JP2019046909A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019046909A5
JP2019046909A5 JP2017166883A JP2017166883A JP2019046909A5 JP 2019046909 A5 JP2019046909 A5 JP 2019046909A5 JP 2017166883 A JP2017166883 A JP 2017166883A JP 2017166883 A JP2017166883 A JP 2017166883A JP 2019046909 A5 JP2019046909 A5 JP 2019046909A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
source region
forming
silicon carbide
conductivity type
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017166883A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019046909A (ja
JP6740986B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017166883A external-priority patent/JP6740986B2/ja
Priority to JP2017166883A priority Critical patent/JP6740986B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to CN201880056697.0A priority patent/CN111149213B/zh
Priority to PCT/JP2018/032005 priority patent/WO2019044922A1/ja
Publication of JP2019046909A publication Critical patent/JP2019046909A/ja
Publication of JP2019046909A5 publication Critical patent/JP2019046909A5/ja
Priority to US16/802,754 priority patent/US11201216B2/en
Publication of JP6740986B2 publication Critical patent/JP6740986B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US17/510,913 priority patent/US11735654B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2017166883A 2017-08-31 2017-08-31 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 Active JP6740986B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017166883A JP6740986B2 (ja) 2017-08-31 2017-08-31 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
CN201880056697.0A CN111149213B (zh) 2017-08-31 2018-08-29 碳化硅半导体装置及其制造方法
PCT/JP2018/032005 WO2019044922A1 (ja) 2017-08-31 2018-08-29 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US16/802,754 US11201216B2 (en) 2017-08-31 2020-02-27 Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device
US17/510,913 US11735654B2 (en) 2017-08-31 2021-10-26 Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017166883A JP6740986B2 (ja) 2017-08-31 2017-08-31 炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019046909A JP2019046909A (ja) 2019-03-22
JP2019046909A5 true JP2019046909A5 (enExample) 2019-12-12
JP6740986B2 JP6740986B2 (ja) 2020-08-19

Family

ID=65527422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017166883A Active JP6740986B2 (ja) 2017-08-31 2017-08-31 炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11201216B2 (enExample)
JP (1) JP6740986B2 (enExample)
CN (1) CN111149213B (enExample)
WO (1) WO2019044922A1 (enExample)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7139596B2 (ja) * 2017-12-06 2022-09-21 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPWO2020004067A1 (ja) * 2018-06-25 2021-07-15 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置
JP7140148B2 (ja) * 2019-02-27 2022-09-21 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP7302286B2 (ja) * 2019-05-23 2023-07-04 富士電機株式会社 半導体装置
JP7272235B2 (ja) * 2019-10-30 2023-05-12 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP7451981B2 (ja) 2019-12-10 2024-03-19 富士電機株式会社 半導体装置
CN113497124B (zh) * 2020-04-07 2023-08-11 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其制造方法
US20230327014A1 (en) * 2020-10-14 2023-10-12 Hitachi Energy Switzerland Ag TRENCH SiC POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
JP7517206B2 (ja) * 2021-03-11 2024-07-17 株式会社デンソー 電界効果トランジスタ
JP7613670B2 (ja) 2021-03-19 2025-01-15 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
CN113964196B (zh) * 2021-10-20 2023-01-20 重庆平创半导体研究院有限责任公司 一种耗尽型功率半导体结构、串联结构和加工工艺
JP7746206B2 (ja) * 2022-03-23 2025-09-30 株式会社東芝 半導体装置
CN115117053A (zh) * 2022-07-06 2022-09-27 杭州电子科技大学 平面栅功率mosfet抗单粒子烧毁器件及制备方法
US20240055514A1 (en) * 2022-08-15 2024-02-15 Monolithic Power Systems, Inc. Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method
US20240055513A1 (en) * 2022-08-15 2024-02-15 Monolithic Power Systems, Inc. Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method
CN115799334B (zh) * 2022-11-01 2026-02-24 西安电子科技大学 一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件
CN117810265B (zh) * 2024-02-28 2024-05-14 湖北九峰山实验室 一种宽禁带半导体沟槽mosfet器件及其制造方法
CN120640744B (zh) * 2025-08-13 2025-11-18 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种自对准双栅极mosfet及其制造工艺

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6445037B1 (en) * 2000-09-28 2002-09-03 General Semiconductor, Inc. Trench DMOS transistor having lightly doped source structure
US6555872B1 (en) * 2000-11-22 2003-04-29 Thunderbird Technologies, Inc. Trench gate fermi-threshold field effect transistors
JP2002190595A (ja) * 2000-12-21 2002-07-05 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
US7638841B2 (en) 2003-05-20 2009-12-29 Fairchild Semiconductor Corporation Power semiconductor devices and methods of manufacture
JP4487655B2 (ja) * 2004-04-14 2010-06-23 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP2007005492A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Sanyo Electric Co Ltd 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
WO2009061340A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Cree, Inc. Power semiconductor devices with mesa structures and buffer layers including mesa steps
JP4877286B2 (ja) * 2008-07-08 2012-02-15 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP5525940B2 (ja) 2009-07-21 2014-06-18 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN102484069A (zh) * 2009-09-07 2012-05-30 罗姆股份有限公司 半导体装置及其制造方法
JP2012174989A (ja) 2011-02-23 2012-09-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US9520465B2 (en) * 2011-07-27 2016-12-13 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Diode, semiconductor device, and MOSFET
JP5812029B2 (ja) * 2012-06-13 2015-11-11 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP6146146B2 (ja) * 2013-06-07 2017-06-14 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2015056486A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
CN105593997A (zh) * 2013-10-04 2016-05-18 三菱电机株式会社 碳化硅半导体装置及其制造方法
KR20150078449A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 현대자동차주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2016063644A1 (ja) 2014-10-20 2016-04-28 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6063915B2 (ja) * 2014-12-12 2017-01-18 株式会社豊田中央研究所 逆導通ｉｇｂｔ
JP6659418B2 (ja) 2016-03-18 2020-03-04 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP2018182032A (ja) 2017-04-11 2018-11-15 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019046909A5 (enExample)
JP2019046908A5 (enExample)
CN107615492B (zh) 半导体装置及其制造方法
JP2020141130A5 (enExample)
JP5995518B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2018511184A5 (enExample)
CN101834203A (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
JP2013508981A5 (enExample)
JP2015201559A5 (enExample)
JP2019054087A5 (enExample)
JP2015126085A5 (enExample)
JP2018098324A5 (enExample)
JP2010114152A5 (enExample)
JP6853977B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2013042327A1 (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2015201559A (ja) 絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
JP2017504964A5 (enExample)
TW201448050A (zh) 半導體裝置的製造方法
JP6104743B2 (ja) ショットキーダイオードを内蔵するｆｅｔ
CN111326584B (zh) 碳化硅mosfet及其制备方法
CN111129108A (zh) 晶体管终端结构及其制造方法
JP5975543B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2012049466A5 (enExample)
CN104157572A (zh) 沟渠式功率半导体器件的制作方法
JP5880311B2 (ja) 炭化珪素半導体装置