JP2001209199A - 電子写真感光体及びそれを用いた画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 繰り返し使用によっても安定した良好な画像
が得られる電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 導電性支持体上に中間層、感光層をこの
順で積層した電子写真感光体において、中間層が金属酸
化物及び結着樹脂を主成分とし、金属酸化物の含有量を
導電性支持体側に多くなるように濃度勾配をつけてあ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子写真感光体に関
し、詳しくは、電子写真複写機、ファクシミリ、プリン
タなどの画像形成装置に用いられる電子写真感光体に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体としては、導電性支持体上に（ａ）セレンないし
セレン合金を主体とする感光層を設けたもの、（ｂ）酸
化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機系光導電材料をバイ
ンダー中に分散させた感光層を設けたもの、（ｃ）ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンあ
るいはアゾ顔料などの有機光導電材料を用いた感光層を
設けたもの、及び（ｄ）非晶質シリコン系材料を用いた
感光層を設けたもの等が知られている。

【０００３】ところで、一般に「電子写真方式」とは、
光導電性の感光体をまず暗所で例えばコロナ放電によっ
て帯電させ、次いで像露光し露光部のみの電荷を選択的
に散逸せしめて静電潜像を得、この静電潜像を染料、顔
料などの着色剤と高分子物質などの結合剤とから構成さ
れる検電微粒子（トナー）で現像し可視化して画像を形
成するようにした画像形成法の一つである。

【０００４】このような電子写真法で感光体に要求され
る基本的な特性としては（１）暗所で適当な電位に帯電
できること、（２）暗所において電荷の散逸が少ないこ
と、（３）光照射によって速やかに電荷を散逸できるこ
と、などが挙げられる。加えて近年、電子写真装置（画
像形成装置）の高速化、高耐久化、大型化が進むなか、
感光体に対して上記特性以外に長期繰返し使用に際して
も高画質を保つことの出来る信頼性が強く要求される様
に成っている。

【０００５】ところが一般的に、電子写真感光体は繰返
し使用により、帯電性低下、画像特性の劣化、感光層と
基体（導電性支持体）との接着性の低下など様々な問題
を抱えている。さらに感光層が電荷発生層と電荷輸送層
との積層構成である感光体では、基体と電荷輸送層との
間で多重反射によりモアレが生じやすい。普通、電荷輸
送層は光透過性が高く、また電荷発生層は膜厚が薄いの
で光透過性が高い。そのために感光層に入射した光は、
その一部が感光層で吸収されずに透過して基体表面に到
達する。そして基体表面が鏡面であると感光層を透過し
た光は、反射して再び感光層にはね返り、入射光との間
で光干渉が起こす。この光干渉は、ライン画像の場合問
題とはならないが、ベタ画像の場合干渉縞状の濃度ムラ
（モアレ）が発生する。この現象はレーザー光などの単
色光を用いたプロセスにおいて発生しやすい。

【０００６】以上のような問題を解決する手段として、
感光層と基体との間に、金属酸化物を樹脂中に分散さ
せた中間層を設ける（特開昭５９−８４２５７号公
報）、また、金属酸化物を樹脂中に分散させた層及び
別の樹脂層を積層した中間層を設ける（特開昭６１−３
６７５５号公報）等が知られている。しかし、上記の
樹脂中に金属酸化物を分散した中間層を設けた感光体
は、長期的繰り返し使用した場合、徐々に画像上の欠陥
（地汚れ及び白抜け）が顕著となり、上記の感光層と
基体との間に金属酸化物を樹脂中に分散させた層及び別
の樹脂層を積層した感光体は、長期的繰り返し使用した
場合、徐々に露光部電位が上昇するという不具合が生じ
た。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、これまで挙
げた問題点を解決し、高性能、長寿命、高信頼性を高い
レベルで達成するとともに、繰返し使用によってもモア
レを生じさせない電子写真感光体、及びこれを用いる画
像形成方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、導電性支持体上に少なくとも中間層、感光層を順次
積層した構成を持つ電子写真感光体において、該中間層
は少なくとも金属酸化物及び樹脂を主成分としてなり、
膜厚方向に金属酸化物含有濃度勾配を有し、かつその金
属酸化物含有濃度が該感光層近傍で低いことを特徴とす
る電子写真感光体が提供される。

【０００９】第二に、中間層の膜厚が２〜１０μｍの範
囲であることを特徴とする上記第一に記載の電子写真感
光体が提供される。

【００１０】第三に、中間層が、相対的に金属酸化物含
有量の少ない層と相対的に金属酸化物含有量の多い層と
の積層からなることを特徴とする上記第一又は第二に記
載の電子写真感光体が提供される。

【００１１】第四に、金属酸化物が微粉末状の酸化チタ
ン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化スズ、
酸化イソジウム、酸化アンチモンまたは酸化マグネシウ
ムであることを特徴とする上記第一〜三のいずれかに記
載の電子写真感光体が提供される。

【００１２】第五に、少なくとも帯電手段、画像露光手
段、現像手段及び電子写真感光体を具備してなる画像形
成装置において、該電子写真感光体として上記第一〜四
のいずれかに記載の電子写真感光体を用いたことを特徴
とする画像形成装置が提供される。

【００１３】本発明の上記第一の電子写真感光体は画像
特性にすぐれたものであり、特に中間層の構成をさらに
規定した上記第二〜四に記載の電子写真感光体はより画
像特性がすぐれたものである。また、このような電子写
真感光体を搭載した画像形成装置は繰り返し使用によっ
ても良質の画像が得られる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明者らが中間層を有する電子写真感光体につ
いて鋭意検討した結果、地肌汚れ（ネガポジ現像）及び
白抜け（ポジポジ現像）等の異常画像の発生原因は、中
間層の存在する膜の不均一部が原因となり、発生するこ
とが明らかとなった。そして特に、膜の不均一性は、中
間層の感光層近傍に金属酸化物の含有量が大きい場合に
発生しやすいことが明らかとなった。そのために、本発
明においては中間層を金属酸化物含有濃度勾配を持た
せ、さらに、感光層近傍での金属酸化物含有濃度を低く
することにより、画像特性が改善されることが判明し
た。

【００１５】図１は導電性支持体２１上に中間層２５、
単層の感光層２３を設けた電子写真感光体の図である。
図２は感光層２３が電荷発生層（ＣＧＬ）３３との積層
で構成された機能分離型電子写真感光体の図である。こ
れら図１、図２で表わされた電子写真感光体は、必要に
応じて、感光層上に保護層が設けられてよい。図３は図
２で表わされた電子写真感光体の感光層上に保護層４が
設けられた図である。

【００１６】本発明において電子写真感光体に使用され
る導電性支持体としては、導電体あるいは導電処理をし
た絶縁体、例えばＡｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕなどの金属あ
るいはそれらの合金の他、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上にＡｌ、Ａ
ｇ、Ａｕ等の金属あるいはＩｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂等の導電
材料の薄膜を形成したもの、導電処理をした紙等が使用
できる。導電性支持体の形状は特に制約はなく板状、ド
ラム状あるいはベルト状のいずれのものも使用できる。

【００１７】導電性支持体と感光層との間に設けられる
中間層は、接着性を向上する、モアレなどを防止する、
上層の塗工性を改良する、帯電安定性などの目的で設け
られる。本発明における中間層２５は金属酸化物および
樹脂を主成分とし、その金属酸化物の含有量が感光層側
で少なくなるように金属酸化物に濃度勾配がもたせてあ
る。

【００１８】中間層の樹脂としては、ポリビニルアルコ
ール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性
樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等の
アルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、
アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂などの三次元
網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。

【００１９】また本発明における金属酸化物は、酸化チ
タン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ス
ズ、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化インジウ
ム、酸化マグネシウム等の微粉末が挙げられ、好ましく
用いられる。また、金属酸化物は、前記以外の金属酸化
物や金属硫化物で表面処理されていてもシランカップリ
ング剤やチタンカップリング剤で表面処理あるいは還元
処理を施されていてもかまわない。金属酸化物の大きさ
は体積平均粒径０．０１〜１．０μｍくらいが適当であ
る。

【００２０】これらの中間層は、適当な溶媒、塗工法を
用いて形成することができるが、これらの方法に限定さ
れるものではない。また、中間層に含有される金属酸化
物に濃度勾配を設ける方法としては、金属酸化物含有量
が多い層を形成した後に、金属酸化物含有量多い樹脂と
同じ樹脂を用いた金属酸化物含有量の少ないもしくは含
有しない層を形成する。また、中間層は二層で形成され
るだけでなく、金属酸化物含有量を段階的に増して（又
は減らして）三層以上で形成してもよい。中間層の膜厚
は、２〜１０μｍであることが望ましく、この範囲にす
ることにより、異常画像が少なく、実機内での露光部電
位の上昇を低減できる。

【００２１】本発明における感光層は、単層型でも積層
型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積層型につ
いて述べる。

【００２２】はじめに、電荷発生層３１について説明す
る。電荷発生層３１は電荷発生物質を主成分とする層
で、必要に応じてバインダ−樹脂を用いることもある。
電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用い
ることができる。

【００２３】無機系材料には、結晶セレン、アモルファ
ス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲ
ン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等
が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダ
ングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でタ−ミネ
−トしたものや、ホウ素原子、リン原子等をド−プした
ものが良好に用いられる。

【００２４】一方、有機系材料としては、公知の材料を
用いることが出来る。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾ−ル骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾ−ル骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾ−ル骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾ−ル骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系または多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾ−ル系顔料などが挙げられ
る。

【００２５】これらの電荷発生物質は、単独または２種
以上の混合物として用いることが出来る。

【００２６】電荷発生層に必要に応じて用いられるバイ
ンダ−樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポ
キシ樹脂、ポリケトン、ポリカ−ボネ−ト、シリコ−ン
樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラ−ル、ポリビニ
ルホルマ−ル、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル、ポリアクリルアミドなどが
用いられる。これらのバインダ−樹脂は、単独または２
種以上の混合物として用いることが出来る。

【００２７】また、必要に応じて低分子電荷輸送物質を
添加してもよい。電荷発生層に併用できる低分子電荷輸
送物質には、電子輸送物質と正孔輸送物質とがある。

【００２８】電子輸送物質としては、たとえばクロルア
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フル
オレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−
トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン
−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン
−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。これらの電子輸送物質は、単独または２種以上の
混合物として用いることが出来る。

【００２９】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。たとえ
ば、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、イ
ミダゾ−ル誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
−ル誘導体、トリアゾ−ル誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾ−ル誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独または２種以上の混合物と
して用いることが出来る。

【００３０】電荷発生層を形成する方法には、真空薄膜
作製法と溶液分散系からのキャスティング法とが大きく
挙げられる。

【００３１】前者の方法には、真空蒸着法、グロ−放電
重合法、イオンプレ−ティング法、スパッタリング法、
反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられ、上述
した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。

【００３２】また、後述のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系もしくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダ−樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボ−ルミル、アト
ライタ−、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレ−コ−ト、ビ−ドコ−ト法などを用い
て行なうことができる。

【００３３】以上のようにして設けられる電荷発生層の
膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましく
は０．０５〜２μｍである。

【００３４】電荷輸送層は帯電電荷を保持させ、かつ露
光により電荷発生層で発生分離した電荷を移動させて保
持していた帯電電荷と結合させることを目的とする層で
ある。帯電電荷を保持させる目的達成のために電気抵抗
が高いことが要求され、また保持していた帯電電荷で高
い表面電位を得る目的を達成するためには、誘電率が小
さくかつ電荷移動性が良いことが要求される。

【００３５】これらの要件を満足させるための電荷輸送
層は、電荷輸送物質および必要に応じて用いられるバイ
ンダー樹脂より構成される。すなわち、以上の物質を適
当な溶剤に溶解ないし分散してこれを塗布乾燥すること
により電荷輸送層を形成することができる。電荷輸送層
には、電子輸送物質と正孔輸送物質とがある。

【００３６】電子輸送物質としては、たとえばクロルア
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フル
オレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−
トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン
−４オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン
−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。これらの電子輸送物質は、単独または２種以上の
混合物として用いることが出来る。

【００３７】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。たとえ
ば、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、イ
ミダゾ−ル誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
−ル誘導体、トリアゾ−ル誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾ−ル誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独または２種以上の混合物と
して用いることが出来る。

【００３８】また、必要に応じて用いられるバインダー
樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニト
リル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、スチレ
ン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化
ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート樹脂、フ
ェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹
脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノー
ル樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性樹脂又は熱硬化性
樹脂が挙げられる。

【００３９】また、電荷輸送層には電荷輸送物質として
の機能とバインダー樹脂の機能を持った高分子電荷輸送
物質も良好に使用される。これら高分子電荷輸送物質か
ら構成される電荷輸送層は耐摩耗性に優れたものであ
る。一般的な以下のような高分子物質を用いることがで
きる。

【００４０】（ａ）カルバゾ−ル環を有する重合体 例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル、特開昭５０−
８２０５６号公報、特開昭５４−９６３２号公報、特開
昭５４−１１７３７号公報、特開平４−１７５３３７号
公報、特開平４−１８３７１９号公報、特開平６−２３
４８４１号公報に記載の化合物等が例示される。

【００４１】（ｂ）ヒドラゾン構造を有する重合体 例えば、特開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６１−
２０９５３号公報、特開昭６１−２９６３５８号公報、
特開平１−１３４４５６号公報、特開平１−１７９１６
４号公報、特開平３−１８０８５１号公報、特開平３−
１８０８５２号公報、特開平３−５０５５５号公報、特
開平５−３１０９０４号公報、特開平６−２３４８４０
号公報に記載の化合物等が例示される。

【００４２】（ｃ）ポリシリレン重合体 例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平１−
８８４６１号公報、特開平４−２６４１３０号公報、特
開平４−２６４１３１号公報、特開平４−２６４１３２
号公報、特開平４−２６４１３３号公報、特開平４−２
８９８６７号公報に記載の化合物等が例示される。

【００４３】（ｄ）トリアリールアミン構造を有する重
合体 例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−ア
ミノポリスチレン、特開平１−１３４４５７号公報、特
開平２−２８２２６４号公報、特開平２−３０４４５６
号公報、特開平４−１３３０６５号公報、特開平４−１
３３０６６号公報、特開平５−４０３５０号公報、特開
平５−２０２１３５号公報に記載の化合物等が例示され
る。

【００４４】（ｅ）その他の重合体 例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特
開昭５１−７３８８８号公報、特開昭５６−１５０７４
９号公報、特開平６−２３４８３６号公報、特開平６−
２３４８３７号公報に記載の化合物等が例示される。

【００４５】本発明に使用される電子供与性基を有する
重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合
体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スタ−ポリマ
−や、また、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開
示されているような電子供与性基を有する架橋重合体等
を用いることも可能である。

【００４６】また、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質として更に有用なトリアリールアミン構造を有する
ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリ
エーテルとしては以下に記載の化合物が例示される。例
えば、特開昭６４−１７２８号公報、特開昭６４−１３
０６１号公報、特開昭６４−１９０４９号公報、特開平
４−１１６２７号公報、特開平４−２２５０１４号公
報、特開平４−２３０７６７号公報、特開平４−３２０
４２０号公報、特開平５−２３２７２７号公報、特開平
７−５６３７４号公報、特開平９−１２７７１３号公
報、特開平９−２２２７４０号公報、特開平９−２６５
１９７号公報、特開平９−２１１８７７号公報、特開平
９−３０４９５６号公報等がある。

【００４７】また、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質としてより更に有用なトリアリールアミン構造分岐
鎖に有するポリカーボネートとしては以下のようなもの
が挙げられる。トリアリールアミン構造を分岐鎖に有す
るポリカーボネートとは、トリアリールアミン構造の一
つのアリール基が何らかの結合基を介して、又は介しな
いでポリカーボネートの主鎖から分岐している高分子構
造を指す。

【００４８】本発明に用いられる高分子電荷輸送物質と
しては、下記一般式１〜６で表されるトリアリールアミ
ン構造を分岐鎖に有するポリカーボネートが有効に用い
られる。一般式１〜６で表される高分子電荷輸送物質を
以下に例示し、具体例を示す。

【００４９】

【化１】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ ₆は置換
もしくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表し、０．１≦ｋ
≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜
５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪
族の２価基、または下記一般式で表される２価基を表
す。

【化２】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換もしくは無置換
のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表す。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表
す。）または、

【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換または無置換のアルキル基又は
アリール基を表す。）を表す。ここで、Ｒ₁₀₁とＲ₁₀₂、
Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。

【００５０】一般式１の具体例：Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれ
ぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロ
ゲン原子を表すが、その具体例としては以下のものを挙
げることができ、同一であっても異なってもよい。アル
キル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜
Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖または分岐鎖の
アルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素
原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フ
ェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基も
しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基
を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−
ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロ
メチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル
基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベ
ンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル
基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基
等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

【００５１】Ｒ₄は水素原子又は置換もしくは無置換の
アルキル基を表すがそのアルキル基の具体例としては上
記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００５２】Ｒ₅、Ｒ₆は置換もしくは無置換のアリール
基を表すが、その具体例としては以下のものを挙げるこ
とができ、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化
水素基としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチ
ル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメ
チル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル
基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリ
デンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプ
テニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリ
ル基、ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基と
しては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベ
ンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００５３】上述のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃と同
様のものが挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはハロゲン
原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェ
ノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ
基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ
基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチ
ルオキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プ
ロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げ
られる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。

【００５４】Ｘは下記一般式（Ａ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。

【化４】

【化５】

【００５５】一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例と
しては以下のものが挙げられる。１，３−プロパンジオ
ール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオ
ール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジ
オール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，
３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プ
ロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテル
グリコール等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサ
ンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロ
ヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオー
ルが挙げられる。

【００５６】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジッフェニルスルホン、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−
ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フル
オレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサ
ンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベ
ンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒド
ロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス
（４−ヒドロキシベンゾエート）１，３−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェ
ノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００５７】

【化６】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換もしくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表
す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００５８】一般式２の具体例：Ｒ₇、Ｒ₈は置換もしく
は無置換のアリール基を表すが、その具体例としては以
下のものを挙げることができ、同一であっても異なって
もよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮合
多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニ
ル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレ
ニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニ
ル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ
［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多
環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基、また
は、

【化７】 ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、
−ＣＯ−及び以下の２価基を表す。

【化８】 ｃは１〜１２の整数

【化９】 ｄは１〜３整数

【化１０】 ｅは１〜３整数

【化１１】 ｆは１〜３整数 で表される。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００５９】また、Ａｒ₁、Ａｒ₂およびＡｒ₃で示され
るアリレン基としてはＲ₇およびＲ₈で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。また、これら置換基は上記一般
式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈の具体例として表される。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂と
りわけＣ₁〜Ｃ₁₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖ま
たは分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基は
さらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
コキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルキル基もしくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換され
たフェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−
ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはハロゲン
原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェ
ノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ
基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ
基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチ
ルオキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）

【化１２】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に（２）で定義したア
ルキル基またはアリール基を表し、アリール基としては
例えばフェニル基、ビフェニル基、またはナフチル基が
挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄
のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有し
ても良い。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形
成しても良い。具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メ
チル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジル
アミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基
等が挙げられる。 （７）メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等
のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基等が
挙げられる。

【００６０】Ｘは下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。

【化１３】

【化１４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００６１】

【化１５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００６２】一般式３の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換もしくは無置換のアリール基を表す
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６３】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅、およびＡｒ₆で示さ
れるアリレン基としてはＲ₉およびＲ ₁₀で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂と
りわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖また
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基もしくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチ
ル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ト
リフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シ
アノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエ
チル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチ
ルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニル
ベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはハロゲン
原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェ
ノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ
基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ
基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチ
ルオキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プ
ロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げ
られる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【００６４】Ｘは下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。

【化１６】

【化１７】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００６５】

【化１８】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換もしくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｓ
は１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式
１の場合と同じである。

【００６６】一般式４の具体例：Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換もし
くは無置換のアリール基を表すが、その具体例としては
以下のものを挙げることができ、同一であっても異なっ
てもよい。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、縮
合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレ
ニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズ
レニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセ
ニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ
［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多
環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙
げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などが挙げられる。

【００６７】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈、およびＡｒ₉で示さ
れるアリレン基としてはＲ₁₁およびＲ₁₂で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂と
りわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖また
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基もしくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチ
ル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ト
リフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シ
アノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエ
チル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチ
ルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニル
ベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはハロゲン
原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェ
ノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ
基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ
基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチ
ルオキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プ
ロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げ
られる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。

【００６８】Ｘは下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。

【化１９】

【化２０】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００６９】

【化２１】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換もしくは無置換の
アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又
は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換も
しくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一
であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一
般式１の場合と同じである。

【００７０】一般式５の具体例：Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ
₁₈は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具
体例としては以下のものを挙げることができ、同一であ
っても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フ
ェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、
２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５
Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。

【００７１】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅およびＡｒ
₁₆で示されるアリレン基としては、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇お
よびＲ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げら
れ、同一であっても異なってもよい。上述のアリール基
及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂と
りわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖また
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基もしくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチ
ル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ト
リフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シ
アノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエ
チル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチ
ルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニル
ベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはハロゲン
原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェ
ノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ
基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ
基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチ
ルオキシ基等が挙げられる。

【００７２】Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換もしくは無
置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアル
キレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル
基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、を表し同一であ
っても異なってもよい。アルキレン基としては、上記
（２）で示したアルキル基より誘導される２価基を表
す。具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プ
ロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３
−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエ
チレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フ
ェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、
２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニ
ルメチレン基等を挙げることができる。シクロアルキレ
ン基としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−
シクロへキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を
挙げることができる。アルキレンエーテル基としては、
ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレ
ンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル
基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【００７３】Ｘは下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。

【化２２】

【化２３】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００７４】

【化２４】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換もしくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよび
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【００７５】一般式６の具体例：Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ
₂₅は置換もしくは無置換のアリール基を表すが、その具
体例としては以下のものを挙げることができ、同一であ
っても異なってもよい。芳香族炭化水素基としては、フ
ェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、
２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレ
ニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニ
ル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５
Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル
基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリ
ル基などが挙げられる。複素環基としては、チエニル
基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などが挙げられる。

【００７６】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇お
よびＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄およびＲ₂₅で示した上記のアリール基の２価
基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上述の
アリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基とし
て有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基としては、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂と
りわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖また
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基もしくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有しても良い。具体的には、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチ
ル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ト
リフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シ
アノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエ
チル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチ
ルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニル
ベンジル基等が挙げられる。 （３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基としては、アリール基としてフ
ェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはハロゲン
原子を置換基として含有しても良い。具体的には、フェ
ノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ
基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ
基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチ
ルオキシ基等が挙げられる。 （５）置換メルカプト基またはアリールメルカプト基と
しては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェ
ニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基としては、アルキル基は
（２）で定義したアルキル基を表す。具体的には、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プ
ロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げ
られる。 （７）アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等
が挙げられる。

【００７７】Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミ
ノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交
換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオー
ル化合物を併用することにより主鎖中に導入される。こ
の場合、製造されるポリカーボネート樹脂はランダム共
重合体、又はブロック共重合体となる。また、Ｘは下記
一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール
化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホ
ーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入
される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互
共重合体となる。

【化２５】

【化２６】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００７８】その他、トリアリールアミン構造を分岐鎖
に有するポリカーボネートとしては、特開平６−２３４
８３８号公報、特開平６−２３４８３９号公報、特開平
６−２９５０７７号公報、特開平７−３２５４０９号公
報、特開平９−２９７４１９号公報、特開平９−８０７
８３号公報、特開平９−８０７８４号公報、特開平９−
８０７７２号公報、特開平９−２６５２０１号公報等に
記載の化合物が例示される。

【００７９】溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタ
ン、塩化メチレンなどが用いられる。

【００８０】電荷輸送層の厚さは５〜１００μｍ程度が
適当である。しかし、１０〜２２μｍの時は、細線及び
微細ドット再現性等の画像特性が一層良好となる。電荷
輸送層中に可塑剤、酸化防止剤、レベリング剤、低μ付
与剤を添加してもよい。

【００８１】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂に対して０〜３０重量％程度が適当であ
る。

【００８２】酸化防止剤は、フェノール系、キノン系、
アミン系、硫黄系、リン系酸化防止剤等の一般の樹脂の
酸化防止剤として使用されているものが、そのまま使用
でき、その使用量は、バインダー樹脂に対して０〜３０
重量％程度が適当である。

【００８３】レベリング剤としては、ジメチルシリコー
ンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリ
コーンオイル類が使用され、その使用量はバインダー樹
脂に対して０〜５重量％程度が適当である。

【００８４】低μ付与剤としては、上記レベリング剤で
用いたシリコーンオイル、フッ素系樹脂、天然ワック
ス、金属石鹸等の一般の樹脂の滑剤として使用されてい
るものが、そのまま使用でき、その使用量は、バインダ
ー樹脂に対して、０〜３０重量％程度が適当である。

【００８５】次に、感光層２３が単層構成の場合につい
て述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける場
合、多くは電荷発生物質と低分子ならびに高分子電荷輸
送物質及びシリコーンオイルを適当な溶剤に溶解ないし
分散し、これを塗布、乾燥することにより形成できる。
電荷発生物質ならびに電荷輸送物質には、前出の材料を
用いることができる。また、必要により可塑剤を添加す
ることもできる。更に、必要に応じて用いることの出来
るバインダ−樹脂としては、先に電荷輸送層３３で挙げ
たバインダ−樹脂をそのまま用いる他に、電荷発生層３
１で挙げたバインダ−樹脂を混合して用いてもよい。単
層感光体の膜厚は、５〜１００μｍ程度が適当であり、
好ましくは、１０〜２２μｍ程度が適当である。

【００８６】本発明の電子写真感光体には、感光層保護
の目的で図３に示したように、保護層４が感光上層２３
上に設けられることもある。保護層に使用される材料と
してはＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモ
ノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミ
ドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポ
リブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボ
ネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポ
リメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ブタ
ジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙
げられる。保護層にはその他、耐摩耗性を向上する目的
でポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂、シリ
コーン樹脂、及びこれらの樹脂に酸化チタン、酸化錫、
チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの等を添加
することができる。保護層の形成法としては通常の塗布
法が採用される。なお保護層の厚さは０．１〜１０μｍ
程度が適当である。また、以上のほかに真空薄膜作成法
にて形成したａ−Ｃ、ａ−ＳｉＣなど公知の材料を保護
層として用いることができる。

【００８７】図４は本発明の電子写真感光体及びそれを
用いた電子写真プロセスの模式断面図の一例である。図
中１０１は本発明の電子写真感光体であり、まず帯電ロ
ーラー１０２により帯電された後、イメージ露光１０３
を受け、現像ローラー１０４を介して現像剤と接触し、
トナー像を形成する。トナー像は転写チャージャー１０
６により紙などの転写部材１０５へ転写され、定着ユニ
ット１０９を通過してハードコピーとなる。電子写真感
光体１上の残留トナーはクリーニングユニット１０７に
より除去され、残留電荷は除電ランプ１０８で除かれ
て、次の電子写真サイクルに移る。ここでイメージ露光
１０３は、複写原稿の反射光をレンズやミラーを介して
照射するアナログイメージ露光、またはコンピュータ等
からの電気信号あるいは、複写原稿をＣＣＤ等の画像セ
ンサで読みとり変換した電気信号等を、レーザー光やＬ
ＥＤアレイ等により光像として再現するデジタルイメー
ジ露光のいずれであってもかまわない。

【００８８】本発明の画像形成方法及び感光体を用いる
電子写真プロセスは、上記一例に限定されるものではな
く、少なくとも、帯電及び露光により、静電潜像を形成
するプロセスであれば、どのようなものであってもかま
わない。

【００８９】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、これ
により本発明の態様が限定されるものではない。

【００９０】実施例１ Ａｌ製支持体（外径３０ｍｍφ）上に下記組成比の中間
層１、２を中間層１、中間層２の順で製膜し、中間層の
膜厚が全体で１１μｍになる（中間層１が１０μｍ厚、
中間層２が１μｍ厚）ように、中間層を形成した。 〔中間層１塗工液〕 アルキッド樹脂（ベッコライト１Ｍ６００３−６０： 大日本インキ化学工業社製） ６部 メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０： 大日本インキ化学工業社製） ４部 酸化チタン（ＣＲ−ＥＬ：石原産業社製） １０部 メチルエチルケトン ２００部 〔中間層２塗工液〕 アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６００３−６０： 大日本インキ化学工業社製） ６部 メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０： 大日本インキ化学工業社製） ４部 酸化チタン（ＣＲ−ＥＬ：石原産業社製） ２部 メチルエチルケトン ２００部

【００９１】この中間層上にフタロシアニン顔料を含む
電荷発生層塗工液を浸漬塗布し、７０℃で１０分間乾燥
させ、厚さ約０．３μｍの電荷発生層を形成した。 〔電荷発生層用塗工液〕 オキソチタニウムフタロシアニン顔料 ５部 ポリビニルブチラール（ＸＹＨＬ：ＵＣＣ社製） ２部 テトラヒドロフラン ８０部 ついでこのＣＧＬ上に下記組成の電荷輸送層塗工液を乾
燥後の膜厚が約３０μｍになるように浸漬塗工して有機
感光層を形成し、電子写真感光体を作製した。 〔電荷輸送層用塗工液〕 ビスフェーノルＺ型ポリカーボネート ９部 下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部

【化２７】 テトラヒドロフラン １００部

【００９２】実施例２ 中間層の膜厚を１．８μｍ（中間層１は１．０μｍ厚、
中間層２は０．８μｍ厚）にすること以外はすべて実施
例１と同様にして、感光体を作製した。

【００９３】実施例３ 中間層の膜厚を４．０μｍ（中間層１は３．０μｍ厚、
中間層２は１．０μｍ厚）にすること以外はすべて実施
例１と同様にして、感光体を作製した。

【００９４】実施例４ 中間層の膜厚を６．５μｍ（中間層１は５．５μｍ厚、
中間層２は１．０μｍ厚）にすること以外はすべて実施
例１と同様にして、感光体を作製した。

【００９５】実施例５ 中間層の塗工液を下記組成比のものにして、膜厚３．５
μｍの中間層（中間層１は３．０μｍ厚、中間層２は
０．５μｍ厚）を用いること以外は、すべて実施例１と
同様にして、感光体を作製した。 〔中間層１塗工液〕 アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６００３−６０： 大日本インキ化学工業社製） ６部 メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０： 大日本インキ化学工業社製） ４部 酸化チタン（ＣＲ−９７：石原産業社製） １５部 メチルエチルケトン ２００部 〔中間層２塗工液〕 アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６００３−６０： 大日本インキ化学工業社製） ６部 メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０： 大日本インキ化学工業社製） ４部 メチルエチルケトン ２００部

【００９６】比較例１ 中間層を中間層塗工液１のみで厚さ１１μｍに形成する
こと以外は、全て実施例１と同様にして、感光体を作製
した。

【００９７】比較例２ 中間層を中間層塗工液１のみで厚さ１．８μｍに形成す
ること以外は、全て実施例２と同様にして、感光体を作
製した。

【００９８】比較例３ 中間層を中間層塗工液１のみで厚さ４．０μｍに形成す
ること以外は、全て実施例３と同様にして、感光体を作
製した。

【００９９】比較例４ 中間層を中間層塗工液１のみで厚さ６．５μｍに形成す
ること以外は、全て実施例４と同様にして、感光体を作
製した。

【０１００】比較例５ 中間層を中間層塗工液１のみで厚さ３．５μｍに形成す
ること以外は、全て実施例５と同様にして、感光体を作
製した。

【０１０１】［実機ランニング特性評価方法］市販の電
子写真複写機（イマジオＭＦ２００、リコー社製）によ
り、それぞれの感光体について最高５万枚（Ａ４）まで
の通紙試験を行った。初期及び通紙試験後の感光体の画
像品質特性、機内での露光部電位上昇を評価した。表１
に示す。

【０１０２】

【表１】 ＊地汚れランク 地汚れ（０．１ｍｍ以上）の１ｃｍ²
あたりの発生数 ４ ： 〜０．２個／ｃｍ² ３ ： ０．２個／ｃｍ²〜５．０個／ｃｍ² ２ ： ５．０個／ｃｍ²〜５０．０個／ｃｍ² １ ： ５０．０個／ｃｍ²〜 ＊△ＶＬ （初期の露光部電位）−（通紙試験後の
露光部電位）

【０１０３】表１より明らかなように、本発明の電子写
真感光体は、画像特性の劣化が少なく、又露光部電位が
非常に安定で、高画質のハードコピーを長期間安定して
得られる事がわかる。

【０１０４】

【発明の効果】請求項１および３の発明によれば、中間
層中の金属酸化物粒子に含有濃度をもたせたことによ
り、地汚れの発生が極力抑えられ、画質安定性に優れた
画像が得られる。請求項２の発明によれば、中間層の厚
さを２〜１０μｍにしたことにより、異状画像が少な
く、実機内での露光部電位の上昇を低減できる。請求項
４の発明によれば、好ましい金属酸化物を用いることに
より、上記効果がさらに望ましいものになる。請求項５
の発明によれば、請求項１〜４のいずれかの感光体を用
いたことにより、良好な画像が得られる画像形成装置を
提供する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の構成を示す断面図。

【図２】本発明の電子写真感光体の別の構成を示す断面
図。

【図３】本発明の電子写真感光体の更に別の構成を示す
断面図。

【図４】電子写真プロセスの一例を示す模式図。

【符号の説明】

４ 保護層 ２１ 導電性支持体 ２３ 感光層 ２５ 中間層 ３１ 電荷発生層 ３３ 電荷輸送層 １０１ 感光体ドラム １０２ 接触帯電装置 １０３ イメージ露光 １０４ 現像装置 １０５ 転写体 １０６ 接触転写装置 １０７ クリーニングブレード １０８ 除電ランプ １０９ 定着装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗本 鋭司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H068 AA44 AA45 AA48 CA29 CA33 CA37 CA54 CA60

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも中間層、感
   光層を順次積層した構成を持つ電子写真感光体におい
   て、該中間層は少なくとも金属酸化物及び樹脂を主成分
   としてなり、膜厚方向に金属酸化物含有濃度勾配を有
   し、かつその金属酸化物含有濃度が該感光層近傍で低い
   ことを特徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】 中間層の膜厚が２〜１０μｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
3. 【請求項３】 中間層が、相対的に金属酸化物含有量の
   少ない層と相対的に金属酸化物含有量の多い層との積層
   からなることを特徴とする請求項１または２記載の電子
   写真感光体。
4. 【請求項４】 金属酸化物が微粉末状の酸化チタン、酸
   化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イ
   ソジウム、酸化アンチモンまたは酸化マグネシウムであ
   ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電
   子写真感光体。
5. 【請求項５】 少なくとも帯電手段、画像露光手段、現
   像手段および電子写真感光体を具備してなる画像形成装
   置において、該電子写真感光体として請求項１〜４のい
   ずれかに記載の電子写真感光体を用いたことを特徴とす
   る画像形成装置。