JP2016032112A5 - 半導体装置、記憶装置、レジスタ回路、表示装置及び電子機器 - Google Patents

Claims (9)

1. 第１乃至第３のトランジスタと、
   第１乃至第３のノードと、
   第１及び第２のゲートを有する第４のトランジスタと、
   容量素子と、
   入力端子と、を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記入力端子に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のノードに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のノードに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のノードに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のノードに電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のノードに電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記容量素子の第１の端子は、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第２のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第１のゲートと、前記第２のゲートとは、半導体層を間に介して互いに重なり合う領域を有する、ことを特徴とする半導体装置。
2. 第１及び第２のゲートを有する第１のトランジスタと、
   第３及び第４のゲートを有する第２のトランジスタと、
   第５及び第６のゲートを有する第３のトランジスタと、
   第１乃至第３のノードと、
   第７及び第８のゲートを有する第４のトランジスタと、
   容量素子と、
   入力端子と、を有し、
   前記第１のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第２のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記入力端子に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のノードに電気的に接続され、
   前記第３のゲートは、前記第２のノードに電気的に接続され、
   前記第４のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のノードに電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のノードに電気的に接続され、
   前記第５のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第６のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のノードに電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記容量素子の第１の端子は、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第８のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
   前記第７のゲートと、前記第８のゲートとは、半導体層を間に介して互いに重なり合う領域を有する、ことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１乃至第３のトランジスタはｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１乃至第３のトランジスタはチャネルに酸化物半導体を含むトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   第１の回路と、
   記憶素子と、を有し、
   前記第１の回路は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記第３のトランジスタと、前記容量素子と、を有し、
   前記記憶素子は、前記第４のトランジスタを有する記憶装置。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   第１の回路と、
   第２の回路と、を有し、
   前記第１の回路は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記第３のトランジスタと、前記容量素子と、を有し、
   前記第２の回路は、前記第４のトランジスタを有するレジスタ回路。
8. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   第１の回路と、
   表示素子と、を有し、
   前記第１の回路は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記第３のトランジスタと、前記容量素子と、を有し、
   前記表示素子は、前記第４のトランジスタを有する表示装置。
9. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置と、
   マイクロフォン、スピーカ、表示部、および操作キーのうちの少なくとも１つと、を有する電子機器。