JP2018117016A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018117016A5
JP2018117016A5 JP2017006002A JP2017006002A JP2018117016A5 JP 2018117016 A5 JP2018117016 A5 JP 2018117016A5 JP 2017006002 A JP2017006002 A JP 2017006002A JP 2017006002 A JP2017006002 A JP 2017006002A JP 2018117016 A5 JP2018117016 A5 JP 2018117016A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
interlayer insulating
semiconductor
contact hole
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017006002A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2018117016A (ja
JP6828449B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2017006002A priority Critical patent/JP6828449B2/ja
Priority claimed from JP2017006002A external-priority patent/JP6828449B2/ja
Priority to CN201880006937.6A priority patent/CN110235229B/zh
Priority to PCT/JP2018/001260 priority patent/WO2018135541A1/ja
Publication of JP2018117016A publication Critical patent/JP2018117016A/ja
Publication of JP2018117016A5 publication Critical patent/JP2018117016A5/ja
Priority to US16/511,345 priority patent/US10923395B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6828449B2 publication Critical patent/JP6828449B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2017006002A 2017-01-17 2017-01-17 半導体装置およびその製造方法 Active JP6828449B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017006002A JP6828449B2 (ja) 2017-01-17 2017-01-17 半導体装置およびその製造方法
CN201880006937.6A CN110235229B (zh) 2017-01-17 2018-01-17 半导体装置及其制造方法
PCT/JP2018/001260 WO2018135541A1 (ja) 2017-01-17 2018-01-17 半導体装置およびその製造方法
US16/511,345 US10923395B2 (en) 2017-01-17 2019-07-15 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017006002A JP6828449B2 (ja) 2017-01-17 2017-01-17 半導体装置およびその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018117016A JP2018117016A (ja) 2018-07-26
JP2018117016A5 true JP2018117016A5 (enExample) 2019-04-25
JP6828449B2 JP6828449B2 (ja) 2021-02-10

Family

ID=62908552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017006002A Active JP6828449B2 (ja) 2017-01-17 2017-01-17 半導体装置およびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10923395B2 (enExample)
JP (1) JP6828449B2 (enExample)
CN (1) CN110235229B (enExample)
WO (1) WO2018135541A1 (enExample)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6835241B2 (ja) * 2017-10-05 2021-02-24 富士電機株式会社 半導体装置
JPWO2020031971A1 (ja) * 2018-08-07 2021-08-10 ローム株式会社 ＳｉＣ半導体装置
DE112019004385T5 (de) 2018-08-10 2021-05-20 Rohm Co., Ltd. SiC-HALBLEITERVORRICHTUNG
US11621319B2 (en) 2018-08-10 2023-04-04 Rohm Co., Ltd. SiC semiconductor device
JP7188230B2 (ja) * 2019-03-28 2022-12-13 株式会社デンソー 半導体装置
JP7443673B2 (ja) * 2019-04-15 2024-03-06 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置
JP7081564B2 (ja) * 2019-04-24 2022-06-07 株式会社デンソー 半導体装置とその製造方法
JP7472435B2 (ja) * 2019-05-13 2024-04-23 富士電機株式会社 半導体モジュールの製造方法
JP7476502B2 (ja) 2019-09-06 2024-05-01 富士電機株式会社 半導体装置
JP7404722B2 (ja) * 2019-09-06 2023-12-26 富士電機株式会社 半導体装置
CN120709226A (zh) * 2019-09-30 2025-09-26 罗姆股份有限公司 半导体装置
JP7129397B2 (ja) * 2019-12-06 2022-09-01 ローム株式会社 ＳｉＣ半導体装置
JP7129436B2 (ja) * 2020-02-17 2022-09-01 ローム株式会社 ＳｉＣ半導体装置
JP7129437B2 (ja) * 2020-02-17 2022-09-01 ローム株式会社 ＳｉＣ半導体装置
CN119050153A (zh) * 2020-09-17 2024-11-29 罗姆股份有限公司 半导体装置
JP7697255B2 (ja) * 2021-04-27 2025-06-24 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
US12490451B2 (en) * 2022-03-02 2025-12-02 Semiconductor Components Industries, Llc Process of forming an electronic device including a component structure adjacent to a trench
CN114583013A (zh) * 2022-03-10 2022-06-03 常州时创能源股份有限公司 一种bsg去除方法
JP2024120450A (ja) 2023-02-24 2024-09-05 三菱電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2025052689A1 (ja) * 2023-09-04 2025-03-13 株式会社 東芝 半導体装置
CN119170507B (zh) * 2024-11-19 2025-03-21 芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司 一种半导体器件及其制造方法、电子装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0456222A (ja) * 1990-06-25 1992-02-24 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JPH0582781A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Nec Yamagata Ltd 半導体集積回路装置
JPH06177129A (ja) * 1992-12-09 1994-06-24 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2757782B2 (ja) * 1994-06-30 1998-05-25 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3543504B2 (ja) * 1996-08-06 2004-07-14 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002134607A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
DE112004003004T5 (de) * 2004-10-25 2007-10-25 Spansion Llc, Sunnyvale Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2007096263A (ja) 2005-08-31 2007-04-12 Denso Corp 炭化珪素半導体装置およびその製造方法。
KR100872981B1 (ko) * 2007-07-19 2008-12-08 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 제조방법
EP2091083A3 (en) 2008-02-13 2009-10-14 Denso Corporation Silicon carbide semiconductor device including a deep layer
JP2010165778A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP5813303B2 (ja) 2009-11-20 2015-11-17 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP5770892B2 (ja) * 2009-11-20 2015-08-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
KR101995682B1 (ko) * 2011-03-18 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013041919A (ja) 2011-08-12 2013-02-28 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP6245723B2 (ja) 2012-04-27 2017-12-13 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2014027076A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP6160477B2 (ja) * 2013-12-25 2017-07-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
WO2016080269A1 (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN106663692B (zh) 2015-02-03 2020-03-06 富士电机株式会社 半导体装置及其制造方法
JP6409681B2 (ja) 2015-05-29 2018-10-24 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018117016A5 (enExample)
JP2019054087A5 (enExample)
CN102468276B (zh) 功率半导体组件的终端结构及其制作方法
JP2019046908A5 (enExample)
JP2016039328A5 (enExample)
JP2019046909A5 (enExample)
JP2018046253A5 (enExample)
JP5583846B2 (ja) 半導体装置
JP2019080035A5 (enExample)
JP2017527099A5 (enExample)
TW201605019A (zh) 具有超接面結構的半導體元件及其製造方法
JP2018046053A5 (enExample)
JP2021145113A5 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、電源回路、及び、コンピュータ
JP2016115698A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP2017079330A5 (enExample)
JP2014078689A (ja) 電力用半導体装置、および、電力用半導体装置の製造方法
TWI446521B (zh) 功率元件之耐壓終止結構
JP2015056643A (ja) 半導体装置の製造方法
JPWO2014128914A1 (ja) 半導体装置
CN107046029B (zh) 静电放电保护结构及其形成方法
JP2016111084A (ja) 半導体装置とその製造方法
CN104900718B (zh) 一种肖特基二极管及其制造方法
CN103545381B (zh) 一种水平结构沟槽肖特基半导体装置及其制备方法
CN107492572B (zh) 半导体晶体管元件及其制作方法
JP6221922B2 (ja) 半導体装置の製造方法