JP2017010000A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. トランジスタと、
   第１乃至第３のスイッチと、
   第１の容量素子及び第２の容量素子と、
   発光素子と、
   第１乃至第４の配線と、を有し、
   前記トランジスタは、第１のゲート及び第２のゲートを有し、
   前記第１のゲートと第２のゲートとは、前記トランジスタのチャネル形成領域を間に介して互いに重なる領域を有し、
   前記第１のゲートは、前記第１のスイッチを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
   前記トランジスタの第１端子は、前記第３の配線に電気的に接続され、
   前記トランジスタの第２端子は、前記第３のスイッチを介して、前記第１のゲートに電気的に接続され、
   前記第２のゲートは、前記第２のスイッチを介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
   前記発光素子の第１端子は、前記トランジスタの第２端子に電気的に接続され、
   前記発光素子の第２端子は、前記第４の配線に電気的に接続され、
   前記第１の容量素子の第１端子は、前記第１のゲートに電気的に接続され、
   前記第１の容量素子の第２端子は、前記トランジスタの第２端子に電気的に接続され、
   前記第２の容量素子の第１端子は、前記第２のゲートに電気的に接続され、
   前記第２の容量素子の第２端子は、前記トランジスタの第２端子に電気的に接続される、表示装置。
2. 請求項１において、
   前記トランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである、表示装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記チャネル形成領域は、酸化物半導体を有する、表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１乃至前記第３のスイッチの各々は、トランジスタである、表示装置。
5. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１乃至前記第３のスイッチの各々は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタである、表示装置。
6. トランジスタと、
   第１のスイッチ及び第２のスイッチと、
   第１の容量素子及び第２の容量素子と、
   発光素子と、
   第１乃至第４の配線と、を有し、
   前記トランジスタは第１のゲート及び第２のゲートを有し、
   前記第１のゲートと第２のゲートとは、前記トランジスタのチャネル形成領域を間に介して互いに重なる領域を有し、
   前記第１のゲートは、前記第１のスイッチを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
   前記トランジスタの第１端子は、前記第３の配線に電気的に接続され、
   前記第２のゲートは、前記第２のスイッチを介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
   前記発光素子の第１端子は、前記トランジスタの第２端子に電気的に接続され、
   前記発光素子の第２端子は、前記第４の配線に電気的に接続され、
   前記第１の容量素子の第１端子は、前記第１のゲートに電気的に接続され、
   前記第１の容量素子の第２端子は、前記トランジスタの第２端子に電気的に接続され、
   前記第２の容量素子の第１端子は、前記第２のゲートに電気的に接続され、
   前記第２の容量素子の第２端子は、前記トランジスタの第２端子に電気的に接続される、表示装置。
7. 請求項６において、
   前記トランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである、表示装置。
8. 請求項６または７において、
   前記チャネル形成領域は、酸化物半導体を有する、表示装置。
9. 請求項６乃至１０のいずれか一項において、
   前記第１および前記第２のスイッチは、トランジスタである、表示装置。
10. 請求項６乃至１０のいずれか一項において、
    前記第１および前記第２のスイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタである、表示装置。