JP2007535800A - ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス - Google Patents
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 209
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 207
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 29
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 12
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 9
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 238000005130 seeded sublimation method Methods 0.000 claims 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009377 nuclear transmutation Methods 0.000 abstract description 2
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/0455—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/6606—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/808—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a PN junction gate, e.g. PN homojunction gate
- H01L29/8083—Vertical transistors
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
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- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
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Abstract
Description
Claims (45)
- 10kV以上の定格ブロッキング電圧を有する炭化ケイ素MOSFETデバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上にp型炭化ケイ素ベース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域と共にp−n整流接合を画成するn型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、その中のトラップ密度を低下させるのに十分な温度でブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールするステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法または高温CVD成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内において一部のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記炭化ケイ素ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 高電圧炭化ケイ素デバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上にn型炭化ケイ素層およびp型炭化ケイ素層を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、その中において50ナノ秒を超過する固有少数キャリア寿命を実現するのに十分な温度でブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールするステップを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、前記炭化ケイ素ウエハを平坦化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法または高温CVD成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内において一部のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記炭化ケイ素ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法または高温CVD成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
前記炭化ケイ素ブールをソーイングして複数のブール成長炭化ケイ素ウエハをもたらすステップと、
熱中性子を前記複数のブール成長炭化ケイ素ウエハに照射するステップと
によって先行されることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 炭化ケイ素ダイオードを形成する方法であって、
その上に対向するC面およびSi面と、約100μmから約400μmの範囲の厚みとを有するn型ドリフト層を画成するために、その中に正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ウエハを平坦化するステップと、
前記n型ドリフト層の前記C面上にn+炭化ケイ素層を形成するステップと、
前記n型ドリフト層の前記Si面上にp+炭化ケイ素層を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記平坦化するステップは、前記ブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールしてその中のトラップ密度を低下させるステップによって先行されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記平坦化するステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法または高温CVD成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法であって、
その上に対向するC面およびSi面と、5kVを超過するブロッキング電圧をサポートするのに十分な厚みとを有するn型ドリフト層を画成するために、ブール成長炭化ケイ素ウエハを平坦化するステップを
含むことを特徴とする方法。 - 前記平坦化するステップは、前記ブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールして、その中のトラップ密度を低下させるステップによって先行されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記平坦化するステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール中の一部のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項15に記載の方法。 - その中に約2×1015cm−3未満である正味の第1の導電型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層と、
バイアス信号に応じて十分な量の少数キャリアを前記ドリフト層中に注入して、順方向オン状態動作モード中にその中の伝導度変調を引き起こす手段と
を備えることを特徴とする炭化ケイ素パワーデバイス。 - 少数キャリアを注入する前記手段は、前記炭化ケイ素ドリフト層に対する逆導電型の炭化ケイ素領域を備え、前記パワーデバイスは、PiNダイオード、BJT、GTOおよびIGBTからなる群から選択され、前記炭化ケイ素ドリフト層中の固有少数キャリア寿命は、約50ナノ秒よりも大きいことを特徴とする請求項17に記載のパワーデバイス。
- 前記ドリフト領域は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項17に記載のパワーデバイス。
- 前記ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項18に記載のパワーデバイス。
- 少数キャリアを注入する前記手段は、前記ドリフト層のSi−面上のp型炭化ケイ素エピ層を備えることを特徴とする請求項17に記載のパワーデバイス。
- 少数キャリアを注入する前記手段は、前記ドリフト層のSi−面上のp型炭化ケイ素エピ層を備えることを特徴とする請求項19に記載のパワーデバイス。
- 少数キャリアを注入する前記手段は、前記ドリフト層のSi−面内にp型炭化ケイ素注入領域を備えることを特徴とする請求項20に記載のパワーデバイス。
- その上に対向するC面およびSi面と、その中に正味の変換ドープされたリン濃度とを有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層と、
前記ドリフト層の前記C面上のn+炭化ケイ素エピ層と、
前記ドリフト層の前記Si面上のp+炭化ケイ素エピ層と
を備えることを特徴とするPiNダイオード。 - 前記ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項24に記載のダイオード。
- 前記ドリフト層は、その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有することを特徴とする請求項24に記載のダイオード。
- 前記ドリフト層は、その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有することを特徴とする請求項25に記載のダイオード。
- 正味n型伝導度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層と、
前記ドリフト層の第1の面上のn型炭化ケイ素エピ層と、
前記ドリフト層の第2の面上のp型炭化ケイ素エピ層と
を備えることを特徴とするPiNダイオード。 - 前記ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記ドリフト層は、その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有することを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 高電圧炭化ケイ素MOSFETデバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上に延びており、その中に前記炭化ケイ素ドリフト層に対して相対的により高いn型ドーパント濃度を有するn型炭化ケイ素エピ層を形成するステップと、
前記n型炭化ケイ素エピ層と共にp−n整流接合を画成するp型炭化ケイ素ベース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域と共にp−n整流接合を画成するn型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 10kV以上の定格ブロッキング電圧を有する炭化ケイ素JFETを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上にn型炭化ケイ素エピ層を形成するステップと、
前記n型炭化ケイ素エピ層中にn型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記n型炭化ケイ素エピ層上にp型炭化ケイ素ゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - n型炭化ケイ素エピ層を形成する前記ステップは、前記炭化ケイ素ドリフト層中にp型炭化ケイ素埋込み領域を形成するステップによって先行され、n型炭化ケイ素エピ層を形成する前記ステップは、前記p型炭化ケイ素埋込み領域と共にp−n整流接合を画成し、前記炭化ケイ素ドリフト層と共に非整流接合を画成するn型炭化ケイ素エピ層を形成するステップを含み、p型炭化ケイ素ゲート電極を形成する前記ステップは、前記p型炭化ケイ素埋込み領域の一部分に対向して延びるp型炭化ケイ素ゲート電極を形成するステップを含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 前記n型炭化ケイ素ソース領域および前記p型炭化ケイ素埋込み領域と抵抗接触するソース電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、その中のトラップ密度を低下させるのに十分に高い温度でブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールするステップを含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内においてシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項32に記載の方法。 - 前記炭化ケイ素ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 10kV以上の定格ブロッキング電圧を有する炭化ケイ素MOSFETデバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味の第1の導電型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上に第2の導電型炭化ケイ素ベース領域を形成するステップと、
前記第2の導電型炭化ケイ素ベース領域と共にp−n整流接合を画成する第1の導電型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記第2の導電型炭化ケイ素ベース領域上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、その中のトラップ密度を低下させるのに十分な温度でブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールするステップを含むことを特徴とする請求項38に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、前記炭化ケイ素ウエハを平坦化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内において一部のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項38に記載の方法。 - 前記炭化ケイ素ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項38に記載の方法。
- その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層と、
バイアス信号に応じて十分な量の少数キャリアを前記ドリフト層中に注入して、順方向オン状態動作モード中にその中の伝導度変調を引き起こす手段と
を備えることを特徴とする炭化ケイ素パワーデバイス。 - 10kV以上の定格ブロッキング電圧を有する炭化ケイ素デバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上にp型炭化ケイ素ベース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域と共にp−n整流接合を画成するn型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記デバイスは、MOSFETおよびIGBTからなる群から選択されることを特徴とする請求項44に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/686,795 | 2003-10-16 | ||
US10/686,795 US6974720B2 (en) | 2003-10-16 | 2003-10-16 | Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby |
PCT/US2004/031883 WO2005041305A1 (en) | 2003-10-16 | 2004-09-29 | Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012020732A Division JP5829934B2 (ja) | 2003-10-16 | 2012-02-02 | ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007535800A true JP2007535800A (ja) | 2007-12-06 |
JP5090740B2 JP5090740B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=34520801
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006535520A Active JP5090740B2 (ja) | 2003-10-16 | 2004-09-29 | ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法 |
JP2012020732A Active JP5829934B2 (ja) | 2003-10-16 | 2012-02-02 | ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012020732A Active JP5829934B2 (ja) | 2003-10-16 | 2012-02-02 | ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6974720B2 (ja) |
EP (1) | EP1683201B1 (ja) |
JP (2) | JP5090740B2 (ja) |
KR (1) | KR20070029633A (ja) |
CN (1) | CN100474612C (ja) |
CA (1) | CA2542704A1 (ja) |
TW (1) | TW200518356A (ja) |
WO (1) | WO2005041305A1 (ja) |
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-
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- 2004-09-29 KR KR1020067007285A patent/KR20070029633A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-09-29 EP EP04785228A patent/EP1683201B1/en active Active
- 2004-09-29 CN CNB2004800305610A patent/CN100474612C/zh active Active
- 2004-09-29 CA CA002542704A patent/CA2542704A1/en not_active Abandoned
- 2004-10-13 TW TW093130946A patent/TW200518356A/zh unknown
-
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- 2012-02-02 JP JP2012020732A patent/JP5829934B2/ja active Active
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JP2012134513A (ja) | 2012-07-12 |
EP1683201B1 (en) | 2013-01-09 |
TW200518356A (en) | 2005-06-01 |
CN1868066A (zh) | 2006-11-22 |
CA2542704A1 (en) | 2005-05-06 |
CN100474612C (zh) | 2009-04-01 |
JP5090740B2 (ja) | 2012-12-05 |
US6974720B2 (en) | 2005-12-13 |
JP5829934B2 (ja) | 2015-12-09 |
KR20070029633A (ko) | 2007-03-14 |
EP1683201A1 (en) | 2006-07-26 |
US20050082542A1 (en) | 2005-04-21 |
WO2005041305A1 (en) | 2005-05-06 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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