JP2017187791A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 140
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 53
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 16
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229920003259 poly(silylenemethylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
第1のテーブルが、該第1のテーブルをパターンの付与された放射ビームの経路内及び経路外へ移動させるように構成された第1の位置決めシステムに接続されて、基板を保持するように構成されており、
第2のテーブルが、第1のテーブルをパターンの付与された放射ビームの経路外へ移動させる際に、該第2のテーブルをパターンの付与された放射ビームの経路内に位置決めするように構成された第2の位置決めシステムに接続されて、基板を保持するようには構成されていない位置決め装置が提供される。
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターンの付与されたビームを基板に投影するように構成された投影システムと、
基板テーブルに接続され、基板テーブルをパターンの付与された放射ビームの経路内及び経路外へ移動させるように構成された第1の位置決めシステムと、
基板を保持するようには構成されておらず、パターンの付与された放射ビームの特性を検知するように構成されたセンサを有するセンサ・テーブルと、
第1のテーブルをパターンの付与された放射ビームの経路外へ移動させる際に、センサ・テーブルをパターンの付与された放射ビームの経路内に位置決めするように構成された第2の位置決めシステムとを有するリソグラフィ装置が提供される。
パターンの付与された放射ビームを、テーブルに保持された基板に投影する段階と、
テーブルをパターンの付与された放射ビームの経路外へ移動させる段階と、
センサをパターンの付与された放射ビームの経路内へ移動させる段階およびビームの特性を測定する段階とを含み、
センサを移動させる段階および特性を測定する段階が、少なくとも部分的に、テーブルを移動させる段階と同時に行われるデバイス製造方法が提供される。
放射ビームPB(例えば、UV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明系(照明器)ILと、
パターン形成装置(例えばマスク)MAを支持するように構成された支持構造体(例えばマスク・テーブル)MTであって、あるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造体MTと、
基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを保持するように構成された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTであって、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブルWTと、
パターン形成装置MAによって放射ビームPBに与えられたパターンを、基板Wの(例えば1つ又は複数のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ系)PLとを有している。
(1)ステップ・モードでは、放射ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する間、支持構造体MT及び基板テーブルWTを本質的に静止した状態に保つ(すなわち、ただ1回の静止露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTをX及び/又はY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光場(露光フィールド)の最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、支持構造体MT及び基板テーブルWTを同期して走査する(すなわち、ただ1回の動的露光)。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)率、及び像の反転特性によって決定できる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながら支持構造体MTを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTを移動又は走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、又は走査中の連続する放射パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及した種類のプログラム可能ミラー配列などの、プログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用できる。
WT 基板テーブル
IN 入口
OUT 出口
10 貯水部
12 液体閉じ込め構造体
14 出口
15 入口
16 ガス・シール
AS 位置調整用センサ
CS 制御装置
ES 露光ステーション
IH 液体閉じ込め構造体
LS 水準センサ
MS 測定ステーション
SM スキャタロメータ
W1、W2 基板
WT1、WT2 基板テーブル
20 第3のステージ
21 第3のテーブル
22、23 位置決めシステム
24 センサ・ユニット
Claims (14)
- 放射ビームを露光ステーションで基板に投影する投影システムと、
基板を支持する第1のテーブルと、
基板を支持するようには構成されていない第2のテーブルであって、前記投影システムからの放射ビームの特性を検知するように構成されたセンサ・ユニットを備える第2のテーブルと、
前記投影システムと、前記基板、前記第1のテーブル、及び/または前記第2のテーブルと、の間の空間に液体を供給する液体供給システムと、
前記露光ステーションと異なる測定ステーションにあるセンサシステムであって、前記第1のテーブル上の前記基板の高さを測定し、及び/または、前記第1のテーブル上の前記基板のアライメントマーカの位置を測定するセンサシステムと、
前記放射ビームの経路内への該経路外からの前記第2のテーブルの位置決めを前記経路外への前記第1のテーブルの移動と同期して制御する制御装置と、を備え、
前記液体供給システムは、前記空間に前記液体を閉じ込めるよう前記空間を包囲する液体閉じ込め構造体を備え、前記液体閉じ込め構造体の底部が前記投影システムの最終要素の下に位置することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記制御装置は、前記経路内から該経路外の位置への前記第2のテーブルの位置決めを前記経路内への前記第1のテーブルの移動と同期して制御することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御装置は、前記第2のテーブルの位置決めを前記測定ステーションと反対側にて制御することを特徴とする請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体閉じ込め構造体は、前記液体閉じ込め構造体の内側に前記液体のリザーバが形成されるよう構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体閉じ込め構造体は、前記投影システムの光軸の方向に移動可能であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2のテーブルは、前記第1のテーブルが前記投影システム下方で取り除かれるときに前記液体がリソグラフィ装置の他の部分に漏出することを防ぐように前記液体閉じ込め構造体の底部に閉じ込め面を形成するよう構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記センサ・ユニットが前記閉じ込め面の少なくとも一部を形成することを特徴とする請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記空間に前記液体を閉じ込めるように、前記液体閉じ込め構造体の底部と、前記基板、前記第1のテーブル、及び/または前記第2のテーブルの表面と、の間に非接触シールが形成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体閉じ込め構造体は、内側周縁を有しており、その上端が前記投影システムの形に厳密に一致することを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記センサ・ユニットは、エネルギー・センサ、偏光センサ、透過イメージ・センサ、またはシヤリング干渉計センサをさらに備えることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記センサ・ユニットによる所望される測定に基板交換より長い時間がかかる場合に、当該測定は複数の部分に分割され、複数の基板交換段階の間に実施されることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2のテーブルには清浄装置が取り付けられていることを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記清浄装置は、前記投影システムを清浄するよう構成されていることを特徴とする請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームを基板に投影する投影システムと、
基板を支持する第1のテーブルと、
基板を支持するようには構成されていない第2のテーブルであって、前記投影システムからの放射ビームの特性を検知するように構成されたセンサ・ユニットを備える第2のテーブルと、
前記投影システムと、前記基板、前記第1のテーブル、及び/または前記第2のテーブルと、の間の空間に液体を供給する液体供給システムと、
前記第1のテーブル上の前記基板の高さを測定するセンサシステムと、
前記放射ビームの経路内への該経路外からの前記第2のテーブルの位置決めを前記経路外への前記第1のテーブルの移動と同期して制御する制御装置と、を備え、
前記液体供給システムは、前記空間に前記液体を閉じ込めるよう前記空間を包囲する液体閉じ込め構造体を備え、前記液体閉じ込め構造体の底部が前記投影システムの最終要素の下に位置することを特徴とするリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/015,766 | 2004-12-20 | ||
US11/015,766 US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016043537A Division JP6247325B2 (ja) | 2004-12-20 | 2016-03-07 | リソグラフィ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018189982A Division JP6630419B2 (ja) | 2004-12-20 | 2018-10-05 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017187791A true JP2017187791A (ja) | 2017-10-12 |
JP6469761B2 JP6469761B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=36595233
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005364265A Pending JP2006179906A (ja) | 2004-12-20 | 2005-12-19 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009069826A Pending JP2009147374A (ja) | 2004-12-20 | 2009-03-23 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010098938A Active JP4964324B2 (ja) | 2004-12-20 | 2010-04-22 | リソグラフィ装置 |
JP2010098933A Active JP4964323B2 (ja) | 2004-12-20 | 2010-04-22 | リソグラフィ装置 |
JP2011155420A Expired - Fee Related JP5639016B2 (ja) | 2004-12-20 | 2011-07-14 | リソグラフィ装置 |
JP2014155232A Expired - Fee Related JP5881786B2 (ja) | 2004-12-20 | 2014-07-30 | リソグラフィ装置 |
JP2014235437A Active JP5987042B2 (ja) | 2004-12-20 | 2014-11-20 | リソグラフィ装置 |
JP2016043537A Active JP6247325B2 (ja) | 2004-12-20 | 2016-03-07 | リソグラフィ装置 |
JP2017111499A Active JP6469761B2 (ja) | 2004-12-20 | 2017-06-06 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2018189982A Active JP6630419B2 (ja) | 2004-12-20 | 2018-10-05 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005364265A Pending JP2006179906A (ja) | 2004-12-20 | 2005-12-19 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009069826A Pending JP2009147374A (ja) | 2004-12-20 | 2009-03-23 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010098938A Active JP4964324B2 (ja) | 2004-12-20 | 2010-04-22 | リソグラフィ装置 |
JP2010098933A Active JP4964323B2 (ja) | 2004-12-20 | 2010-04-22 | リソグラフィ装置 |
JP2011155420A Expired - Fee Related JP5639016B2 (ja) | 2004-12-20 | 2011-07-14 | リソグラフィ装置 |
JP2014155232A Expired - Fee Related JP5881786B2 (ja) | 2004-12-20 | 2014-07-30 | リソグラフィ装置 |
JP2014235437A Active JP5987042B2 (ja) | 2004-12-20 | 2014-11-20 | リソグラフィ装置 |
JP2016043537A Active JP6247325B2 (ja) | 2004-12-20 | 2016-03-07 | リソグラフィ装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018189982A Active JP6630419B2 (ja) | 2004-12-20 | 2018-10-05 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US7528931B2 (ja) |
JP (10) | JP2006179906A (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG2012031217A (en) | 2003-04-11 | 2015-09-29 | Nippon Kogaku Kk | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
KR101289979B1 (ko) | 2003-06-19 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7436484B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8547522B2 (en) * | 2005-03-03 | 2013-10-01 | Asml Netherlands B.V. | Dedicated metrology stage for lithography applications |
US20060219947A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-10-05 | Asml Netherlands B.V. | Dedicated metrology stage for lithography applications |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
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- 2004-12-20 US US11/015,766 patent/US7528931B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-19 JP JP2005364265A patent/JP2006179906A/ja active Pending
-
2008
- 2008-12-03 US US12/327,414 patent/US8233137B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-23 JP JP2009069826A patent/JP2009147374A/ja active Pending
-
2010
- 2010-04-22 JP JP2010098938A patent/JP4964324B2/ja active Active
- 2010-04-22 JP JP2010098933A patent/JP4964323B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-14 JP JP2011155420A patent/JP5639016B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-21 US US13/188,096 patent/US9116443B2/en active Active
- 2011-07-22 US US13/189,212 patent/US8462312B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-30 JP JP2014155232A patent/JP5881786B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-29 US US14/500,386 patent/US9329494B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-20 JP JP2014235437A patent/JP5987042B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-18 US US14/661,929 patent/US9417535B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-07 JP JP2016043537A patent/JP6247325B2/ja active Active
- 2016-07-21 US US15/216,670 patent/US9835960B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-06-06 JP JP2017111499A patent/JP6469761B2/ja active Active
- 2017-11-02 US US15/802,429 patent/US10248035B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-10-05 JP JP2018189982A patent/JP6630419B2/ja active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |