JP2010267762A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010267762A5
JP2010267762A5 JP2009117333A JP2009117333A JP2010267762A5 JP 2010267762 A5 JP2010267762 A5 JP 2010267762A5 JP 2009117333 A JP2009117333 A JP 2009117333A JP 2009117333 A JP2009117333 A JP 2009117333A JP 2010267762 A5 JP2010267762 A5 JP 2010267762A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductivity type
region
type region
ion implantation
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009117333A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5473397B2 (ja
JP2010267762A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009117333A priority Critical patent/JP5473397B2/ja
Priority claimed from JP2009117333A external-priority patent/JP5473397B2/ja
Publication of JP2010267762A publication Critical patent/JP2010267762A/ja
Publication of JP2010267762A5 publication Critical patent/JP2010267762A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5473397B2 publication Critical patent/JP5473397B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2009117333A 2009-05-14 2009-05-14 半導体装置およびその製造方法 Active JP5473397B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009117333A JP5473397B2 (ja) 2009-05-14 2009-05-14 半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009117333A JP5473397B2 (ja) 2009-05-14 2009-05-14 半導体装置およびその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010267762A JP2010267762A (ja) 2010-11-25
JP2010267762A5 true JP2010267762A5 (enExample) 2011-12-22
JP5473397B2 JP5473397B2 (ja) 2014-04-16

Family

ID=43364498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009117333A Active JP5473397B2 (ja) 2009-05-14 2009-05-14 半導体装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5473397B2 (enExample)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9362392B2 (en) 2012-04-24 2016-06-07 Fuji Electric Co., Ltd. Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof
JP6283122B2 (ja) * 2014-11-26 2018-02-21 株式会社日立製作所 半導体スイッチング素子および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6479615B2 (ja) 2015-09-14 2019-03-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2017063079A (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US10374075B2 (en) 2015-11-12 2019-08-06 Mitsubishi Electric Corporation Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for the same
EP3176812A1 (en) 2015-12-02 2017-06-07 ABB Schweiz AG Semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device
JP6454447B2 (ja) 2015-12-02 2019-01-16 アーベーベー・シュバイツ・アーゲー 半導体装置の製造方法
JP7081087B2 (ja) * 2017-06-02 2022-06-07 富士電機株式会社 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法
JP6592119B2 (ja) * 2018-01-25 2019-10-16 株式会社日立製作所 半導体スイッチング素子および炭化珪素半導体装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3959856B2 (ja) * 1998-07-31 2007-08-15 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
JP2007019146A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Toshiba Corp 半導体素子
JP4627272B2 (ja) * 2006-03-09 2011-02-09 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2009302436A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Denso Corp 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP5405089B2 (ja) * 2008-11-20 2014-02-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010267762A5 (enExample)
KR102156130B1 (ko) 반도체 소자 형성 방법
JP6367760B2 (ja) 絶縁ゲート型スイッチング装置とその製造方法
CN102299180B (zh) 包含单元区和具有高击穿电压结构的外围区的半导体器件
JP6231422B2 (ja) 半導体装置
CN105849909B (zh) 半导体装置以及半导体装置的制造方法
US10446649B2 (en) Silicon carbide semiconductor device
US9640655B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US20150084123A1 (en) Semiconductor Device
JP6208612B2 (ja) 絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
TWI565059B (zh) Semiconductor device
JP2016506081A5 (enExample)
EP2755237A3 (en) Trench MOS gate semiconductor device and method of fabricating the same
KR20170034899A (ko) 스위칭 소자
JP5473397B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2016100466A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR101371495B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6305547B2 (ja) ＳｉＣトレンチトランジスタ及びその製造方法
US20170243971A1 (en) Semiconductor device
US20170012136A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5533202B2 (ja) 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法
JP2010267767A5 (enExample)
JP5473398B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2012160601A (ja) 半導体装置の製造方法
CN104319284A (zh) 一种半导体器件结构及其制造方法