JPH09311491A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾式非接触現像手段を用いた電子写真装置に
適合する有機系電子写真用感光体とそれらを組み合わせ
た画像形成装置を提供することであり、特に耐摩耗性に
優れ、耐久性、安定性及び光感度に優れた有機系電子写
真用感光体及びそれを用いた乾式非接触現像手段を用い
た電子写真技術による画像形成装置を提供すること。 【解決手段】 少なくとも、帯電手段、画像露光手段、
現像手段、転写手段、定着手段、クリーニング手段を有
する画像形成装置において、現像手段が少なくとも粉末
トナーを用いた乾式非接触現像手段であり、かつ、本画
像形成装置に使用される電子写真感光体が、導電性基体
より最も離れた最表面側の少なくとも１層に、トリアリ
ールアミノ構造を主鎖及び／又は側鎖に有するポリカー
ボネートを含有するものであることを特徴とする画像形
成装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体及
びそれを用いた画像形成装置に関し、より詳しくは長寿
命電子写真感光体及び粉末トナーを使用した乾式非接触
現像手段を用いた画像形成装置に関する。本発明の電子
写真感光体及びそれを用いた画像形成装置は、複写機、
ファクシミリ、レーザプリンタ、ダイレクトデジタル製
版機等に応用される。

【０００２】

【従来の技術】複写機、ファクシミリ、レーザプリン
タ、ダイレクトデジタル製版機等に応用されている電子
写真用感光体を用いた画像形成装置とは、少なくとも電
子写真用感光体と一次帯電手段、画像露光手段、現像手
段の各手段を含み、また、画像保持体（転写紙）へのト
ナー画像の転写手段、定着手段及び電子写真用感光体表
面のクリーニング手段を含む装置である。

【０００３】ここで、電子写真技術における現像手段
は、大きく乾式現像手段と湿式現像手段の２つに分けら
れる。

【０００４】乾式現像手段とはメンテナンスの容易性等
から電子写真装置において最も一般的に用いられている
現像手段であり、粉体よりなる検電微粒子（トナー）を
用いる方法である。乾式現像手段は、現像剤の種類によ
り、現像剤がトナーとキャリア（トナー担持体粒子）及
びその他添加物よりなる乾式２成分タイプと、キャリア
は含まずトナー及びその他添加物よりなる乾式１成分タ
イプとの２つに分けられる。また、これとは別に、現像
剤が直接感光体と接触して感光体上の静電潜像にトナー
を付着させる接触現像手段と、キャリアや現像ローラ等
のトナー担持体が感光体と直接接触せず、トナーがトナ
ー担持体と感光体の微小なギャップを飛翔して感光体上
の静電潜像に付着する非接触現像手段とに分類すること
ができる。

【０００５】接触現像手段は、非接触現像手段と比較し
て画像品質製の安定性という点で優れた点があるが、し
かし、キャリアや現像ローラ等のトナー担持体が感光体
表面と直接接触する手段のため、感光体に与える機械的
ダメージ（摩耗やキズの発生）が大きいという問題点が
ある。

【０００６】非接触現像手段は、感光体に及ぼす機械的
なダメージが接触現像手段と比較し小さいことや、現像
装置が小型化できるというメリットがある。しかし、こ
の方式に、現在最も一般的に使用されている有機系感光
体を組み合わせた場合には、耐摩耗性や化学的耐久性に
かけているため、近年画像形成装置に要求されている高
信頼性、高耐久性の達成のためには、不十分であること
が判明した。

【０００７】一方電子写真用感光体が、電子写真法にお
いて要求される基本的な特性としては 暗所で適当な電位に帯電できること 暗所において電荷の散逸が少ないこと 光照射によって速やかに電荷を散逸できること等が挙
げられる。

【０００８】さらに、これらの特性以外に長期信頼性や
低公害性、コストの低さ等も要求される。

【０００９】従来、電子写真装置において使用される感
光体としては導電性支持体上にセレン乃至セレン合金を
主体とする光導電層を設けたもの、酸化亜鉛・硫化カド
ミウム等の無機系光導電材料をバインダー中に分散させ
たもの、及び非晶質シリコン系材料を用いたもの等が一
般的に知られているが、近年ではコストの低さ、感光体
設計の自由度の高さ、無公害性等から有機系感光体が広
く利用されるようになってきている。

【００１０】有機系の電子写真感光体には、ＰＶＫ（ポ
リビニルカルバゾール）に代表される光導電性樹脂、Ｐ
ＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）
に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バイン
ダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送
物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが
知られており、特に機能分離型の感光体が注目されてい
る。

【００１１】この機能分離型の感光体における静電潜像
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質
は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入
され、帯電によって生じている電界にしたがって電荷輸
送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和することによ
り静電潜像を形成するものである。機能分離型感光体に
おいては、主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主
に可視部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用
いることが知られており、且つ有用である。

【００１２】電荷輸送物質は多くが低分子化合物として
開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性がない
ため、通常、不活性高分子に分散・混合して用いられ
る。しかるに低分子電荷輸送物質と不活性高分子からな
る電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセスに
おいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいという
欠点がある。

【００１３】さらに、この構成の電荷輸送層は電荷移動
度に限界があり、電子写真装置の高速化あるいは小型化
の障害となっていた。これは通常低分子電荷輸送物質の
含有量が５０重量％以下で使用されることに起因してい
る。即ち低分子電荷輸送物質の含有量を増すことで確か
に電荷移動度は上げられるが、このとき逆に製膜性が劣
化するためである。

【００１４】これらの点を克服するために高分子型の電
荷輸送物質が注目され、例えば特開昭５１−７３８８８
号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１
１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特
開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５
２号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１９
０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開示さ
れている。

【００１５】しかしながら、高分子電荷輸送物質からな
る電荷輸送層と電荷発生層とを組み合わせた感光体の光
感度は、上記の低分子電荷輸送物質を用いた場合に比べ
著しく劣っており、この点の改良が強く望まれていた。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、乾式
非接触現像手段を用いた電子写真装置に適合する有機系
電子写真用感光体とそれらを組み合わせた画像形成装置
を提供することであり、特に耐摩耗性に優れ、耐久性、
安定性及び光感度に優れた有機系電子写真用感光体及び
それを用いた乾式非接触現像手段を用いた電子写真技術
による画像形成装置を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】我々は従来の有機系感光
体と乾式非接触現像手段を用いた電子写真装置を組み合
わせた場合の、耐摩耗性と電荷胆体移動度の低さという
課題を解決するために鋭意検討した結果、乾式非接触現
像手段を用いた電子写真装置において、その電子写真装
置に用いる、電子写真用感光体を、導電性支持体から最
も離れた表面側から、少なくとも１層中に本発明の特定
の構造を有する高分子電荷輸送物質を含有した電子写真
感光体とすることにより上記目的を達成できることが明
らかになった。

【００１８】すなわち、高分子電荷輸送物質を本発明に
おける特定の構造のものとすることにより、乾式非接触
現像剤や画像転写体との接触やクリーニングブレード等
の機械的ハザードを受けた場合に発生する摩耗に非常に
強く、感光体の光感度も高分子電荷輸送物質を本発明の
特定の構造のものとすることにより、非常に良好なもの
が得られ、乾式非接触現像手段を有する電子写真画像形
成装置を設計する上で大きなメリットが得られることが
判明した。

【００１９】以下、図面に沿って本発明を説明する。図
１は本発明の電子写真用感光体及びそれを用いた乾式非
接触現像電子写真装置の模式断面図の例を示したもので
ある。乾式非接触現像手段には、磁性体粉末やガラス粉
末等よりなるキャリアとトナーから構成される２成分現
像剤、非磁性１成分現像剤、及び磁性１成分現像剤等が
使用されるが、一般的に使用されるのは、非磁性及び磁
性１成分現像剤である。

【００２０】図１は非磁性１成分現像剤又は磁性１成分
現像剤を使用した乾式非接触現像手段を有する画像形成
装置の１例を示したものである。１成分現像剤を使用し
た乾式非接触現像手段は２成分現像剤の場合に必要な、
トナー濃度の検知、制御を行う装置が不要で、小型でコ
ストの低い現像装置を設計することができるという特徴
を有する。また、非磁性１成分トナーを用いた場合、ト
ナーの透明性が高いため、マルチカラー及びフルカラー
画像形成装置用の現像装置として利用することができ
る。

【００２１】図１において、（１０１）は矢印方向に回
転する感光体ドラムで、その周辺部には、帯電装置（１
０２）、像露光装置（１０３）、現像装置（１０４）、
非磁性又は磁性１成分現像剤（１０５）、現像剤撹拌ロ
ーラ（１０６）、トナー供給ローラ（１０７）、トナー
担持ローラ（１０８）、転写体（１０９）、転写チャー
ジャー（１１２）、クリーニングユニット（１１４）、
除電ランプ（１１５）、定着装置（１１６）等が設けら
れている。

【００２２】ここでイメージ露光装置（１０３）による
露光は、複写原稿の反射光をレンズやミラーを介して照
射するアナログイメージ露光、又はコンピュータ等から
の電気信号あるいは、複写原稿をＣＣＤ等の画像センサ
で読み取り変換した電気信号等を、レーザ光やＬＥＤア
レイ等により光像として再現するデジタルイメージ露光
の何れであってもかまわない。

【００２３】帯電及び、画像露光を受けて感光体ドラム
（１０１）表面に形成された静電潜像は現像装置（１０
４）において、トナーが付着し、可視化される。すなわ
ち、現像装置（１０４）内でトナー供給ローラ（１０
６）によりトナー担持ローラ（１０８）に供給されたト
ナーは、トナー担持ローラ（１０８）表面と摩擦帯電に
よる静電引力で引き合った状態で感光体表面まで運ばれ
て接触し、静電潜像部へトナーが選択的に付着する。こ
のとき、トナーの付着量や安定性を制御あるいは改善す
る目的で、トナー担持ローラ（１０８）と感光体ドラム
（１０１）に線速差を持たせたり、トナー担持ローラ
（１０８）及びトナー供給ローラ（１０７）に直流ある
いは交流のバイアスを印加する等の工夫が行われる。

【００２４】このような現像装置において、トナー担持
ローラ（１０８）はトナーの保持能力及び現像バイアス
を印加するための適切な抵抗が要求される。また、磁性
１成分現像剤を使用する場合には、トナー保持ローラに
も磁性を与え、静電引力に加えて磁力でもトナーを保持
する能力を発揮させることができる。

【００２５】このようなトナー担持ローラ（１０８）の
材料として、Ａｌ、鉄等の金属材料及び有機ポリマー材
料が使用される。一般的に使用されている有機ポリマー
材料には、樹脂材料（プラストマー）とゴム材料（エラ
ストマー）があり、その具体例としては、ポリ塩化ビニ
ル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルホルマ
ールなどのビニル系樹脂；ポリスチレン、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエ
ン−スチレン共重合体などのポリスチレン樹脂；ポリエ
チレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体などのポリエチ
レン系樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルメ
タクリレート−スチレン共重合体などのアクリル系樹
脂；ポリアセタール、ポリアミド、セルロース、ポリカ
ーボネート、フェノキシ樹脂、ポリエステル、フッ素樹
脂、ポリウレタン、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミ
ン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリ
コーン樹脂等の樹脂材料；天然ゴム、イソプレンゴム、
ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、エチレン
−プロピレンゴム、クロロプレンゴム、塩素化ポリエチ
レンゴム、エピクロルヒドリンゴム、ニトリルゴム、ア
クリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム、シリコーンゴ
ム、フッ素ゴム、シリコーン変性エチレン−プロピレン
ゴム等のゴム材料が挙げられる。

【００２６】これらの材料への導電性付与材料として
は、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属粉；ファーネスブラック、ラン
プブラック、サーマルブラック、アセチレンブラック、
チャンネルブラックなどのカーボンブラック；酸化ス
ズ、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化アンチモン、チタ
ン酸カリウムなどの導電性酸化物；酸化チタン、雲母上
などにメッキを施した無電界めっき物；グラファイト、
金属繊維、炭素繊維などの無機系充填剤や界面活性剤等
が挙げられる。これらの導電性付与剤は有機ポリマーが
絶縁性の場合添加されるものであるが、ポリアミド、ク
ロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、ニトリルゴ
ム、アクリルゴム、ウレタンゴム等の中抵抗（１０²〜
１０¹²Ω・ｃｍ）領域が可能な有機ポリマー類には必ず
しも添加する必要がない。

【００２７】さらに、トナー担持ローラに磁性１成分ト
ナーを保持するために含有させる磁性体粉末としてはコ
バルト、鉄及びニッケルなどの金属粉末；アルミニウ
ム、コバルト、銅、鉄、鉛、ニッケル、マグネシウム、
スズ、亜鉛、金、銀、セレン、チタン、タングステン、
及びジルコニウムのような金属並びにこの混合物；酸化
鉄、酸化ニッケルのような金属酸化物とこれを含む金属
化合物；強磁性フェライト並びにそれらの混合物等が挙
げられる。

【００２８】以上のような材料を使用して、適切な抵抗
値に調節して、トナー担持ローラとして用いる。また、
単一層でなく、特性改善のため、必要に応じて積層構造
や抵抗値等の異なる複数の材料を混在させた状態で使用
する。

【００２９】また、図１の例では一つの現像装置しか表
示されていないが、マルチカラー画像装置や、フルカラ
ー画像装置のような場合には必要な数の現像装置が感光
体周辺に配置される。

【００３０】非磁性１成分現像剤のトナーは、熱可塑性
樹脂を主成分とし、これに必要に応じて着色剤や帯電能
コントロールのための極性制御剤等を添加して構成され
ている。

【００３１】熱可塑性の結着樹脂としては例えば、ポリ
スチレン、クロロポリスチレン、ポリ−α−メチルスチ
レン、スチレン−クロロスチレン共重合体、スチレン−
プロピレン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、
スチレン−塩化ビニル共重合体、スチレン−酢酸ビニル
共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、スチレン−
アクリル酸エステル共重合体（スチレン−アクリル酸メ
チル共重合体、スチレン−アクリル酸エチル共重合体、
スチレン−アクリル酸ブチル共重合体、スチレン−アク
リル酸オクチル共重合体、スチレン−アクリル酸フェニ
ル共重合体等）、スチレン−メタクリル酸エステル共重
合体（スチレン−メタクリル酸メチル共重合体、スチレ
ン−メタクリル酸エチル共重合体、スチレン−メタクリ
ル酸ブチル共重合体、スチレン−メタクリル酸フェニル
共重合体等）、スチレン−α−クロルアクリル酸メチル
共重合体、スチレン−アクリロニトリル−アクリル酸エ
ステル共重合体等のスチレン系樹脂（スチレン又はスチ
レン置換体を含む単一重合体又は共重合体）、塩化ビニ
ル樹脂、スチレン−酢酸ビニル共重合体、ロジン変性マ
レイン酸樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、アイオノマー樹脂、ポリウ
レタン樹脂、ケトン樹脂、エチレン−エチルアクリレー
ト共重合体、キシレン樹脂、ポリビニルブチラール等の
熱溶融性樹脂や天然又は合成ワックス等のワックス類が
挙げられる。これらは、単独又は混合して使用される。

【００３２】着色剤としては、カーボンブラック（例え
ばチャンネルブラック、アセチレンブラック、ランプブ
ラック等）、ニグロシン染料、アニリン青、カルコオイ
ルブルー、フタロシアニンブルー、クロム黄、群青、キ
ノリンイエロー、メチレンブルー塩化物、モナストラル
ブルー、マラカイトグリーンオキサレート、ローズベン
ガル、モナストラルレッド、スダンブラックＢＭ等が挙
げられる。

【００３３】さらに、このトナーには必要に応じて上記
成分の他にトナーの熱特性、電気特性、物理特性等を調
整する目的で各種の可塑剤（フタル酸ジブチル、フタル
酸ジオクチル等）、抵抗調整剤（酸化スズ、酸化鉛、酸
化アンチモン等）等の助剤が添加されることもある。非
磁性１成分現像剤のトナー以外の添加物としては、トナ
ーの流動性の改質を図る目的で加えられる、ＴｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等が挙げられる。

【００３４】磁性１成分現像剤のトナーは、やはり熱可
塑性樹脂と磁性体粉末を主成分とし、これに必要に応じ
て着色剤や帯電能コントロールのための極性制御剤等を
添加して構成されている。

【００３５】このトナー用の結着樹脂や着色剤として
は、前述の非磁性１成分トナーと同様の材料が使用され
る。また、磁性体粉末としてはコバルト、鉄及びニッケ
ルなどの金属粉末；アルミニウム、コバルト、銅、鉄、
鉛、ニッケル、マグネシウム、スズ、亜鉛、金、銀、セ
レン、チタン、タングステン、及びジルコニウムのよう
な金属並びにこの混合物；酸化鉄、酸化ニッケルのよう
な金属酸化物とこれを含む金属化合物；強磁性フェライ
ト並びにそれらの混合物等が挙げられる。

【００３６】さらに、このトナーには必要に応じて上記
成分の他にトナーの熱特性、電気特性、物理特性等を調
整する目的で各種の可塑剤（フタル酸ジブチル、フタル
酸ジオクチル等）、抵抗調整剤（酸化スズ、酸化鉛、酸
化アンチモン等）等の助剤が添加されることもある。磁
性１成分現像剤のトナー以外の添加物としては、トナー
の流動性の改質を図る目的で加えられる、ＴｉＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等が挙げられる。

【００３７】次に、図面を用いて本発明で用いられる電
子写真感光体を説明する。図２は、本発明において用い
られる電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体
（２１）上に感光層（２３）が形成されたものである。
図３は、本発明において用いられる電子写真感光体の別
の構成を示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に
電荷発生層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光
層（２３）が形成されたものである。図４は、本発明に
おいて用いられる電子写真感光体のさらに別の構成を示
す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層（２
３）の電荷発生層（３１）との間に下引き層（２５）が
形成されたものである。

【００３８】次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質について述べる。本発明に用いられる高分子電荷輸
送物質として、下記一般式１〜１０で表わされる高分子
電荷輸送物質が有効に用いられる。一般式１〜１０で表
わされる高分子電荷輸送物質を以下に例示し、具体例を
示す。

【００３９】

【化１３】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００４０】

【化１４】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【００４１】

【化１５】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【００４２】一般式１の具体例 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。

【００４３】アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−
ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。

【００４４】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ₄は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
と同様のものが挙げられる。Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無
置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００４５】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００４６】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【００４７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−
ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ
基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェ
ノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。

【００４８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００４９】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメー
トとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重
合体となる。

【００５０】

【化１６】 一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。１，３−プロパンジオール、１，４
−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６
−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，
１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパン
ジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオー
ル、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオール、
１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げ
られる。

【００５１】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【００５２】

【化１７】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００５３】一般式２の具体例 Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【００５４】

【化１８】 （ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【００５５】

【化１９】

【００５６】

【化２０】

【００５７】

【化２１】

【００５８】

【化２２】 を表わす。

【００５９】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で
示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と
同じ意味を有する。

【００６０】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ
₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００６１】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−
ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００６２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。

【００６３】

【化２３】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【００６４】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【００６５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｃ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００６６】

【化２４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物としては一般式１と同じ
ものが挙げられる。

【００６７】

【化２５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
る。

【００６８】一般式３の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００６９】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００７０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００７１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【００７２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００７３】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【００７４】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｄ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００７５】

【化２６】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００７６】

【化２７】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
１の場合と同じである。

【００７７】一般式４の具体例 Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００７８】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００７９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、
４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、
６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【００８０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００８１】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｅ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００８２】

【化２８】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００８３】

【化２９】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【００８４】一般式５の具体例 Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【００８５】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに
好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ
−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エト
キシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４
−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メト
キシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。

【００８６】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【００８７】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【００８８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【００８９】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【００９０】前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記
（２）のアルキル基が挙げられる。

【００９１】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｆ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【００９２】

【化３０】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【００９３】

【化３１】

【００９４】式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ
及びｎは、一般式１の場合と同じである。

【００９５】一般式６の具体例 Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【００９６】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【００９７】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【００９８】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【００９９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１００】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【０１０１】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。

【０１０２】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【０１０３】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【０１０４】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【０１０５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｇ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般
式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合
反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１０６】

【化３２】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１０７】

【化３３】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
じである。

【０１０８】一般式７の具体例 Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１０９】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１１０】また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９
−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈
及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀
で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。

【０１１１】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１１２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１１３】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１１４】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１１５】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、Ｘの構造部分は下記一般式（Ｈ）のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）か
ら誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっ
ても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造され
るポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１１６】

【化３４】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１１７】

【化３５】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
同じである。

【０１１８】一般式８の具体例 Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。

【０１１９】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１２０】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１２１】（２）アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ま
しくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ
−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒド
ロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエ
チル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロ
ロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１２２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１２３】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１２４】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１２５】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル
アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１２６】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｊ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１２７】

【化３６】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１２８】

【化３７】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、一般式１の場合と同じである。

【０１２９】一般式９の具体例 Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１３０】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１３１】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。

【０１３２】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１３３】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ₁₁₈が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１３４】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１３５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１３６】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１３７】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物
をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、
下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することによ
り主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック共重合
体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｌ）の
トリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一
般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重
合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場
合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体とな
る。

【０１３８】

【化３８】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１３９】

【化３９】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
ある。

【０１４０】一般式１０の具体例 Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１４１】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１４２】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。

【０１４３】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ
−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１４４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ₁₁₉が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１４５】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１４６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１４７】前記Ｘの構造部分は下記一般式（Ｍ）のト
リアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン
法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式
（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネート樹
脂はランダム共重合体、又はブロック共重合体となる。
また、この構造部分Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）
から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によ
っても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造さ
れるポリカーボネートは交互共重合体となる。

【０１４８】

【化４０】 一般式（Ｂ）のジオール化合物は一般式１と同じものが
挙げられる。

【０１４９】導電性支持体（２１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは円
筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨な
どで表面処理した管などを使用することができる。

【０１５０】本発明における感光層（２３）は、単層型
でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積
層型について述べる。はじめに、電荷発生層（３１）に
ついて説明する。電荷発生層（３１）は、電荷発生物質
を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用
いることもある。電荷発生物質としては、無機系材料と
有機系材料を用いることができる。無機系材料には、結
晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セ
レン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモ
ルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シ
リコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハ
ロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リ
ン原子等をドープしたものが良好に用いられる。

【０１５１】一方、有機系材料としては、公知の材料を
用いることができる。例えば、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズ
レニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格
を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ
顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格
を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ
る。これらの電荷発生物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１５２】電荷発生層（３１）に必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ドなどが用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独
又は２種以上の混合物として用いることができる。ま
た、電荷発生層のバインダー樹脂として上述のバインダ
ー樹脂の他に、先に記した一般式１〜１０の高分子電荷
輸送物質が良好に用いられるが、その他の高分子電荷輸
送物質として以下のものが挙げられる。

【０１５３】次に、本発明に用いられる高分子電荷輸送
物質について述べる。本発明に用いられる高分子電荷輸
送物質としては、公知の高分子電荷輸送材料を用いるこ
とができる。

【０１５４】例えば、 （ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重
合体 例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールの重合体、特開
昭５０−８２０５６号公報開示のＮ−アクリルアミドメ
チルカルバゾールの重合体、特開昭５４−９６３２号公
報記載のハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特
開昭５４−１１７３７号公報記載のポリ−Ｎ−アクリル
アミドメチルカルバゾール及びポリ−Ｎ−アクリルアミ
ドメチルカルバモイルアルキルカルバゾール、特開平４
−１８３７１９号公報に記載のカルバゾール構造を有す
る特定のジヒドロキシ化合物即ちビス［Ｎ−ヒドロキシ
アリール（又は−ヒドロキシヘテロ）−Ｎ−アリール］
アミノ置換カルバゾールを或いはこれとビスフェノール
化合物とを炭酸エステル形成性化合物と反応させること
により得られるカルバゾール系ポリカーボネート、化合
物等が例示される。 （ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重
合体 例えば、特開昭５７−７８４０２号公報記載の、クロル
メチル化ポリスチレンと４−ヒドロキシベンジリデンベ
ンジルフェニルヒドラゾンとの脱塩酸縮合により生成さ
れるヒドラゾン構造を有するポリスチレン、特開平３−
５０５５５号公報に記載のポリ（４−ホルミルスチレ
ン）と１，１−ジアリールヒドラジンとの脱水縮合によ
り生成される４−ヒドラゾン側鎖構造を有するポリスチ
レン化合物等が例示される。 （ｃ）ポリシリレン重合体 例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報記載のポリ
（メチルフェニルシリレン）、ポリ（ｎ−プロピルメチ
ルシリレン）−１−メチルフェニルシリレン又はポリ
（ｎ−プロピルメチルシリレン）、特開平５−１９４９
７号公報記載の−(Ｓｉ(R₁)(R₂)）−、又は

【０１５５】

【化４１】 の繰り返し単位を有するポリシラン化合物（R₁、R₂、
R₃、R₄はＨ、ハロゲン、エーテル基、置換アルキル基
等）の化合物等が例示される。 （ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する
重合体 例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−ア
ミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、及び
特開平１−１９０４９号公報記載の一般式

【０１５６】

【化４２】 を有するアリールアミン樹脂化合物 （ここでＡｒ、Ａｒ’はアリール、Ｚはカルバゾール−
４，７−ジイル基、フルオレニン基、フェニレン基、ピ
レンジイル基、４，４’−ビフェニレン基等の２価の不
飽和環式基、Ｒ及びＲ’は個々に−ＣＨ₂−、−(ＣＨ₂)
₂−、−(ＣＨ₂)₃−及び−(ＣＨ₂)₄−、Ｒ”は−ＣＯ−
又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｙ−Ｃ₆Ｈ₄−Ｏ−ＣＯ−（Ｙ
は−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍｅ)₂−等）、ｍ
は０又は１、ｎは５〜５０００を表わす。）、特開平１
−１７２８号公報記載のR-[O-A-O-CH₂-CH(OR)-CH₂-O-Ｂ
-O-CH₂-CH(OR)-CH₂]ｍ−（RはH、-Me、-Et、ｍは４〜１
０００、Aは−Ａｒ−Ｎ(Ａｒ')−[Ｚ］−[Ｎ(Ａｒ')−
Ａｒ]ｎ−（Ｚはカルバゾール−４，７−ジイル基、フ
ルオニレン基、フェニレン基、ピレンジイル基、４，
４’−ビフェニレン基等の２価の不飽和環式基、Ａｒ、
Ａｒ’はアリール基）、ＢはＡと同じ意味か又は−Ａｒ
−Ｖ−Ａｒ（Ｖは−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(Ｍ
ｅ)₂−等）を表わす。）を有するアリールアミン含有ポ
リヒドロキシエーテル樹脂、特開平５−６６５９８号公
報記載の

【０１５７】

【化４３】 （ｎ₁は１〜１０、ｎ₂は０〜４、ｎ₃は０〜５、ｍは０
〜１）の構造を有する（メタ）アクリル酸エステルの
（共）重合体、特開平５−４０３５０号公報に記載の、
構造単位

【０１５８】

【化４４】 （Ｒ₁、Ｒ₂はアルキル、アリール、アラルキル、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は２価の芳香族残基、ｌは０以上の
整数、ｍは１以上の整数、ｎは２以上の整数、ｐは３〜
６の整数）を有する化合物等が例示される。 （ｅ）その他の重合体 例えば、ニトロピレンのホルムアルデヒド縮重合体、特
開昭５１−７３８８８号公報記載の、６−ビニルインド
ロ［２，３−ｂ］キノキサリン誘導体の重合物、特開昭
５６−１５０７４９号公報に記載の、１，１−ビス（４
−ジベンジルアミノフェニル）プロパンのホルムアルデ
ヒド縮合樹脂化合物等が例示される。

【０１５９】本発明に使用される電子供与性基を有する
重合体は、上記重合体だけでなく、公知単量体の共重合
体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマ
ーや、又、例えば特開平３−１０９４０６号公報に開示
されているような、

【０１６０】

【化４５】 電子供与性基を有する架橋重合体等を用いることも可能
である。

【０１６１】電荷発生層（３１）に併用できる低分子電
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。

【０１６２】電子輸送物質としては、例えばクロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレ
ノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリ
ニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４
オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−
５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられ
る。これらの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合
物として用いることができる。

【０１６３】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。

【０１６４】電荷発生層（３１）を形成する方法には、
真空薄膜作製法と溶液分散系からのキャスティング法と
が大きく挙げられる。前者の方法には、真空蒸着法、グ
ロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いら
れ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成でき
る。

【０１６５】また、後述のキャスティング法によって電
荷発生層を設けるには、上述した無機系若しくは有機系
電荷発生物質を必要ならばバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸
漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用い
て行なうことができる。以上のようにして設けられる電
荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは０．０５〜２μｍである。

【０１６６】次に、電荷輸送層（３３）について説明す
る。電荷輸送層（３３）は、高分子電荷輸送物質を主成
分とする層であり、高分子電荷輸送物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することにより形
成できる。高分子電荷輸送物質は３×１０⁵Ｖ／ｃｍの
電界下で１×１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を
有する高分子電荷輸送物質ならば、いずれの公知材料を
用いることができるが、主鎖及び／又は側鎖にトリアリ
ールアミン構造を有するポリカーボネートが有効に使用
される。前記一般式１〜１０の高分子電荷輸送物質が特
に良好に使用される。また、必要により適当なバインダ
ー樹脂、低分子電荷輸送物質、可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。

【０１６７】電荷輸送層（３３）に併用できるバインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ
タイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上
の混合物として用いることができる。

【０１６８】電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電
荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載
したものと同じものを用いることができる。電荷輸送層
（３３）の膜厚は、２０μｍ以下が適当であり、好まし
くは１５μｍ以下である。この理由としては、先述のよ
うに静電潜像の解像性（原稿の再現性）の改良があげら
れ、２０μｍ以上の膜厚では解像性が低下することによ
る。解像度に関しては、膜厚が薄い方が良好な結果が得
られるが、感光層の摩耗は静電疲労特性にも影響を及ぼ
すため、あらかじめ実験的に設定できる膜厚の下限値を
調べることにより、上記範囲のうちで任意に設定でき
る。また、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑
剤やレベリング剤を添加してもよい。

【０１６９】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部
程度が適当である。

【０１７０】次に、感光層（２３）が単層構成の場合に
ついて述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける
場合、多くは電荷発生物質と低分子並びに高分子電荷輸
送物質よりなる機能分離型のものが挙げられる。即ち、
電荷発生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用
いることができる。また、必要により可塑剤やレベリン
グ剤を添加することもできる。更に、必要に応じて用い
ることのできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送
層（３３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他
に、電荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合
して用いてもよい。単層感光体の膜厚は、５〜１００μ
ｍ程度が適当であり、好ましくは、１０〜４０μｍ程度
が適当である。

【０１７１】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの
場合には、電荷発生層（３１）］との間に下引き層（２
５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着
性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を
改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられ
る。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、
これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示
できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物な
どの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述
の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形
成することができる。

【０１７２】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾル−
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機
物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０１７３】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。

【０１７４】モノフェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。

【０１７５】ビスフェノール系化合物 ２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）など。

【０１７６】高分子フェノール系化合物 １，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。

【０１７７】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。

【０１７８】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

【０１７９】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。

【０１８０】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。

【０１８１】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品とし
て容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加
量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１０
０重量部、好ましくは２〜３０重量部である。

【０１８２】

【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部
を表わし、使用された高分子電荷輸送物質の繰り返し単
位ｎは、いずれの例においても、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）から算出して１００±２０の範囲であった。

【０１８３】実施例１ φ３０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引
き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工
液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引
き層、０．２μｍの電荷発生層、２８μｍの電荷輸送層
を形成して、本発明における電子写真感光体を得た。

【０１８４】 ［下引き層用塗工液］ アルキッド樹脂 ６部 （ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製） メラミン樹脂 ４部 （スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製） 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部 ［電荷発生層用塗工液］ 下記構造のトリスアゾ顔料 ２．５部

【０１８５】

【化４６】 ポリビニルブチラール（ＵＣＣ社製：ＸＹＨＬ） ０．２５部 シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部

【０１８６】 ［電荷輸送層用塗工液］ 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０１８７】

【化４７】 塩化メチレン １００部

【０１８８】実施例２ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０１８９】

【化４８】

【０１９０】実施例３ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０１９１】

【化４９】

【０１９２】実施例４ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０１９３】

【化５０】

【０１９４】実施例５ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０１９５】

【化５１】

【０１９６】実施例６ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０１９７】

【化５２】

【０１９８】実施例７ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０１９９】

【化５３】

【０２００】実施例８ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０２０１】

【化５４】

【０２０２】実施例９ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０２０３】

【化５５】

【０２０４】実施例１０ 実施例１における電荷輸送層に用いた高分子電荷輸送物
質を以下の構造のものに変えた以外は実施例１と全く同
様にして本発明における電子写真感光体を作成した。

【０２０５】

【化５６】

【０２０６】比較例１ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を以下の構造のも
のに変更した以外は、実施例１と全く同様に作成した。 ［電荷輸送層用塗工液］ ビスフェノールＡ型ポリカーボネート １０部 （帝人：パンライトＫ１３００） 下記構造の低分子電荷輸送物質 １０部

【０２０７】

【化５７】 塩化メチレン １００部

【０２０８】以上のように作製した実施例１〜１０及び
比較例１の電子写真感光体を実装用にした後、以下のよ
うにして評価を行った。

【０２０９】［実機ランニング特性評価方法］図１で示
す構成の乾式非接触現像方式プリンタ（非磁性１成分現
像方式）を用い、それぞれの感光体について最高１０万
枚までの通紙試験を行った。通紙試験中及び通紙試験後
に感光体の電位特性、画像品質特性、感光層摩耗量の評
価を適時行った。

【０２１０】暗部電位：一次帯電の後、現像部位置まで
移動した際の感光体表面電位 明部電位：一次帯電後、画像露光（ベタ露光）を受け、
現像部位置まで移動した際の感光体表面電位 画像品質：ベタ濃度、細線再現性、異常画像等総合的に
評価 摩耗量：実機ランニングによる感光層膜厚減少量 評価結果を表１に示す。

【０２１１】

【表１−１】

【０２１２】

【表１−２】

【０２１３】

【表１−３】

【０２１４】

【表１−４】

【０２１５】表１より明らかなように、本発明における
電子写真用感光体及びそれを用いた乾式非接触現像方式
画像形成装置は、帯電性及び光感度に優れ、電気特性の
劣化が少なく、また感光層の摩耗も少なく、高画質のハ
ードコピーを長期間安定して得ることができる。一方比
較例の、低分子電荷輸送物質を用いた従来の電子写真用
感光体を用いたものでは初期の光感度が実施例と比較し
て低く、連続使用においては膜厚の減少が大きく、電気
特性や画像特性が短期間で大きく劣化し、高耐久、高信
頼性の画像形成装置としては本発明の画像形成装置より
は明らかに劣ることがわかる。

【０２１６】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的に説明したよう
に、光感度特性、耐摩耗性に優れた本発明の電子写真用
感光体を用いることによって、高性能で信頼性の高い乾
式非接触現像方式画像形成装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成装置の一例を示す模式図であ
る。

【図２】本発明の画像形成装置に用いる電子写真感光体
の構成を示す断面図である。

【図３】本発明の画像形成装置に用いる電子写真感光体
の別の構成を示す断面図である。

【符号の説明】

２１ 導電性支持体 ２３ 感光層 ２５ 下引き層 ３１ 電荷発生層 ３３ 電荷輸送層 １０１ 感光体ドラム １０２ 帯電装置 １０３ 像露光装置 １０４ 現像装置 １０５ １成分現像剤 １０６ 現像剤撹拌ローラ １０７ トナー供給ローラ １０８ トナー担持ローラ １０９ 転写体 １１２ 転写チャージャー １１４ クリーニングユニット １１５ 除電ランプ １１６ 定着装置

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年８月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図４

【補正方法】追加

【補正内容】

【図４】本発明の画像形成装置に用いる電子写真感光体
のさらに別の構成を示す断面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永目 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 青戸 淳 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 新美 達也 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田村 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 紙 英利 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、帯電手段、画像露光手段、
   現像手段、転写手段、定着手段、クリーニング手段を有
   する画像形成装置において、現像手段が少なくとも粉末
   トナーを用いた乾式非接触現像手段であり、かつ、本画
   像形成装置に使用される電子写真感光体が、導電性基体
   より最も離れた最表面側の少なくとも１層に、下記一般
   式１で表わされる高分子電荷輸送物質を含有するもので
   あることを特徴とする画像形成装置。 【化１】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
   無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
   又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
   若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
   立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
   ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
   ５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
   脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
   表わす。 【化２】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
   のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
   ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
   ２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
   −、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
   −Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
   す。）または、 【化３】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
   数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
   リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
   Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
   よい。
2. 【請求項２】 該画像形成装置に使用される電子写真感
   光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
   も１層に、下記一般式２で表わされる高分子電荷輸送物
   質を含有するものであることを特徴とする画像形成装
   置。 【化４】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
   ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
   す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
3. 【請求項３】 該画像形成装置に使用される電子写真感
   光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
   も１層に、下記一般式３で表わされる高分子電荷輸送物
   質を含有するものであることを特徴とする画像形成装
   置。 【化５】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
   わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じであ
   る。
4. 【請求項４】 該画像形成装置に使用される電子写真感
   光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
   も１層に、下記一般式４で表わされる高分子電荷輸送物
   質を含有するものであることを特徴とする画像形成装
   置。 【化６】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ
   は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式
   １の場合と同じである。
5. 【請求項５】 該画像形成装置に使用される電子写真感
   光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
   も１層に、下記一般式５で表わされる高分子電荷輸送物
   質を含有するものであることを特徴とする画像形成装
   置。 【化７】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
   Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
   Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
   若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
   ｎは、一般式１の場合と同じである。
6. 【請求項６】 該画像形成装置に使用される電子写真感
   光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
   も１層に、下記一般式６で表わされる高分子電荷輸送物
   質を含有するものであることを特徴とする画像形成装
   置。 【化８】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
   アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又
   は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若
   しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
   クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
   ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
   一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一
   般式１の場合と同じである。
7. 【請求項７】 該画像形成装置に使用される電子写真感
   光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
   も１層に、下記一般式７で表わされる高分子電荷輸送物
   質を含有するものであることを特徴とする画像形成装
   置。 【化９】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
   リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
   い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
   基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同
   じである。
8. 【請求項８】 該画像形成装置に使用される電子写真感
   光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
   も１層に、下記一般式８で表わされる高分子電荷輸送物
   質を含有するものであることを特徴とする画像形成装
   置。 【化１０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
   ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
   ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と
   同じである。
9. 【請求項９】 該画像形成装置に使用される電子写真感
   光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なくと
   も１層に、下記一般式９で表わされる高分子電荷輸送物
   質を含有するものであることを特徴とする画像形成装
   置。 【化１１】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
   アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
   は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
   ｎは、一般式１の場合と同じである。
10. 【請求項１０】 該画像形成装置に使用される電子写真
    感光体が、導電性基体より最も離れた最表面側の少なく
    とも１層に、下記一般式１０で表わされる高分子電荷輸
    送物質を含有するものであることを特徴とする画像形成
    装置。 【化１２】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
    Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
    表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、一般式１の場合と同じで
    ある。