CN111429836A - 一种像素驱动电路和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种像素驱动电路和显示面板，像素驱动电路包括发光模块和补偿驱动模块；所述补偿驱动模块，与所述发光模块电连接，包括双栅极驱动薄膜晶体管(T10)，用于在所述初始化阶段，对所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极进行充电，将所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的阈值电压(Vth)调节至初始值；且在所述阈值电压补偿阶段，接入参考电压(Vref)，对所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极进行放电，实现对所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的阈值电压(Vth)的补偿。本申请的像素驱动电路能够实现阈值电压在正值和负值情况下的补偿，有效拓宽了阈值电压的补偿范围，有利于提高显示面板显示的均匀性和准确性，改善显示面板寿命。

Description

一种像素驱动电路和显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路和显示面板。
背景技术
相较于传统的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)技术，OLED(OrganicLight Emitting Diode，有机发光二极管)具有更高对比度、更快反应速度和广视角等优势，被广泛应用在智能手机领域和智能电视以及可穿戴设备领域。然而OLED作为有机材料，对于水氧等比较敏感，影响材料的稳定性及显示器寿命。近年来无机材料的Micro-LED以其高对比度、无机材料高稳定性等优势引起广泛关注，被认为是未来能与OLED媲美的新型显示技术。
传统的LCD属于电压驱动型器件；而Micro-LED与OLED属于电流驱动型器件，对薄膜晶体管(TFT)的电性变异比较敏感，因此，Micro-LED与OLED显示面板的薄膜晶体管的阈值电压Vth的均匀性以及在电学压力(Stress)下阈值电压Vth的正向或负向漂移均会影响画面显示的准确性和均匀性。为解决阈值电压Vth的漂移问题，通常引入补偿电路设计。
图1(a)为传统的Diode-Connect(二极管结构)型内部补偿电路结构，其中，T1薄膜晶体管是驱动薄膜晶体管，且T1薄膜晶体管为N型薄膜晶体管(NTFT)，T2薄膜晶体管为开关薄膜晶体管；T2薄膜晶体管的源极和漏极分别连接T1薄膜晶体管的栅极端(G)和漏极端(D)，当T2薄膜晶体管导通时，T1薄膜晶体管形成二极管结构。如图1(b)所示，若T1薄膜晶体管的阈值电压Vth>0V，此时，T1薄膜晶体管的栅极端(G)电压会通过二极管释放，直至其栅极端(G)与源极端(S)的电压差Vgs＝Vth时，二极管截止，从而探测到T1薄膜晶体管的阈值电压Vth信息，用于进一步对阈值电压Vth进行补偿。但是，如图1(c)所示，若T1薄膜晶体管的阈值电压Vth<0V，此时T1薄膜晶体管一直处于开启状态，且最终T1薄膜晶体管的栅极端(G)和源极端(S)电位相等，即Vgs＝0V，此时栅极端(G)不能全部探测到Vth信息，无法进一步对阈值电压Vth进行补偿。因此，对于N型薄膜晶体管来说，传统的Diode-Connect型补偿电路无法补偿Vth为负值的情况，不利于提高面板显示的均匀性，使得面板寿命减小。
因此，需要开发一种新的像素驱动电路，实现对阈值电压Vth为正值和负值情况下的补偿，从而提高画面显示的准确性和均匀性。
发明内容
本申请提供一种像素驱动电路和显示面板，结合双栅器件栅极调控原理和二极管结构的阈值电压探测原理，可以实现对驱动薄膜晶体管的阈值电压为正值和负值情况下的补偿，解决了传统的Diode-Connect型内部补偿电路只能补偿单一方向阈值电压漂移的问题，提高了画面显示的准确性和均匀性。
本申请提供一种像素驱动电路，包括发光模块和补偿驱动模块：
所述发光模块，用于在初始化阶段、阈值电压补偿阶段和数据写入阶段接入低电位的第一电源电压；在发光阶段，接入高电位的第一电源电压；
所述补偿驱动模块，与所述发光模块电连接，包括双栅极驱动薄膜晶体管，用于在所述初始化阶段，接入高电位信号，以导通双栅极驱动薄膜晶体管，且接入高电位的第二电源电压，以对所述双栅极驱动薄膜晶体管的底栅极进行充电，将所述双栅极驱动薄膜晶体管的阈值电压调节至初始值；在所述阈值电压补偿阶段，接入参考电压，以导通所述双栅极驱动薄膜晶体管，且接入低电位的第二电源电压，以对所述双栅极驱动薄膜晶体管的底栅极进行放电，将所述双栅极驱动薄膜晶体管的阈值电压补偿至等于所述参考电压与所述低电位的第二电源电压之间的电压差值；在所述数据写入阶段，接入数据信号和低电位的第二电源电压；在所述发光阶段，导通所述双栅极驱动薄膜晶体管，且接入低电位的第二电源电压，以控制所述发光模块发光。
进一步的，所述补偿驱动模块还包括第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管；
所述补偿驱动模块还用于在所述初始化阶段导通所述第一开关薄膜晶体管，以接入所述高电位信号，且导通所述第二开关薄膜晶体管，以使所述高电位的第二电源电压对所述双栅极驱动薄膜晶体管的底栅极进行充电；在所述阈值电压补偿阶段导通所述第一开关薄膜晶体管，以接入所述参考电压，且导通所述第二开关薄膜晶体管，以使所述双栅极驱动薄膜晶体管的底栅极进行放电；在所述数据写入阶段断开所述第一开关薄膜晶体管和所述第二开关薄膜晶体管，以接入所述数据信号；在所述发光阶段断开所述第一开关薄膜晶体管和所述第二开关薄膜晶体管，以驱动所述发光模块发光。
进一步的，所述双栅极驱动薄膜晶体管的源极接入所述第二电源电压，其漏极与所述发光模块电连接；
所述第一开关薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号，其源极在所述初始化阶段接入所述高电位信号，且在所述阈值电压补偿阶段接入所述参考电压，其漏极与所述双栅极驱动薄膜晶体管的顶栅极电连接；
所述第二开关薄膜晶体管的栅极接入所述第一控制信号，其源极与所述双栅极驱动薄膜晶体管的漏极电连接，其漏极与所述双栅极驱动薄膜晶体管的底栅极电连接。
进一步的，所述补偿驱动模块还包括第一电容和第二电容；
所述第一电容的一端与所述双栅极驱动薄膜晶体管的顶栅极电连接，另一端与所述双栅极驱动薄膜晶体管的源极电连接，用以存储所述双栅极驱动薄膜晶体管的顶栅极的电位；
所述第二电容的一端与所述双栅极驱动薄膜晶体管的底栅极电连接，另一端接地，用以存储所述双栅极驱动薄膜晶体管的底栅极的电位。
进一步的，所述参考电压为正电压或者负电压。
进一步的，所述像素驱动电路还包括与所述补偿驱动模块电连接的数据写入模块；
所述数据写入模块用于在所述数据写入阶段获取所述数据信号，并向所述补偿驱动模块输出所述数据信号；或者，在所述数据写入阶段向所述补偿驱动模块输出预存储的数据信号，且在所述发光阶段获取并存储下一帧所需的数据信号。
进一步的，所述数据写入模块包括第三开关薄膜晶体管；所述第三开关薄膜晶体管的栅极接入第二控制信号，其源极接入所述数据信号，其漏极与所述双栅极驱动薄膜晶体管的顶栅极电连接。
进一步的，所述数据写入模块包括第三开关薄膜晶体管、第四开关薄膜晶体管和第三电容；
所述数据写入模块用于在所述数据写入阶段，断开所述第三开关薄膜晶体管，导通所述第四开关薄膜晶体管，将所述第三电容中预存储的数据信号输出至所述双栅极驱动薄膜晶体管的顶栅极；在所述发光阶段，断开所述第四开关薄膜晶体管，导通所述第三开关薄膜晶体管，以获取下一帧的数据信号并存储至所述第三电容。
进一步的，所述第三开关薄膜晶体管的栅极接入第二控制信号，其源极接入所述数据信号，其漏极与所述第四开关薄膜晶体管的源极电连接；所述第四开关薄膜晶体管的栅极接入第三控制信号，其漏极与所述双栅极驱动薄膜晶体管的顶栅极电连接；
所述第三电容的一端与所述第四开关薄膜晶体管的源极电连接，另一端接地。
本申请还提供了一种显示面板，包括信号控制单元和多个像素单元，每个像素单元包括上述的像素驱动电路；所述信号控制单元与每个所述像素驱动电路电连接，为所述像素驱动电路提供控制信号。
本申请提供的像素驱动电路中，补偿驱动模块中的驱动薄膜晶体采用双栅结构，即双栅驱动薄膜晶体管，根据双栅器件的栅极调控原理，双栅驱动薄膜晶体管的底栅极的电位能够线性动态调节其阈值电压，在初始化阶段，通过对双栅驱动薄膜晶体管的底栅极充电至高电位，调节其阈值电压至较低的初始值；然后，结合二极管结构的阈值电压探测原理，在阈值电压补偿阶段，将双栅驱动薄膜晶体管的底栅极与漏极短接形成二极管结构，从而使底栅极的高电位逐渐下降，直至双栅驱动薄膜晶体管截止，使得其阈值电压等于其顶栅极与源极的电压差，由于该阶段顶栅极的电位等于参考电压，源极的电位等于第二电源电压，故补偿后的阈值电压等于补偿阶段的参考电压与第二电源电压之间的差值，从而实现对双栅驱动薄膜晶体管的阈值电压的补偿；另外，不管初始化之前双栅驱动薄膜晶体管的阈值电压为正值还是负值，都可以在补偿阶段通过增大双栅驱动薄膜晶体管的底栅极的电位来调节其阈值电压至初始值，然后进行补偿；因此，本发明的像素驱动电路能够实现阈值电压在正值和负值情况下的补偿，有效拓宽了阈值电压的补偿范围，解决了传统的二极管结构型内部补偿电路只能补偿单一方向阈值电压漂移的问题，有利于提高显示面板显示的均匀性和准确性，改善显示面板寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1(a)为示例性的二极管结构型内部补偿电路结构示意图。
图1(b)为采用图1(a)中的内部补偿电路结构对正值阈值电压探测时T1薄膜晶体管的栅极端与源极端的电压差的变化示意图。
图1(c)为采用图1(a)中的内部补偿电路结构对负值阈值电压探测时T1薄膜晶体管的栅极端与源极端的电压差的变化示意图。
图2为本申请实施例提供的像素驱动电路的结构示意框图。
图3为本申请实施例提供的一种4T2C架构的像素驱动电路的电路图。
图4为图3提供的像素驱动电路的驱动时序图。
图5为本申请实施例提供的一种5T3C架构的像素驱动电路的电路图。
图6为图5提供的像素驱动电路的驱动时序图。
图7为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图2和图3所示，本申请实施例提供了一种4T2C架构的像素驱动电路1，像素驱动电路1包括发光模块2、补偿驱动模块3和数据写入模块4，且像素驱动电路1的驱动时序依次包括初始化阶段、阈值电压补偿阶段、数据写入阶段和发光阶段。
发光模块2用于在初始化阶段、阈值电压补偿阶段和数据写入阶段接入低电位的第一电源电压EVDD，保持不发光状态；并且，在发光阶段，接入高电位的第一电源电压EVDD，以实现发光。具体的，发光模块2包括OLED发光器件或Micro-LED发光器件，且发光器件的阳极端接入第一电源电压EVDD，其阴极端与补偿驱动模块3电连接。
数据写入模块4与补偿驱动模块3电连接，用于在数据写入阶段获取数据信号Data，并向补偿驱动模块3输出数据信号Data。
补偿驱动模块3还与发光模块2电连接，补偿驱动模块3包括双栅极驱动薄膜晶体管T10，用于在初始化阶段，接入高电位信号，以导通双栅极驱动薄膜晶体管T10，且接入高电位的第二电源电压VSS，以对双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg进行充电，将双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压Vth调节至初始值；在阈值电压补偿阶段，接入参考电压Vref(大于上述初始值，且小于上述高电位信号)，以导通双栅极驱动薄膜晶体管T10，且接入低电位的第二电源电压VSS，以对双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg进行放电，将双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压Vth补偿至等于参考电压Vref与低电位的第二电源电压VSS之间的电压差值(Vref-VSS)；在数据写入阶段，接入数据写入模块4提供的数据信号Data；在发光阶段，通过数据信号Data导通双栅极驱动薄膜晶体管T10，且接入低电位的第二电源电压VSS，以控制发光模块2发光。
具体的，双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg在初始化阶段接入高电位信号，且在阈值电压补偿阶段接入参考电压Vref，其源极接入第二电源电压VSS，其漏极与发光模块2中发光器件的阴极电连接。双栅极驱动薄膜晶体管T10包括N型氧化物薄膜晶体管、N型低温多晶硅薄膜晶体管、N型非晶硅薄膜晶体管和N型有机薄膜晶体管中的任意一种。
需要说明的是，由于双栅极驱动薄膜晶体管T10是双栅结构，其阈值电压Vth不是固定值，阈值电压Vth与底栅极bg的电位呈负向线性关系，具体的，双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压Vth随底栅极bg与其源极之间的电位差(Vbgs)增大而线性减小，并且，对于不同尺寸的双栅极驱动薄膜晶体管T10，其阈值电压Vth与Vbgs之间的线性关系式的斜率相同，即不同尺寸的双栅极驱动薄膜晶体管T10均在本申请的保护范围内。
具体的，在初始化阶段，双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg被充电至高电位，使得阈值电压Vth下降至较低的初始值；在阈值电压补偿阶段，双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg被放电，在底栅极bg的高电位逐渐下降的过程中，阈值电压Vth逐渐增大，直至等于双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg与源极之间的电压差Vtgs，此时双栅极驱动薄膜晶体管T10截止，从而完成了阈值电压补偿。由于在阈值电压补偿过程中，双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg接入参考电压Vref，漏极接入低电位的第二电源电压VSS，故补偿后的Vth＝Vtgs＝Vref-VSS，而低电位的第二电源电压VSS可以设为0V，因此，补偿后的Vth＝Vref。通过设定参考电压Vref得到补偿后的阈值电压。
具体的，参考电压Vref为正电压或者负电压。需要说明的是，参考电压Vref值的选取取决于显示面板未初始化之前的Vth分布，并非固定值。一般氧化物TFT的阈值电压Vth在未初始化之前约为0V，由于Vth会正负漂移，对于氧化物TFT，阈值电压补偿阶段选取的参考电压Vref为负值。当然，对于在未初始化之前阈值电压Vth大于0V的TFT，参考电压Vref可以设为正值。因此，本申请实施例提供的像素驱动电路1可以补偿阈值电压Vth为正值的情况，也可以补偿阈值电压Vth为负值的情况。
具体的，补偿驱动模块3还包括第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12、第一电容C1和第二电容C2。
第一开关薄膜晶体管T11的栅极接入第一控制信号Sense，其源极在初始化阶段接入高电位信号，且在阈值电压Vth补偿阶段接入参考电压Vref，其漏极与双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg电连接。需要说明的是，图2和图3中示出的参考电压Vref还可以替换为上述高电位信号。
第二开关薄膜晶体管T12的栅极也接入第一控制信号Sense，其源极与双栅极驱动薄膜晶体管T10的漏极电连接，其漏极与双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg电连接。
第一电容C1的一端与双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg电连接，另一端与双栅极驱动薄膜晶体管T10的源极电连接，用以存储双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg的电位；第二电容C2的一端与双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg电连接，另一端接地，用以存储双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg的电位。
具体的，补偿驱动模块3还用于在初始化阶段通过第一控制信号Sense导通第一开关薄膜晶体管T11，以使双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg接入高电位信号而导通，且通过第一控制信号Sense导通第二开关薄膜晶体管T12，以使双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg和漏极短接形成二极管结构，使高电位的第二电源电压VSS依次通过双栅极驱动薄膜晶体管T10和第二开关薄膜晶体管T12对双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg进行充电，以实现对双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压的初始化；并且，在阈值电压补偿阶段通过第一控制信号Sense导通第一开关薄膜晶体管T11，以使双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg接入参考电压Vref，且通过第一控制信号Sense导通第二开关薄膜晶体管T12，使双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg和漏极保持短接状态，此时双栅极驱动薄膜晶体管T10的源极接入低电位的第二电源电压VSS，使双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg进行放电，以实现对双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压的补偿；在数据写入阶段通过第一控制信号Sense断开第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12，以接入数据信号(Data)并存储至第一电容C1；以及，在发光阶段通过第一控制信号Sense断开第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12，且通过第一电容C1存储的数据信号(Data)导通双栅极驱动薄膜晶体管T10，以驱动发光模块2发光。
具体的，数据写入模块4包括第三开关薄膜晶体管T13；第三开关薄膜晶体管T13的栅极接入第二控制信号Scan，其源极接入数据信号Data，其漏极与双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg电连接。数据写入模块4具体用于在初始化阶段、阈值电压补偿阶段和发光阶段，通过第二控制信号Scan断开第三开关薄膜晶体管T13；并且在数据写入阶段，通过第二控制信号Scan导通第三开关薄膜晶体管T13，以获取数据信号Data并将数据信号Data输入到双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg。
具体的，第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12和第三开关薄膜晶体管T13既可以是N型薄膜晶体管，也可以是P型薄膜晶体管；根据材料类型的不同，第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12和第三开关薄膜晶体管T13包括氧化物薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管中的任意一种；并且第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12和第三开关薄膜晶体管T13既可以是单栅结构，也可以是双栅结构，此处不做限制。
具体的，当第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12和第三开关薄膜晶体管T13为N型薄膜晶体管时，分别通过高电位的控制信号导通，且通过低电位的控制信号断开。当第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12和第三开关薄膜晶体管T13为P型薄膜晶体管时，第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12和第三开关薄膜晶体管T13则是分别通过低电位的控制信号导通，通过高电位的控制信号断开。
在一实施例中，像素驱动电路1的驱动时序如图4所示，像素驱动电路1的驱动时序依次包括初始化阶段①、阈值电压补偿阶段②、数据写入阶段③和发光阶段④；需要说明的是，由于初始化阶段①的高电位信号和阈值补偿阶段②的参考电压Vref均从第一开关薄膜晶体管T11的源极接入，因此，在时序图中，高电位信号和参考电压Vref采用同一条电位线Vref表示，也可以认为高电压信号为初始参考电压，参考电压Vref为补偿阶段的特定参考电压。结合图3和图4，像素驱动电路1的驱动步骤如下：
初始化阶段：第一电源电压EVDD为低电位，第二电源电压VSS为高电位；第一控制信号Sense为高电位，第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12导通；第二控制信号Scan为低电位，第三开关薄膜晶体管T13断开；双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg接入高电位信号，使双栅极驱动薄膜晶体管T10导通，且底栅极bg与漏极短接形成二极管结构；高电位的第二电源电压VSS对双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg充电至高电位，当第二电源电压VSS从高电位降至低电位时，阈值电压Vth被调节至较小的初始值，第二电容C2存储底栅极bg的高电位。
阈值电压补偿阶段②：第一电源电压EVDD为低电位，第二电源电压VSS为低电位；第一控制信号Sense为高电位，第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12导通；第二控制信号Scan为低电位，第三开关薄膜晶体管T13断开；双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg接入参考电压Vref，使双栅极驱动薄膜晶体管T10导通，且底栅极bg与漏极短接形成二极管结构；双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg的高电位逐渐下降，直至双栅极驱动薄膜晶体管T10断开(截止)，完成阈值电压Vth的补偿，且补偿后的阈值电压Vth＝Vref-VSS＝Vref-0V＝Vref，第二电容C2存储底栅极bg的低电位，以维持阈值电压Vth为补偿值。
数据写入阶段③：第一电源电压EVDD为低电位，第二电源电压VSS为低电位；第一控制信号Sense为低电位，第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12断开；第二控制信号Scan为高电位(Scan逐行打开)，第三开关薄膜晶体管T13导通，数据信号Data从数据线写入并通过第三开关薄膜晶体管T13输出至双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg，且存储至第一电容C1。
发光阶段④：第一电源电压EVDD为高电位，第二电源电压VSS为低电位；第一控制信号Sense为低电位，第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12断开；第二控制信号Scan为低电位，第三开关薄膜晶体管T13断开，第一电容C1存储的数据信号Data控制双栅极驱动薄膜晶体管T10导通，以驱动发光模块2发光。
具体的，发光阶段，流过发光器件的电流公式为：
I＝K(αVData-Vth)2
＝K(αVData-Vref)2
其中，k为一与双栅极驱动薄膜晶体管T10特性有关的常值系数，α为数据信号Data传输到双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg的效率，Vref为阈值电压补偿阶段的参考电压。
由上述电流公式可知，流过双栅极驱动薄膜晶体管T10和发光模块2的电流值与双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压Vth无关，补偿了双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压漂移，有利于显示面板显示的均匀性和准确性。
需要说明的是，为了避免在t1时间点第二电源电压VSS由高电位降至低电位而导致第二电容C2中的高电位下降，双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg端的高电位信号较第二电源电压VSS提前下降，以断开双栅极驱动薄膜晶体管T10，维持初始化效果；并且，为了保证补偿的阈值电压不受影响，参考电压Vref延迟至数据写入阶段③升高至高电位信号，而避免在t2时间点与第一控制信号Sense同时改变。
本实施例中，补偿驱动模块3中的驱动薄膜晶体采用双栅结构，即双栅驱动薄膜晶体管T10，根据双栅器件的栅极调控原理，双栅驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg的电位能够线性动态调节其阈值电压，在初始化阶段，通过对双栅驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg充电至高电位，调节其阈值电压Vth至较低的初始值；然后，结合二极管结构的阈值电压探测原理，在阈值电压补偿阶段，将双栅驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg与漏极短接形成二极管结构，从而使底栅极bg的高电位逐渐下降，直至双栅驱动薄膜晶体管T10截止，使得其阈值电压Vth等于其顶栅极tg与源极的电压差，由于该阶段顶栅极tg的电位等于参考电压Vref，源极的电位等于第二电源电压VSS，故补偿后的阈值电压等于补偿阶段的参考电压Vref与第二电源电压VSS之间的差值，从而实现对双栅驱动薄膜晶体管T10的阈值电压的补偿；另外，不管初始化之前双栅驱动薄膜晶体管T10的阈值电压Vth为正值还是负值，都可以在补偿阶段通过增大双栅驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg的电位来调节其阈值电压Vth至初始值，然后进行补偿；因此，本申请提供的像素驱动电路1能够实现阈值电压Vth在正值和负值情况下的补偿，有效拓宽了阈值电压Vth的补偿范围，解决了传统的二极管结构型内部补偿电路只能补偿单一方向阈值电压漂移的问题，有利于提高显示面板显示的均匀性和准确性，改善显示面板寿命。
如图2和图5所示，本申请实施例还提供了一种5T3C架构的像素驱动电路1，与上述实施例不同的在于，数据写入模块4用于在数据写入阶段向补偿驱动模块3输出预存储的数据信号(Data)，且在发光模块2获取并存储下一帧所需的数据信号；具体的，数据写入模块4包括第三开关薄膜晶体管T13、第四开关薄膜晶体管T14和第三电容C3；第三开关薄膜晶体管T13的栅极接入第二控制信号Scan，其源极接入数据信号Data，其漏极与第四开关薄膜晶体管T14的源极电连接；第四开关薄膜晶体管T14的栅极接入第三控制信号Merge，其漏极与双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg电连接；第三电容C3的一端与第四开关薄膜晶体管T14的源极电连接，另一端接地，用于在上一帧预存储数据信号Data。
数据写入模块4具体用于在初始化阶段和阈值电压补偿阶段，断开第三开关薄膜晶体管T13和第四开关薄膜晶体管T14；在数据写入阶段，断开第三开关薄膜晶体管T13，导通第四开关薄膜晶体管T14，将第三电容C3中预存储的数据信号Data输出至双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg；在发光阶段，断开第四开关薄膜晶体管T14，导通第三开关薄膜晶体管T13，以获取下一帧的数据信号Data并存储至第三电容C3。
具体的，第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12、第三开关薄膜晶体管T13和第四开关薄膜晶体管T14既可以是N型薄膜晶体管，也可以是P型薄膜晶体管；根据材料类型的不同，第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12、第三开关薄膜晶体管T13和第四开关薄膜晶体管T14包括氧化物薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管中的任意一种；并且，第一开关薄膜晶体管T11、第二开关薄膜晶体管T12、第三开关薄膜晶体管T13和第四开关薄膜晶体管T14既可以是单栅结构，也可以是双栅结构，此处不做限制。
需要说明的是，图5中第一开关薄膜晶体管T11的源极位置示出的是参考电压Vref，还可以替换为上述高电位信号。
在一实施例中，像素驱动电路1的驱动时序如图6所示，像素驱动电路1的驱动时序依次包括初始化阶段①、阈值电压补偿阶段②、数据写入阶段③和发光阶段④；需要说明的是，由于初始化阶段①的高电位信号和阈值补偿阶段②的参考电压Vref均从第一开关薄膜晶体管T11的源极接入，因此，在时序图中，高电位信号和参考电压Vref采用同一条电位线Vref表示，也可以认为高电压信号为初始参考电压，参考电压Vref为补偿阶段的特定参考电压。结合图5和图6，像素驱动电路1的驱动方法如下：
初始化阶段；第一电源电压EVDD为低电位，第二电源电压VSS为高电位；第一控制信号Sense为高电位，第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12导通；第二控制信号Scan为低电位，第三开关薄膜晶体管T13断开；第三控制信号Merge为低电位，第四开关薄膜晶体管T14断开；双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg接入高电位信号，使双栅极驱动薄膜晶体管T10导通，且底栅极bg与漏极短接形成二极管结构；高电位的第二电源电压VSS对双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg充电至高电位，当第二电源电压VSS从高电位降至低电位时，阈值电压Vth被调节至较小的初始值，第二电容C2存储底栅极bg的高电位。
阈值电压补偿阶段②：第一电源电压EVDD为低电位，第二电源电压VSS为低电位；第一控制信号Sense为高电位，第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12导通；第二控制信号Scan为低电位，第三开关薄膜晶体管T13断开；第三控制信号Merge为低电位，第四开关薄膜晶体管T14断开；双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg接入参考电压Vref，使双栅极驱动薄膜晶体管T10导通，且双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg与漏极短接形成二极管结构；双栅极驱动薄膜晶体管T10的底栅极bg的高电位逐渐下降，直至双栅极驱动薄膜晶体管T10断开(截止)，完成阈值电压Vth的补偿，且补偿后的阈值电压Vth＝Vref-VSS＝Vref-0V＝Vref，第二电容C2存储底栅极bg的低电位，以维持阈值电压Vth为补偿值。
数据写入阶段③：第一电源电压EVDD为低电位，第二电源电压VSS为低电位；第一控制信号Sense为低电位，第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12断开；第二控制信号Scan为低电位，第三开关薄膜晶体管T13断开；第三控制信号Merge为高电位，第四开关薄膜晶体管T14导通，第三电容C3预存储的数据信号Data通过第四开关薄膜晶体管T14输出至双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg，且存储至第一电容C1。
发光阶段④：第一电源电压EVDD为高电位，第二电源电压VSS为低电位；第一控制信号Sense为低电位，第一开关薄膜晶体管T11和第二开关薄膜晶体管T12断开；第二控制信号Scan为高电位，第三开关薄膜晶体管T13导通；第三控制信号Merge为低电位，第四开关薄膜晶体管T14断开；第一电容C1存储的数据信号Data控制双栅极驱动薄膜晶体管T10导通，以驱动发光模块2发光，同时，第二控制信号Scan逐行打开第三开关薄膜晶体管T13，以将下一帧的数据信号Data从数据线写入并存储至第三电容C3中。
具体的，发光阶段，流过发光器件的电流公式为：
I＝K(αVData-Vth)2
＝K(αVData-Vref)2
其中，k为一与双栅极驱动薄膜晶体管T10特性有关的常值系数，α为数据信号Data传输到双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg的效率，Vref为阈值电压补偿阶段的参考电压。
由上述电流公式可知，流过双栅极驱动薄膜晶体管T10和发光模块2的电流值与双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压Vth无关，补偿了双栅极驱动薄膜晶体管T10的阈值电压漂移，有利于提高显示面板显示的均匀性和准确性。
需要说明的是，为了避免在t1时间点第二电源电压VSS由高电位降至低电位而导致第二电容C2中的高电位下降，双栅极驱动薄膜晶体管T10的顶栅极tg端的高电位信号较第二电源电压VSS提前下降，以断开双栅极驱动薄膜晶体管T10，维持初始化效果；并且，为了保证补偿的阈值电压不受影响，参考电压Vref延迟至数据写入阶段③升高至高电位信号，而不是在t2时间点与第一控制信号Sense一起改变。
本实施例中，一方面，5T3C架构的像素驱动电路1能够实现阈值电压Vth在正值和负值情况下的补偿，有效拓宽了阈值电压Vth的补偿范围，解决了传统的二极管结构型内部补偿电路只能补偿单一方向阈值电压漂移的问题，有利于提高面板显示的均匀性和准确性，改善面板寿命；另一方面，本实施例中的数据写入模块4具有预存储数据信号Data的功能，即在发光阶段，发光器件发光的同时还能进行下一帧数据信号的写入和存储，可以有效的减小数据写入阶段③所需的时间(t3-t2)，从而增大发光阶段④的占空比(发光阶段所需时间/数据写入阶段和发光阶段所属需时间总和)，同时，也增大了数据信号写入的时间，改善了高分辨率显示面板的充电时间，有利于提高高分辨率显示面板的显示效果。
需要说明的是，以上所有实施例中提到的源极和漏极的功能相同，二者名称可以互换，也就是说当薄膜晶体管导通时，电流可以从源极流向漏极，也可以从漏极流向源极，电流流向仅由源极和漏极接入的电压的大小决定。
如图7所示，本申请实施例还提供了一种显示面板5，显示面板5包括信号控制单元6和多个像素单元7，每个像素单元7包括上述实施例中的任意一个像素驱动电路1；信号控制单元6与每个像素驱动电路1电连接，为像素驱动电路1提供控制信号。
具体的，显示面板5包括LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)显示面板和IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)显示面板中的任意一种，当然，本实施例中的显示面板5的种类不限于此。
具体的，LTPS以其大尺寸制备均匀性差、成本高等缺点，无法应用在大尺寸OLED面板量产中。而以IGZO为主的氧化物半导体以其迁移率高、大尺寸制备均匀性好、并且具备柔性透明等优点，适合大尺寸OLED面板量产。然而氧化物TFT面临信赖性问题，作为驱动晶体管，TFT需要工作在电压/电流应力下，其阈值电压Vth的变化会影响画面显示的准确性。本申请实施例提供的像素驱动电路1适用于基于氧化物TFT背板技术的OLED/Micro-LED显示面板5，通过双栅结构的N型驱动TFT实现阈值电压Vth的补偿，可以改善面板显示的均匀性，并且可以实现阈值电压Vth为正值和负值的情况下阈值电压Vth的补偿能力。
本实施例中，像素驱动电路1能够实现阈值电压在正值和负值情况下的补偿，有效拓宽了阈值电压的补偿范围，解决了传统的二极管结构型内部补偿电路只能补偿单一方向阈值电压漂移的问题，有利于提高面板显示的均匀性和准确性，改善面板寿命。
需要说明的是，对于本申请实施例中提供的5T3C架构的像素驱动电路1，第一控制信号Sense(由Sense线传输信号)和第三控制信号Merge(由Merge线传输信号)为全局信号，即显示面板5上所有像素单元7的Sense线通过外围的短路条(shorting bar)连接在一起，由外部IC芯片提供讯号，且显示面板5上所有像素单元7的Merge线也通过外围的短路条连接在一起，由外部IC芯片提供讯号。对于本申请实施例中提供的4T2C架构的像素驱动电路1，显示面板5上所有的Sense线也通过外围的短路条连接在一起，由外部IC芯片提供讯号。因此，仅有第二控制信号Scan是逐行产生的，由栅极信号驱动IC或GOA产生。若第二控制信号Scan由栅极信号驱动IC产生，有利于减少信号通道数，从而降低成本；若仅第二控制信号Scan由GOA产生，能够降低GOA设计复杂度，GOA仅输出Scan信号即可，有利于提高产品良率，同时减小显示面板5的边宽，有利于提升产品竞争力。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种像素驱动电路和显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括发光模块和补偿驱动模块：
所述发光模块，用于在初始化阶段、阈值电压补偿阶段和数据写入阶段接入低电位的第一电源电压(EVDD)；在发光阶段，接入高电位的第一电源电压(EVDD)；
所述补偿驱动模块，与所述发光模块电连接，包括双栅极驱动薄膜晶体管(T10)，用于在所述初始化阶段，接入高电位信号，以导通双栅极驱动薄膜晶体管(T10)，且接入高电位的第二电源电压(VSS)，以对所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极进行充电，将所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的阈值电压(Vth)调节至初始值；在所述阈值电压补偿阶段，接入参考电压(Vref)，以导通所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)，且接入低电位的第二电源电压(VSS)，以对所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极进行放电，将所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的阈值电压(Vth)补偿至等于所述参考电压(Vref)与所述低电位的第二电源电压(VSS)之间的电压差值；在所述数据写入阶段，接入数据信号(Data)和低电位的第二电源电压(VSS)；在所述发光阶段，导通所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)，且接入低电位的第二电源电压(VSS)，以控制所述发光模块发光。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述补偿驱动模块还包括第一开关薄膜晶体管(T11)和第二开关薄膜晶体管(T12)；
所述补偿驱动模块还用于在所述初始化阶段导通所述第一开关薄膜晶体管(T11)，以接入所述高电位信号，且导通所述第二开关薄膜晶体管(T12)，以使所述高电位的第二电源电压(VSS)对所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极进行充电；在所述阈值电压补偿阶段导通所述第一开关薄膜晶体管(T11)，以接入所述参考电压，且导通所述第二开关薄膜晶体管(T12)，以使所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极进行放电；在所述数据写入阶段断开所述第一开关薄膜晶体管(T11)和所述第二开关薄膜晶体管(T12)，以接入所述数据信号(Data)；在所述发光阶段断开所述第一开关薄膜晶体管(T11)和所述第二开关薄膜晶体管(T12)，以驱动所述发光模块发光。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的源极接入所述第二电源电压(VSS)，其漏极与所述发光模块电连接；
所述第一开关薄膜晶体管(T11)的栅极接入第一控制信号，其源极在所述初始化阶段接入所述高电位信号，且在所述阈值电压补偿阶段接入所述参考电压(Vref)，其漏极与所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的顶栅极电连接；
所述第二开关薄膜晶体管(T12)的栅极接入所述第一控制信号，其源极与所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的漏极电连接，其漏极与所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极电连接。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述补偿驱动模块还包括第一电容(C1)和第二电容(C2)；
所述第一电容(C1)的一端与所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的顶栅极电连接，另一端与所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的源极电连接，用以存储所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的顶栅极的电位；
所述第二电容(C2)的一端与所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极电连接，另一端接地，用以存储所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的底栅极的电位。
5.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述参考电压(Vref)为正电压或者负电压。
6.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括与所述补偿驱动模块电连接的数据写入模块；
所述数据写入模块用于在所述数据写入阶段获取所述数据信号(Data)，并向所述补偿驱动模块输出所述数据信号(Data)；或者，在所述数据写入阶段向所述补偿驱动模块输出预存储的数据信号(Data)，且在所述发光阶段获取并存储下一帧所需的数据信号。
7.如权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述数据写入模块包括第三开关薄膜晶体管(T13)；所述第三开关薄膜晶体管(T13)的栅极接入第二控制信号，其源极接入所述数据信号(Data)，其漏极与所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的顶栅极电连接。
8.如权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述数据写入模块包括第三开关薄膜晶体管(T13)、第四开关薄膜晶体管(T14)和第三电容(C3)；
所述数据写入模块用于在所述数据写入阶段，断开所述第三开关薄膜晶体管(T13)，导通所述第四开关薄膜晶体管(T14)，将所述第三电容(C3)中预存储的数据信号(Data)输出至所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的顶栅极；在所述发光阶段，断开所述第四开关薄膜晶体管(T14)，导通所述第三开关薄膜晶体管(T13)，以获取下一帧的数据信号(Data)并存储至所述第三电容(C3)。
9.如权利要求8所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第三开关薄膜晶体管(T13)的栅极接入第二控制信号，其源极接入所述数据信号(Data)，其漏极与所述第四开关薄膜晶体管(T14)的源极电连接；所述第四开关薄膜晶体管(T14)的栅极接入第三控制信号，其漏极与所述双栅极驱动薄膜晶体管(T10)的顶栅极电连接；
所述第三电容(C3)的一端与所述第四开关薄膜晶体管(T14)的源极电连接，另一端接地。
10.一种显示面板，其特征在于，包括信号控制单元和多个像素单元，每个像素单元包括如权利要求1至9任意一项所述的像素驱动电路；所述信号控制单元与每个所述像素驱动电路电连接，为所述像素驱动电路提供控制信号。
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