JP7494019B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

Description

本開示は電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。

近年、電子写真装置に用いられる露光手段は半導体レーザが主流である。通常光源から出たレーザ光は、レーザ走査書込み装置により円筒状の電子写真感光体（以下、単に「感光体」ともいう）の軸方向に走査される。この際用いられるポリゴンミラーをはじめとした光学系や、様々な電気的補正手段などにより、感光体に照射される光量が感光体の軸方向に対して均一となるよう、光量分布が制御されている。

上記ポリゴンミラーの低コスト化や、電気的補正技術の向上などによる光学系の小型化が進み、電子写真方式によるパーソナル用途のレーザビームプリンタも使用されるようになったが、昨今さらなる低コスト化と小型化が求められている。

上記レーザ走査書込み装置により走査されるレーザ光は、上記光学系の工夫や電気的補正を行わない場合、感光体の軸方向に対して光量分布に偏りを有する。特に、レーザ光をポリゴンミラー等で走査する関係上、感光体の軸方向の中央部から端部に向かって光量が減少する領域を持つ。このような光量分布の偏りを光学系や電気的補正などによる制御で均一化すると、コストアップおよび大型化を招く。

そこで従来、感光体について、上記光量分布の偏りを打ち消すように感度分布を感光体の軸方向に対して設けることで、感光体の軸方向における露光電位分布を均一にすることが行われている。

感光体に適切な感度分布を設ける方法として、単層感光体における感光層や積層型感光体における電荷輸送層の静電容量に適切な分布を持たせることが考えられる。静電容量が小さいほど、指定の電位まで露光電位を落とすために必要な消却電荷量が少なくなるため、光量に対して露光電位が落ちやすくなり、感度が向上する。静電容量に適切な分布を持たせる方法としては、感光層あるいは電荷輸送層の膜厚を変化させることが知られている。

しかし、感光体の軸方向に静電容量分布がある場合、かぶり現象やゴースト現象などの、感光体の静電容量が変わることで変化する現象にも分布が発生してしまう。その結果、電子写真システム全体でこれらの現象を感光体の軸方向全体にわたって抑制することが難しくなるという問題があった。

そこで、感光体に適切な感度分布を設ける方法としては、積層型感光体における電荷発生層の光電変換効率に適切な分布を持たせることが有効である。

特許文献１には、浸漬塗布時の調速によって感光体が有する電荷発生層の膜厚に偏差を設け、それにより、電荷発生物質として用いたトリスアゾ顔料の付着量に偏差を生じさせることで、マクベス濃度の値を変化させる技術が記載されている。感光体の軸方向にマクベス濃度の分布に偏差を設けることで、電荷発生層の光吸収量を感光体の軸方向で変化させ、光電変換効率に適切な分布を設けている。

特許文献２には、インクジェット塗布時に２種の液滴吐出ヘッドを用い、それぞれの液滴吐出ヘッドから吐出される電荷発生層用塗布液中の樹脂に対する電荷発生物質の比率（Ｐ／Ｂ比）を変えるとともに、それぞれの液滴吐出ヘッドの走査条件を制御することで、感光体の軸方向に電荷発生層の膜厚を一定に保ったまま、電荷発生物質として用いたクロロガリウムフタロシアニン顔料の含有量を中央部から両端部に向けて増大させる技術が記載されている。電荷発生層の膜厚を一定に保ったまま電荷発生物質の単位体積当たりの含有量に適切な分布を持たせることで、ゴースト現象を抑えつつ、電荷発生層の光吸収量を変化させ、光電変換効率に適切な分布を持たせている。

特開２００１－３０５８３８号公報 特開２００８－０７６６５７号公報

電子写真装置において、帯電手段として帯電ローラを用い、直流バイアスを印加して画像を出力した際に、出力画像の感光体の軸方向に、無数のスジ状の放電痕（以下、「帯電スジ」とも称する。）が発生することがある。この現象は、感光体の電荷発生層の膜厚が厚いときに発生し易いことがわかっている。また、その状態で電荷輸送層の膜厚を薄くすると、帯電スジは消えていく傾向にある。この帯電スジの発生メカニズムについては、電荷発生層の膜厚が厚くなり暗減衰が大きくなる影響と、電荷輸送層が薄くなり静電容量が大きくなる影響により、帯電ローラ近傍の放電状態が変化しているためと考えているが、詳細は明らかではない。ただし、帯電ローラ近傍の放電光と帯電スジの発生挙動に関係があること、電荷発生層の膜厚が薄いと、帯電ローラの上流近傍で放電が完結し、電荷発生層の膜厚が厚くなると、帯電ローラ下流でも放電が起こり、帯電スジが発生することが分かっていた。

一方、電荷輸送層の膜厚を薄くしていくと、帯電ローラの下流での放電が安定していき、帯電スジの発生が抑えられる。このように放電位置が上流から下流へ移行する現象と、帯電スジの発生に相関があり、放電挙動を安定化させることで帯電スジの発生が抑えられるものと考えている。

従来、感光体の軸方向の端部の光量不足を補うために、中央から端部にかけて電荷発生層の膜厚を厚くしてきた。そのため、端部の電荷発生層が厚くなったことで、端部で帯電スジが発生し易い条件となっていた。したがって本開示は、感光体の軸方向の端部の光量不足を補うために、中央から端部にかけて電荷発生層の膜厚を厚くしても、端部に発生する帯電スジを抑制する電子写真感光体を提供する。

本発明の一態様によると、円筒状支持体と、電荷発生層と、電荷輸送層と、を有し、
前記電子写真感光体の軸方向の中央位置と前記電子写真感光体の前記中央位置から一端までの長さの９０％に位置する９０％位置の間の領域を領域Ｘとし、前記９０％位置から前記電子写真感光体の前記一端までの間の領域を領域Ｚとしたとき、前記領域Ｘを５等分した領域を、前記中央位置から順にＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、およびＸ５とし、前記領域Ｚを３等分した領域を、前記中央位置に近い順にＺ１、Ｚ２、およびＺ３としたとき、前記Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３のそれぞれの領域における、前記電荷発生層の平均膜厚を、ＤｇＸ１、ＤｇＸ２、ＤｇＸ３、ＤｇＸ４、ＤｇＸ５、ＤｇＺ１、ＤｇＺ２、およびＤｇＺ３で表し、前記Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３のそれぞれの領域における、前記電荷輸送層の平均膜厚をＤｔＸ１、ＤｔＸ２、ＤｔＸ３、ＤｔＸ４、ＤｔＸ５、ＤｔＺ１、ＤｔＺ２、およびＤｔＺ３で表した場合、ＤｇＸ１＜ＤｇＸ２＜ＤｇＸ３＜ＤｇＸ４＜ＤｇＸ５、かつＤｔＸ５＞ＤｔＺ１、およびＤｇＸ５＜ＤｇＺ１、を満たすこと、を特徴とする電子写真感光体が提供される。

本開示によれば、感光体の軸方向の端部の光量不足を、中央から端部にかけて電荷発生層の膜厚を厚くすることで対応し、同じく端部の電荷輸送層の膜厚を薄くすることで、端部に発生する放電スジを抑制することが可能となる。

本開示の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 本開示の電子写真感光体を備えた電子写真装置の露光手段についての概略構成の一例を示す図である。 本開示の電子写真感光体を備えた電子写真装置のレーザ走査装置の断面図である。 式（Ｅ６）における走査特性係数Ｂとレーザ走査装置の幾何学的特徴θ_ｍａｘの関係を示すグラフである。 本開示の電子写真感光体の各領域を示す図である。 本開示の電子写真感光体の電荷発生層および電荷輸送層の断面概念図である。

以下、好適な実施の形態を挙げて、本開示を詳細に説明する。
［電子写真感光体］
本開示の電子写真感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とを有することを特徴とする。
本開示の電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に円筒状支持体に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性および生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。

本開示の電子写真感光体は、図５に示すように、電子写真感光体の軸方向の中央位置と電子写真感光体の中央位置から一端までの長さの９０％に位置する９０％位置の間の領域を領域Ｘとし、９０％位置から電子写真感光体の一端までの領域を領域Ｚとする。領域Ｘをさらに５等分した領域を、中央位置から順にＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、およびＸ５とする。また、領域Ｚをさらに３等分した領域を、中央に近い順にＺ１、Ｚ２、Ｚ３とする。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３の領域のそれぞれにおける、電荷発生層の平均膜厚を、ＤｇＸ１、ＤｇＸ２、ＤｇＸ３、ＤｇＸ４、ＤｇＸ５、ＤｇＺ１、ＤｇＺ２、およびＤｇＺ３で表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３の領域のそれぞれにおける、電荷輸送層の平均膜厚をＤｔＸ１、ＤｔＸ２、ＤｔＸ３、ＤｔＸ４、ＤｔＸ５、ＤｔＺ１、ＤｔＺ２、およびＤｔＺ３で表す。

本開示の電子写真感光体では、電荷発生層の膜厚を、ＤｇＸ１＜ＤｇＸ２＜ＤｇＸ３＜ＤｇＸ４＜ＤｇＸ５を満たすように形成する。そのために、電荷発生層用塗布液の塗布方法を浸漬塗布とし、浸漬塗布の引き上げ速度の変化により、各領域の膜厚を制御することが好ましい。例えば感光体の軸方向の任意の１０点に対して各々引き上げ速度を設定し、浸漬塗布中に隣り合う２点の間の引き上げ速度を滑らかに変化させることで、各領域の膜厚の制御が達成できる。その際、引き上げ速度を設定する１０点は感光体の軸方向に等分されている必要はなく、むしろ、引き上げ速度の値が等分となるように引き上げ速度設定点を選ぶのが、電荷発生層の各領域の膜厚の制御の精度を高める観点から好ましい。

感光体の軸方向の光量分布を補正するためには、ＤｇＸ１＜ＤｇＸ２＜ＤｇＸ３＜ＤｇＸ４＜ＤｇＸ５を満たすことが必要である。しかし、領域Ｘの端部である領域Ｘ５の膜厚ＤｇＸ５を最大膜厚とするためには、感光体の軸方向のより端部側の領域Ｚ１の膜厚ＤｇＺ１をさらに厚い膜とすることが必要である。このことが事実上の制約ともなり、感光体の端部での帯電スジの発生が悪化する要因となっている。このように、ＤｇＸ５とＤｇＺ１の関係を、ＤｇＸ５＜ＤｇＺ１とすることで、良好に帯電スジの発生を抑制する電荷発生層の平均膜厚を得る事ができる。さらに、ＤｇＸ５とＤｇＺ１の関係が、ＤｇＸ５＊１．２＜ＤｇＺ１とすることで、より良好に帯電スジの発生を抑制する電荷発生層の平均膜厚を得ることができる。

さらに、感光体上の電位は、帯電電位が静電容量の観点で電荷輸送層の膜厚に影響を受ける。露光部電位は、電荷発生量の観点で電荷発生層の膜厚に、静電容量の観点で電荷輸送層の膜厚に影響を受ける。本開示では、上記のように電子写真装置の感光体の軸方向の光量分布に合わせ、電荷発生層の膜厚を調整することで、感光体の軸方向の電荷発生量を均一にしている。さらに、電荷発生層と合わせて電荷輸送層の膜厚を均一化することで、より表面電位が均一になり、出力画像の濃度均一性を向上させることができる。

また、発明者らは、電荷輸送層の端部の膜厚を薄くする境界として、数種類の評価装置を用いて検証した結果、中央位置から電子写真感光体の一端までの長さの９０％が適切であることを見出した。境界を９０％より端部側に設定すると端部で帯電スジの発生を抑えきれず、９０％より中央側に設定すると端部の画像濃度が薄くなってしまう。そのため、丁度９０％の位置を境界として電荷輸送層の端部の膜厚を薄くすることで、効果的に帯電スジの発生を抑制することができる。

以上のことから、本開示の電子写真感光体では、電荷輸送層の平均膜厚ＤｔＸ５、ＤｔＺ１、ＤｔＺ２、およびＤｔＺ３の関係が、ＤｔＸ５＊０．９＞ＤｔＺ１≧ＤｔＺ２≧ＤｔＺ３を満たすように電荷輸送層を形成することで、より効果的に端部での帯電スジの発生を抑制することができる。なお、ＤｔＺ１、ＤｔＺ２、およびＤｔＺ３の膜厚は０、すなわち領域Ｚに電荷輸送層は形成されていなくてもよい。

さらに、電荷輸送層の平均膜厚ＤｔＸ１、ＤｔＸ２、ＤｔＸ３、ＤｔＸ４、ＤｔＸ５の標準偏差を０．１以下とすることで、画像域の電位が均一になり、出力画像の濃度均一性を向上することができる。

［プロセスカートリッジ、電子写真装置］
本開示のプロセスカートリッジは、電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とする。

また、本開示の電子写真装置は、電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする。

図１に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ１１を有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
円筒状の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段３により、正または負の所定電位に帯電される。なお、図においては、ローラ型帯電部材によるローラ帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写される。トナー像が転写された転写材７は、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。電子写真装置は、転写後の電子写真感光体１の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段９を有していてもよい。また、クリーニング手段９を別途設けず、上記付着物を現像手段などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。電子写真装置は、電子写真感光体１の表面を、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本開示のプロセスカートリッジ１１を電子写真装置本体に着脱するために、レールなどの案内手段１２を設けてもよい。

本開示の電子写真感光体は、レーザビームプリンタ、ＬＥＤプリンタ、複写機、ファクシミリ、および、これらの複合機などに用いることができる。

図２に、本開示の電子写真感光体を備えた電子写真装置の露光手段についての概略構成の一例を示す。
レーザ走査手段であるレーザ走査装置２０４内のレーザ駆動部２０３は、画像信号生成部２０１から出力された画像信号、および制御部２０２から出力される制御信号に基づき、レーザ走査光を発する。不図示の帯電手段により帯電された電子写真感光体２０５をレーザ光で走査し、電子写真感光体２０５の表面に静電潜像を形成する。電子写真感光体２０５の表面に形成された静電潜像から得られたトナー像を有する転写材は、定着手段２０６へ搬送され、トナー像の定着処理を受けた後、電子写真装置の外へプリントアウトされる。

図３は、本開示の一態様に係る電子写真感光体を備えた電子写真装置のレーザ走査装置２０４の断面図である。
レーザ光源２０８から出射したレーザ光（光束）は、光学系を透過した後ポリゴンミラー（偏向器）２０９の偏向面（反射面）２０９ａにて反射され、結像レンズ２１０を透過して感光体表面の被走査面２１１に入射する。結像レンズ２１０は結像光学素子である。レーザ走査装置２０４においては、単一の結像光学素子（結像レンズ２１０）のみで結像光学系が構成されている。結像レンズ２１０を透過したレーザ光が入射する感光体表面の被走査面２１１上で結像し、所定のスポット状の像（スポット）を形成する。ポリゴンミラー２０９を不図示の駆動部により一定の角速度Ａ_０で回転させることにより、感光体表面の被走査面２１１上でスポットが感光体の軸方向に移動し、感光体表面の被走査面２１１上に静電潜像を形成する。

結像レンズ２１０は、所謂ｆθ特性を有していない。つまり、ポリゴンミラー２０９が一定の角速度Ａ_０で回転している時に、結像レンズ２１０を透過するレーザ光のスポットを被走査面２１１上で等速に移動させるような走査特性を有していない。このように、ｆθ特性を有していない結像レンズ２１０を用いることにより、結像レンズ２１０をポリゴンミラー２０９に近接して（距離Ｄ１が小さい位置に）配置することが可能となる。また、ｆθ特性を有していない結像レンズ２１０はｆθ特性を有する結像レンズよりも、幅ＬＷおよび厚みＬＴに関して小さくできる。このようなことから、レーザ走査装置２０４の小型化が可能となる。また、ｆθ特性を有するレンズの場合、レンズの入射面、出射面の形状に急峻な変化がある場合があり、そのような形状の制約がある場合、良好な結像性能を得られない可能性がある。これに対して、結像レンズ２１０はｆθ特性を有していないため、レンズの入射面、出射面の形状に急峻な変化が少なく、良好な結像性能を得ることができる。

このような、小型化や結像性能向上の効果が得られるｆθ特性を持たない結像レンズ２１０の走査特性は、以下の式（Ｅ３）で表される。

式（Ｅ３）では、ポリゴンミラー２０９による走査角度をθ、レーザ光の感光体表面の被走査面２１１上での感光体の軸方向の集光位置（像高）をＹ［ｍｍ］としている。また、軸上像高における結像係数をＫ［ｍｍ］、結像レンズ２１０の走査特性を決定する係数（走査特性係数）をＢとしている。なお、本開示において軸上像高は、光軸上の像高（Ｙ＝０＝Ｙ_ｍｉｎ）を指し、走査角度θ＝０に対応する。また、軸外像高は、中心光軸（走査角度θ＝０の時）よりも外側の像高（Ｙ≠０）を指し、走査角度θ≠０に対応している。さらに、最軸外像高とは、走査角度θが最大となる時の像高（Ｙ＝＋Ｙ’_ｍａｘ、－Ｙ’_ｍａｘ）を指す。なお、感光体表面の被走査面２１１上の潜像を形成可能な所定の領域（走査領域）の感光体の軸方向の幅である走査幅ＷはＷ＝｜＋Ｙ’_ｍａｘ｜＋｜－Ｙ’_ｍａｘ｜で表される。つまり、走査領域の中央位置が軸上像高で端位置が最軸外像高となる。また、走査領域は感光体の画像形成領域よりも大きい。

ここで、結像係数Ｋは、結像レンズ２１０がｆθ特性を有すると仮定した場合の走査特性（ｆθ特性）Ｙ＝ｆθにおけるｆに相当する係数である。すなわち、結像係数Ｋは、結像レンズ２１０に平行光以外の光束が入射する場合に、ｆθ特性と同様に集光位置Ｙと走査角度θとの関係式における比例係数である。

走査特性係数について補足すると、Ｂ＝０の時の式（Ｅ３）は、Ｙ＝Ｋθとなるため、従来の光走査装置に用いられる結像レンズの走査特性Ｙ＝ｆθに相当する。また、Ｂ＝１の時の式（Ｅ３）は、Ｙ＝Ｋ・ｔａｎθとなるため、撮像装置（カメラ）などに用いられるレンズの射影特性Ｙ＝ｆ・ｔａｎθに相当する。すなわち、式（Ｅ３）において、走査特性係数Ｂを０≦Ｂ≦１の範囲で設定することで、射影特性Ｙ＝ｆ・ｔａｎθと走査特性Ｙ＝ｆθとの間の走査特性を得ることができる。

ここで、式（Ｅ３）を走査角度θで微分すると、以下の式（Ｅ４）に示すように走査角度θに対する感光体表面の被走査面２１１上でのレーザ光の走査速度が得られる。

さらに、式（Ｅ４）を軸上像高における速度Ｙ／θ＝Ｋで除し、さらに両辺の逆数をとると、以下の式（Ｅ５）に示すようになる。

式（Ｅ５）は、軸上像高の走査速度の逆数に対する各軸外像高の走査速度の逆数の割合を表現したものである。レーザ光の全エネルギーは走査角度θに依らず一定であるから、感光体表面の被走査面２１１上におけるレーザ光の走査速度の逆数は、走査角度θの場所に照射される単位面積当たりのレーザ光量［μＪ／ｃｍ^２］に比例する。したがって式（Ｅ５）は、走査角度θ＝０における感光体表面の被走査面２１１へ照射される単位面積当たりのレーザ光量に対する、走査角度θ≠０における感光体表面の被走査面２１１へ照射される単位面積当たりのレーザ光量の割合を意味している。レーザ走査装置２０４は、Ｂ≠０の場合、軸上像高と軸外像高とで感光体表面の被走査面２１１へ照射される単位面積当たりのレーザ光量が異なることになる。

上記したようなレーザ光量の分布が感光体の軸方向に対して存在する場合、感光体の軸方向に感度分布を持つ本開示が好適に利用できる。すなわち、レーザ光量の分布をちょうど打ち消すような感度分布を本開示に係る構成によって実現すれば、感光体の軸方向の露光電位分布は均一となる。そのとき求められる感度の分布形状は、上式（Ｅ５）の逆数をとった以下の式（Ｅ６）で表される。

感光体の画像形成領域の端位置に対応する走査角度をθ＝θ_ｍａｘとすると、θ＝θ_ｍａｘにおける式（Ｅ６）の値は、上述のレーザ走査装置と本開示の一態様に係る感光体を組み合わせたときに感光体に求められる感度比ｒを意味する。ここで感度比ｒは、画像形成領域の中央位置の光電変換効率に対する画像形成領域の端位置の光電変換効率の割合である。この感度比ｒを定めれば、画像形成領域において感光体の軸方向に均一な露光電位分布を形成するために許容されるレーザ走査装置の幾何学的特徴θ_ｍａｘおよび光学系の走査特性係数Ｂが定まる。具体的には、以下の式（Ｅ７）の条件が満たされているとき、本開示の一態様に係る感光体の画像形成領域において感光体の軸方向に均一な露光電位分布を形成することが可能である。

式（Ｅ７）をθ_ｍａｘについて解くと、以下の式（Ｅ８）となる。

式（Ｅ８）をグラフ化したものを図４に示す。図４から分かるとおり、例えばｒ＝１．２の感光体と走査特性係数Ｂ＝０．５の結像レンズ２１０とを組み合わせた場合、θ_ｍａｘ＝４８°となるようレーザ走査装置２０４を設計すればよい。これにより、感光体の画像形成領域において露光電位分布を均一にすることができる。他方、例えばｒ＝１．１の感光体と走査特性係数Ｂ＝０．５の結像レンズ２１０とを組み合わせた場合を考える。この場合、θ_ｍａｘ＝４８°となるようレーザ走査装置２０４を設計すると、感光体の画像形成領域において露光電位分布に一部ムラが発生することになる。このときに感光体の画像形成領域において露光電位分布を均一にするためにはθ_ｍａｘ＝３５°が必要であり、この値はθ_ｍａｘ＝４８°よりも小さい。θ_ｍａｘが大きいほど、図３に示す偏向面２０９ａから感光体表面の被走査面２１１までの光路長Ｄ２が短くなるため、レーザ走査装置２０４の小型化が可能となる。したがって、感光体の軸方向の画像形成領域中央位置と画像形成領域端位置の感度比ｒを大きくするほど、感光体を用いたときにレーザビームプリンタを小型化することが可能となる。

以下に本開示の一態様に係る電子写真感光体を構成する円筒状支持体および各層について詳述する。

＜円筒状支持体＞
本開示において、電子写真感光体の円筒状支持体は導電性を有する導電性支持体であることが好ましい。また、支持体は、中実または中空である。また、円筒状支持体の表面に、陽極酸化などの電気化学的な処理や、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。
円筒状支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラスなどが好ましい。
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金などが挙げられる。中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製支持体であることが好ましい。
また、樹脂やガラスには、導電性材料を混合または被覆するなどの処理によって、導電性を付与してもよい。

＜導電層＞
本開示において、円筒状支持体の上に導電層を設けることが好ましい。導電層を設けることで、円筒状支持体の表面の傷や凹凸を隠蔽することができる。それに加え、円筒状支持体の表面における光の反射を制御することにより、感光体に入射して本開示の電荷発生層を通過してきた露光レーザが反射されて再び電荷発生層に入射したときの透過率を下げることができる。このため、導電層を設けない場合に比べて入射露光レーザの電荷発生層における光吸収率が向上し、電荷発生層の平均膜厚をより薄くできるので、より効果的に端部スジの発生を抑制することができる。
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。

導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物に元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。ドープする元素やその酸化物としては、リン、アルミニウム、ニオブ、タンタルなどが挙げられる。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズ、酸化チタンなどの金属酸化物が挙げられる。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などをさらに含有してもよい。

本開示の感光体の軸方向における感度分布をより効果的に得るという観点からは、導電層の膜厚は１０μｍより大きく、導電層が結着樹脂および金属酸化物微粒子を含有し、金属酸化物微粒子の平均直径が１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。金属酸化物微粒子の平均直径が１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であると、近年電子写真装置の露光光源として用いられるサブミクロンの波長領域のレーザが良く散乱される。また、導電層の膜厚が１０μｍより大きいと、感光体に入射してきたレーザ光が導電層を通過し、円筒状支持体で反射されて再び導電層を通過して電荷発生層に到達するまでに２０μｍ以上の距離を走ることになる。この距離は用いられる露光レーザの波長の２０倍以上であり、これだけの距離を散乱されながら進むレーザ光は、十分にそのコヒーレンシーを失う。そのため、反射して再び電荷発生層に入射してきたレーザ光の電荷発生層に対する透過率は低くなり、電荷発生層でよく吸収されるので、実質的に感光体の感度は向上する。以上のメカニズムにより、上述の導電層の構成とすることで、薄い電荷発生層の膜厚でも本開示の感度分布を効果的に得ることが可能となる。

また、上述のようにして本開示の感度分布を効果的に得ると同時に、本開示の電子写真感光体を用いたときの画像品位をさらに向上させるという観点からは、導電層に含有される金属酸化物微粒子が、酸化チタンを含有する芯材と、芯材を被覆し、かつ、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化チタンを含有する被覆層とを有することがより好ましい。酸化チタンは、被覆層として用いられることの多い酸化スズと比較して、より高い屈折率を有している。したがって、金属酸化物微粒子の芯材と被覆層が共に酸化チタンを含有している場合、感光体へ入射する露光レーザの電荷発生層を通過した後の導電層内への侵入が抑えられ、導電層の電荷発生層側の界面近傍で反射または散乱されやすくなる。導電層において、導電層の電荷発生層側の界面から離れた位置で露光レーザが散乱されれば散乱されるほど、電荷発生層への露光レーザの照射範囲が実質的に広がり、潜像の精細性が低下し、結果として出力画像の精細性が低下すると考えられる。前記構成の導電層を本開示の電荷発生層と組み合わせることで、露光レーザの散乱による感光体の実質的な感度上昇と、露光レーザの電荷発生層における照射範囲の実質的な広がりの防止が両立し、出力画像の精細性向上による画像品位のさらなる向上が可能である。

導電層は、上述の各材料および溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。

本開示における金属酸化物微粒子の平均粒径は、以下のようにして求めた。すなわち、日立製作所製の走査電子顕微鏡Ｓ－４８００を用いて測定対象の粒子を観察し、観察して得られた画像から粒子１００個の個々の粒径を測定し、それらの算術平均を算出して平均直径（平均一次粒径）とした。個々の粒径は、一次粒子の最長辺をａ、最短辺をｂとしたときの（ａ＋ｂ）／２とした。なお、針状の酸化チタン粒子または薄片状の酸化チタン粒子においては、長軸径と短軸径のそれぞれについて平均粒径を算出した。

＜下引き層＞
本開示において、円筒状支持体または導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。

下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。

重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素－炭素二重結合基などが挙げられる。

また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などをさらに含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが好ましい。
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。電子輸送物質として、重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミなどが挙げられる。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。

下引き層の平均膜厚は、０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、０．３μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

下引き層は、上述の各材料および溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥および／または硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

＜感光層＞
本開示の電子写真感光体の感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、を有する積層型感光層である。

（１）電荷発生層
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。

本開示において、電荷発生層は電荷発生物質として、特開２０００－１３７３４０号公報に記載の、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、または、特開２０００－１３７３４０号公報に記載の、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶、または、米国特許第９７２０３３７号公報に記載の、分光吸収スペクトルにおいて、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲および７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲にそれぞれ少なくとも１つのピークを有し、６４６ｎｍ以上６６８ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第１のピークとし、７８２ｎｍ以上８０９ｎｍ以下の波長範囲に存在するピークのうち最大の吸光度を示すピークを第２のピークとした際に、第１のピークの吸光度が、第２のピークの吸光度より大きいクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有する。

電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。

また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤をさらに含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることがより好ましい。

本開示の電荷発生層の平均膜厚は、以下のようにして測定した。
まず、本開示の円筒状の電子写真感光体の軸方向の中央位置と電子写真感光体の中央位置から一端までの長さの９０％に位置する９０％位置の間の領域を領域Ｘとし、９０％位置から電子写真感光体の前記一端までの間の領域を領域Ｚとする。領域Ｘを５等分した領域を、中央位置から順にＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、およびＸ５とし、領域Ｚを３等分した領域を、中央位置に近い順にＺ１、Ｚ２、およびＺ３とする。各々の領域をさらに軸方向に４等分、周方向に８等分して得られた３２区分について、各区分内の任意の測定点で膜厚を測定し、それらの平均値を、電荷発生層の各領域の平均膜厚とする。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３のそれぞれの領域における平均膜厚を、ＤｇＸ１、ＤｇＸ２、ＤｇＸ３、ＤｇＸ４、ＤｇＸ５、ＤｇＺ１、ＤｇＺ２、およびＤｇＺ３［ｎｍ］と定義する。

電荷発生層の膜厚分布は、電荷発生層の光の吸収係数をβ［ｎｍ^－１］としたとき、画像形成領域中央位置の電荷発生層の膜厚ｄ_０［μｍ］、および、Ｘ５とＺ１の境界位置の電荷発生層の膜厚ｄ_６［μｍ］とが式（Ｅ１）で示される関係を満たすことが好ましい。

ここで言う光の吸収係数βは、式（Ｅ９）で表されるランベルト・ベールの法則によって定義される。

ここで、Ｉ_０は膜厚ｄ［ｎｍ］の膜に入射してきた光の全エネルギー、Ｉは膜厚ｄ［ｎｍ］の膜が吸収した光のエネルギーである。また、ｄ_０およびｄ_６は、次のようにして定義される膜厚の平均値である。すなわち、まず画像形成領域中央位置および画像形成領域端位置それぞれの点を中心にして、軸方向にＹ_ｍａｘ／２０［ｍｍ］の幅を持ち、周方向に１周する領域を考える。このとき、それぞれの領域を軸方向に４等分、周方向に８等分して得られる３２の区分について、各区分内の任意の測定点で電荷発生層の膜厚を測定する。続いて、得られた測定値の平均値を各領域について求め、それぞれｄ_０およびｄ_６として定義する。

式（Ｅ９）から明らかな通り、式（Ｅ１）の左辺分子は画像形成領域端位置の軸方向端部の光吸収率を、左辺分母は画像形成領域端位置の軸方向中央部の光吸収率をそれぞれ表している。したがって式（Ｅ１）は、画像形成領域端位置が画像形成領域中央位置に対して１．２倍以上の光吸収率を有することを意味する。これにより、感光体の軸方向の画像形成領域において、少なくとも１．２倍の感度の差を設けることができるため、電子写真装置のレーザ走査系における光学系小型化によって発生する現実的な光量分布の偏差に柔軟に対応可能である。また、式（Ｅ１）において指数の肩に因子２がかかっているのは、電荷発生層を通過した露光レーザが感光体の支持体側で反射され、再び電荷発生層を通過するためである。

さらに、感光体の軸方向の画像形成領域中央位置からの距離をＹ［ｍｍ］、画像形成領域端位置のＹの値をＹ＝Ｙ_ｍａｘ［ｍｍ］、ｄ_６とｄ_０の差をΔ＝ｄ_６－ｄ_０としたとき、電荷発生層の膜厚分布は、０≦Ｙ≦Ｙ_ｍａｘの全てのＹについて、式（Ｅ２）で計算されるｄ（Ｙ）に対してｄ－０．２Δとｄ＋０．２Δの間にあることがより好ましい。

式（Ｅ２）中、Ｙは上述の像高Ｙと同一であり、Ｙ_ｍａｘは上述の最軸外像高Ｙ’_ｍａｘよりも小さい。

０≦Ｙ≦Ｙ_ｍａｘの全てのＹにおける電荷発生層の膜厚は以下のようにして測定する。すなわち、感光体の軸方向の画像形成領域中央位置からの距離がＹ［ｍｍ］である点を中心にして、感光体の軸方向にＹ_ｍａｘ／２０［ｍｍ］の幅を持ち、周方向に１周する領域を考えた時、その領域を軸方向に４等分、周方向に８等分した３２点の測定点で電荷発生層の膜厚を測定したときの平均値として、ｄ（Ｙ）を定義する。

式（Ｅ２）のような４次関数で表される膜厚分布を持つ電荷発生層を形成することで、式（Ｅ３）で表される特性を持つ光学系で露光レーザ走査されたときの感光体の軸方向の光量分布が適切に打ち消され、感光体の軸方向の露光電位分布をより高いレベルで均一にすることができることを、発明者らは見出した。以下では、そのメカニズムについて説明する。

上述した通り、式（Ｅ３）で表される特性を持つ光学系に対して露光電位分布を均一にするためには、式（Ｅ６）で表される感度分布形状を感光体が有していれば良い。本開示においては、感度は電荷発生層の膜厚からランベルト・ベールの法則によって計算される光電変換効率によって決定されるので、式（Ｅ１）の左辺においてｄ_５を０≦Ｙ≦Ｙ_ｍａｘの任意のＹにおける電荷発生層の膜厚ｄ（Ｙ）に変えたものが式（Ｅ６）の右辺と等しいとき、つまり式（Ｅ１０）が満たされるときに露光電位分布は均一となる。

三角関数公式１＋ｔａｎ^２（ｘ）＝１／ｃｏｓ^２（ｘ）を用い、式（Ｅ３）を式（Ｅ１０）に代入することで、式（Ｅ１０）は式（Ｅ１１）のように変形できる。

ここで、式（Ｅ１１）にＹ＝Ｙ_ｍａｘ、ｄ（Ｙ）＝ｄ_６を代入して変形すると、式（Ｅ１２）が得られる。

式（Ｅ１２）を式（Ｅ１１）に代入し、ｄ（Ｙ）について解くと、式（Ｅ１３）が得られる。

式（Ｅ１３）中、上述したようにΔ＝ｄ_６－ｄ_０と定義し、ｌｎ（・）は自然対数関数を表す。

式（Ｅ１３）で表される電荷発生層の膜厚分布ｄ（Ｙ）が、本開示において感光体の軸方向の露光電位分布をより高いレベルで均一にするために必要な膜厚分布の厳密解である。

本発明者らはさらに、式（Ｅ１３）を、Ｙ^２／Ｙ_ｍａｘ ^２および２βΔが小さいときに成り立つ場合の近似式で表すことを考えた。こうすることで、本開示に好適な電荷発生層の膜厚分布形状がより明確になるとともに、実際に浸漬塗布によって膜厚分布を形成することが容易になる。具体的には、ｌｎ（１－ｘ）およびｅ^－ｘのマクローリン展開を使って、式（Ｅ１３）を式（Ｅ１４）

のように変形し、（Ｙ^２／Ｙ_ｍａｘ ^２）について２次、および２βΔについて２次までを残すことによって、最終的な電荷発生層の膜厚分布を表す式（Ｅ２）が得られる。

電荷発生層は、上述の各材料および溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

電荷発生層の膜厚を電子写真感光体の状態から求めるには、電子写真感光体の電荷発生層をＦＩＢ法で取り出し、ＦＩＢ－ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗを行えばよい。ＦＩＢ－ＳＥＭのＳｌｉｃｅ＆Ｖｉｅｗによる断面ＳＥＭ観察画像から、電荷発生層の膜厚が得られる。また、より簡便に、電荷発生層の平均比重と重量から膜厚を求める方法も用いることができる。さらに簡便には、電子写真感光体のマクベス濃度と電荷発生層の膜厚との校正曲線を予め取得した上で、感光体の各点のマクベス濃度を測定して膜厚に換算する方法も用いることができる。

本開示では、感光体の表面に分光濃度計（商品名：Ｘ－Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ－Ｒｉｔｅ製）を押し当てて測定したマクベス濃度値と、断面ＳＥＭ画像観察による膜厚測定値から校正曲線を取得し、それを用いて感光体各点のマクベス濃度値を換算することで、電荷発生層の平均膜厚を精密かつ簡便に測定した。

本開示では、電荷発生物質ごとの光の吸収係数βを以下のようにして求めた。まず、電子写真感光体を、電荷発生層が表面に出るように加工する。例えば、溶剤などを用いて電荷発生層よりも上の層を剥離すればよい。そして、その状態での光反射率を測定する。続いて、電荷発生層も同様にして剥離し、電荷発生層の下層が表面に出た状態について、光反射率を測定する。こうして得た２種類の反射率を用いて、電荷発生層単層の光吸収率を算出する。一方で、上述の方法によって電荷発生層の膜厚を求める。以上の方法で得た光吸収率の自然対数値と膜厚のデータと、光吸収率１００％の自然対数値０と膜厚０の点とを直線で結ぶことによって、その傾きから吸収係数が得られる。

本開示の電子写真感光体に含有されるフタロシアニン顔料の粉末Ｘ線回折測定、および^１Ｈ－ＮＭＲ測定は、次の条件で行ったものである。

（粉末Ｘ線回折測定）
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ－ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
Ｘ線波長：Ｋα１
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度２θ：５．０°
ストップ角度２θ：３５．０°
ゴニオメータ：ロータ水平ゴニオメータ（ＴＴＲ－２）
アタッチメント：キャピラリ回転試料台
フィルター：なし
検出器：シンチレーションカウンター
インシデントモノクロメータ：使用する
スリット：可変スリット（平行ビーム法）
カウンターモノクロメータ：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放

（^１Ｈ－ＮＭＲ測定）
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥIII ５００
溶媒：重硫酸（Ｄ_２ＳＯ_４）
積算回数：２，０００

（２）電荷輸送層
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。

電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０～２０：１０が好ましく、５：１０～１２：１０がより好ましい。

また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。

電荷輸送層の平均膜厚は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

電荷輸送層は、上述の各材料および溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。

電荷輸送層の膜厚の測定は、以下のように行う。
まず、本開示の円筒状の電子写真感光体の軸方向の中央位置と電子写真感光体の中央位置から一端までの長さの９０％に位置する９０％位置の間の領域を領域Ｘとし、９０％位置から電子写真感光体の前記一端までの間の領域を領域Ｚとする。領域Ｘを５等分した領域を、中央位置から順にＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、およびＸ５とし、領域Ｚを３等分した領域を中央位置に近い順にＺ１、Ｚ２、およびＺ３とした。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３のそれぞれの領域における平均膜厚を、ＤｔＸ１、ＤｔＸ２、ＤｔＸ３、ＤｔＸ４、ＤｔＸ５、ＤｔＺ１、ＤｔＺ２、およびＤｔＺ３［μｍ］と定義する。膜厚は、感光体にレーザー干渉膜厚計のプローブを対向させ、軸方向に走査しながら、感光体を周方向に回転させ、軸方向、周方向共に、１ｍｍピッチの間隔で計測することで測定できる。得られた値を、定義したＤｔＸ１、ＤｔＸ２、ＤｔＸ３、ＤｔＸ４、ＤｔＸ５、ＤｔＺ１、ＤｔＺ２、およびＤｔＺ３の領域について平均化し、各領域の平均膜厚を求める。レーザー干渉膜厚計としては、例えば、株式会社キーエンス社製のレーザー干渉膜厚計ＳＩ－Ｔ８０を用いることができる。

本開示の電子写真感光体の電荷発生層と電荷輸送層の断面形状のイメージ図を図６に示す。図６では、支持体２２上に、直接電荷発生層２１が設けられているが、上記のように、支持体２２と電荷発生層２１の間には、導電層および／または下引き層が設けられていてもよい。電荷発生層２１は、光量分布の偏りを打ち消すように、感度分布を感光体軸方向に設けている。また、電荷輸送層２０は、端部に発生する放電スジ（言い換えると、帯電スジである。）を抑制するため、端部の膜厚が薄くなっている。

＜保護層＞
本開示において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。

保護層は、導電性粒子および／または電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。保護層が電荷輸送物質を有するとき、本開示において電荷輸送層の平均膜厚ＤｔＸ１、ＤｔＸ２、ＤｔＸ３、ＤｔＸ４、ＤｔＸ５、ＤｔＺ１、ＤｔＺ２、およびＤｔＺ３は、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３のそれぞれの領域における、電荷輸送層と保護層の平均膜厚の和である。この場合も、各領域の平均膜厚は、上記電荷輸送層の平均膜厚の求め方と同様に求めることができる。

導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。

電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。

また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。

保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。

保護層の平均膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。

保護層は、上述の各材料および溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥および／または硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。

以下、実施例および比較例を用いて本開示をさらに詳細に説明する。本開示は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。

［合成例１］
窒素フロー雰囲気下、オルトフタロニトリル５．４６部およびα－クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フロー雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を収率７１％で得た。

［合成例２］
前記合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で３０分間分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返した。最後にフリーズドライ（凍結乾燥）を行い、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を収率９７％で得た。

［合成例３］
前記合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ－０６Ｒ、日本バイオコン製、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ）を用いて以下のように乾燥させた。

上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスから取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０～１０．０ｋＰａに調整した。

先ず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０～１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程をさらに１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。さらに第３工程として、第２工程でのマイクロ波の出力を１．２ｋＷから０．８ｋＷに変更した以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程をさらに１回繰り返した（計２回）。さらに第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０～１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程をさらに７回繰り返した（計８回）。以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。

［合成例４］
前記合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１０部と、濃度３５質量％で温度２３℃の塩酸２００部を混合して、マグネティックスターラで９０分撹拌した。塩酸を混合した量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン１ｍｏｌに対して、塩化水素１１８ｍｏｌであった。撹拌後、氷水で冷却された１０００部のイオン交換水に滴下して、マグネティックスターラで３０分撹拌した。これを減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。その後、温度２３℃のイオン交換水で分散洗浄を４回行った。このようにしてクロロガリウムフタロシアニン顔料９部を得た。

［合成例５］
α－クロロナフタレン１００ｇ中、ｏ－フタロジニトリル５．０ｇ、四塩化チタン２．０ｇを２００℃にて３時間加熱攪拌した後、５０℃まで冷却して析出した結晶を濾別してジクロロチタニウムフタロシアニンのペーストを得た。次にこれを１００℃に加熱したＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１００ｍＬで攪拌洗浄し、次いで６０℃のメタノール１００ｍＬで２回洗浄を繰り返し濾別した。さらにこの得られたペーストを脱イオン水１００ｍＬ中８０℃で１時間攪拌し、濾別して青色のチタニルフタロシアニン顔料を４．３ｇ得た。

次にこの顔料を濃硫酸３０ｍＬに溶解させ２０℃の脱イオン水３００ｍＬ中に攪拌下で滴下して再析出し、濾過して十分に水洗した後、非晶質のチタニルフタロシアニン顔料を得た。この非晶質のチタニルフタロシアニン顔料４．０ｇをメタノール１００ｍＬ中で室温（２２℃）下、８時間懸濁攪拌処理し、濾別して減圧乾燥し、低結晶性のチタニルフタロシアニン顔料を得た。

［ミリング例１］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、ＮＢＣメッシュテック製、孔径：１３３μｍ）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４８部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°にピークを有する。

［ミリング例２］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１部、Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で８０時間、サンドミル（商品名：Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に４００回転する条件で行った。こうして処理した液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して０．９質量％であった。

［ミリング例３］
ミリング例２において、ミリング処理の時間を８０時間から１００時間に変更したこと以外はミリング例２と同様にして、ミリング例３のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して１．４質量％であった。

［ミリング例４］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して２．１質量％であった。

［ミリング例５］
ミリング例３において、ミリング処理の時間を１００時間から７時間に変更したこと以外はミリング例３と同様にして、ミリング例５のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して２．９質量％であった。

［ミリング例６］
ミリング例３において、ミリング処理の時間を１００時間から５時間に変更したこと以外はミリング例３と同様にして、ミリング例６のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけるＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して３．１質量％であった。

［ミリング例７］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１．０部、Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９．０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で４時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４４部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°および２８．２°±０．３°に強いピークを有する。^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内におけＮ－メチルホルムアミドの含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して３．９質量％であった。

［ミリング例８］
合成例５で得られたチタニルフタロシアニン顔料０．５部、テトラヒドロフラン１０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で４８時間、サンドミル（商品名：Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に５００回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にテトラヒドロフランを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をメタノールと水で十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、チタニルフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有する。

［ミリング例９］
合成例４で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）１０部を室温（２３℃）下で４時間、マグネティックスターラでミリング処理した。こうして処理した液からテトラヒドロフランを用いてクロロガリウムフタロシアニン顔料を取り出し、フィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン顔料を０．４６部得た。得られた顔料は前述した方法による分光吸収スペクトルにおいて、スペクトルが６５９ｎｍに第１のピークを持ち、かつ７９１ｎｍに第２のピークを持ち、さらに第２のピークの吸光度が第１のピークの吸光度の０．７９倍であった。

［ミリング例１０］
合成例４で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）１０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で４８時間、ペイントシェーカ（東洋精機製作所製）を用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用いた。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン顔料を０．４７部得た。得られた顔料は前述した方法による分光吸収スペクトルにおいて、スペクトルが６４３ｎｍに第１のピークを持ち、かつ７８９ｎｍに第２のピークを持ち、さらに第２のピークの吸光度が第１のピークの吸光度の０．７４倍であった。また、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θ±０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°にピークを有する。

［酸化チタン粒子の製造例１］
基体として、一次粒径の平均が２００ｎｍのアナターゼ型酸化チタンを使用し、チタンをＴｉＯ_２換算で３３．７部、ニオブをＮｂ_２Ｏ_５換算で２．９部含有するチタンニオブ硫酸溶液を調製した。基体１００部を純水に分散して１０００部の懸濁液とし、６０℃に加温した。チタンニオブ硫酸溶液と１０ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウムとを懸濁液のｐＨが２～３になるよう３時間かけて滴下した。全量滴下後、ｐＨを中性付近に調整し、ポリアクリルアミド系凝集剤を添加して固形分を沈降させた。上澄みを除去し、ろ過および洗浄し、１１０℃で乾燥し、凝集剤由来の有機物をＣ換算で０．１ｗｔ％含有する中間体を得た。この中間体を窒素中７５０℃で１時間焼成を行った後、空気中４５０℃で焼成して、酸化チタン粒子１を作製した。得られた粒子は前述の走査電子顕微鏡を用いた粒径測定方法において、平均粒径（平均一次粒径）２２０ｎｍであった。

［実施例１］
＜円筒状支持体＞
押し出し工程および引き抜き工程を含む製造方法により製造された、長さ２５７ｍｍ、直径２４ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ－Ａ３００３、アルミニウム合金）を円筒状支持体とした。

＜導電層＞
次に、結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ－３２５、ＤＩＣ製、樹脂固形分：６０％、硬化後の密度：１．３ｇ／ｃｍ^３）５０部を、溶剤としての１－メトキシ－２－プロパノール３５部に溶解させて溶液を得た。
この溶液に酸化チタン粒子の製造例１で得られた酸化チタン粒子１を７５部加え、これを分散媒体として平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズ１２０部を用いた縦型サンドミルに入れ、分散液温度２３±３℃、回転数１５００ｒｐｍ（周速５．５ｍ／ｓ）の条件で４時間分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液に、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ ＰＡＩＮＴ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、ダウ・東レ株式会社製）０．０１部、および、表面粗さ付与材としてシリコーン樹脂粒子（商品名：ＫＭＰ－５９０、信越化学工業製、平均粒径：２μｍ、密度：１．３ｇ／ｃｍ^３）８部を添加して攪拌し、ＰＴＦＥ濾紙（商品名：ＰＦ０６０、アドバンテック東洋製）を用いて加圧ろ過することによって、導電層用塗布液を調製した。このようにして調製した導電層用塗布液を、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下で上述の円筒状支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１７０℃で３０分間加熱し硬化させることにより、膜厚が２５μｍの導電層を形成した。

＜下引き層＞
次に、Ｎ－メトキシメチル化ナイロン６（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）２５部をメタノール／ｎ－ブタノール＝２／１混合溶液４８０部に溶解（６５℃での加熱溶解）させてなる溶液を冷却した。その後、溶液をメンブランフィルター（商品名：ＦＰ－０２２、孔径：０．２２μｍ、住友電気工業製）で濾過して、下引き層用塗布液を調製した。このようにして調製した下引き層用塗布液を上述の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１００℃で１０分間加熱乾燥することにより、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。

＜電荷発生層＞
次に、ミリング例８で得られたチタニルフタロシアニン顔料１２部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１３９部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ３５４部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（商品名：Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン３２６部および酢酸エチル４６５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

この電荷発生層用塗布液を上述の下引き層上に浸漬塗布して液面の支持体上端からの距離に応じて表１のようになるよう徐々に変化させた。そうして得た塗膜を１００℃で１０分加熱乾燥させることにより、表２に示す平均膜厚を持つ電荷発生層を形成した。電荷発生層の各領域の平均膜厚は、分光濃度計（商品名：Ｘ－Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ－Ｒｉｔｅ製）を用いて上記の方法で求めた。

＜電荷輸送層＞
次に、電荷輸送物質として、式（Ｂ１）で示されるトリアリールアミン化合物７０部、

式（Ｂ２）で示されるトリアリールアミン化合物１０部、

ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－２００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１００部をモノクロロベンゼン６３０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。このようにして調製した電荷輸送層用塗布液を上述の電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１２０℃で１時間加熱乾燥することにより、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成した。電荷輸送層の各領域の平均膜厚は、レーザー干渉膜厚計（商品名：ＳＩ－Ｔ８０、株式会社キーエンス社製）を用いて上記の方法で求めた。

以上のようにして、円筒状（ドラム状）の電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５とＤｔＺ１との差（ＤｔＸ５－ＤｔＺ１）およびＤｇＸ５とＤｇＺ１との差（ＤｇＺ１－ＤｇＸ５）、並びにＤｔＸ５に対するＤｔＺ１の比（ＤｔＺ１／ＤｔＸ５）およびＤｇＸ５に対するＤｇＺ１の比（ＤｇＺ１／ＤｇＸ５）を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。

［評価］
上記で作製した電子写真感光体について、以下の評価を行った。その結果を表２～４に示す。

＜評価装置＞
評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザビームプリンタ（商品名：Ｃｏｌｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｊｅｔ ＣＰ３５２５ｄｎ）を用意し、以下のように改造して用いた。
光学系の改造については、何も変更を加えないデフォルト機に加え、式（Ｅ８）における走査特性係数Ｂおよびレーザ走査装置の幾何学的特徴θ_ｍａｘが、（Ｂ＝０．５５，θ_ｍａｘ＝５５°）となるものを用意した。
また、前露光条件、帯電条件およびレーザ露光量は可変で作動するようにした。また、上記製造した電子写真感光体をシアン色用のプロセスカートリッジに装着して、シアン色用のプロセスカートリッジのステーションに取り付けた。他の色（マゼンタ、イエロー、ブラック）用のプロセスカートリッジをレーザビームプリンタ本体に装着しなくても作動するようにした。
画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみをレーザビームプリンタ本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。

＜ベタ画像濃度ムラの評価＞
実施例および比較例で製造した電子写真感光体を、常温常湿環境下（温度２３℃、相対湿度５０％）で上記のレーザビームプリンタに装着し、電子写真感光体の画像形成領域中央位置における初期暗部電位が－６００Ｖ、明部電位が－１５０Ｖとなるように前露光量、帯電器および露光量を設定した。電位設定の際の電子写真感光体の表面電位の測定には、プロセスカートリッジの現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ－８、トレック・ジャパン製）を装着したものを用い、電子写真感光体の画像形成領域中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン製）を使用して測定した。

上記条件に設定してベタ画像を出力し、そのベタ画像の目視評価を行って以下の基準でランク付けし、表４に「濃度均一性」として示した。ランクＡ～Ｃは、従来技術に対して濃度均一性の改善が確認でき、本開示の効果として許容できる範囲である。一方、ランクＤは従来技術と同等の結果であるため、本開示の効果としては許容できない。
Ａ：ベタ画像に濃度ムラが認められない。
Ｂ：ベタ画像に濃度ムラがほぼ認められない。
Ｃ：ベタ画像の端部付近の濃度が濃い、または薄いため濃度ムラがわずかに認められる。
Ｄ：ベタ画像の端部付近の濃度が極端に薄いため濃度ムラが明らかに認められる。

＜端部帯電スジ＞
実施例および比較例で製造した電子写真感光体を、常温常湿環境下（温度２３℃、相対湿度５０％）で上記のレーザビームプリンタに装着し、以下のように評価した。帯電電位を－６００Ｖに設定し、露光後の明部電位が－１５０Ｖとなるように調整した。また、現像電位が－４００Ｖとなるよう調整した。この設定で、Ａ４サイズの普通紙に対し、６００ｄｐｉの各画素を４０％の発光時間で点灯させ画像出力をおこなった。

次に、得られた評価用画像について、下記のようにランク付けをし、表４に「上端帯電横スジ」および「下端帯電横スジ」として示した。ランクＡ～Ｃは、従来技術に対して端部帯電スジの発生の抑制が確認でき、本開示の効果として許容できる範囲である。一方、ランクＤは従来技術と同等の結果であるため、本開示の効果としては許容できない。
Ａ：帯電スジが全く認められない。
Ｂ：部分的に帯電スジが判別できる。
Ｃ：全周に渡り帯電スジが確認できる。
Ｄ：全周に渡り、明確な帯電スジが確認できる。

［実施例２］
実施例１の電荷輸送層の形成において、浸漬塗布して塗膜を形成する際、塗布液に浸漬した円筒状支持体を塗布液から引き上げる速度において、上端および下端の速度をそれぞれ遅くすることで、両端の膜厚を薄くした。そして得られた塗膜を１３０℃で３０分加熱乾燥させることにより、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５－ＤｔＺ１およびＤｇＺ１－ＤｇＸ５、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。

［実施例３～８］
実施例１の電荷輸送層の形成において、浸漬塗布して塗膜を形成する際、塗布液に浸漬した円筒状支持体を塗布液から引き上げる速度において、上端および下端の速度をそれぞれ遅くすることで、両端の膜厚を薄くした。そして得られた塗膜を１３０℃で３０分加熱乾燥させることにより、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５－ＤｔＺ１およびＤｇＺ１－ＤｇＸ５、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。

［実施例９］
実施例７で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザビームプリンタ（商品名：Ｃｏｌｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｊｅｔ ＣＰ４５２５）を用意し、ドラム面光量が、実施例１と同様の分布となるように改造して用いた。

［実施例１０］
実施例７で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザビームプリンタ（商品名：Ｃｏｌｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｊｅｔ Ｍ６０９）を用意し、ドラム面光量が、実施例１と同様の分布となるように改造して用いた。

［実施例１１］
実施例７で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザビームプリンタ（商品名：Ｃｏｌｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｊｅｔ Ｍ５５２）を用意し、ドラム面光量が、実施例１と同様の分布となるように改造して用いた。

［実施例１２］
実施例１において、電荷発生層用塗布液の調製を以下のように変更し、また電荷発生層の浸漬塗布を上述の方法と同様にして表２に示す電荷発生層の平均膜厚となるよう変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例２０の電子写真感光体を作製した。

ミリング例９で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料３０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン２５３部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ６４３部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（商品名：Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン５９２部および酢酸エチル８４５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５－ＤｔＺ１およびＤｇＺ１－ＤｇＸ５、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。

［実施例１３］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料をミリング例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変更し、また浸漬塗布を実施例１と同様にして表２に示す電荷発生層の平均膜厚となるよう変更し、電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｇＺ１－ＤｇＸ５およびＤｇＸ５－ＤｇＺ１、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。

［実施例１４］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（商品名：Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン４４４部および酢酸エチル６３４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を用いる他は実施例１と同様にして、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５－ＤｔＺ１およびＤｇＸ５－ＤｇＺ１、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。

［実施例１５］
実施例１の電荷発生層の形成において、ミリング例１０で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料３０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン２５３部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ６４３部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（商品名：Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン５９２部および酢酸エチル８４５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を用いる他は実施例１と同様にして、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５－ＤｔＺ１およびＤｇＺ１－ＤｇＸ５、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。

［実施例１６］
実施例１の電荷発生層の形成において、式（Ｃ１）で示されるジスアゾ化合物２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）８部、シクロヘキサノン１７７部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（商品名：Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。この分散液にシクロヘキサノン４１４部および酢酸エチル５９２部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を用いる他は実施例１と同様にして、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５－ＤｔＺ１およびＤｇＺ１－ＤｇＸ５、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。

［参考例１］
実施例１の電荷輸送層の形成において、電荷輸送層の膜厚を評価する領域の区割りのみを変更し、電子写真感光体の中央位置と中央位置から電子写真感光体の軸方向における一端までの長さの８５％に位置する８５％位置の間の領域をＸとし、８５％位置から電子写真感光体の前記端までの領域をＺとした。すなわち、表２において、参考例１におけるＸ５とＺ１の境界位置は、電荷発生層では電子写真感光体の軸方向の中央位置から一端までの９０％の位置であるのに対し、電荷輸送層では電子写真感光体の軸方向の中央位置から一端までの８５％の位置である。電荷輸送層を浸漬塗布して塗膜を形成する際、塗布液に浸漬した円筒状支持体を塗布液から引き上げる速度を、上端および下端でそれぞれ変更し、中央側よりも両端側における電荷輸送層の膜厚をより薄くした。そして得られた塗膜を１３０℃で３０分加熱乾燥させることにより、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５－ＤｔＺ１およびＤｇＺ１－ＤｇＸ５、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。評価用の電子写真装置としては、実施例１と同様の装置を用いた。

［参考例２］
参考例１で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置としては、実施例９と同様の装置を用いた。

［参考例３］
参考例１で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置としては、実施例１０と同様の装置を用いた。

［参考例４］
参考例１で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置としては、実施例１１と同様の装置を用いた。

［参考例５］
実施例１の電荷輸送層の形成において、電荷輸送層の膜厚を評価する領域の区割りのみを変更し、電子写真感光体の中央位置と中央位置から電子写真感光体の軸方向における一端までの長さの９５％に位置する９５％位置の間の領域をＸとし、９５％位置から電子写真感光体の前記一端までの領域をＺとした。すなわち、表２において、参考例５におけるＸ５とＺ１の境界位置は、電荷発生層では電子写真感光体の軸方向の中央位置から一端までの９０％の位置であるのに対し、電荷輸送層では電子写真感光体の軸方向の中央位置から一端までの９５％の位置である。電荷輸送層を浸漬塗布して塗膜を形成する際、塗布液に浸漬した円筒状支持体を塗布液から引き上げる速度を、上端および下端でそれぞれ変更し、Ｘ５領域よりもＺ領域の膜厚を薄くした。そして得られた塗膜を１３０℃で３０分加熱乾燥させることにより、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を製造した。得られた電荷発生層および電荷輸送層の平均膜厚から、ＤｔＸ５－ＤｔＺ１およびＤｇＺ１－ＤｇＸ５、並びにＤｔＺ１／ＤｔＸ５およびＤｇＺ１／ＤｇＸ５を、電子写真感光体の上側および下側についてそれぞれ求めた値を表３に示す。評価用の電子写真装置としては、実施例１と同様の装置を用いた。

［参考例６］
参考例５で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置としては、実施例９と同様の装置を用いた。

［参考例７］
参考例５で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置としては、実施例１０と同様の装置を用いた。

［参考例８］
参考例５で製造した電子写真感光体を用い、評価用の電子写真装置としては、実施例１１と同様の装置を用いた。

［比較例１］
実施例１の電荷輸送層の形成において、浸漬塗布して塗膜を形成する際、塗布液に浸漬した円筒状支持体を塗布液から引き上げる速度を調整せず、略均一な膜厚分布となるように形成した。そして得られた塗膜を１３０℃で３０分加熱乾燥させることにより、表２に示す平均膜厚を持つ電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を製造した。

＜実施例２～１６、参考例１～８、および比較例１の電子写真感光体の評価＞
実施例１で製造した電子写真感光体と同様の方法で、実施例２～１６、参考例１～８、および比較例１で製造した電子写真感光体を用いて出力したベタ画像の濃度ムラおよび評価用画像の端部の帯電スジの評価を行った。結果を表４に示す。

参考例１～４のように、電荷輸送層のＸ領域を中央位置と中央位置から電子写真感光体の一端までの長さの８５％に位置する８５％位置の間の領域とした場合、画像形成領域で電荷輸送層の膜厚が減少しているため、表４に示すように、端部の濃度均一性が低下したと考えられる。一方、実施例１～１６および参考例５～８のように、電荷輸送層のＸ領域を中央位置と中央位置から電子写真感光体の一端までの長さの９０％に位置する９０％位置または９５％に位置する９５％位置の間の領域とした場合、画像形成領域で電荷輸送層の膜厚が一定となるため、濃度均一性が保たれたと考えられる。

また、参考例５～８のように、電荷輸送層のＸ領域を中央位置と中央位置から電子写真感光体の一端までの長さの９５％に位置する９５％位置の間の領域とした場合、電荷輸送層のＺ領域は端部側の５％の領域となり、Ｚ領域の電荷輸送層の膜厚を薄くしても、静電容量の変化が小さく十分ではなかったため、帯電横スジが生じたと考えられる。一方、実施例１～１６および参考例１～４のように、電荷輸送層のＸ領域を中央位置と中央位置から電子写真感光体の一端までの長さの９０％に位置する９０％位置または８５％に位置する８５％位置の間の領域とした場合、Ｚ領域の電荷輸送層の膜厚を薄くすることにより、十分に静電容量が大きくなったため、帯電横スジが生じなかったか、生じたとしても部分的に生じたものと考えられる。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
２０ 電荷輸送層
２１ 電荷発生層
２２ 支持体
２０１ 画像信号生成部
２０２ 制御部
２０３ レーザ駆動部
２０４ レーザ走査装置
２０５ 電子写真感光体
２０６ 定着手段
２０８ レーザ光源
２０９ ポリゴンミラー
２０９ａ 偏向面
２１０ 結像レンズ
２１１ 感光体表面の被走査面
Ａ_０ 角速度

Claims (6)

1. 円筒状支持体と、電荷発生層と、電荷輸送層と、をこの順に有する電子写真感光体であって、
   前記電子写真感光体の軸方向の中央位置と前記電子写真感光体の前記中央位置から一端までの長さの９０％に位置する９０％位置の間の領域を領域Ｘとし、前記９０％位置から前記電子写真感光体の前記一端までの間の領域を領域Ｚとしたとき、
   前記領域Ｘを５等分した領域を、前記中央位置から順にＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、およびＸ５とし、
   前記領域Ｚを３等分した領域を、前記中央位置に近い順にＺ１、Ｚ２、およびＺ３としたとき、
   前記Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３のそれぞれの領域における、前記電荷発生層の平均膜厚を、ＤｇＸ１、ＤｇＸ２、ＤｇＸ３、ＤｇＸ４、ＤｇＸ５、ＤｇＺ１、ＤｇＺ２、およびＤｇＺ３で表し、
   前記Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３のそれぞれの領域における、前記電荷輸送層の平均膜厚をＤｔＸ１、ＤｔＸ２、ＤｔＸ３、ＤｔＸ４、ＤｔＸ５、ＤｔＺ１、ＤｔＺ２、およびＤｔＺ３で表した場合、
   ＤｇＸ１＜ＤｇＸ２＜ＤｇＸ３＜ＤｇＸ４＜ＤｇＸ５、かつ
   ＤｔＸ５＞ＤｔＺ１、およびＤｇＸ５＜ＤｇＺ１、
   を満たす電子写真感光体。
2. 前記ＤｇＸ５と前記ＤｇＺ１が、ＤｇＸ５＊１．２＜ＤｇＺ１を満たす請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記ＤｔＸ５と前記ＤｔＺ１、前記ＤｔＺ２、および前記ＤｔＺ３が、ＤｔＸ５＊０．９＞ＤｔＺ１≧ＤｔＺ２≧ＤｔＺ３を満たす請求項１または２に記載の電子写真感光体。
4. 前記ＤｔＸ１、前記ＤｔＸ２、前記ＤｔＸ３、前記ＤｔＸ４、前記ＤｔＸ５の標準偏差が０．１以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
6. 請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。

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