JP2012134513A - ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス - Google Patents
ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】高電圧炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法は、法外に高いコストのエピタキシャル成長された炭化ケイ素層の代わりに、高純度炭化ケイ素ウエハ材料から得られる高純度炭化ケイ素ドリフト層を利用している。本方法は、約100μmより厚い厚みを有するドリフト層を使用して10kVを超えるブロッキング電圧をサポートすることができる少数キャリアパワーデバイスと多数キャリアパワーデバイスの両方を形成することを含んでいる。これらのドリフト層は、その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層として形成される。このn型ドーパント濃度は、中性子変換ドーピング(NTD)技法を使用して実現することができる。
【選択図】図1
Description
本発明のさらに他の実施形態によれば、炭化ケイ素JFET(junction field effect transistor 接合電界効果トランジスタ)は、内部に約2×1014cm−3から約2×1015cm−3の範囲の正味のn型ドーパント濃度を有する4Hブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成し、次いで炭化ケイ素ドリフト層のSi−面上にn型炭化ケイ素エピ層を形成することによって、形成することができる。このn型エピ層は、JFETのチャネル領域として動作する。n型炭化ケイ素ソース領域は、n型炭化ケイ素エピ層の上または内部に形成される。n型ソース領域は、n型エピ層よりも高濃度にドープされ、n型エピ層は、n型ドリフト層よりも高濃度にドープされる。p型炭化ケイ素ゲート電極は、n型炭化ケイ素エピ層上に形成され、その結果、p−n整流接合が、これらの間に画成される。逆バイアスされる場合に、このp−n整流接合は、n型エピ層の多数キャリアを空乏化させ、n型ソース領域とn型ドリフト層の間の順方向オン状態導電性パスを遮断するように動作する。順方向オン状態導電性パスは、p型炭化ケイ素埋込み領域中の開口部を介して延びることができ、p型炭化ケイ素埋込み領域は、n型エピ層とn型ドリフト層の間に延在する。特に、p型炭化ケイ素埋込み領域は、n型エピ層を形成するのに先立ってドリフト層のSi−面に隣接して形成することができる。
Claims (45)
- 10kV以上の定格ブロッキング電圧を有する炭化ケイ素MOSFETデバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上にp型炭化ケイ素ベース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域と共にp−n整流接合を画成するn型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、その中のトラップ密度を低下させるのに十分な温度でブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールするステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法または高温CVD成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内において一部のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記炭化ケイ素ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 高電圧炭化ケイ素デバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上にn型炭化ケイ素層およびp型炭化ケイ素層を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、その中において50ナノ秒を超過する固有少数キャリア寿命を実現するのに十分な温度でブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールするステップを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、前記炭化ケイ素ウエハを平坦化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法または高温CVD成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内において一部のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記炭化ケイ素ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法または高温CVD成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
前記炭化ケイ素ブールをソーイングして複数のブール成長炭化ケイ素ウエハをもたらすステップと、
熱中性子を前記複数のブール成長炭化ケイ素ウエハに照射するステップと
によって先行されることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 炭化ケイ素ダイオードを形成する方法であって、
その上に対向するC面およびSi面と、約100μmから約400μmの範囲の厚みとを有するn型ドリフト層を画成するために、その中に正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ウエハを平坦化するステップと、
前記n型ドリフト層の前記C面上にn+炭化ケイ素層を形成するステップと、
前記n型ドリフト層の前記Si面上にp+炭化ケイ素層を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記平坦化するステップは、前記ブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールしてその中のトラップ密度を低下させるステップによって先行されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記平坦化するステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法または高温CVD成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法であって、
その上に対向するC面およびSi面と、5kVを超過するブロッキング電圧をサポートするのに十分な厚みとを有するn型ドリフト層を画成するために、ブール成長炭化ケイ素ウエハを平坦化するステップを
含むことを特徴とする方法。 - 前記平坦化するステップは、前記ブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールして、その中のトラップ密度を低下させるステップによって先行されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記平坦化するステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール中の一部のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項15に記載の方法。 - その中に約2×1015cm−3未満である正味の第1の導電型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層と、
バイアス信号に応じて十分な量の少数キャリアを前記ドリフト層中に注入して、順方向オン状態動作モード中にその中の伝導度変調を引き起こす手段と
を備えることを特徴とする炭化ケイ素パワーデバイス。 - 少数キャリアを注入する前記手段は、前記炭化ケイ素ドリフト層に対する逆導電型の炭化ケイ素領域を備え、前記パワーデバイスは、PiNダイオード、BJT、GTOおよびIGBTからなる群から選択され、前記炭化ケイ素ドリフト層中の固有少数キャリア寿命は、約50ナノ秒よりも大きいことを特徴とする請求項17に記載のパワーデバイス。
- 前記ドリフト領域は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項17に記載のパワーデバイス。
- 前記ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項18に記載のパワーデバイス。
- 少数キャリアを注入する前記手段は、前記ドリフト層のSi−面上のp型炭化ケイ素エピ層を備えることを特徴とする請求項17に記載のパワーデバイス。
- 少数キャリアを注入する前記手段は、前記ドリフト層のSi−面上のp型炭化ケイ素エピ層を備えることを特徴とする請求項19に記載のパワーデバイス。
- 少数キャリアを注入する前記手段は、前記ドリフト層のSi−面内にp型炭化ケイ素注入領域を備えることを特徴とする請求項20に記載のパワーデバイス。
- その上に対向するC面およびSi面と、その中に正味の変換ドープされたリン濃度とを有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層と、
前記ドリフト層の前記C面上のn+炭化ケイ素エピ層と、
前記ドリフト層の前記Si面上のp+炭化ケイ素エピ層と
を備えることを特徴とするPiNダイオード。 - 前記ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項24に記載のダイオード。
- 前記ドリフト層は、その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有することを特徴とする請求項24に記載のダイオード。
- 前記ドリフト層は、その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有することを特徴とする請求項25に記載のダイオード。
- 正味n型伝導度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層と、
前記ドリフト層の第1の面上のn型炭化ケイ素エピ層と、
前記ドリフト層の第2の面上のp型炭化ケイ素エピ層と
を備えることを特徴とするPiNダイオード。 - 前記ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記ドリフト層は、その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有することを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 高電圧炭化ケイ素MOSFETデバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上に延びており、その中に前記炭化ケイ素ドリフト層に対して相対的により高いn型ドーパント濃度を有するn型炭化ケイ素エピ層を形成するステップと、
前記n型炭化ケイ素エピ層と共にp−n整流接合を画成するp型炭化ケイ素ベース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域と共にp−n整流接合を画成するn型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 10kV以上の定格ブロッキング電圧を有する炭化ケイ素JFETを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上にn型炭化ケイ素エピ層を形成するステップと、
前記n型炭化ケイ素エピ層中にn型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記n型炭化ケイ素エピ層上にp型炭化ケイ素ゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - n型炭化ケイ素エピ層を形成する前記ステップは、前記炭化ケイ素ドリフト層中にp型炭化ケイ素埋込み領域を形成するステップによって先行され、n型炭化ケイ素エピ層を形成する前記ステップは、前記p型炭化ケイ素埋込み領域と共にp−n整流接合を画成し、前記炭化ケイ素ドリフト層と共に非整流接合を画成するn型炭化ケイ素エピ層を形成するステップを含み、p型炭化ケイ素ゲート電極を形成する前記ステップは、前記p型炭化ケイ素埋込み領域の一部分に対向して延びるp型炭化ケイ素ゲート電極を形成するステップを含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 前記n型炭化ケイ素ソース領域および前記p型炭化ケイ素埋込み領域と抵抗接触するソース電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、その中のトラップ密度を低下させるのに十分に高い温度でブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールするステップを含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内においてシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項32に記載の方法。 - 前記炭化ケイ素ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 10kV以上の定格ブロッキング電圧を有する炭化ケイ素MOSFETデバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味の第1の導電型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上に第2の導電型炭化ケイ素ベース領域を形成するステップと、
前記第2の導電型炭化ケイ素ベース領域と共にp−n整流接合を画成する第1の導電型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記第2の導電型炭化ケイ素ベース領域上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、その中のトラップ密度を低下させるのに十分な温度でブール成長炭化ケイ素ウエハをアニールするステップを含むことを特徴とする請求項38に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、前記炭化ケイ素ウエハを平坦化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
- 炭化ケイ素ドリフト層を形成する前記ステップは、
種結晶を用いた昇華成長技法を使用して炭化ケイ素ブールを形成するステップと、
十分なフルエンスの熱中性子を前記炭化ケイ素ブールに照射して、それによって前記炭化ケイ素ブール内において一部のシリコン原子をリン原子に変えるステップと
によって先行されることを特徴とする請求項38に記載の方法。 - 前記炭化ケイ素ドリフト層は、約100μmから約400μmの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項38に記載の方法。
- その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層と、
バイアス信号に応じて十分な量の少数キャリアを前記ドリフト層中に注入して、順方向オン状態動作モード中にその中の伝導度変調を引き起こす手段と
を備えることを特徴とする炭化ケイ素パワーデバイス。 - 10kV以上の定格ブロッキング電圧を有する炭化ケイ素デバイスを形成する方法であって、
その中に約2×1015cm−3未満である正味n型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層を形成するステップと、
前記炭化ケイ素ドリフト層上にp型炭化ケイ素ベース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域と共にp−n整流接合を画成するn型炭化ケイ素ソース領域を形成するステップと、
前記p型炭化ケイ素ベース領域上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記デバイスは、MOSFETおよびIGBTからなる群から選択されることを特徴とする請求項44に記載の方法。
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