用プロセスユニッ
    ト。