JP2023024116A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

【課題】耐久を通じてメモリの発生がなく高いコントラストを維持する電子写真感光体の提供。【解決手段】支持体上に、膜厚が０．２μm以上の電荷発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、２３．５℃５０％ＲＨにおいて、該感光体を、(1)表面電位を０Vにし、(2)表面電位の絶対値がＶｄ［V］となるように０．００５秒間帯電させ、(3)帯電開始から０．０２秒後に波長が８０５nmで光量がＩexp［μJ／cm2］の光で帯電後の該感光体を露光し、(4)帯電開始から０．０６秒後に測定して得られる表面電位の絶対値をＶexp［V］とした場合に、(1)～(4)の操作及び測定を、Ｉexpを０．０００～１．０００μJ／cm2まで０．００１μJ／cm2の間隔で変化させながら繰返し行って作成された特定なグラフから得られる再結合定数Ｐｅと電界強度Ｅとの関係式に示す電界強度Ｅが１０～４０V／μmにおける一次近似直線の傾きαの絶対値が４×１０－３以下である。【選択図】なし

Description

本発明は電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置に用いられる電子写真感光体には、像露光の光に対して十分な感度を有することが求められている。電荷輸送物質として用いられているアゾ顔料およびフタロシアニン顔料は、広い範囲の波長の光に対して高い感度を示すことが知られている。それに加えて、近年ではカラー化に代表されるように高画質化が求められ、カラー化により、写真に代表されるハーフトーン画像やベタ画像が多くなっており、それらの画像品質は年々高まる一方である。

高画質化を進めるにあたり、電子写真感光体に望まれる機能としては高コントラストを初期から耐久寿命までに渡り維持することが求められている。
電子写真用感光体は高感度化の観点からは電荷発生層の膜厚を厚く設計したいが、この場合得られる電子写真感光体はメモリが発生するという欠点を有している。また、電荷輸送層に関しても高感度化の観点からは膜厚を厚く設計する方がよいが、この場合得られる電子写真感光体において残電は大きくなってしまうという欠点を有していると共に、上記メモリも悪化する傾向がある。

一方、環境負荷の低減のため、省エネルギー化が望まれており、その観点から電子写真装置における帯電器に印加する電圧を下げることが考えられるが、印加電圧を下げると電子写真感光体にかかる電界強度が小さくなるため、上記電荷発生層が原因のメモリが更に悪化してしまう。

特許文献１には、電子写真感光体としての量子効率ηと電場Ｅとの関係において、ηが十分に弱い程度の電界依存性を有する電荷発生層と電荷移動層との組み合せ及び特定の電荷移動層の膜厚を有することにより耐久性並びに感度の優れた電子写真感光体が記載されている。

特許文献２には、露光エネルギーを可変させて露光した際の像担持体上の表面電位を計測し、その表面電位が像担持体の光減衰特性に基づく理論値の１．３倍以上となる露光エネルギーＪを照射するよう設定した電子写真装置が記載されている。この電子写真装置においては、再結合割合をコントロールすることで、すなわち像担持体内の電荷（キャリア）生成量を増加させ、キャリアの再結合を増加させることにより、潜像電位の減少を制御し、像担持体上のトナー量を規制することにより、高画質かつ、階調性の優れた画像形成ができる。

特許文献３には、フタロシアニン顔料を用いた電荷発生層を厚い膜で形成した場合に発生する暗減衰の増大に対して、フタロシアニン顔料のπスタック方向・分子軸方向の整列度合い、すなわち結晶相関長の比率と暗減衰とに相関関係があることを発見している。結晶相関長の比率はＸ線回折スペクトルから得られるパラメーターを用いており、特定の値にすることにより暗減衰が抑制される旨が記載されている。

特開平１０－１１５９３９号公報 特開２００５－０９１８８２号公報 特開２０１８－１８９９５７号公報

本発明者らの検討によると、特許文献１に記載の電子写真感光体では、量子効率ηと電場Ｅとの関係において、電界依存性が小さく感度が良好であるもののメモリは発生していた。これは実施例で開示されている構成の電荷発生層の膜厚が０．４μｍであり、電荷発生層中に電荷が溜まることに起因していた。更には電荷輸送層の膜厚が２５μｍ以上であることにより、電荷輸送層の膜厚が厚くなるほど電界強度が小さくなるため、メモリ現象はより顕著に現れていた。

特許文献２には、像担持体内の電荷（キャリア）生成量を増加させ、キャリアの再結合を増加させることにより潜像電位の減少を抑制して、トナー消費量は減らすことが開示されている。しかしメモリ現象に着目すると、キャリアの再結合を増加させた状態、耐久を行うことにより、キャリアの生成、再結合が繰り返され、その結果電荷発生層中に電荷が滞留する割合が増加するために、メモリ現象が耐久履歴を与えることで増加する、という課題があった。

特許文献３には電荷発生層の膜厚を２００ｎｍより大きくしても特定の特性を示すフタロシアニン顔料を用いることにより暗減衰を抑制することが開示されている。しかし特に電界強度が低い状況においては、電荷発生層中に滞留する電荷が発生するためにメモリ現象が十分に軽減できるものではなかった。

したがって、本発明の目的は、耐久を通じて、メモリの発生がなく、高いコントラストを維持する電子写真感光体を提供することである。
さらに、本発明の目的は、耐久を通じて、メモリの発生がなく、高いコントラストを維持する電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。

上記の目的は以下の本発明によって達成される。
即ち、本発明にかかる電子写真感光体は、支持体、該支持体上の電荷発生層及び該電荷発生層上の電荷輸送層を有し、該電荷発生層の膜厚が０．２μｍ以上である電子写真感光体であって、
温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、該電子写真感光体を、
（１）該電子写真感光体の表面電位を０［Ｖ］にし、
（２）該電子写真感光体の表面電位の絶対値がＶｄ［Ｖ］となるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させ、
（３）帯電開始から０．０２秒後に、波長が８０５［ｎｍ］で光量がＩ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］の光で帯電後の該電子写真感光体を露光し、
（４）帯電開始から０．０６秒後に、露光後の該電子写真感光体の表面電位の絶対値を測定してＶ_ｅｘｐ［Ｖ］とした場合に、
（１）～（４）の操作及び測定を、Ｉ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から１．０００［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行って作成された、横軸が露光光の光量Ｉ_ｅｘｐで縦軸が表面電位の絶対値Ｖ_ｅｘｐであるグラフから得られる再結合定数Ｐｅと、電界強度Ｅと、の関係において、下記式（１）に示す電界強度Ｅが１０～４０Ｖ／μｍにおける一次近似直線の傾きαの絶対値が４×１０^－３以下であることを特徴とする電子写真感光体である。
Ｐｅ＝α×Ｅ＋γ （１）
前記式（１）及び下記式（２）中、Ｐｅ及びＶｒは、それぞれ、前記グラフのＶ_ｅｘｐがＶｄ／２に低下するまでの範囲の前記グラフのデータ点から下記式（３）を用いて得られた量子効率をη_０とした場合に、下記式（２）から得られる再結合定数及び残電を表し、Ｅは、該Ｖｄおよび該電荷輸送層の膜厚から得られる電界強度Ｖ／μｍを表す。

前記式（２）および（３）において、ｅは電荷素量、ｄは感光層の膜厚、η_０は量子効率、ε_０は真空の誘電率、ε_ｒは比誘電率、ｈはプランク定数、νは照射光の周波数である。

本発明によれば、耐久を通じて、メモリの発生がなく、高いコントラストを維持できる電子写真感光体を提供することができる。

本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 Ｖｄが５００ＶであったときのＩ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から１．０００［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行って作成された、横軸がＩ_ｅｘｐで縦軸がＶ_ｅｘｐであるグラフの一例である。 縦軸に得られた再結合定数Ｐ_ｅ、横軸に電界強度Ｅの電界強度１０～４０Ｖ／μｍにおける一次近似直線の傾きαを示したグラフの一例である。 （Ａ）ゴースト画像評価の際に用いるゴースト評価用画像を説明するための図である。（Ｂ）１ドット桂馬パターン画像を説明する図である。

以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。
上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明は、支持体、該支持体上の電荷発生層及び該電荷発生層上の電荷輸送層を有し、該電荷発生層の膜厚が０．２μｍ以上である電子写真感光体であって、
温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、該電子写真感光体を、
（１）該電子写真感光体の表面電位を０［Ｖ］にし、
（２）該電子写真感光体の表面電位の絶対値がＶｄ［Ｖ］となるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させ、
（３）帯電開始から０．０２秒後に、波長が８０５［ｎｍ］で光量がＩ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］の光で帯電後の該電子写真感光体を露光し、
（４）帯電開始から０．０６秒後に、露光後の該電子写真感光体の表面電位の絶対値を測定してＶ_ｅｘｐ［Ｖ］とした場合に、
（１）～（４）の操作及び測定を、Ｉ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から１．０００［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行って作成された、横軸が露光光の光量Ｉ_ｅｘｐで縦軸が表面電位の絶対値Ｖ_ｅｘｐであるグラフから得られる再結合定数Ｐｅと、電界強度Ｅとの関係において、下記式（１）に示す電界強度Ｅが１０～４０Ｖ／μｍにおける一次近似直線の傾きαの絶対値が４×１０^－３以下である電子写真感光体を特徴とする。
Ｐｅ＝α×Ｅ＋γ （１）
前記式（１）及び下記式（２）中、Ｐｅ及びＶｒは、それぞれ、前記グラフのＶｄがＶｄ／２に低下するまでの範囲の傾きから得られた量子効率をη_０とした場合に、下記式（２）から得られる再結合定数及び残電を表し、Ｅは該Ｖｄおよび該電荷輸送層の膜厚から得られる電界強度Ｖ／μｍを表す。

式（２）において、ｅは電荷素量、ｄは感光層の膜厚、ε_０は真空の誘電率、ε_ｒは比誘電率、ｈはプランク定数、νは照射光の周波数である。

式（１）を導くための傾きαの求めかたと、式（２）からＶｒ（残電）、η_０（量子効率）およびＰｅ（再結合定数）を求める際の手順は以下のとおりである。
手順１：電界強度１０～４０Ｖの間の数点、任意のＶｄを設定する（Ｖｄ＝電界強度Ｅ×感光体膜厚）。設定したＶｄにおいてＩ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から１．０００［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行って得られる、横軸が露光光の光量Ｉ_ｅｘｐで縦軸が表面電位の絶対値Ｖ_ｅｘｐであるグラフを作成する。
図３は、Ｖｄが５００ＶであったときのＩ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から１．０００［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行って得られる、横軸が露光光の光量Ｉ_ｅｘｐで縦軸が表面電位の絶対値Ｖ_ｅｘｐであるグラフの例である。
手順２：式（２）における量子効率η_０は、Ｖ_ｅｘｐがＶｄ／２に低下するまでの範囲の前記Ｉ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフのデータ点を、η_０をフィッティングパラメータとして下記式（３）を用いてフィッティングすることにより求める。

手順３：測定した全光量範囲、すなわち、Ｉ_ｅｘｐ＝０．０００～１．０００［μＪ／ｃｍ^２］の範囲の前記Ｉ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフのデータ点を、手順２で求めたη_０の値を固定し、Ｐ_ｅおよびＶ_ｒをフィッティングパラメータとして前記式（２）を用いてフィッティングし、再結合定数Ｐ_ｅおよび残電Ｖ_ｒを決定する。
手順４：Ｖｄを変化させ、手順１～３を繰り返し、電界強度１０～４０Ｖの間を変化させた際の量子効率η_０、再結合定数Ｐ_ｅ、および残電Ｖ_ｒを求める。求められた各値から前記式（１）に示す電界強度１０～４０Ｖ／μｍにおける一次近似直線の傾きαを求める。

図４は、縦軸に得られた再結合定数Ｐ_ｅ、横軸に電界強度Ｅとした場合での、電界強度１０～４０Ｖ／μｍにおける一次近似直線の傾きαを示したグラフの例である。
電荷発生層の膜厚を厚くしていくとメモリ現象が発生してしまい、耐久履歴を与えることで、更なるメモリの増加が生じる。検討した結果、メモリ現象は電荷発生層の膜厚を厚くしていく事で、また、電界強度を下げていくことで顕著に生じた。電荷発生層中に滞留している電荷がメモリ現象を生じさせる原因と推測できる。

理想的には電荷発生層の膜厚が厚くとも、露光後電荷分離が速やかに行われ、電荷輸送層および下引き層に正負の電荷がスムーズに注入されることで、再結合比率が低く、残電も低いＥ－Ｖカーブ特性が得られる。

電荷発生層中における滞留電荷量は再結合比率との相関関係が強いと考え、式（２）で示される再結合定数に着目した。
しかしながら、必ずしも再結合定数が低ければ、メモリ現象の発生が抑制されるわけではなく、その電界依存性を表すαが４×１０^－３以下であることが必要であった。
電界依存性αが４×１０^－３以下である場合にメモリ現象が小さくなる理由は以下のように推測される。
メモリの原因となる滞留電荷は、再結合されることなく電荷発生層中に滞留している電荷であり、電界の大きさに依存したる駆動力の大小によって、注入されるか再結合されるか滞留されるかが決まる。

したがって、再結合定数Ｐ_ｅの電界依存性が小さいことは、電界を強くした場合に注入される電荷が増加しないことを意味し、耐久履歴を与えてもその変化率は小さい。そのため、再結合定数Ｐ_ｅの電界依存性とメモリ現象の間に相関関係がみられる。

また、低電界において本発明の効果は更に発揮される。
電界依存性αの絶対値は２×１０^－３以下であることがより好ましい。２×１０^－３より大きいと、耐久履歴を与えた場合に変化率が十分小さくならない場合があった。
電界強度１５Ｖ／μｍにおいて式（２）で示される再結合定数Ｐｅが０．７以下であることがより好ましい。０．７より大きいと、低電界において、初期のメモリを小さくする効果が十分に得られない場合があった。
電界強度１５Ｖ／μｍにおいて式（２）で示される量子効率η_０が０．４以上であることがより好ましい。０．４より小さいと、低電界において、初期のメモリを小さくする効果が十分に得られない場合があった。
電界強度１５Ｖ／μｍにおいて式（２）で示される残電Ｖｒが２０Ｖ以下であることがより好ましい。２０Ｖより大きいと、低電界において、初期のメモリを小さくする効果が十分に得られない場合があった。

尚、本発明において、電荷発生層中における滞留電荷量を原因とするメモリ現象は、ゴースト現象（１枚の画像を形成する中で、光が照射された部分が電子写真感光体の次の回転目にハーフトーン画像になる場合において、光が照射された部分のみの濃度が異なって現れる現象）として評価できる。

［電子写真感光体］
本発明の電子写真感光体は、電荷発生層および電荷輸送層を有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、支持体および各層について説明する。

＜支持体＞
本発明において、電子写真感光体は、支持体を有する。支持体としては、導電性のもの（導電性支持体）が好ましい。また、支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、シート状などが挙げられる。中でも、円筒状支持体であることが好ましい。また、支持体の表面に、陽極酸化などの電気化学的な処理や、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。
支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラスなどが好ましい。
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金などが挙げられる。中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製支持体であることが好ましい。
また、樹脂やガラスには、導電性材料を混合又は被覆するなどの処理によって、導電性を付与してもよい。

＜導電層＞
本発明において、支持体の上に、導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる。
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。

導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウムなどの元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズなどの金属酸化物が挙げられる。
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒子径が、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などを更に含有してもよい。

導電層の平均膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。

導電層は、上述の各材料及び溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を支持体上に形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。

＜下引き層＞
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。

下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。
重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素－炭素二重結合基などが挙げられる。
これらの中でも、ポリアミド樹脂が好ましく、アルコール系溶剤に可溶なポリアミド樹脂が好ましい。例えば、３元系（６－６６－６１０）共重合ポリアミド、４元系（６－６６－６１０－１２）共重合ポリアミド、Ｎ－メトキシメチル化ナイロン、重合脂肪酸系ポリアミド、重合脂肪酸系ポリアミドブロック共重合体、ジアミン成分を有する共重合ポリアミドなどが好ましく用いられる。

また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などを更に含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが低電界においても電荷発生層中の電荷の引き抜き効果が得られるため好ましい。
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。電子輸送物質として、重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミなどが挙げられる。
これらの中でも酸化チタンが好ましく、電荷の蓄積の抑制という観点から、結晶構造がルチル型またはアナターゼ型であることが好ましく、光触媒活性の弱いルチル型であることがより好ましい。結晶構造がルチル型である場合、ルチル化率９０％以上であることが好ましい。酸化チタン粒子の形状は球形であることが好ましく、その平均一次粒径は、電荷の蓄積の抑制と均一分散性という観点から、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることがより好ましい。酸化チタン粒子は均一分散性という観点からシランカップリング剤などで処理をしてもよい。
酸化チタン粒子がビニルシランで表面処理されていると、低電界においても電荷発生層中の電荷の引き抜き効果が得られるため好ましい。
また、下引き層は、添加剤を更に含有してもよい。

下引き層の平均膜厚は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましく、０．３μｍ以上３μｍ以下であることが特に好ましい。

下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を支持体又は導電層の上に形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

＜電荷発生層＞
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられる。これらの中でも、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましい。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の中でも、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを示す結晶型の結晶粒子を有することが好ましい。図２にヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料のＸ線回折スペクトルの例を示す。
特に厚膜で高感度を達成させ、低電界下における電荷発生層中の滞留電荷を低減させるためには、該７．４°±０．３°におけるピークの角度θ_１［°］及び積分幅β_１［°］と、該２８．２°±０．３°におけるピークの角度θ_２［°］及び積分幅β_２［°］とから下記式（４）で求められるＡが０．８以下であるヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を用いることが好ましい。

Ａが０．８以下であると、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の結晶粒子中に滞留する電荷が低減され、本願の効果が得られやすいと推測している。

更に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が、下記式（Ａ１）で示されるアミド化合物をその粒子内に含有する結晶粒子を有することが、より好ましい。式（Ａ１）で示されるアミド化合物としては、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ－プロピルホルムアミド、又は、Ｎ－ビニルホルムアミドが挙げられる。

上記式（Ａ１）中、Ｒ^１は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。

また、前記結晶粒子内に含有される前記式（Ａ１）で示されるアミド化合物の含有量が、前記結晶粒子の含有量に対して、０．１質量％以上３．０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上１．４質量％以下であることがより好ましい。アミド化合物の含有量が０．１質量％以上３．０質量％以下であることにより、結晶粒子のサイズを適切な大きさで揃えることができる。式（Ａ１）で示されるアミド化合物を結晶粒子内に含有するフタロシアニン顔料は、アシッドペースティング法により得られたフタロシアニン顔料、及び上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物を湿式ミリング処理により結晶変換する工程により得られる。

ミリング処理において分散剤を用いる場合、その分散剤の量は、質量基準でフタロシアニン顔料の１０～５０倍が好ましい。また、用いられる溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、上記式（Ａ１）で示される化合物、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオアミドなどのアミド系溶剤、クロロホルムなどのハロゲン系溶剤、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶剤などが挙げられる。また、溶剤の使用量は、質量基準でフタロシアニン顔料の５～３０倍が好ましい。

本発明の電子写真感光体に含有されるフタロシアニン顔料の粉末Ｘ線回折測定は、次の条件で行ったものである。
（粉末Ｘ線回折測定）
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ－ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
Ｘ線波長：Ｋα１
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：３５．０°
ゴニオメータ：ローター水平ゴニオメータ（ＴＴＲ－２）
アタッチメント：キャピラリ回転試料台
フィルター：なし
検出器：シンチレーションカウンター
インシデントモノクロ：使用する
スリット：可変スリット（平行ビーム法）
カウンターモノクロメータ：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放

電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、５０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６５質量％以上７５質量％以下であることがより好ましい。電荷発生層中の電荷発生物質の含有量が５０質量％より少ないと電荷発生物質の粒子と粒子の接触が減り特に低電界下において電荷移動が不十分になる場合があり、８５質量％より多いと電荷発生物質の粒子間に結着樹脂が十分に存在できなくなることにより、電荷の溜まるポイントになる可能性があるため、電界強度依存性を表す一次近似直線の傾きαが大きくなる場合がある。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。
また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を更に含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。

本発明の電荷発生層の平均膜厚は、０．２μｍ以上である。
電荷発生層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を支持体又は導電層あるいは下引き層の上に形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

＜電荷輸送層＞
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。

電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、本願の効果を得るにはイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．４ｅＶ以下であることが好ましい。イオン化ポテンシャルが５．２ｅＶより小さいと電界強度依存性を表すαが大きく耐久後にメモリ現象が悪化する場合があり、５．４ｅＶより大きいと、残電が上がる場合があった。
イオン化ポテンシャルの測定は、理研計器（株）製の大気中光電子分光装置（商品名：ＡＣ－２）を用いて、電子を放出する閾値エネルギーを測定してイオン化ポテンシャルを測定した。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０～２０：１０が好ましく、５：１０～１２：１０がより好ましい。

また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。

電荷輸送層の平均膜厚は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

電荷輸送層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を電荷発生層の上に形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。

＜保護層＞
本発明において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。

導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。

また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。

保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。

保護層の平均膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上７μｍ以下であることがより好ましい。

保護層は、上述の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を感光層の上に形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。

［プロセスカートリッジ、電子写真装置］
本発明のプロセスカートリッジは、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とする。
また、本発明の電子写真装置は、これまで述べてきた電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする。

図１に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。尚、図１においては、ローラ型帯電部材によるローラ帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写される。トナー像が転写された転写材７は、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。電子写真装置は、転写後の電子写真感光体１の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段９を有していてもよい。また、クリーニング手段を別途設けず、上記付着物を現像手段などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。電子写真装置は、電子写真感光体１の表面を、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本発明のプロセスカートリッジ１１を電子写真装置本体に着脱するために、レールなどの案内手段１２を設けてもよい。

本発明の電子写真感光体は、レーザービームプリンター、ＬＥＤプリンター、複写機、ファクシミリ、及び、これらの複合機などに用いることができる。

以下、実施例及び比較例を用いて本発明を更に詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。尚、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。

［フタロシアニン顔料の合成］
［合成例１］
窒素フローの雰囲気下、オルトフタロニトリル５．４６部及びα－クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を収率７１％で得た。

［合成例２］
前記合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で３０分間分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返した。最後にフリーズドライ（凍結乾燥）を行い、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を収率９７％で得た。

［合成例３］
前記合成例２で得られた含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ－０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン製）を用いて以下のように乾燥させた。
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスから取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０～１０．０ｋＰａに調整した。
先ず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０～１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程を更に１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。更に第３工程として、第２工程でのマイクロ波の出力を１．２ｋＷから０．８ｋＷに変更した以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程を更に１回繰り返した（計２回）。更に第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０～１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程を更に７回繰り返した（計８回）。以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。

［合成例４］
１，３－ジイミノイソインドリン３０部及び三塩化ガリウム９．１部をジメチルスルホキシド２３０部に加え、１６０℃で６時間攪拌しながら反応させて赤紫色顔料を得た。得られた顔料をジメチルスルホキシドで洗浄した後、イオン交換水で洗浄し、乾燥してクロロガリウムフタロシアニン顔料２８部を得た。

［合成例５］
前記合成例４で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料１０部を６０℃に加熱した硫酸（濃度９７％）３００部に十分に溶解したものを、２５％アンモニア水６００部とイオン交換水２００部との混合溶液中に滴下した。析出した顔料を濾過により採取し、更にＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド及びイオン交換水で洗浄し、乾燥してヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料８部を得た。

［実施例１］
＜支持体＞
直径２４ｍｍ、長さ２５７ｍｍのアルミニウムシリンダーを支持体（導電性の円筒状の支持体）とした。

＜導電層＞
基体として、一次粒径の平均が２００ｎｍのアナターゼ型酸化チタンを使用し、チタンをＴｉＯ_２換算で３３．７部、ニオブをＮｂ_２Ｏ_５換算で２．９部含有するチタンニオブ硫酸溶液を調製した。基体１００部を純水に分散して１０００部の懸濁液とし、６０℃に加温した。チタンニオブ硫酸溶液と１０ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウムとを懸濁液のｐＨが２～３になるよう３時間かけて滴下した。全量滴下後、ｐＨを中性付近に調製し、ポリアクリルアミド系凝集剤を添加して固形分を沈降させた。上澄みを除去し、ろ過及び洗浄し、１１０℃で乾燥し、凝集剤由来の有機物をＣ換算で０．１ｗｔ％含有する中間体を得た。この中間体を窒素中７５０℃で１時間焼成を行った後、空気中４５０℃で焼成して、酸化チタン粒子１を作製した。得られた粒子は走査電子顕微鏡を用いた粒径測定方法において、平均粒径（平均一次粒径）２２０ｎｍであった。
続いて、結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ－３２５、ＤＩＣ製、樹脂固形分：６０％、硬化後の密度：１．３ｇ／ｃｍ^２）５０部を、溶剤としての１－メトキシ－２－プロパノール３５部に溶解させて溶液を得た。
この溶液に酸化チタン粒子１を６０部加え、これを分散媒体として平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズ１２０部を用いた縦型サンドミルに入れ、分散液温度２３±３℃、回転数１５００ｒｐｍ（周速５．５ｍ／ｓ）の条件で４時間分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液に、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ ＰＡＩＮＴ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、東レ・ダウコーニング製）０．０１部、及び、表面粗さ付与材としてシリコーン樹脂粒子（商品名：ＫＭＰ－５９０、信越化学工業製、平均粒径：２μｍ、密度：１．３ｇ／ｃｍ^３）８部を添加して攪拌し、ＰＴＦＥ濾紙（商品名：ＰＦ０６０、アドバンテック東洋製）を用いて加圧ろ過することによって、導電層用塗布液を調製した。
このようにして調製した導電層用塗布液を上述の支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１５０℃で２０分間加熱し硬化させることにより、膜厚が1５μｍの導電層を形成した。

＜下引き層＞
ルチル型酸化チタン粒子（平均一次粒径：５０ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、ビニルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ－１００３、信越化学製）３．０部を添加し、８時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、３時間１２０℃で乾燥させることによって、ビニルトリメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子を得た。
前記ビニルトリメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子１８部、Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部を、メタノール９０部と１－ブタノール６０部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて６時間分散処理を行うことにより下引き層用塗布液を調製した。
下引き層用塗布液を上述の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１００℃で１０分間加熱乾燥することにより、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

＜電荷発生層＞
次に、合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で６時間、ペイントシェーカ（東洋精機製作所製）を用いてミリング処理した（一段階目）。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用いた。こうしてミリング処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液を室温（２３℃）下で４０時間、ボールミルでミリング処理した（二段階目）。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に１２０回転する条件で行った。また、このミリング処理においてガラスビーズ等のメディアは用いなかった。こうして処理した液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４６部得た。
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θの７．４°±０．３°、９．９°±０．３°、１６．２°±０．３°、１８．６°±０．３°、２５．２°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有する。５°～３５°の範囲において最も高強度の回折ピークである７．４°±０．３°、及び２８．２°±０．３°のピークから見積もられた結晶相関長はそれぞれｒ_１＝３１［ｎｍ］、ｒ_２＝１９［ｎｍ］であった。したがって式（４）で求められるＡの値は０．６０である。続いて、前記ミリング処理で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン４４４部及び酢酸エチル６３４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を上述の下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させることにより、膜厚が０．２３μｍの電荷発生層を形成した。

＜電荷輸送層＞
電荷輸送物質として、下記式（Ｂ－１）で示されるイオン化ポテンシャル５．４ｅＶの電荷輸送物質６部、

下記式（Ｂ－２）で示されるイオン化ポテンシャル５．３ｅＶの電荷輸送物質化合物４部、

ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１０部をオルトキシレン２５部／安息香酸メチル２５部／ジメトキシメタン２５部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
このようにして調製した電荷輸送層用塗布液を上述の電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１２０℃で３０分間加熱乾燥することにより、膜厚が２５μｍの電荷輸送層を形成した。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、以下のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体の評価を行った。その結果を、表１に示す。

（メモリの評価）
評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンター（商品名：Ｌａｓｅｒ Ｊｅｔ Ｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅ Ｍ６５３）を用意し、前露光をなくし、プロセススピード、帯電ローラへの印加電圧、像露光量を調節できるよう改造した。
改造としては、プロセススピードを２００ｍｍ／ｓに変更し、暗部電位が－５００Ｖになるようにし、露光光（画像露光光）の光量が可変となるようにした。
詳しくは以下のとおりである。
温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下にて、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ－８：トレック・ジャパン（株）製）を装着し、ポジゴーストおよび電位変動評価用の電子写真感光体を装着して、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。電子写真感光体の表面電位は、暗部電位（Ｖｄ）が－５００Ｖ、明部電位（Ｖｌ）が－１００Ｖになるよう、露光光量を設定した。

次いで、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、上述の電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。まず、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。
ゴースト評価用画像は図５（Ａ）に示すように、画像の先頭部に「白画像」中に四角の「ベタ画像」を出した後、図５（Ｂ）に示す「１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像」を作成したものである。なお、図５（Ａ）中、「ゴースト」部は、「ベタ画像」に起因するゴーストが出現し得る部分である。

ポジゴーストの評価は、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像の画像濃度と、ゴースト部の画像濃度との濃度差を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ－Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ－Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中で濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚すべてで行い、合計１００点の平均を算出した。ハーフトーン画像の画像濃度とゴースト部の濃度差を元にしたメモリの評価基準は以下の通りである。なお、メモリ評価は、初期メモリと画像出力後の耐久後メモリを評価した。
本発明においては、Ａ、Ｂ及びＣ評価のものを本発明の効果が得られたものとする。評価結果を表１に示す。
Ａ：濃度差０．００以上０．０１未満 見た目に差がみられない
Ｂ：濃度差０．０１以上０．０３未満 見た目にほとんど差がみられない
Ｃ：濃度差０．０３以上０．０５未満 見た目にうっすら差がある
Ｄ：濃度差０．０５以上０．０８未満 見た目に明らかな差がある
Ｅ：濃度差０．０８以上 見た目に大きな差がある

［実施例２］
実施例１の電荷発生層用塗布液の調製において、二段階目のボールミルで４０時間のミリング処理を１００時間に変更したこと以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。得られたフタロシアニン顔料の式（４）で求められるＡの値は０．７であった。

［実施例３］
実施例１の電荷発生層用塗布液の調製において、ミリング処理を以下のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

（電荷発生層用塗布液の調製）
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１部を減圧乾燥し、含水率が６０００ｐｐｍの顔料を得た。次に、得られた顔料を、Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で４３時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に２００回転する条件で行った。また、投入前のＮ－メチルホルムアミドの含水率は１０００ｐｐｍだったので、系内水分量は１５５０ｐｐｍである。こうして処理した液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られたフタロシアニン顔料の式（４）で求められるＡの値は０．８であった。

［実施例４］
実施例１の電荷発生層用塗布液の調製において、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得る工程を以下のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

（電荷発生層用塗布液の調製）
合成例５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）８部を温度３０℃下で２４時間、マグネティックスターラでミリング処理した（一段階目）。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、回転子が１分間に１，５００回転する条件で行った。こうして処理した液にＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をイオン交換水で十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。続いて、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、直径５．０ｍｍのジルコニアビーズ５部を室温（２３℃）下で５分間、小型振動ミル（ＭＢ－０型、中央化工機製）を用いてミリング処理した（二段階目）。この際、容器はアルミナ製ポットを用いた。こうして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４８部得た。得られたフタロシアニン顔料の式（４）で求められるＡの値は０．８３であった。

［実施例５］
実施例１の電荷発生層用塗布液の調製において、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得る工程を以下のように変更したこと以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

（電荷発生層用塗布液の調製）
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１部、Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で７０時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に４００回転する条件で行った。こうして処理した液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られたフタロシアニン顔料の式（４）で求められるＡの値は０．５であった。

［実施例６］
実施例１の電荷発生層用塗布液の調製においてミリング処理で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部を２５部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［実施例７～９］
実施例１の電荷発生層用塗布液の調製においてミリング処理で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部を３０部、１８部、１５部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［実施例１０～１３］
実施例１の電荷発生層の膜厚を０．２３μｍから０．２０μｍ、０．２５μｍ、０．３０μｍ、０．４０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［実施例１４］
実施例１の電荷輸送層用塗布液を以下のように調製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

（電荷輸送層用塗布液）
電荷輸送物質として、下記式（Ｂ－３）で示されるイオン化ポテンシャル５．５ｅＶの電荷輸送物質１０部、

ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１０部をオルトキシレン５０部／ＴＨＦ２５部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。

［実施例１５］
実施例１の電荷輸送層用塗布液を以下のように調製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

（電荷輸送層用塗布液）
電荷輸送物質として、下記式（Ｂ－４）で示されるイオン化ポテンシャル５．５ｅＶの電荷輸送物質１０部、

ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１０部をオルトキシレン２５部／安息香酸メチル２５部／ジメトキシメタン２５部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。

［実施例１６］
実施例１５の電荷輸送物質（Ｂ－４）を電荷輸送物質（Ｂ－１）に変更した以外は実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［実施例１７］
実施例１５の電荷輸送物質（Ｂ－４）を電荷輸送物質（Ｂ－２）に変更した以外は実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［実施例１８］
実施例１の下引き層用塗布液の調製においてビニルトリメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子１２部を１８部に変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［実施例１９］
実施例１の下引き層用塗布液を以下のように調製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

（下引き層用塗布液）
ルチル型酸化チタン粒子（平均一次粒径：１５ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、ビニルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ－１００３、信越化学製）９．６部を添加し、８時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、３時間１２０℃で乾燥させることによって、メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子を得た。
前記メチルジメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子６部、Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部を、メタノール９０部と１－ブタノール６０部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて６時間分散処理を行った。こうしてサンドミル分散処理を行った液に、その後さらに超音波分散機（ＵＴ－２０５、シャープ製）にて1時間分散処理を行うことにより下引き層用塗布液を調製した。

［実施例２０］
実施例１の下引き層用塗布液の調製においてビニルトリメトキシシランをメチルジメトキシラン（東芝シリコーン社製「ＴＳＬ８１１７」）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［実施例２１］
実施例３の下引き層を以下のように作製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

（下引き層用塗布液の調製）
Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ製）１．５部を、メタノール６５部と１－ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。
下引き層用塗布液を上述の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１００℃で１０分間加熱乾燥することにより、膜厚が０．４μｍの下引き層を形成した。

［実施例２２～２７］
実施例１の電荷輸送層の膜厚を２５μｍから、１５μｍ、２０μｍ、２３μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［実施例２８］
実施例１７の電荷輸送層用塗布液の調製において、ポリカーボネート１０部を下記式（Ｃ－１）及び下記式（Ｃ－２）で示される構造単位を有し、（Ｃ－１）と（Ｃ－２）のモル比率が５／５である重量平均分子量が１２０，０００であるポリエステル樹脂に変更した以外は実施例１７と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［比較例１］
実施例２１の電荷輸送層用塗布液の調製において、電荷輸送材料（Ｂ－１）５部／電荷輸送材料（Ｂ－２）５部を下記式（Ｂ－５）で示されるイオン化ポテンシャル５．５ｅＶの電荷輸送物質７部、

下記式（Ｂ－６）で示されるイオン化ポテンシャル５．６ｅＶの電荷輸送物質１部、

に変更した以外は実施例２１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［比較例２］
実施例１の電荷発生層の膜厚を０．２３μｍから０．１５μｍに変更し、電荷輸送層用塗布液の調製において、電荷輸送材料（Ｂ－５）５部／電荷輸送材料（Ｂ－６）５部に変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［比較例３］
特開平０９－１１４１２０号公報に記載の実施例２の下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を、実施例１に記載の支持体上に作製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［比較例４］
特開平１０－０６９１０９号公報に記載の実施例１の下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を、実施例１に記載の支持体上に作製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［比較例５］
特開平１１－１８４１１９号公報に記載の実施例２の下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を、実施例１に記載の支持体上に作製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［比較例６］
特開平１０－１４１５９３９号公報に記載の実施例２の下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を、実施例１に記載の支持体上に作製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［比較例７］
特開平０５－０８０５４４号公報に記載の実施例３の電荷発生層、電荷輸送層を、実施例１に記載の支持体上に作製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

［比較例８］
特開２００１－１８３８５２号公報に記載の処方－１の中間層、電荷発生層、電荷輸送層を、実施例１に記載の支持体上に作製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、作製した電子写真感光体を用いて、温度２３．５℃、相対湿度５０％ＲＨの環境下において、Ｐｅ、α、η_０、及びＶｒを前述の方法で測定し、前述のメモリ評価方法に基づき、電子写真感光体を評価した。結果を、表１に示す。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段

Claims (11)

1. 支持体、該支持体上の電荷発生層及び該電荷発生層上の電荷輸送層を有し、該電荷発生層の膜厚が０．２μｍ以上である電子写真感光体であって、
   温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、該電子写真感光体を、
   （１）該電子写真感光体の表面電位を０［Ｖ］にし、
   （２）該電子写真感光体の表面電位の絶対値がＶｄ［Ｖ］となるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させ、
   （３）帯電開始から０．０２秒後に、波長が８０５［ｎｍ］で光量がＩ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］の光で帯電後の該電子写真感光体を露光し、
   （４）帯電開始から０．０６秒後に、露光後の該電子写真感光体の表面電位の絶対値を測定してＶ_ｅｘｐ［Ｖ］とした場合に、
   （１）～（４）の操作及び測定を、Ｉ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から１．０００［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行って作成された、横軸が露光光の光量Ｉ_ｅｘｐで縦軸が表面電位の絶対値Ｖ_ｅｘｐであるグラフから得られる再結合定数Ｐｅと、電界強度Ｅと、の関係において、下記式（１）に示す電界強度Ｅが１０～４０Ｖ／μｍにおける一次近似直線の傾きαの絶対値が４×１０^－３以下である
   ことを特徴とする電子写真感光体。
   Ｐｅ＝α×Ｅ＋γ （１）
   （前記式（１）及び下記式（２）中、Ｐｅ及びＶｒは、それぞれ、前記グラフのＶ_ｅｘｐがＶｄ／２に低下するまでの範囲の前記グラフのデータ点から下記式（３）を用いて得られた量子効率をη_０とした場合に、下記式（２）から得られる再結合定数及び残電を表し、Ｅは、該Ｖｄおよび該電荷輸送層の膜厚から得られる電界強度Ｖ／μｍを表す。
   

   

   

   （前記式（２）および（３）において、ｅは電荷素量、ｄは感光層の膜厚、η_０は量子効率、ε_０は真空の誘電率、ε_ｒは比誘電率、ｈはプランク定数、νは照射光の周波数である。））
2. 前記一次近似直線の傾きαの絶対値が２×１０^－３以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 電界強度が１５Ｖ／μｍであるときの前記式（２）から得られる再結合定数Ｐｅが０．７以下である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
4. 電界強度が１５Ｖ／μｍであるときの前記式（２）から得られる量子効率η_０が０．４以上である請求項１～３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. 電界強度が１５Ｖ／μｍであるときの前記式（２）から得られる残電Ｖｒが２０Ｖ以下である請求項１～４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
6. 前記電荷発生層が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を含有し、
   該ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトル（ブラッグ角２θ）において、７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にそれぞれピークを有し、
   該７．４°±０．３°におけるピークの角度θ_１［°］及び積分幅β_１［°］と、該２８．２°±０．３°におけるピークの角度θ_２［°］及び積分幅β_２［°］とから式（４）で求められるＡが、０．８以下である
   請求項１～５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   

   
7. 前記電荷発生層が、電荷発生物質を含有し、
   該電荷発生層の全質量に対する電荷発生物質が、６５質量％以上７５質量％以下である
   請求項１～６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
8. 前記電荷輸送層が、電荷輸送物質を含有し、
   該電荷輸送物質のイオン化ポテンシャルが、５．２ｅＶ以上５．４ｅＶ以下である
   請求項１～６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
9. 前記電子写真感光体が、前記電荷発生層の直下に下引き層を有し、
   該下引き層が、ビニルシランで表面処理された酸化チタンを含有する
   請求項１～６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
10. 請求項１～９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
11. 請求項１～９のいずれか１項に記載の電子写真感光体、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置。

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