JP7102948B2 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

炭化珪素半導体装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7102948B2
JP7102948B2 JP2018102702A JP2018102702A JP7102948B2 JP 7102948 B2 JP7102948 B2 JP 7102948B2 JP 2018102702 A JP2018102702 A JP 2018102702A JP 2018102702 A JP2018102702 A JP 2018102702A JP 7102948 B2 JP7102948 B2 JP 7102948B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drift layer
substrate
type
silicon carbide
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018102702A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019080035A5 (enExample
JP2019080035A (ja
Inventor
周平 箕谷
秀幸 上東
克典 旦野
侑佑 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Denso Corp
Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp, Toyota Central R&D Labs Inc filed Critical Denso Corp
Priority to PCT/JP2018/039898 priority Critical patent/WO2019083017A1/ja
Publication of JP2019080035A publication Critical patent/JP2019080035A/ja
Publication of JP2019080035A5 publication Critical patent/JP2019080035A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7102948B2 publication Critical patent/JP7102948B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
JP2018102702A 2017-10-26 2018-05-29 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 Active JP7102948B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/039898 WO2019083017A1 (ja) 2017-10-26 2018-10-26 炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017207210 2017-10-26
JP2017207210 2017-10-26

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019080035A JP2019080035A (ja) 2019-05-23
JP2019080035A5 JP2019080035A5 (enExample) 2021-01-21
JP7102948B2 true JP7102948B2 (ja) 2022-07-20

Family

ID=66627996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018102702A Active JP7102948B2 (ja) 2017-10-26 2018-05-29 炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7102948B2 (enExample)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7443735B2 (ja) * 2019-11-29 2024-03-06 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
WO2021152651A1 (ja) * 2020-01-27 2021-08-05 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP7537099B2 (ja) 2020-02-28 2024-08-21 富士電機株式会社 半導体装置
JP7501000B2 (ja) * 2020-03-03 2024-06-18 富士電機株式会社 半導体装置
JP7582733B2 (ja) 2020-12-15 2024-11-13 富士電機株式会社 炭化珪素からなるトレンチゲート構造の縦型mosfet
JP7658117B2 (ja) * 2021-03-05 2025-04-08 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP7614896B2 (ja) * 2021-03-19 2025-01-16 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
WO2022201719A1 (ja) * 2021-03-22 2022-09-29 株式会社デンソー 半導体装置
JP7743732B2 (ja) 2021-08-27 2025-09-25 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置
CN114883395B (zh) * 2022-05-05 2023-04-25 电子科技大学 一种具有部分p型漂移区的igbt

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005285955A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Ngk Insulators Ltd 能動的高抵抗半導体層を有する半導体装置及びその製造方法
WO2012169022A1 (ja) 2011-06-08 2012-12-13 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
JP2015053427A (ja) 2013-09-09 2015-03-19 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
WO2015072210A1 (ja) 2013-11-13 2015-05-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
WO2016039071A1 (ja) 2014-09-08 2016-03-17 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2017126472A1 (ja) 2016-01-20 2017-07-27 ローム株式会社 半導体装置
WO2017146148A1 (ja) 2016-02-23 2017-08-31 富士電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005285955A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Ngk Insulators Ltd 能動的高抵抗半導体層を有する半導体装置及びその製造方法
WO2012169022A1 (ja) 2011-06-08 2012-12-13 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
JP2015053427A (ja) 2013-09-09 2015-03-19 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
WO2015072210A1 (ja) 2013-11-13 2015-05-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
WO2016039071A1 (ja) 2014-09-08 2016-03-17 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2017126472A1 (ja) 2016-01-20 2017-07-27 ローム株式会社 半導体装置
WO2017146148A1 (ja) 2016-02-23 2017-08-31 富士電機株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019080035A (ja) 2019-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7102948B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP7106881B2 (ja) 炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置
US10347735B2 (en) Semiconductor device with lifetime killers and method of manufacturing the same
JP6472776B2 (ja) 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6988175B2 (ja) 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6740986B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP5671779B2 (ja) エピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法
JP4046140B1 (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
CN104011865A (zh) 在GaN材料中制造浮置保护环的方法及系统
JPWO2017064948A1 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6651894B2 (ja) 化合物半導体装置およびその製造方法
JP2007535800A (ja) ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス
JP6658137B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2012243966A (ja) 半導体装置
KR20140112009A (ko) 탄화규소 반도체 장치의 제조방법
JP2012114104A (ja) 蓄積型絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ
US10516017B2 (en) Semiconductor device, and manufacturing method for same
JP2018116986A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5817204B2 (ja) 炭化珪素半導体装置
WO2012105170A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2019004010A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2018117061A1 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2019083017A1 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP6662092B2 (ja) 化合物半導体装置の製造方法
CN118380457A (zh) 二极管、内置二极管的场效应晶体管及二极管的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180628

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20201110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20201110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201201

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220620

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7102948

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250