JP2019046908A5 - - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 81
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 48
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 26
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 4
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017166882A JP6729523B2 (ja) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| PCT/JP2018/032004 WO2019044921A1 (ja) | 2017-08-31 | 2018-08-29 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| CN201880055698.3A CN111066152B (zh) | 2017-08-31 | 2018-08-29 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
| US16/776,821 US11063145B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-01-30 | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017166882A JP6729523B2 (ja) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019046908A JP2019046908A (ja) | 2019-03-22 |
| JP2019046908A5 true JP2019046908A5 (enExample) | 2019-11-28 |
| JP6729523B2 JP6729523B2 (ja) | 2020-07-22 |
Family
ID=65525716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017166882A Active JP6729523B2 (ja) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11063145B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6729523B2 (enExample) |
| CN (1) | CN111066152B (enExample) |
| WO (1) | WO2019044921A1 (enExample) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7180402B2 (ja) | 2019-01-21 | 2022-11-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7379880B2 (ja) * | 2019-06-21 | 2023-11-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP7425943B2 (ja) * | 2019-12-12 | 2024-02-01 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| JP7443924B2 (ja) | 2020-05-14 | 2024-03-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP7532921B2 (ja) | 2020-06-09 | 2024-08-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP7458257B2 (ja) | 2020-07-09 | 2024-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 |
| JP2022021181A (ja) | 2020-07-21 | 2022-02-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| KR102812224B1 (ko) * | 2021-03-03 | 2025-05-22 | 주식회사 디비하이텍 | 에피택셜층의 유효 두께 차등 구조를 가지는 슈퍼정션 반도체 소자 및 제조방법 |
| JP7476132B2 (ja) * | 2021-03-23 | 2024-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 |
| JP7521553B2 (ja) * | 2021-03-24 | 2024-07-24 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびそれを用いたインバータ回路、炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| WO2022202936A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびそれを用いたインバータ回路、炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP7582061B2 (ja) * | 2021-05-14 | 2024-11-13 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7593225B2 (ja) * | 2021-05-14 | 2024-12-03 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| JP7593235B2 (ja) * | 2021-05-28 | 2024-12-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7619168B2 (ja) * | 2021-06-01 | 2025-01-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7673513B2 (ja) * | 2021-06-15 | 2025-05-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7651403B2 (ja) | 2021-08-05 | 2025-03-26 | 株式会社デンソー | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
| JP7687171B2 (ja) * | 2021-09-28 | 2025-06-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP7704007B2 (ja) * | 2021-11-09 | 2025-07-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP7683466B2 (ja) * | 2021-11-17 | 2025-05-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP7717010B2 (ja) * | 2022-03-08 | 2025-08-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7757235B2 (ja) * | 2022-05-13 | 2025-10-21 | 株式会社デンソー | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2024025440A (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-26 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| WO2025052689A1 (ja) * | 2023-09-04 | 2025-03-13 | 株式会社 東芝 | 半導体装置 |
| CN118800806B (zh) * | 2024-09-11 | 2025-01-10 | 陕西半导体先导技术中心有限公司 | 一种带有突出p阱的umosfet器件及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5252813B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2013-07-31 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| CN100565879C (zh) * | 2008-01-08 | 2009-12-02 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 | 一种深沟槽大功率mos器件及其制造方法 |
| EP2091083A3 (en) | 2008-02-13 | 2009-10-14 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device including a deep layer |
| JP2009302436A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US8415671B2 (en) * | 2010-04-16 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices |
| JP5531787B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-06-25 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012169384A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-06 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP5728992B2 (ja) | 2011-02-11 | 2015-06-03 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP5812029B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2015-11-11 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| US8637922B1 (en) * | 2012-07-19 | 2014-01-28 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device |
| CN107768427A (zh) * | 2013-06-12 | 2018-03-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| JP2015072999A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| JP6237408B2 (ja) | 2014-03-28 | 2017-11-29 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
-
2017
- 2017-08-31 JP JP2017166882A patent/JP6729523B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-29 WO PCT/JP2018/032004 patent/WO2019044921A1/ja not_active Ceased
- 2018-08-29 CN CN201880055698.3A patent/CN111066152B/zh active Active
-
2020
- 2020-01-30 US US16/776,821 patent/US11063145B2/en active Active
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