JP2021004949A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

【課題】感光体の軸方向に感度の分布を持たせつつ、暗減衰ムラとリーク発生が抑えられた電子写真感光体を提供する。
【解決手段】円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、電荷発生層は電荷発生物質として、特定のＣｕＫα特性Ｘ線回折ピークを持つヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、特定のＣｕＫα特性Ｘ線回折ピークを持つチタニルフタロシアニン結晶、または特定の分光吸収スペクトルを持つクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有し、電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５とすると、ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たすことを特徴とする。
【選択図】図７

Description

本発明は電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

近年、電子写真装置に用いられる露光手段は半導体レーザが主流である。通常光源から出たレーザビームは、レーザ走査書込み装置により円筒状の電子写真感光体（以下、単に感光体ともいう）の軸方向に走査される。この際用いられるポリゴンミラーをはじめとした光学系や、様々な電気的補正手段などにより、感光体に照射される光量が感光体の軸方向に対して均一になるよう制御されている。

上記ポリゴンミラーの低コスト化や、電気的補正技術の向上などによる光学系の小型化が進み、電子写真方式によるパーソナル用途のレーザビームプリンタも使用されるようになったが、昨今さらなる低コスト化と小型化が求められている。

上記レーザ走査書込み装置により走査されるレーザ光は、上記光学系の工夫や電気的補正を行わない場合、感光体の軸方向に対して光量分布に偏りを有する。特に、レーザビームをポリゴンミラー等で走査する関係上、感光体の軸方向の中央部から端部に向かって光量が減少する領域を持つ。このような光量分布の偏りを光学系や電気的補正などによる制御で均一化すると、コストアップ及び大型化を招く。

そこで従来、感光体について、上記光量分布の偏りを打ち消すように感度分布を感光体の軸方向に対して設けることで、感光体の軸方向における露光電位分布を均一にすることが行われている。

感光体に適切な感度分布を設ける方法として、単層感光体における感光層や積層型感光体における電荷輸送層の静電容量に適切な分布を持たせることが考えられる。静電容量が小さいほど、指定の電位まで露光電位を落とすために必要な消却電荷量が少なくなるので、光量に対して露光電位が落ちやすくなり、感度が向上する。静電容量に適切な分布を持たせる方法としては、感光層あるいは電荷輸送層の膜厚を変化させることが知られている。

しかし、感光体の軸方向に静電容量分布がある場合、かぶり現象やゴースト現象などの、感光体の静電容量が変わることで変化する現象にも分布が発生してしまう。その結果、電子写真システム全体でこれらの現象を感光体の軸方向全体にわたって抑制することが難しくなるという問題があった。

そこで、感光体に適切な感度分布を設ける方法としては、積層型感光体における電荷発生層の光電変換効率に適切な分布を持たせることが有効である。

特許文献１には、浸漬塗布時の調速によって感光体が有する電荷発生層の膜厚に偏差を設け、それにより、電荷発生物質として用いたトリスアゾ顔料の付着量に偏差を生じさせることで、マクベス濃度の値を変化させる技術が記載されている。感光体が軸方向にマクベス濃度の分布の偏差を有することで、電荷発生層の光吸収量を感光体の軸方向で変化させ、光電変換効率に適切な分布を設けている。

特許文献２には、インクジェット塗布時に２種の液滴塗出ヘッドを用い、それぞれの液滴塗出ヘッドから塗出される電荷発生層用塗布液中の樹脂に対する電荷発生物質の比率（Ｐ／Ｂ比）を変えるとともに、それぞれの液滴塗出ヘッドの走査条件を制御することで、感光体の軸方向に電荷発生層の膜厚を一定に保ったまま、電荷発生物質として用いたクロロガリウムフタロシアニン顔料の含有量を中央部から両端部に向けて増大させる技術が記載されている。電荷発生層の膜厚を一定に保ったまま電荷発生物質の単位体積当たりの含有量に適切な分布を持たせることで、ゴースト現象を抑えつつ、電荷発生層の光吸収量を変化させ、光電変換効率に適切な分布を持たせている。

特開２００１−３０５８３８号公報 特開２００８−０７６６５７号公報

本発明者らの検討によると、特許文献１、２に記載の電子写真感光体では、感光体の軸方向端部で電荷発生物質の含有量が増大することに起因する、感光体の軸方向に対する暗減衰のムラと端部におけるリーク発生が課題であった。

したがって、本発明の目的は、感光体の軸方向に感度の分布を持たせつつ、暗減衰ムラとリーク発生が抑えられた電子写真感光体を提供することにある。

上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明の一態様に係る電子写真感光体は、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、前記電荷発生層は電荷発生物質として、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有し、前記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５とすると、ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たすことを特徴とする。

また、本発明の他の態様に係る電子写真感光体は、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、前記電荷発生層は電荷発生物質として、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶を含有し、前記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５とすると、ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たすことを特徴とする。

また、本発明の更に他の態様に係る電子写真感光体は、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、前記電荷発生層は電荷発生物質としてクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有し、前記クロロガリウムフタロシアニン結晶が、分光吸収スペクトルにおいて、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲及び７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲にそれぞれ少なくとも１つのピークを有し、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第１のピークとし、７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第２のピークとした際に、前記第１のピークの吸光度が、前記第２のピークの吸光度より大きく、前記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５とすると，ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たすことを特徴とする。

本発明によれば、感光体の軸方向に感度の分布を持たせつつ、暗減衰ムラとリーク発生が抑えられた電子写真感光体を提供することができる。

本発明に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。 電荷発生層の画像形成領域の断面図であり、中央位置から端位置にかけて５等分することを示す図である。 本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置の露光手段についての概略構成の一例を示す図である。 本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置のレーザ走査装置部の断面図である。 本発明の感光体の画像形成領域において感光体の軸方向に均一な静電潜像が形成可能である条件を満たす、レーザ走査装置の幾何学的特徴θ_ｍａｘ及び光学系の特徴Ｂを示すグラフである。 本発明の電荷発生層の膜厚分布ｄ（Ｙ）を示すグラフである。 本発明の電荷発生層の膜厚分布ｄ（Ｙ）を示すグラフである。 実施例１、実施例５、実施例６の電荷発生層膜厚分布と、この３つの実施例に共通の式（Ｅ２）で計算される電荷発生層膜厚分布との比較を示すグラフである。

以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。
本発明者らが検討したところ、従来技術で電荷発生物質として用いられてきたアゾ系顔料は、その電荷発生位置が電荷発生層と電荷輸送層の界面にある界面型であるために、電荷発生層膜厚を変えた時の光電変換効率の変化が小さかった（参考文献：梅田実「積層有機感光体におけるＥｘｔｒｉｎｓｉｃ型の光キャリア発生過程とその速度論」日本化学会誌，１９９６，Ｎｏ．１１，ｐｐ．９３２−９３７）。そのため、アゾ系顔料を電荷発生物質として用いる場合、感光体の軸方向の感度分布を持たせるためには電荷発生層膜厚の偏差を大きくする必要があり、その結果感光体の軸方向に、電荷発生物質から発生する熱キャリアに起因する暗減衰ムラやリーク発生頻度の偏差が生じてしまうことが分かった。

特許文献１では、電荷発生物質としてトリスアゾ顔料を用いているため、上述の理由により、例えば近年のレーザビームプリンタの小型化に伴って要請されることが多い感光体の軸方向の中央部と端部の感度比１．２倍以上を達成するように電荷発生層膜厚に偏差を設けると、暗減衰ムラやリーク発生の弊害が大きくなる。

他方、上記アゾ系顔料に加えて、従来技術でやはり電荷発生物質として用いられてきた特定のクロロガリウムフタロシアニン顔料は、電子写真感光体に用いた時の量子効率がアゾ系顔料と共に小さいために、電荷発生物質の平均含有量の絶対値を大きくする必要があった。そのため、電荷発生物質の含有量に感光体の軸方向の偏差を持たせた場合に、相対的に含有量が多い部分の含有量の絶対値はさらに大きくなり、そのことが暗減衰ムラやリーク発生頻度の偏差を生んでしまっていた。特にフタロシアニン系の顔料は、感光体に印加される電界強度が６０Ｖ／μｍ以上の高電界領域では、電荷発生物質の含有量の増大に対して暗電流が指数増大するため、帯電時のリークの危険性が高まる。そのため、特定のクロロガリウムフタロシアニン顔料を用い、電荷発生物質の含有量を中央部から端部に向けて増大させた感光体は、その端部においてリークが発生しやすかった。

特許文献２では、電荷発生物質として特定のクロロガリウムフタロシアニン顔料を用いているため、上述の理由により、感光体の軸方向の中央部と端部の感度比１．２倍以上を達成するように電荷発生物質の含有量に偏差を設けると、やはり暗減衰ムラやリーク発生の弊害が大きくなる。

以上の従来技術で発生していた技術課題を解決するために、電荷発生物質の構造式あるいはその結晶型の違いが、熱キャリアの発生量に与える影響を検討した。また、暗減衰やリーク発生に対する電荷発生層膜厚の依存性が、電荷発生物質の構造式あるいはその結晶型の違いでどう変化するかも合わせて検討した。

上記の検討の結果、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、上記電荷発生層は電荷発生物質として、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有し、上記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が上記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５［ｎｍ］とすると、ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たす感光体とすることで、従来技術で発生していた暗減衰ムラ及びリーク発生を解決できることが分かった。

また、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、上記電荷発生層は電荷発生物質として、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶を含有し、上記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が上記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までを５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５［ｎｍ］とすると、ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たす感光体とすることで、従来技術で発生していた暗減衰ムラおよびリーク発生を解決できることが分かった。
さらに、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、上記電荷発生層は電荷発生物質としてクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有し、上記クロロガリウムフタロシアニン結晶が、分光吸収スペクトルにおいて、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲及び７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲にそれぞれ少なくとも１つのピークを有し、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第１のピークとし、７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第２のピークとした際に、上記第１のピークの吸光度が、上記第２のピークの吸光度より大きく、上記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が上記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までを５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５［ｎｍ］とすると，ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たす感光体とすることで、従来技術で発生していた暗減衰ムラおよびリーク発生を解決できることが分かった。

上述に記載の構成のようにすると、画像形成領域中央部から画像形成領域端部に向けて電荷発生層膜厚が実質的に増大する結果、電荷発生物質の含有量が画像形成領域中央部から画像形成領域端部に向けて実質的に増大するため、画像形成領域中央部から画像形成領域端部に向けて実質的に増大する光電変換効率分布が得られる。なお、電荷発生層膜厚が画像形成領域中央部から画像形成領域端部に向けて実質的に増大するとは、感光体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５［ｎｍ］とすると、ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たすことを意味する。電荷発生物質の含有量が実質的に増大すること、及び、光電変換効率が実質的に増大することについても同様である。

上述に記載の構成で暗減衰ムラ及びリーク発生が解決されるメカニズムを、本発明者らは以下のように考えている。

第一に、電荷発生層に起因する暗減衰は、電荷発生物質から発生する熱キャリアが感光体表面の帯電電荷を打ち消し、感光体表面電位を減少させることが原因である。熱キャリアの発生量が多いと、暗減衰は増大する。他方、熱キャリアは電荷発生物質から熱励起により確率的に発生するから、熱キャリア量は電荷発生物質量に比例する。したがって、従来技術で電荷発生物質として用いられるアゾ系顔料の含有量を画像形成領域中央部から画像形成領域端部に向けて実質的に増大させた場合、画像形成領域中央部から画像形成領域端部に向けて暗減衰が増大するムラが発生する。

ところが本発明で電荷発生物質として用いられる、特定のＣｕＫα特性Ｘ線回折ピークを持つヒドロキシガリウムフタロシアニン、特定のＣｕＫα特性Ｘ線回折ピークを持つチタニルフタロシアニン、特定の分光吸収スペクトルを持つクロロガリウムフタロシアニンの場合、従来用いられてきたアゾ系顔料のような界面型では無いため、電荷発生層膜厚あるいは電荷発生物質の含有量を変えた時の光電変換効率の変化が大きい。そのため、本発明で用いられる電荷発生物質の場合、感光体の軸方向の感度分布を持たせるために必要な電荷発生層膜厚の偏差が少なくて済み、その結果、電荷発生物質から発生する熱キャリアに起因する感光体の軸方向の暗減衰ムラやリーク発生頻度の偏差を抑えることが出来る。

第二に、電荷発生層に起因するリークは、電子写真プロセス中の帯電過程における高電界領域下で、電荷発生物質から大量に発生する熱キャリアが大きな暗電流となって電荷輸送層に流れ込み、電荷輸送層を絶縁破壊させることが原因である。特にフタロシアニン系顔料は、６０Ｖ／μｍ以上の高電界領域下では電荷発生物質の含有量の増大に対して暗電流が指数増大し、帯電時のリークの危険性が高まる。したがって、従来技術で電荷発生物質として用いられるアゾ系顔料や特定のクロロガリウムフタロシアニン顔料の含有量を画像形成領域中央部から画像形成領域端部に向けて実質的に増大させた場合、画像形成領域中央部から画像形成領域端部に向けてリーク発生頻度が増大する。

ところが本発明で用いられる電荷発生物質は、従来用いられてきたアゾ系顔料や特定のクロロガリウムフタロシアニン顔料と比べて、電子写真感光体に用いた時の量子効率が大きい。そのため、本発明で用いられる電荷発生物質の場合、感光体に求められる感度を達成するために必要な電荷発生物質の平均含有量の絶対値が小さくて済み、その結果、画像形成領域端部の電荷発生物質の含有量を小さくすることが出来るので、リーク発生頻度を抑えることが出来る。

以上のメカニズムのように、本発明で用いられる電荷発生物質が電荷発生層の膜厚分布の相対差を小さくできることと、電荷発生層の平均膜厚の絶対値を小さくできることとが相乗的に効果を及ぼし合うことによって、本発明の効果を達成することが可能となる。

［電子写真感光体］
本発明の電子写真感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する。図１は、本発明に係る電子写真感光体１の層構成の一例を示す図である。図１に示すように、電子写真感光体１は、支持体１０１、下引き層１０２、電荷発生層１０３、電荷輸送層１０４、及び積層型感光層１０５を有する。本発明において、下引き層１０２は無くてもよい。

図２は、電荷発生層１０３の画像形成領域の断面図であり、電荷発生層１０３の画像形成領域を中央位置から端位置にかけて５等分することを示す図である。図２中、１０７は画像形成領域中央位置であり、１０８は画像形成領域端位置であり、１０９ａ〜１０９ｄは画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したときの内分位置である。１０７と１０９ａで挟まれた領域の平均電荷発生層膜厚がｄ_１［ｎｍ］、１０９ａと１０９ｂで挟まれた領域の平均電荷発生層膜がｄ_２［ｎｍ］、１０９ｂと１０９ｃで挟まれた領域の平均電荷発生層膜がｄ_３［ｎｍ］、１０９ｃと１０９ｄで挟まれた領域の平均電荷発生層膜がｄ_４［ｎｍ］、１０９ｄと１０８で挟まれた領域の平均電荷発生層膜がｄ_５［ｎｍ］である。

本発明の電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。

感光体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５［ｎｍ］として、ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たすように電荷発生層を形成するためには、浸漬塗布の引上げ速度を制御することが好ましい。その場合、例えば感光体の軸方向１１点に対して各々引上げ速度を設定し、浸漬塗布中に隣り合う２点の間の引上げ速度を滑らかに変化させることで、上記制御が達成できる。その際、引上げ速度を設定する１１点の間隔は感光体の軸方向に等分されている必要は無く、むしろ、引上げ速度の値の差が等分となるように引上げ速度設定点を選ぶことが、電荷発生層の膜厚制御精度の観点から好ましい。

浸漬塗布の引上げ速度制御によって本発明の電荷発生層膜厚分布を形成する際、感光体の軸方向において、引上げ速度が大きく電荷発生層膜厚が厚い状態から、引上げ速度が小さく電荷発生層膜厚が薄い状態へ変化させる領域で、電荷発生層の乾燥前膜に重力によるダレが発生することがある。このダレ現象は、感光体周方向に対する電荷発生層膜厚のムラの発生につながり、画像上の問題となる。この問題を解決するためには、浸漬塗布時のダレを抑えるために、塗布液の粘度を上げる、あるいは、乾燥前膜厚を薄くすることが有効であるが、ダレ量は乾燥前膜厚の３乗に反比例するため、後者の方法は特に有効である。したがって、本発明で用いられる電荷発生物質が、量子効率が大きいために電荷発生層の平均膜厚を薄く出来ることは、浸漬塗布の引上げ速度制御によって本発明の電荷発生層膜厚分布を形成する際の膜厚制御精度向上に資する。そのため、最終的な画像品質が向上するという点で、本発明の電子写真感光体は浸漬塗布の引上げ速度制御による製造に適している。

［プロセスカートリッジ、電子写真装置］
本発明のプロセスカートリッジは、電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とする。

また、本発明の電子写真装置は、電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする。

図３に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
電子写真感光体１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。尚、図においては、ローラ型帯電部材によるローラ帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写される。トナー像が転写された転写材７は、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。電子写真装置は、転写後の電子写真感光体１の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段９を有していてもよい。また、クリーニング手段を別途設けず、上記付着物を現像手段などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。電子写真装置は、電子写真感光体１の表面を、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本発明のプロセスカートリッジを電子写真装置本体に着脱するために、レールなどの案内手段１２を設けてもよい。

本発明の電子写真感光体は、レーザビームプリンタ、ＬＥＤプリンタ、複写機、ファクシミリ、及び、これらの複合機などに用いることができる。

図４に、本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置の露光手段についての概略構成２０７の一例を示す。
レーザ走査手段であるレーザ走査装置２０４内のレーザ駆動部２０３は、画像信号生成部２０１から出力された画像信号、及び制御部２０２から出力される制御信号に基づき、レーザ走査光を発する。不図示の帯電手段により帯電された感光体２０５をレーザ光で走査し、感光体２０５の表面に静電潜像を形成する。

図５は、本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置のレーザ走査装置部２０４の断面図である。
レーザ光源２０８から出射したレーザ光（光束）は、光学系を透過した後ポリゴンミラー（偏向器）２０９の偏向面（反射面）２０９ａにて反射され、結像レンズ２１０を透過して感光体表面２１１に入射する。結像レンズ２１０は結像光学素子である。レーザ走査装置部２０４においては、単一の結像光学素子（結像レンズ２１０）のみで結像光学系が構成されている。結像レンズ２１０を透過したレーザ光が入射する感光体表面（被走査面）２１１上で結像し、所定のスポット状の像（スポット）を形成する。ポリゴンミラー２０９を不図示の駆動部により一定の角速度で回転させることにより、被走査面２１１上でスポットが感光体の軸方向に移動し、被走査面２１１上に静電潜像を形成する。

結像レンズ２１０は、所謂ｆθ特性を有していない。つまり、ポリゴンミラー２０９が等角速度で回転している時に、結像レンズ２１０を透過するレーザ光のスポットを被走査面２１１上で等速に移動させるような走査特性を有していない。このように、ｆθ特性を有していない結像レンズ２１０を用いることにより、結像レンズ２１０をポリゴンミラー２０９に近接して（距離Ｄ１が小さい位置に）配置することが可能となる。また、ｆθ特性を有していない結像レンズ２１０はｆθ特性を有する結像レンズよりも、幅ＬＷ及び厚みＬＴに関して小さくできる。このようなことから、レーザ走査装置２０４の小型化が可能となる。また、ｆθ特性を有するレンズの場合、レンズの入射面、出射面の形状に急峻な変化がある場合があり、そのような形状の制約がある場合、良好な結像性能を得られない可能性がある。これに対して、結像レンズ２１０はｆθ特性を有していないため、レンズの入射面、出射面の形状に急峻な変化が少なく、良好な結像性能を得ることができる。

このような、小型化や結像性能向上のためにｆθ特性を持たせない結像レンズ２１０の走査特性は、以下の式（Ｅ３）で表される。

式（Ｅ３）では、ポリゴンミラー２０９による走査角度θを、レーザ光の被走査面２１１上での感光体の軸方向の集光位置（像高）をＹ［ｍｍ］、軸上像高における結像係数をＫ［ｍｍ］、結像レンズ２１０の走査特性を決定する係数（走査特性係数）をＢとしている。なお、本発明において軸上像高は、光軸上の像高（Ｙ＝０＝Ｙ_ｍｉｎ）を指し、走査角度θ＝０に対応する。また、軸外像高は、中心光軸（走査角度θ＝０の時）よりも外側の像高（Ｙ≠０）を指し、走査角度θ≠０に対応している。さらに、最軸外像高とは、走査角度θが最大となる時の像高（Ｙ＝＋Ｙ’_ｍａｘ、−Ｙ’_ｍａｘ）を指す。なお、被走査面２１１上の潜像を形成可能な所定の領域（走査領域）の感光体の軸方向の幅である走査幅ＷはＷ＝｜＋Ｙ’_ｍａｘ｜＋｜−Ｙ’_ｍａｘ｜で表される。つまり、走査領域の中央位置が軸上像高で端位置が最軸外像高となる。また、走査領域は本発明の感光体の画像形成領域よりも大きい。

ここで、結像係数Ｋは、結像レンズ２１０に平行光が入射する場合の走査特性（ｆθ特性）Ｙ＝ｆθにおけるｆに相当する係数である。すなわち、結像係数Ｋは、結像レンズ２１０に平行光以外の光束が入射する場合に、ｆθ特性と同様に集光位置Ｙと走査角度θとを比例関係にするための係数である。

走査特性係数について補足すると、Ｂ＝０の時の式（Ｅ３）は、Ｙ＝Ｋθとなるため、従来の光走査装置に用いられる結像レンズの走査特性Ｙ＝ｆθに相当する。また、Ｂ＝１の時の式（Ｅ３）は、Ｙ＝Ｋ・ｔａｎθとなるため、撮像装置（カメラ）などに用いられるレンズの射影特性Ｙ＝ｆ・ｔａｎθに相当する。すなわち、式（Ｅ３）において、走査特性係数Ｂを０≦Ｂ≦１の範囲で設定することで、射影特性Ｙ＝ｆ・ｔａｎθとｆθ特性Ｙ＝ｆθとの間の走査特性を得ることができる。

ここで、式（Ｅ３）を走査角度θで微分すると、以下の式（Ｅ４）に示すように走査角度θに対する被走査面２１１上でのレーザ光の走査速度が得られる。

さらに、式（Ｅ４）を軸上像高における速度Ｙ／θ＝Ｋで除し、さらに両辺の逆数をとると、以下の式（Ｅ５）が得られる。

式（Ｅ５）は、軸上像高の走査速度の逆数に対する各軸外像高の走査速度の逆数の割合を表現したものである。レーザ光の全エネルギーは走査角度θに依らず一定であるから、感光体表面２１１上におけるレーザ光の走査速度の逆数は、走査角度θの場所に照射される単位面積当たりのレーザ光量［μＪ／ｃｍ^２］に比例する。したがって式（Ｅ５）は、走査角度θ＝０における感光体表面２１１へ照射される単位面積当たりのレーザ光量に対する、走査角度θ≠０における感光体表面２１１へ照射される単位面積当たりのレーザ光量の割合を意味している。レーザ走査装置２０４は、Ｂ≠０の場合、軸上像高と軸外像高とで感光体表面２１１へ照射される単位面積当たりのレーザ光量が異なることになる。

上記したようなレーザ光量の分布が感光体の軸方向に対して存在する場合、感光体の軸方向に感度分布を持つ本発明が好適に利用できる。すなわち、レーザ光量の分布をちょうど打ち消すような感度分布を本発明の構成によって実現すれば、感光体の軸方向の静電潜像の分布は均一となる。そのとき求められる感度の分布形状は、上式（Ｅ５）の逆数をとった以下の式（Ｅ６）で表される。

感光体の画像形成領域の端位置に対応する走査角度をθ＝θ_ｍａｘとすると、θ＝θ_ｍａｘにおける式（Ｅ６）の値は、上述のレーザ走査装置と本発明の感光体を組み合わせたときに該感光体に求められる、画像形成領域の中央位置に対する画像形成領域の端位置の光電変換効率の割合、すなわち感度比ｒを意味する。このｒを定めれば、画像形成領域において感光体の軸方向に均一な静電潜像を形成するために許容されるレーザ走査装置の幾何学的特徴θ_ｍａｘ及び光学系の特徴Ｂが定まる。具体的には、以下の式（Ｅ７）の条件が満たされているとき、本発明の感光体の画像形成領域において感光体の軸方向に均一な静電潜像が形成可能である。

上記式（Ｅ７）をθ_ｍａｘについて解くと、以下の式（Ｅ８）となる。

式（Ｅ８）をグラフ化したものを図６に示す。図６から分かるとおり、例えばｒ＝１．２の本発明の感光ドラムと走査特性係数Ｂ＝０．５の結像レンズ２１０とを組み合わせた場合、θ_ｍａｘ＝４８°となるようレーザ走査装置２０４を設計すると、感光体の画像形成領域において静電潜像を均一にすることが出来る。他方、例えば＝１．１の本発明の感光ドラムと走査特性係数Ｂ＝０．５の結像レンズ２１０とを組み合わせた場合には、θ_ｍａｘ＝４８°となるようレーザ走査装置部２０４を設計しても、感光体の画像形成領域において静電潜像に一部ムラが発生することになる。このときに静電潜像を均一にするためにはθ_ｍａｘ＝３５°が必要であるが、この値はθ_ｍａｘ＝４８°よりも小さい。θ_ｍａｘが大きいほど、図５に示す偏向面２０９ａから感光体表面２１１までの光路長Ｄ２が短くなるため、レーザ走査装置２０４の小型化が可能となる。したがって、感光体の軸方向の画像形成領域中央位置と画像形成領域端位置の感度比ｒを大きくするほど、本発明の感光ドラムを用いたときにレーザビームプリンタを小型化することが可能となる。

＜支持体＞
本発明において、電子写真感光体は、支持体を有する。本発明において、支持体は導電性を有する導電性支持体であることが好ましい。また、支持体の形状としては円筒状であることが必要である。また、支持体の表面に、陽極酸化などの電気化学的な処理や、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。
支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラスなどが好ましい。
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金などが挙げられる。中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製支持体であることが好ましい。
また、樹脂やガラスには、導電性材料を混合又は被覆するなどの処理によって、導電性を付与してもよい。

＜導電層＞
本発明において、支持体の上に導電層を設けることが好ましい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することに加え、支持体表面における光の反射を制御することにより、感光体に入射して本発明の電荷発生層を通過してきた露光レーザが反射されて再び電荷発生層に入射したときの透過率を下げることが出来る。このため、導電層を設けない場合に比べて入射露光レーザの電荷発生層における光吸収率が向上し、本発明の電荷発生層の平均膜厚をより薄く出来るので、より効果的に本発明を利用することが出来る。
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。

導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物に元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。ドープする元素やその酸化物としては、リン、アルミニウム、ニオブ、タンタルなどが挙げられる。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズ、酸化チタンなどの金属酸化物が挙げられる。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などを更に含有してもよい。

本発明の感光体の軸方向における感度分布をより効果的に得るという観点からは、上記導電層の膜厚は１０μｍより大きく、該導電層が結着樹脂及び金属酸化物微粒子を含有し、該金属酸化物微粒子の平均粒径が１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。該金属酸化物微粒子の平均粒径が１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であると、近年電子写真装置の露光光源として用いられるサブミクロンの波長領域のレーザが良く散乱される。また、導電層の膜厚が１０μｍより大きいと、感光体に入射してきたレーザ光が導電層を通過し、該円筒状支持体で反射されて再び導電層を通過して電荷発生層に到達するまでに２０μｍ以上の距離を走ることになる。この距離は用いられる露光レーザの波長の２０倍以上であり、これだけの距離を散乱されながら進むレーザ光は、十分にそのコヒーレンシーを失う。そのため、反射して再び電荷発生層に入射してきたレーザ光の電荷発生層に対する透過率は低くなり、電荷発生層でよく吸収されるので、実質的に感光体の感度は向上する。以上のメカニズムにより、上述の該導電層の構成とすることで、薄い電荷発生層膜厚でも本発明の感度分布を効果的に得ることが可能となる。

また、上述のようにして本発明の感度分布を効果的に得ると同時に、本発明の電子写真感光体を用いたときの画像品位をさらに向上させるという観点からは、上記導電層に含有される金属酸化物微粒子が、酸化チタンを含有する芯材と、該芯材を被覆し、かつ、ニオブ又はタンタルがドープされている酸化チタンを含有する被覆層とを有することがより好ましい。酸化チタンは、被覆層として用いられることの多い酸化スズと比較して、より高い屈折率を有している。したがって、金属酸化物微粒子の芯材と被覆層が共に酸化チタンを含有している場合、感光体へ入射する露光レーザの電荷発生層を通過した後の導電層内への侵入が抑えられ、導電層の電荷発生層側の界面近傍で反射又は散乱されやすくなる。導電層において、導電層の電荷発生層側の界面から離れた位置で露光レーザが散乱されれば散乱されるほど、電荷発生層への露光レーザの照射範囲が実質的に広がり、潜像の精細性が低下し、結果として出力画像の精細性が低下すると考えられる。上記構成の導電層を本発明の電荷発生層と組み合わせることで、露光レーザの散乱による感光体の実質的な感度上昇と、露光レーザの電荷発生層における照射範囲の実質的な広がりの防止が両立し、出力画像の精細性向上による画像品位のさらなる向上が可能である。

導電層は、上述の各材料及び溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。

本発明における金属酸化物微粒子の平均直径は、以下のようにして求めた。すなわち、日立製作所製の走査電子顕微鏡Ｓ−４８００を用いて測定対象の粒子を観察し、観察して得られた画像から粒子１００個の個々の粒径を測定し、それらの算術平均を算出して平均直径（平均一次粒径）とした。個々の粒径は、一次粒子の最長辺をａ、最短辺をｂとしたときの（ａ＋ｂ）／２とした。なお、針状の酸化チタン粒子又は薄片状の酸化チタン粒子においては、長軸径と短軸径のそれぞれについて平均粒径を算出した。

＜下引き層＞
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。

下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。

重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素−炭素二重結合基などが挙げられる。

また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などを更に含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが好ましい。
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。電子輸送物質として、重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミなどが挙げられる。
また、下引き層は、添加剤を更に含有してもよい。

下引き層の平均膜厚は、０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、０．３μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

＜感光層＞
本発明の電子写真感光体の感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、を有する積層型感光層である。

（１）積層型感光層
積層型感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を有する。

（１−１）電荷発生層
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。

本発明において、上記電荷発生層は電荷発生物質として、特開２０００−１３７３４０号公報に記載の、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、または、特開２０００−１３７３４０号公報に記載の、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶、または、米国特許第９７２０３３７号公報に記載の、分光吸収スペクトルにおいて、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲及び７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲にそれぞれ少なくとも１つのピークを有し、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第１のピークとし、７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第２のピークとした際に、上記第１のピークの吸光度が、上記第２のピークの吸光度より大きいクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有する。これらの中でも、本発明の効果を高める観点から、特開２０１８−１８９６９２号公報の実施例に記載の、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。

（上記式（Ａ１）中、Ｒ^０は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）

上述の結晶中に上記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、電子写真感光体の電荷発生物質として用いた時の感度が高く、暗減衰も小さいために、本発明の電荷発生物質として用いるのにふさわしい。そのことに加えて、上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、特開２０１８−１８９６９２号公報に記載の理由により、結晶粒子のサイズが電荷発生層膜厚程度の大きさに揃っている。このため、特開２０１８−１８９６９２号公報に記載のオンサーガーの式で決まる量子効率、及び、ランベルト・ベールの式で決まる光吸収率を、高い値に両立させることが出来る。電荷発生層で制御できる感光体としての感度は、この量子効率と光吸収率の２つで主に決まり、かつ、本発明の感光体の軸方向に対する感度分布は光吸収率にランベルト・ベールの式にしたがう分布を持たせることで達成される。したがって、結晶粒子のサイズが揃っている上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の特徴自体も、本発明に効果的に作用する。

電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。

また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を更に含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。

本発明の電荷発生層の膜厚分布は、以下のようにして測定した。
まず、本発明の円筒状電子写真感光体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分する。次に、各々の領域をさらに軸方向に４等分、周方向に８等分した３２点の測定点で電荷発生層膜厚を測定し、それらの平均値を、各々の領域の平均電荷発生層膜厚として、中央部から端部に向かって順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５［ｎｍ］と定義した。

なお、本発明における画像形成領域中央位置は、上記式（Ｅ３）における像高ＹがＹ＝０となる軸方向の位置を意味し、感光体の軸方向に画像形成領域を２等分した中心位置に対して、画像形成領域の軸方向長さの１０％までは軸方向にずれていても良い。

上記電荷発生層の膜厚分布は、電荷発生層の吸収係数をβ［ｎｍ^−１］としたとき、画像形成領域中央位置の電荷発生層膜厚ｄ_０、及び、画像形成領域端位置の電荷発生層膜厚ｄ_６とが下記式（Ｅ１）を満たすことが好ましい。

ここで言う吸収係数βは、下記式（Ｅ９）で表されるランベルト・ベールの法則によって定義される。

（ただし、Ｉ_０は膜厚ｄ［ｎｍ］の膜に入射してきた光の全エネルギー、Ｉは膜厚ｄ［ｎｍ］の膜が吸収した光のエネルギーである。また、ｄ_０及びｄ_６は、画像形成領域中央位置及び画像形成領域端位置それぞれの点を中心にして、該軸方向にＹ_ｍａｘ／２０［ｍｍ］の幅を持ち、周方向に１周する領域を考えた時、その領域を軸方向に４等分、周方向に８等分した３２点の測定点で電荷発生層膜厚を測定したときの平均値として定義する。）

式（Ｅ９）から明らかな通り、上記式（Ｅ１）の左辺分子は感光体の軸方向の端部の光吸収率を、左辺分母は感光体の軸方向の中央部の光吸収率をそれぞれ表している。したがって上記式（Ｅ１）は、端位置が中央位置に対して１．２倍以上の光吸収率を有することを意味する。こうすることで、感光体の軸方向の画像形成領域において、少なくとも１．２倍の感度の差を設けることが出来るため、電子写真装置のレーザ走査系における光学系小型化によって発生する現実的な光量分布の偏差に柔軟に対応可能である。また、上記式（Ｅ１）において指数の肩に因子２がかかっているのは、電荷発生層を通過した露光レーザが感光体支持体側で反射され、再び電荷発生層を通過するためである。

さらに、感光体の軸方向の画像形成領域中央位置からの距離をＹ［ｍｍ］、該画像形成領域端位置のＹの値をＹ＝Ｙ_ｍａｘ［ｎｍ］、ｄ_６とｄ_０の差をΔ＝ｄ_６−ｄ_０としたとき、上記電荷発生層の膜厚分布は、０≦Ｙ≦Ｙ_ｍａｘの全てのＹについて、下記式（Ｅ２）で計算されるｄ（Ｙ）に対してｄ−０．２Δとｄ＋０．２Δの間にあることがより好ましい。

（ただし、Ｙは上述の像高Ｙと同一であり、Ｙ_ｍａｘは上述の最軸外像高Ｙ’_ｍａｘよりも小さい。）

０≦Ｙ≦Ｙ_ｍａｘの全てのＹにおける電荷発生層膜厚は以下のようにして測定する。すなわち、感光体の軸方向の画像形成領域中央位置からの距離がＹ［ｍｍ］である点を中心にして、該軸方向にＹ_ｍａｘ／２０［ｍｍ］の幅を持ち、周方向に１周する領域を考えた時、その領域を軸方向に４等分、周方向に８等分した３２点の測定点で電荷発生層膜厚を測定したときの平均値として、ｄ（Ｙ）を定義する。

上記式（Ｅ２）のような４次関数で表される膜厚分布を持つ電荷発生層を形成することで、下記式（Ｅ３）で表される特性を持つ光学系で露光レーザ走査されたときの感光体の軸方向の光量分布が適切に打ち消され、感光体の軸方向の露光電位分布をより高いレベルで均一にすることが出来ることを、本発明者らは見出した。以下では、そのメカニズムについて説明する。

上述した通り、下記式（Ｅ３）

で表される特性を持つ光学系に対して露光電位分布を均一にするためには、下記式（Ｅ６）

で表される感度分布形状を感光体が有していれば良い。本発明においては、感度は電荷発生層の膜厚からランベルト・ベールの法則によって計算される光電変換効率によって決定されるので、上記式（Ｅ１）の左辺においてｄ_５を０≦Ｙ≦Ｙ_ｍａｘの任意のＹにおける電荷発生層膜厚ｄ（Ｙ）に変えたものが上記式（Ｅ６）の右辺と等しいとき、つまり下記式（Ｅ１０）が満たされるときに露光電位分布は均一となる。

三角関数公式１＋ｔａｎ^２（ｘ）＝１／ｃｏｓ^２（ｘ）を用い、式（Ｅ３）を代入することで、上記式（Ｅ１０）は下記式（Ｅ１１）のように変形できる。

ここで、上記式（Ｅ１１）にＹ＝Ｙ_ｍａｘ、ｄ（Ｙ）＝ｄ_６を代入して変形すると、下記式（Ｅ１２）が得られる。

上記式（Ｅ１２）を上記式（Ｅ１１）に代入し、ｄ（Ｙ）について解くと、下記式（Ｅ１３）が得られる。

（ただし、上述したようにΔ＝ｄ_６−ｄ_０と定義した。また、ｌｎ（・）は自然対数関数を表す。）

上記式（Ｅ１３）で表される電荷発生層の膜厚分布ｄ（Ｙ）が、本発明において感光体の軸方向の露光電位分布をより高いレベルで均一にするために必要な膜厚分布の厳密解である。

本発明者らはさらに、上記式（Ｅ１３）を、Ｙ^２／Ｙ_ｍａｘ ^２及び２βΔが小さいときに成り立つ場合の近似式で表すことを考えた。こうすることで、本発明に好適な電荷発生層の膜厚分布形状がより明確になるとともに、実際に浸漬塗布によって該膜厚分布を形成することが容易になる。具体的には、ｌｎ（１−ｘ）及びｅ^−ｘのマクローリン展開を使って、上記式（Ｅ１３）を下記式（Ｅ１４）

のように変形し、（Ｙ^２／Ｙ_ｍａｘ ^２）について２次、及び２βΔについて２次までを残すことによって、最終的な電荷発生層の膜厚分布を表す下記式（Ｅ２）が得られる。

上記式（Ｅ１３）と、上記式（Ｅ２）及び上記式（Ｅ２）において右辺第３項を無視した式の３つをそれぞれ厳密解、４次近似、２次近似として、上記式（Ｅ７）で表される必要感度比をｒ＝１．３５、吸収係数をβ＝０．００４９５、ｄ_０＝１００、Ｙ_ｍａｘ＝１０８として計算した電荷発生層の膜厚分布ｄ（Ｙ）を、図７に示す。図から分かるとおり、４次近似は厳密解と一致しているが、２次近似は厳密解からのズレが大きい。ただし、Ｙ_ｍａｘ＝１０８［ｎｍ］という値は、紙の寸法であるレターサイズの短辺の長さの半分である。また、必要感度比をｒ＝１．３５、吸収係数をβ＝０．００４９５、ｄ_０＝１２０として計算した場合を図８に示す。この場合でも４次近似の厳密解からのズレはわずかであり、本発明の電荷発生層の膜厚分布ｄ（Ｙ）を表す式として、上記式（Ｅ１４）が実際の物性値に対して有効であることが分かる。

電荷発生層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

上記のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が、上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物を結晶粒子内に含有しているかどうかについて、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を^１Ｈ‐ＮＭＲ測定のデータを解析することにより決定した。また、^１Ｈ‐ＮＭＲ測定の結果をデータ解析することにより、上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物の結晶粒子中への含有量を決定した。例えば、上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物を溶解できる溶剤によるミリング処理、又はミリング後の洗浄工程を行った場合、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を^１Ｈ‐ＮＭＲ測定する。上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物が検出された場合は、上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物が結晶内に含有されていると判断することができる。

電荷発生層の膜厚を電子写真感光体の状態から求めるには、電子写真感光体の電荷発生層をＦＩＢ法で取り出し、ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗを行えばよい。ＦＩＢ−ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗによる断面ＳＥＭ観察画像から、電荷発生層の膜厚が得られる。また、より簡便に、電荷発生層の平均比重と重量から膜厚を求める方法も用いることが出来る。さらに簡便には、電子写真感光体のマクベス濃度と電荷発生層膜厚との校正曲線を予め取得した上で、感光体の各点のマクベス濃度を測定して膜厚に換算する方法も用いることが出来る。

本発明では、感光体の表面に分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製）を押し当てて測定したマクベス濃度値と、上記断面ＳＥＭ画像観察による膜厚測定値から校正曲線を取得し、それを用いて感光体各点のマクベス濃度値を換算することで、電荷発生層の膜厚分布を精密かつ簡便に測定した。

本発明では、電荷発生物質ごとの吸収係数βを以下のようにして求めた。まず、電子写真感光体を、電荷発生層が表面に出るように加工する。例えば、溶剤などを用いて電荷発生層よりも上の層を剥離すればよい。そして、その状態での光反射率を測定する。続いて、電荷発生層も同様にして剥離し、電荷発生層の下層が表面に出た状態について、光反射率を測定する。こうして得た２種類の反射率を用いて、電荷発生層単層の光吸収率を算出する。一方で、上述の方法によって電荷発生層の膜厚を求める。以上の方法で得た光吸収率の自然対数値と膜厚のデータと、光吸収率１００％の自然対数値０と膜厚０の点とを直線で結ぶことによって、その傾きから吸収係数が得られる。

本発明の電子写真感光体に含有されるフタロシアニン顔料の粉末Ｘ線回折測定、及び^１Ｈ‐ＮＭＲ測定は、次の条件で行ったものである。

（粉末Ｘ線回折測定）
使用測定機：理学電気株式会社製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
Ｘ線波長：Ｋα１
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度２θ：５．０°
ストップ角度２θ：３５．０°
ゴニオメータ：ロータ水平ゴニオメータ（ＴＴＲ−２）
アタッチメント：キャピラリ回転試料台
フィルター：なし
検出器：シンチレーションカウンター
インシデントモノクロ：使用する
スリット：可変スリット（平行ビーム法）
カウンターモノクロメータ：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放

（^１Ｈ−ＮＭＲ測定）
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥIII ５００
溶媒：重硫酸（Ｄ_２ＳＯ_４）
積算回数：２，０００

本発明において、電子写真感光体に含有されるクロロガリウムフタロシアニン顔料の分光吸収スペクトルは、以下の方法で測定した。まず、クロロガリウムフタロシアニン顔料２部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）１部及びシクロヘキサノン５２部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、６時間分散処理する。その後、酢酸エチル７５部を加えて調製したクロロガリウムフタロシアニン顔料分散液をルミラー（型番Ｔ６０、厚み１００μｍ；東レ株式会社製）に塗布して塗膜を形成する。得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．２０μｍのクロロガリウムフタロシアニン結晶の分散膜を形成する。この分散膜を用い、以下の測定条件で分光吸収スペクトルを測定する。

（分光吸収スペクトル測定）
使用測定器：日本分光株式会社製、紫外可視分光光度計ＪＡＳＣＯ Ｖ−５７０
測光モード：Ａｂｓ吸光度測定
レスポンス：ｆａｓｔ
バンド幅：２．０ｎｍ
走査速度：２００ｎｍ／ｍｉｎ
データ取込間隔：０．５ｎｍ

（１−２）電荷輸送層
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０〜２０：１０が好ましく、５：１０〜１２：１０がより好ましい。

また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。

電荷輸送層の平均膜厚は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

電荷輸送層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。

＜保護層＞
本発明において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。

導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。

電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。

また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。

保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。

保護層の平均膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。

保護層は、上述の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。

以下、実施例及び比較例を用いて本発明を更に詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。尚、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。

［合成例１］
窒素フローの雰囲気下、オルトフタロニトリル５．４６部及びα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を収率７１％で得た。

［合成例２］
上記合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で３０分間分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返した。最後にフリーズドライ（凍結乾燥）を行い、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を収率９７％で得た。

［合成例３］
上記合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ−０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン株式会社製）を用いて以下のように乾燥させた。

上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスから取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。

先ず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程を更に１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。更に第３工程として、第２工程でのマイクロ波の出力を１．２ｋＷから０．８ｋＷに変更した以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程を更に１回繰り返した（計２回）。更に第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程を更に７回繰り返した（計８回）。以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。

［合成例４］
上記合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１０部と、濃度３５質量％で温度２３℃の塩酸２００部を混合して、マグネティックスターラで９０分撹拌した。塩酸を混合した量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン１ｍｏｌに対して、塩化水素１１８ｍｏｌであった。撹拌後、氷水で冷却された１０００部のイオン交換水に滴下して、マグネティックスターラで３０分撹拌した。これを減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。その後、温度２３℃のイオン交換水で分散洗浄を４回行った。このようにしてクロロガリウムフタロシアニン顔料９部を得た。

［合成例５］
α−クロロナフタレン１００ｇ中、ｏ−フタロジニトリル５．０ｇ、四塩化チタン２．０ｇを２００℃にて３時間加熱攪拌した後、５０℃まで冷却して析出した結晶を濾別してジクロロチタニウムフタロシアニンのペーストを得た。次にこれを１００℃に加熱したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍＬで攪拌洗浄し、次いで６０℃のメタノール１００ｍＬで２回洗浄を繰り返し濾別した。更にこの得られたペーストを脱イオン水１００ｍＬ中８０℃で１時間攪拌し、濾別して青色のチタニルフタロシアニン顔料を４．３ｇ得た。

次にこの顔料を濃硫酸３０ｍＬに溶解させ２０℃の脱イオン水３００ｍＬ中に攪拌下で滴下して再析出し、濾過して十分に水洗した後、非晶質のチタニルフタロシアニン顔料を得た。この非晶質のチタニルフタロシアニン顔料４．０ｇをメタノール１００ｍＬ中で室温（２２℃）下、８時間懸濁攪拌処理し、濾別して減圧乾燥し、低結晶性のチタニルフタロシアニン顔料を得た。

［ミリング例１］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業株式会社製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子株式会社製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、株式会社ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４８部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有する。

［ミリング例２］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１部、Ｎ−メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業株式会社製）９部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で８０時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）株式会社製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に４００回転する条件で行った。こうして処理した液にＮ−メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ−ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内における上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物（Ｎ−メチルホルムアミド）の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して０．９質量％であった。

［ミリング例３］
ミリング例２において、ミリング処理の時間を８０時間から１００時間に変更したこと以外はミリング例２と同様にして、ミリング例３のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ−ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内における上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物（Ｎ−メチルホルムアミド）の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して１．４質量％であった。

［ミリング例４］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ−メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業株式会社製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子株式会社製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、株式会社ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ−メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ−ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内における上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物（Ｎ−メチルホルムアミド）の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して２．１質量％であった。

［ミリング例５］
ミリング例４において、ミリング処理の時間を１００時間から７時間に変更したこと以外はミリング例４と同様にして、ミリング例５のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ−ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内における上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物（Ｎ−メチルホルムアミド）の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して２．９質量％であった。

［ミリング例６］
ミリング例４において、ミリング処理の時間を１００時間から５時間に変更したこと以外はミリング例４と同様にして、ミリング例６のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ−ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内における上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物（Ｎ−メチルホルムアミド）の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して３．１質量％であった。

［ミリング例７］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１．０部、Ｎ−メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業株式会社製）９．０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で４時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子株式会社製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、株式会社ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ−メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４４部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ−ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内における上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物（Ｎ−メチルホルムアミド）の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して３．９質量％であった。

［ミリング例８］
合成例５で得られたチタニルフタロシアニン顔料０．５部、テトラヒドロフラン１０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で４８時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）株式会社製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に５００回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、株式会社ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にテトラヒドロフランを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をメタノールと水で十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、チタニルフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有する。

［ミリング例９］
合成例４で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業株式会社製）１０部を室温（２３℃）下で４時間、マグネティックスターラでミリング処理した。こうして処理した液からテトラヒドロフランを用いてクロロガリウムフタロシアニン顔料を取り出し、フィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、株式会社ＮＢＣメッシュテック製）で濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。得られた顔料は前述した方法による分光吸収スペクトルにおいて、スペクトルが６５９ｎｍに第１のピークを持ち、かつ７９１ｎｍに第２のピークを持ち、さらに第２のピークの吸光度が第１のピークの吸光度の０．７９倍であった。

［ミリング例１０］
合成例４で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業株式会社製）１０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で４８時間、ペイントシェーカ（株式会社東洋精機製作所製）を用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子株式会社製）を用いた。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ−ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、株式会社ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン顔料を０．４７部得た。得られた顔料は前述した方法による分光吸収スペクトルにおいて、スペクトルが６４３ｎｍに第１のピークを持ち、かつ７８９ｎｍに第２のピークを持ち、さらに第２のピークの吸光度が第１のピークの吸光度の０．７４倍であった。また、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θ±０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°にピークを有する。

［酸化チタン粒子の製造例１］
基体として、一次粒径の平均が２００ｎｍのアナターゼ型酸化チタンを使用し、チタンをＴｉＯ_２換算で３３．７部、ニオブをＮｂ_２Ｏ_５換算で２．９部含有するチタンニオブ硫酸溶液を調製した。基体１００部を純水に分散して１０００部の懸濁液とし、６０℃に加温した。チタンニオブ硫酸溶液と１０ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウムとを懸濁液のｐＨが２〜３になるよう３時間かけて滴下した。全量滴下後、ｐＨを中性付近に調製し、ポリアクリルアミド系凝集剤を添加して固形分を沈降させた。上澄みを除去し、ろ過及び洗浄し、１１０℃で乾燥し、凝集剤由来の有機物をＣ換算で０．１ｗｔ％含有する中間体を得た。この中間体を窒素中７５０℃で１時間焼成を行った後、空気中４５０℃で焼成して、酸化チタン粒子１を作製した。得られた粒子は前述の走査電子顕微鏡を用いた粒径測定方法において、平均粒径（平均一次粒径）２２０ｎｍであった。

［実施例１］
＜支持体＞
押し出し工程及び引き抜き工程を含む製造方法により製造された、長さ２５７ｍｍ、直径２４ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体とした。

＜導電層＞
次に、結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ株式会社製、樹脂固形分：６０％、硬化後の密度：１．３ｇ／ｃｍ^２）５０部を、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール３５部に溶解させて溶液を得た。

この溶液に酸化チタン粒子の製造例１で得られた酸化チタン粒子１を７５部加え、これを分散媒体として平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズ１２０部を用いた縦型サンドミルに入れ、分散液温度２３±３℃、回転数１５００ｒｐｍ（周速５．５ｍ／ｓ）の条件で４時間分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液に、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ ＰＡＩＮＴ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、東レ・ダウコーニング株式会社製）０．０１部、及び、表面粗さ付与材としてシリコーン樹脂粒子（商品名：ＫＭＰ−５９０、信越化学工業製、平均粒径：２μｍ、密度：１．３ｇ／ｃｍ^３）８部を添加して攪拌し、ＰＴＦＥ濾紙（商品名：ＰＦ０６０、アドバンテック東洋株式会社製）を用いて加圧ろ過することによって、導電層用塗布液を調製した。このようにして調製した導電層用塗布液を、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下で上述の支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１７０℃で３０分間加熱し硬化させることにより、膜厚が２５μｍの導電層を形成した。

＜下引き層＞
次に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン６（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス株式会社製）２５部をメタノール／ｎ−ブタノール＝２／１混合溶液４８０部に溶解（６５℃での加熱溶解）させてなる溶液を冷却した。その後、溶液をメンブランフィルター（商品名：ＦＰ−０２２、孔径：０．２２μｍ、住友電気工業株式会社製）で濾過して、下引き層用塗布液を調製した。このようにして調製した下引き層用塗布液を上述の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１００℃で１０分間加熱乾燥することにより、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。

＜電荷発生層＞
次に、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）株式会社製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン４４４部及び酢酸エチル６３４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

この電荷発生層用塗布液を上述の下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成する際、塗布液に浸漬した支持体を塗布液から引き上げる速度を、液面の支持体上端からの距離に応じて表１のようになるよう徐々に変化させた。そうして得た塗膜を１００℃で１０分加熱乾燥させることにより、表４に示す膜厚分布を持つ電荷発生層を形成した。

＜電荷輸送層＞
次に、電荷輸送物質として、下記式（Ｂ１）で示されるトリアリールアミン化合物７０部、

下記式（Ｂ２）で示されるトリアリールアミン化合物１０部、

ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ−２００、三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社製）１００部をモノクロロベンゼン６３０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。このようにして調製した電荷輸送層用塗布液を上述の電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１２０℃で１時間加熱乾燥することにより、膜厚が１７μｍの電荷輸送層を形成した。

導電層、下引き層、電荷発生層及び電荷輸送層の塗膜の加熱処理は、各温度に設定されたオーブンを用いて行った。各層の加熱処理は、以下の実施例でも同様に行った。以上のようにして、円筒状（ドラム状）の電子写真感光体を製造した。

このとき得られた電子写真感光体に含まれる電荷発生物質の種類、該電荷発生物質の結晶中に含有される化合物（Ａ１）の含有量、前述の方法で測定した電荷発生層の吸収係数β、下記式（Ｅ１）の計算値、Δ＝ｄ_６−ｄ_０、支持体軸方向の各々の領域での下記式（Ｅ２）による電荷発生層膜厚の計算値を、表７に示す。また、下記式（Ｅ２）で計算されるｄ＝ｄ（Ｙ）に対して、実施例１の電荷発生層膜厚分布がｄ−０．２Δとｄ＋０．２Δの間にあるかを判定したところ、全領域においてｄ−０．２Δとｄ＋０．２Δの間に入っていた。その結果についても表７に示す。

尚、表中における、「ＨＯＧａＰｃ」は「ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料」を、「ＴｉＯＰｃ」は「チタニルフタロシアニン顔料」を、「ＣｌＧａＰｃ（９）」は「ミリング例９で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料」を、「ＣｌＧａＰｃ（１０）」は「ミリング例１０で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料」を、「ジスアゾ（Ｃ１）」は「式（Ｃ１）で示される化合物」を、「ジスアゾ（Ｃ２）」は「式（Ｃ２）で示される化合物」を、「トリスアゾ」は「式（Ｃ３）で示される化合物」を、それぞれ意味する。

［実施例２〜６、８〜１４、２２〜２７］
実施例１の電荷発生層の形成において、電荷発生層用塗布液の調製時にシクロヘキサノン４４４部及び酢酸エチル６３４部の部数を適宜変更して塗布液の粘度を調節し、また表１に示した浸漬塗布時の引上げ速度も変えることで、実施例２〜６、８〜１４、２２〜２７の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

また、実施例１、実施例５、実施例６の電荷発生層膜厚分布と、この３つの実施例に共通の式（Ｅ２）で計算される電荷発生層膜厚分布との比較グラフを、図９に示す。

［実施例７、１５〜２１］
実施例１において、導電層の形成を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表４に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例７、１５〜２１の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業株式会社製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ株式会社製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、ＤＩＣ株式会社製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング株式会社製）０．０１５部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理して、導電層用塗布液を調製した。このようにして調製した導電層用塗布液を上述の支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１４５℃で１時間加熱し硬化させることにより、膜厚が８μｍの導電層を形成した。

［実施例２８〜３３、３５〜４９］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料をミリング例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、また浸漬塗布を上述の方法と同様にして表４に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例２８〜３３、３５〜４９の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

［実施例３４］
実施例７の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料をミリング例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、また浸漬塗布を上述の方法と同様にして表４に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例３４の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

［実施例５０］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料をミリング例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、また浸漬塗布を上述の方法と同様にして表４に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例５０の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

［実施例５１］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料をミリング例４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、また浸漬塗布を上述の方法と同様にして表４に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例５１の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

［実施例５２］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料をミリング例５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、また浸漬塗布を上述の方法と同様にして表４に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例５２の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

［実施例５３］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料をミリング例６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、また浸漬塗布を上述の方法と同様にして表４に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例５３の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

［実施例５４〜５５］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料をミリング例７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、また浸漬塗布を上述の方法と同様にして表４に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例５４〜５５の電子写真感光体を作製した。その結果を表４及び表７に示す。

［実施例５６］
実施例１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表５に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例５６の電子写真感光体を作製した。その結果を表５及び表８に示す。

ミリング例８で得られたチタニルフタロシアニン顔料１２部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）１０部、シクロヘキサノン１３９部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ３５４部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）株式会社製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン３２６部及び酢酸エチル４６５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

［実施例５７〜５８、６０〜６７］
実施例５６の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表５に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例５６と同様にして、実施例５７〜５８、６０〜６７の電子写真感光体を作製した。その結果を表５及び表８に示す。

［実施例５９］
実施例５６において、導電層の形成を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表５に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例５６と同様にして、実施例５９の電子写真感光体を作製した。その結果を表５及び表８に示す。

酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業株式会社製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ株式会社製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、ＤＩＣ株式会社製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング株式会社製）０．０１５部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理して、導電層用塗布液を調製した。このようにして調製した導電層用塗布液を上述の支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１４５℃で１時間加熱し硬化させることにより、膜厚が８μｍの導電層を形成した。

［実施例６８］
実施例１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表５に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例６８の電子写真感光体を作製した。その結果を表５及び表８に示す。

ミリング例９で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料３０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）１０部、シクロヘキサノン２５３部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ６４３部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）株式会社製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン５９２部及び酢酸エチル８４５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

［実施例６９〜７５、８０〜８５］
実施例６８の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表５に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例６８と同様にして、実施例６９〜７５、８０〜８５の電子写真感光体を作製した。その結果を表５及び表８に示す。

［実施例７６〜７９］
実施例６８において、導電層の形成を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表５に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例６８と同様にして、実施例７６〜７９の電子写真感光体を作製した。その結果を表５及び表８に示す。

酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業株式会社製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ株式会社製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、ＤＩＣ株式会社製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング株式会社製）０．０１５部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理して、導電層用塗布液を調製した。このようにして調製した導電層用塗布液を上述の支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１４５℃で１時間加熱し硬化させることにより、膜厚が８μｍの導電層を形成した。

［実施例８６］
実施例１の電荷発生層の浸漬塗布時の引上げ速度を、液面の支持体上端からの距離に応じて表２に示すようになるよう徐々に変化させたこと以外は実施例１と同様にして、実施例８６の電子写真感光体を作製した。その結果を表５及び表８に示す。

［実施例８７］
実施例１の電荷発生層の浸漬塗布時の引上げ速度を、液面の支持体上端からの距離に応じて表３に示すようになるよう徐々に変化させたこと以外は実施例１と同様にして、実施例８７の電子写真感光体を作製した。その結果を表５及び表８に示す。

［比較例１］
実施例１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

ミリング例１０で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料３０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）１０部、シクロヘキサノン２５３部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ６４３部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）株式会社製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン５９２部及び酢酸エチル８４５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

［比較例２、４、６〜９］
比較例１の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は比較例１と同様にして、比較例２、４、６〜９の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３］
比較例１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は比較例１と同様にして、比較例３の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

ミリング例１０で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学工業株式会社製）１０部、酢酸ｎ−ブチル３７０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ８７８部を室温（２３℃）下で１時間、ペイントシェーカ（株式会社東洋精機製作所製）を用いて分散処理した。この分散液に酢酸ｎ−ブチル９００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

［比較例５］
比較例１において、導電層の形成を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は比較例１と同様にして、比較例５の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業株式会社製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ株式会社製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、ＤＩＣ株式会社製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング株式会社製）０．０１５部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン合同会社製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール５０部、及び、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理して、導電層用塗布液を調製した。このようにして調製した導電層用塗布液を上述の支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１４５℃で１時間加熱し硬化させることにより、膜厚が８μｍの導電層を形成した。

［比較例１０］
実施例１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較例１０の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

下記式（Ｃ１）で示されるジスアゾ化合物２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）８部、シクロヘキサノン１７７部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）株式会社製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン４１４部及び酢酸エチル５９２部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

［比較例１１〜２０］
比較例１０の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は比較例１０と同様にして、比較例１１〜２０の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例２１］
実施例１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較例２１の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

下記式（Ｃ２）で示されるジスアゾ化合物２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業株式会社製）８部、シクロヘキサノン１７７部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ−８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）株式会社製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン４１４部及び酢酸エチル５９２部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

［比較例２２〜２３］
比較例２１の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は比較例２１と同様にして、比較例２２〜２３の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例２４］
実施例１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較例２４の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

下記式（Ｃ３）で示されるトリスアゾ化合物２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＬＳ、積水化学工業株式会社製）３０部、シクロヘキサノン３００部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ５００部を室温（２３℃）下で４８時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ−６、柏洋硝子株式会社製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン６０部及び酢酸エチル３６０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

［比較例２５〜２６］
比較例２４の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚分布となるよう変更したこと以外は比較例２４と同様にして、比較例２５〜２６の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例２７］
実施例１の電荷発生層の浸漬塗布を、引上げ速度を液面の支持体上端からの距離に依らず一定にして行い、表６に示すように支持体軸方向に対して６０ｎｍで一定の電荷発生層膜厚となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較例２７の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例２８〜２９］
比較例２７の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚となるよう変更したこと以外は比較例２７と同様にして、比較例２８〜２９の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３０］
実施例２８の電荷発生層の浸漬塗布を、引上げ速度を液面の支持体上端からの距離に依らず一定にして行い、表６に示すように支持体軸方向に対して６０ｎｍで一定の電荷発生層膜厚となるよう変更したこと以外は実施例２８と同様にして、比較例３０の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３１〜３２］
比較例３０の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚となるよう変更したこと以外は比較例３０と同様にして、比較例３１〜３２の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３３］
実施例５６の電荷発生層の浸漬塗布を、引上げ速度を液面の支持体上端からの距離に依らず一定にして行い、表６に示すように支持体軸方向に対して略１３０ｎｍで一定の電荷発生層膜厚となるよう変更したこと以外は実施例５６と同様にして、比較例３３の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３４］
実施例６８の電荷発生層の浸漬塗布を、引上げ速度を液面の支持体上端からの距離に依らず一定にして行い、表６に示すように支持体軸方向に対して８０ｎｍで一定の電荷発生層膜厚となるよう変更したこと以外は実施例６８と同様にして、比較例３４の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３５〜３６］
比較例３４の電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表６に示す電荷発生層の膜厚となるよう変更したこと以外は比較例３４と同様にして、比較例３５〜３６の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３７］
比較例１の電荷発生層の浸漬塗布を、引上げ速度を液面の支持体上端からの距離に依らず一定にして行い、表６に示すように支持体軸方向に対して略１２０ｎｍで一定の電荷発生層膜厚となるよう変更したこと以外は比較例１と同様にして、比較例３７の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３８］
比較例１０の電荷発生層の浸漬塗布を、引上げ速度を液面の支持体上端からの距離に依らず一定にして行い、表６に示すように支持体軸方向に対して略２４０ｎｍで一定の電荷発生層膜厚となるよう変更したこと以外は比較例１０と同様にして、比較例３８の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例３９］
比較例２１の電荷発生層の浸漬塗布を、引上げ速度を液面の支持体上端からの距離に依らず一定にして行い、表６に示すように支持体軸方向に対して２４０ｎｍで一定の電荷発生層膜厚となるよう変更したこと以外は比較例２１と同様にして、比較例３９の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［比較例４０］
比較例２４の電荷発生層の浸漬塗布を、引上げ速度を液面の支持体上端からの距離に依らず一定にして行い、表６に示すように支持体軸方向に対して略２４０ｎｍで一定の電荷発生層膜厚となるよう変更したこと以外は比較例２４と同様にして、比較例４０の電子写真感光体を作製した。その結果を表６及び表９に示す。

［評価］
上記で作製した電子写真感光体について、以下の評価を行った。その結果を表１０〜１２に示す。

＜評価装置＞
評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザビームプリンタ（商品名：Ｃｏｌｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｊｅｔ ＣＰ３５２５ｄｎ）を７台用意し、以下のように改造して用いた。
光学系の改造については、何も変更を加えないデフォルト機に加え、下記式（Ｅ８）

における走査特性係数Ｂ及びレーザ走査装置の幾何学的特徴θ_ｍａｘが（Ｂ＝０．５５，θ_ｍａｘ＝３０°）、（Ｂ＝０．５５，θ_ｍａｘ＝３５°）、（Ｂ＝０．５５，θ_ｍａｘ＝４０°）、（Ｂ＝０．５５，θ_ｍａｘ＝４５°）、（Ｂ＝０．５，θ_ｍａｘ＝５０°）、（Ｂ＝０．５，θ_ｍａｘ＝５５°）となるレーザビームプリンタを用意した。

また、前露光条件、帯電条件及びレーザ露光量は可変で作動するようにした。また、上記製造した電子写真感光体をシアン色用のプロセスカートリッジに装着して、シアン色用のプロセスカートリッジのステーションに取り付けた。他の色（マゼンタ、イエロー、ブラック）用のプロセスカートリッジをレーザビームプリンタ本体に装着しなくても作動するようにした。
画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみをレーザビームプリンタ本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。

＜ベタ画像濃度ムラの評価＞
実施例１〜８７及び比較例１〜４０で製造した電子写真感光体を、常温常湿環境下（温度２３℃、相対湿度５０％）で上記の該７台のレーザビームプリンタに装着し、電子写真感光体の画像形成領域中央位置における初期暗部電位が−６００Ｖ、明部電位が−１５０Ｖとなるように、帯電器及び露光量を設定した。また、前露光量は露光量の２倍とした。電位設定の際の電子写真感光体の表面電位の測定には、プロセスカートリッジの現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン株式会社製）を装着したものを用い、電子写真感光体の画像形成領域中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン株式会社製）を使用して測定した。

上記条件に設定してベタ画像を出力し、そのベタ画像の目視評価を行って以下の基準でランク付けした。
Ａ：ベタ画像に濃度ムラが認められない。
Ｂ：ベタ画像に濃度ムラがほぼ認められない。
Ｃ：ベタ画像の端部付近の濃度が濃い、または薄い。
Ｄ：ベタ画像の端部付近の濃度が極端に薄い。
―：ベタ画像の端部付近の濃度が極端に濃い。

上記ランクの中で、「―：ベタ画像の端部付近の濃度が極端に濃い」については、評価装置の改造光学系に対して実施例の電子写真感光体の画像形成領域中央位置に対する端位置の感度の比が大きすぎることを意味している。したがって、電荷発生層の膜厚分布を一定値に近づけるよう調整さえすれば、「Ａ：ベタ画像に濃度ムラが認められない」とすることが出来る。

＜暗減衰ムラ＞
実施例１〜８７及び比較例１〜４０で製造した電子写真感光体を、常温常湿環境下（温度２３℃、相対湿度５０％）で湾曲ＮＥＳＡガラスを用いた直接電圧印加方式の電子写真感光体測定装置を用いて測定した。具体的には、まず暗所にて、電子写真感光体の表面電位が帯電から０．１秒後に−５００［Ｖ］となるように電子写真感光体の表面を帯電した。次に暗所のまま、帯電の１．０秒後の表面電位の絶対値の減少分（単位は［Ｖ］）を測定し、暗減衰量Ｖｄｄとした。

以上の測定を、電子写真感光体の画像形成領域を周方向に８等分、軸方向に２５等分して、合計２００点の測定点について行い、周方向の８点について暗減衰量Ｖｄｄ［Ｖ］の値を平均した。こうして得られた軸方向について２５点の暗減衰量Ｖｄｄのデータの最大値と最小値の差分を、暗減衰ムラ［Ｖ］とした。

＜端部リーク評価＞
実施例１〜８７及び比較例１〜４０の端部リークを、それぞれ表１０〜１２に示したレーザビームプリンタ改造機に装着し、以下のように評価した。まず、低温低湿環境下（温度１５℃、相対湿度１０％）で、帯電電位を−５５０Ｖに設定し、前露光後の表面電位が前露光後０．１秒後に−１００Ｖ、露光後の明部電位が−１５０Ｖとなるように調整した。また、現像電位が−２００Ｖとなるよう調整した。この設定で、Ａ４サイズの普通紙に対し、３ドット１００スペースの縦線パターンによる画像出力を行い、１，０００枚通紙する毎に評価用のベタ白画像を１枚出力した。

次に、得られた評価用のベタ白画像について、電荷発生層膜厚がｄ_５となる領域に相当する、電子写真感光体の軸方向の画像形成領域中央位置から９７．２ｍｍ以上離れた領域で、かつ、電子写真感光体１周分に換算した領域に存在する青ポチの個数を数えた。このとき、青ポチの個数が１０個以上であるベタ白画像が最初に得られたときの通紙枚数をリーク枚数とした。

１０１ 導電性基体
１０２ 下引き層
１０３ 電荷発生層
１０４ 電荷輸送層
１０５ 感光層
１０７ 画像形成領域中央位置
１０８ 画像形成領域端位置
１０９ａ 画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したときの、中央位置から１つ目の内分位置
１０９ｂ 画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したときの、中央位置から２つ目の内分位置
１０９ｃ 画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したときの、中央位置から３つ目の内分位置
１０９ｄ 画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したときの、中央位置から４つ目の内分位置
１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
２０１ 画像信号生成部
２０２ 制御部
２０３ レーザ駆動部
２０４ レーザ走査装置
２０５ 感光体
２０６ 定着手段
２０７ 露光手段
２０８ レーザ光源
２０９ ポリゴンミラー（偏向器）
２０９ａ 偏向面（反射面）
２１０ 結像レンズ
２１１ 感光体表面（被走査面）

Claims (8)

1. 円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
   前記電荷発生層は電荷発生物質として、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを持つヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
   前記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５とすると、ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たす
   ことを特徴とする電子写真感光体。
2. 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、
   結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有することを特徴とする、請求項１に記載の電子写真感光体。
   

   

   （上記式（Ａ１）中、Ｒ^０は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）
3. 円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
   前記電荷発生層は電荷発生物質として、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶を含有し、
   前記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５とすると，ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たす
   ことを特徴とする電子写真感光体。
4. 円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
   前記電荷発生層は電荷発生物質としてクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
   該クロロガリウムフタロシアニン結晶が、分光吸収スペクトルにおいて、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲及び７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲にそれぞれ少なくとも１つのピークを有し、かつ、
   ６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第１のピークとし、７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第２のピークとした際に、前記第１のピークの吸光度が、前記第２のピークの吸光度より大きく、
   前記電荷発生層において、電荷発生層の膜厚が前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置から画像形成領域端位置までの領域を５等分したとき、各々の領域の平均電荷発生層膜厚を中央部から順にｄ_１、ｄ_２、ｄ_３、ｄ_４、ｄ_５とすると，ｄ_１＜ｄ_２＜ｄ_３＜ｄ_４＜ｄ_５を満たす
   ことを特徴とする電子写真感光体。
5. 前記電荷発生層において、
   該電荷発生層の吸収係数をβ［ｎｍ^−１］としたとき、
   画像形成領域中央位置の電荷発生層膜厚ｄ_０、及び、画像形成領域端位置の電荷発生層膜厚ｄ_６との間に下記式（Ｅ１）の関係がある
   ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   

   
6. 前記電荷発生層において、
   前記円筒状支持体の軸方向の画像形成領域中央位置からの距離をＹ［ｍｍ］、該画像形成領域端位置のＹの値をＹ＝Ｙ_ｍａｘ、画像形成領域中央位置の電荷発生層膜厚ｄ_０と画像形成領域端位置の電荷発生層膜厚ｄ_６との差をΔ＝ｄ_６−ｄ_０としたとき、
   ０≦Ｙ≦Ｙ_ｍａｘの全てのＹにおける電荷発生層膜厚が、下記式（Ｅ２）で計算されるｄ＝ｄ（Ｙ）に対してｄ−０．２Δとｄ＋０．２Δの間にある
   ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   

   
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
8. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。

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