JP2007096036A - 昇圧回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】各段がMOSトランジスタ(M04、M14、M24、M34)と、前記MOSトランジスタのドレイン又はソースの一方に一端が接続されたキャパシタ(C14、C24a、C24b、C34a、C34b、C34c)とからなり、前記MOSトランジスタが縦列接続されることによって各段が接続され、各段における前記MOSトランジスタのゲートとドレイン又はソースの一方とが互いに電気的に接続されるとともに、少なくとも1組の隣接するMOSトランジスタの基板がその一方のドレイン又はソースの一方と電気的に接続される。バックバイアス効果が抑制され、かつレイアウト面積を縮小することができる。また、後段の昇圧キャパシタを複数の直列キャパシタで構成することにより、各キャパシタの耐圧劣化を抑制することができる。
【選択図】図8
Description
J. F. Dickson, "On-Chip High-Voltage Generation in MNOS Integrated Circuits Using an Improved Voltage Multiplier Technique," IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. SC-11, No. 3, pp. 374-378, June 1976.
VPP1=(VDD−Vt0)+VDD×3−(Vt1+Vt2+Vt3)
の電位まで昇圧される。
VPP1=(VDD−Vt0)+VDD×n
−(Vt1+Vt2+Vt3+・・・+Vtn)
の電位まで昇圧される。
5、6、19、21、25 N型ウェル領域
7、22、26 P型シリコン基板
11、30 ウェルコンタクト領域
12、31 キャパシタ領域
13、32 MOSトランジスタ
18、20 P型ウェル領域
23 N型DMOSキャパシタのゲート端子
24 N型DMOSキャパシタのN型ウェル(拡散層)端子
C11、C21、C31 キャパシタ
C12、C22、C32 キャパシタ
C13、C23a、C23b、C33a、C33b、C33c キャパシタ
C14、C24a、C24b、C34a、C34b、C34c キャパシタ
C15、C25a、C25b、C35a、C35b、C35c キャパシタ
CLKA、CLKB クロック信号
M01、M11、M21、M31 駆動PMOSトランジスタ
M02、M12、M22、M32 駆動NMOSトランジスタ
M03、M13、M23、M33 駆動PMOSトランジスタ
M04、M14、M24、M34 駆動PMOSトランジスタ
M05、M15、M25、M35 駆動PMOSトランジスタ
V11、V21、V31 ノード
V12、V22、V32 ノード
V13、V23、V33 ノード
V14、V24、V34 ノード
V15、V25、V35 ノード
VDD 電源電圧
VPP1〜VPP5 昇圧回路の出力電圧
Claims (9)
- 各段がMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタのドレイン又はソースの一方に一端が接続されたキャパシタとからなり、前記MOSトランジスタが縦列接続されることによって各段が接続されており、
各段における前記MOSトランジスタのゲートとドレイン又はソースの一方とが互いに電気的に接続されるとともに、少なくとも1組の隣接するMOSトランジスタの基板がその一方のドレイン又はソースの一方と電気的に接続されていることを特徴とする昇圧回路。 - 請求項1記載の昇圧回路において、
連続する2段の前記キャパシタの他端に逆位相の1対のクロック信号が入力されることを特徴とする昇圧回路。 - 請求項1記載の昇圧回路において、
前記MOSトランジスタがN型ウェル領域に形成されたPMOSトランジスタであることを特徴とする昇圧回路。 - 請求項1記載の昇圧回路において、
前記MOSトランジスタがP型ウェル領域に形成されたNMOSトランジスタであることを特徴とする昇圧回路。 - 請求項1記載の昇圧回路において、
少なくとも1つの段のキャパシタは複数の直列接続されたキャパシタからなることを特徴とする昇圧回路。 - 各段がMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタのドレイン又はソースの一方に一端が接続されたキャパシタとからなり、少なくとも1つの段のキャパシタは複数の直列接続されたキャパシタからなることを特徴とする昇圧回路。
- 請求項6記載の昇圧回路において、
前記キャパシタがN型のデプレッションMOSトランジスタで構成されたことを特徴とする昇圧回路。 - 請求項6記載の昇圧回路において、
前記キャパシタがPMOSトランジスタで構成されたことを特徴とする昇圧回路。 - 請求項1又は6に記載の昇圧回路において、
各段がLSIの入出力回路を形成するMOSトランジスタと同一のプロセスで製造するMOSトランジスタで構成されたことを特徴とする昇圧回路。
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