JP2021061351A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11800725B1 (en) * 2020-01-20 2023-10-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with electronic circuit units
US12433031B2 (en) * 2020-01-20 2025-09-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with electronic circuit units

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0155874B1 (ko) 1995-08-31 1998-12-01 김광호 반도체장치의 평탄화방법 및 이를 이용한 소자분리방법
JP3638778B2 (ja) 1997-03-31 2005-04-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP5600280B2 (ja) 1997-03-31 2014-10-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
JP3425582B2 (ja) 2000-04-14 2003-07-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3719650B2 (ja) 2000-12-22 2005-11-24 松下電器産業株式会社 半導体装置
JP2002198419A (ja) 2000-12-26 2002-07-12 Nec Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置の設計方法
US6617663B2 (en) 2001-03-05 2003-09-09 Seiko Epson Corporation Methods of manufacturing semiconductor devices
US6638863B2 (en) 2001-04-24 2003-10-28 Acm Research, Inc. Electropolishing metal layers on wafers having trenches or vias with dummy structures
JP2003224098A (ja) 2002-01-30 2003-08-08 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 配線の設計方法、プログラムおよびそのプログラムを記録した記録媒体
WO2003088316A2 (en) 2002-04-12 2003-10-23 Acm Research, Inc. Electropolishing and electroplating methods
JP3536104B2 (ja) 2002-04-26 2004-06-07 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004153015A (ja) 2002-10-30 2004-05-27 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR20040093277A (ko) * 2003-04-29 2004-11-05 매그나칩 반도체 유한회사 버팅콘택을 포함하여 구성된 퓨즈를 구비한 시모스이미지센서 및 이를 이용한 퓨즈 리페어 방법
WO2004097916A1 (ja) 2003-04-30 2004-11-11 Fujitsu Limited 半導体装置の製造方法、半導体ウエハおよび半導体装置
KR100546354B1 (ko) 2003-07-28 2006-01-26 삼성전자주식회사 원하는 분석 위치를 용이하게 찾을 수 있는 반도체 소자
JP4615846B2 (ja) 2003-11-14 2011-01-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4191110B2 (ja) 2004-07-26 2008-12-03 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2006165040A (ja) 2004-12-02 2006-06-22 Renesas Technology Corp 半導体装置及び半導体装置のパターン設計方法
JP2006339406A (ja) 2005-06-02 2006-12-14 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2007250705A (ja) 2006-03-15 2007-09-27 Nec Electronics Corp 半導体集積回路装置及びダミーパターンの配置方法
JP2007251070A (ja) * 2006-03-18 2007-09-27 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2007294783A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置の設計支援システム
JP4705881B2 (ja) * 2006-05-09 2011-06-22 パナソニック株式会社 リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JP4916241B2 (ja) * 2006-07-28 2012-04-11 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2008041984A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009147150A (ja) 2007-12-14 2009-07-02 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP5356742B2 (ja) 2008-07-10 2013-12-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体パッケージの製造方法
JP2010287638A (ja) 2009-06-10 2010-12-24 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置
JP5497392B2 (ja) * 2009-09-25 2014-05-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2011243612A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
JP5843475B2 (ja) 2010-06-30 2016-01-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2012033894A (ja) 2010-06-30 2012-02-16 Canon Inc 固体撮像装置
JP5693060B2 (ja) 2010-06-30 2015-04-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置、及び撮像システム
JP6342033B2 (ja) 2010-06-30 2018-06-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5553693B2 (ja) 2010-06-30 2014-07-16 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP5451547B2 (ja) 2010-07-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5517800B2 (ja) * 2010-07-09 2014-06-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置用の部材および固体撮像装置の製造方法
JP5919653B2 (ja) 2011-06-09 2016-05-18 ソニー株式会社 半導体装置
KR102378636B1 (ko) 2011-05-24 2022-03-25 소니그룹주식회사 반도체 장치
JP5837783B2 (ja) 2011-09-08 2015-12-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
JP6140965B2 (ja) 2012-09-28 2017-06-07 キヤノン株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5925711B2 (ja) 2013-02-20 2016-05-25 浜松ホトニクス株式会社 検出器、ｐｅｔ装置及びｘ線ｃｔ装置
TWI676279B (zh) 2013-10-04 2019-11-01 新力股份有限公司 半導體裝置及固體攝像元件
JP6329059B2 (ja) * 2014-11-07 2018-05-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP7058479B2 (ja) 2016-10-18 2022-04-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出器
JP2018073851A (ja) 2016-10-24 2018-05-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、製造方法、及び、固体撮像装置
CN110494962B (zh) * 2017-04-04 2024-01-12 索尼半导体解决方案公司 半导体器件、制造半导体器件的方法和电子设备
CN110476228B (zh) * 2017-04-04 2024-01-16 索尼半导体解决方案公司 半导体装置、制造半导体装置的方法和电子设备
JP2019114595A (ja) 2017-12-21 2019-07-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP7527755B2 (ja) 2018-02-09 2024-08-05 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
JP2019153675A (ja) 2018-03-02 2019-09-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
CN108511475B (zh) * 2018-05-17 2023-10-10 黄琴 一种超小型pad的辅助焊接元件的制造方法和辅助焊接方法

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