JP2019080035A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019080035A5 JP2019080035A5 JP2018102702A JP2018102702A JP2019080035A5 JP 2019080035 A5 JP2019080035 A5 JP 2019080035A5 JP 2018102702 A JP2018102702 A JP 2018102702A JP 2018102702 A JP2018102702 A JP 2018102702A JP 2019080035 A5 JP2019080035 A5 JP 2019080035A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drift layer
- silicon carbide
- substrate
- insulating film
- conductive type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/039898 WO2019083017A1 (ja) | 2017-10-26 | 2018-10-26 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017207210 | 2017-10-26 | ||
| JP2017207210 | 2017-10-26 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019080035A JP2019080035A (ja) | 2019-05-23 |
| JP2019080035A5 true JP2019080035A5 (enExample) | 2021-01-21 |
| JP7102948B2 JP7102948B2 (ja) | 2022-07-20 |
Family
ID=66627996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018102702A Active JP7102948B2 (ja) | 2017-10-26 | 2018-05-29 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7102948B2 (enExample) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7443735B2 (ja) * | 2019-11-29 | 2024-03-06 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| WO2021152651A1 (ja) * | 2020-01-27 | 2021-08-05 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP7537099B2 (ja) | 2020-02-28 | 2024-08-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP7501000B2 (ja) * | 2020-03-03 | 2024-06-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP7582733B2 (ja) | 2020-12-15 | 2024-11-13 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素からなるトレンチゲート構造の縦型mosfet |
| JP7658117B2 (ja) * | 2021-03-05 | 2025-04-08 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP7614896B2 (ja) * | 2021-03-19 | 2025-01-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2022201719A1 (ja) * | 2021-03-22 | 2022-09-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7743732B2 (ja) | 2021-08-27 | 2025-09-25 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
| CN114883395B (zh) * | 2022-05-05 | 2023-04-25 | 电子科技大学 | 一种具有部分p型漂移区的igbt |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4832723B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2011-12-07 | 日本碍子株式会社 | 能動的高抵抗半導体層を有する半導体装置 |
| EP2720254B1 (en) * | 2011-06-08 | 2019-04-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing same |
| JP6183080B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2017-08-23 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| US10304939B2 (en) * | 2013-11-13 | 2019-05-28 | Mitsubishi Electric Corporation | SiC semiconductor device having pn junction interface and method for manufacturing the SiC semiconductor device |
| JP6402773B2 (ja) * | 2014-09-08 | 2018-10-10 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN115117054A (zh) * | 2016-01-20 | 2022-09-27 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
| JP6610768B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2019-11-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2018
- 2018-05-29 JP JP2018102702A patent/JP7102948B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019080035A5 (enExample) | ||
| US10121892B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP5353190B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| US10332990B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP6668798B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2018113470A5 (ja) | トレンチゲート型半導体装置の製造方法 | |
| JP2005507160A5 (enExample) | ||
| JP2018537859A5 (enExample) | ||
| TWI590449B (zh) | Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device, and method of designing the silicon carbide semiconductor device | |
| WO2017006711A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013058575A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5971218B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP6381101B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JP2023080193A (ja) | トレンチ型半導体装置の製造方法 | |
| JP2019062126A5 (enExample) | ||
| JP6514035B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN102760768A (zh) | 碳化硅半导体器件 | |
| JP2009272453A (ja) | トランジスタ、半導体装置及びその製造方法 | |
| WO2014128914A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5975543B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2018186233A5 (enExample) | ||
| JP2009146946A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100940643B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| US20170194433A1 (en) | Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device | |
| JP2002094061A5 (enExample) |