CN116137493A - 电荷泵电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电荷泵电路。电荷泵电路包括双相位电荷泵、第一负载开关、第二负载开关以及控制电路。双相位电荷泵反应于第一时钟以及第二时钟以对电源进行电压泵升操作，从而在第一节点产生第一泵升电压并在第二节点产生第二泵升电压。控制电路反应于第三时钟以控制第一负载开关并反应于第四时钟以控制第二负载开关。在第一负载开关被断开的期间，第二负载开关将第一泵升电压传输至电荷泵电路的输出端。在第二负载开关被断开的期间，第一负载开关将第二泵升电压传输至输出端。

Description

电荷泵电路
技术领域
本发明涉及一种电荷泵电路，且特别是有关于一种具有高效率的电荷泵电路。
背景技术
图1是现有且常见的双相位电荷泵电路10的示意图。双相位电荷泵电路10包括双相位电荷泵11以及传输晶体管P1、P2。双相位电荷泵11包括电源晶体管M1、M2以及电容器C3、C4。电源晶体管M1的第一端耦接于电源VDDA。电源晶体管M1的第二端以及控制端耦接于节点ND1。电源晶体管M2的第一端耦接于电源VDDA。电源晶体管M2的第二端以及控制端耦接于节点ND2。电容器C1耦接于节点ND1与时钟CK1之间。电容器C2耦接于节点ND2与时钟CK2之间。传输晶体管P1的第一端以及控制端耦接于节点ND2。传输晶体管P1的第二端耦接于输出端。传输晶体管P2的第一端以及控制端耦接于节点ND1。传输晶体管P2的第二端耦接于输出端。
在操作时，当时钟CK1自低电压准位转态为高电压准位时，时钟CK2自高电压准位转态为低电压准位。传输晶体管P1被断开。传输晶体管P2被导通。因此，传输晶体管P2可将位于节点ND1被泵升的泵升电压提供至输出端。当时钟CK1自高电压准位转态为低电压准位时，时钟CK2自低电压准位转态为高电压准位。传输晶体管P2被断开。传输晶体管P1被导通。因此，传输晶体管P1可将位于节点ND2的泵升电压提供至输出端。
然而，电容器C3、C4会使在节点ND1、ND2上的充电以及放电发生延迟。上述的延迟会使传输晶体管P1、P2的断开时间点被延迟，进而产生反向漏电流Irev。举例来说，当时钟CK1自低电压准位转态为高电压准位并且时钟CK2自高电压准位转态为低电压准位时，传输晶体管P2将位于节点ND1的泵升电压提供至输出端。节点ND2的放电发生延迟。传输晶体管P1未能及时被断开。因此，被提供至输出端泵升电压的电能会经由传输晶体管P1以及被导通的电源晶体管M2回流到电源VDDA，产生反向漏电流Irev。也因此，双相位电荷泵电路10的效率会较低。
发明内容
本发明提供一种具有高效率的电荷泵电路。
本发明的电荷泵电路包括双相位电荷泵、第一负载开关、第二负载开关以及控制电路。双相位电荷泵反应于第一时钟以及第二时钟以对电源进行电压泵升操作，从而在第一节点产生第一泵升电压并在第二节点产生第二泵升电压。第一负载开关耦接于第二节点与双相位电荷泵电路的输出端之间。第二负载开关耦接于第一节点与输出端之间。控制电路耦接于第一负载开关以及第二负载开关。控制电路反应于第三时钟以控制第一负载开关并反应于第四时钟以控制第二负载开关。在第一负载开关被断开的期间，第二负载开关将第一泵升电压传输至输出端。在第二负载开关被断开的期间，第一负载开关将第二泵升电压传输至输出端。
基于上述，本发明的电荷泵电路是利用控制电路控制第一负载开关以及第二负载开关。进一步来说，控制电路反应于第三时钟以控制第一负载开关并反应于第四时钟以控制第二负载开关。在第二负载开关被断开的期间，第一负载开关将第一泵升电压传输至输出端。在第一负载开关被断开的期间，第二负载开关将第二泵升电压传输至输出端。本发明的电荷泵电路并不会发生反向漏电流。因此，电荷泵电路的效率能够被提升。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是现有且常见的双相位电荷泵电路的示意图。
图2是依据本发明第一实施例所绘示的电荷泵电路的示意图。
图3是依据本发明一实施例所绘示的信号波形图。
图4是依据本发明第二实施例所绘示的电荷泵电路的示意图。
图5是依据本发明第三实施例所绘示的电荷泵电路的示意图。
图6是依据本发明第四实施例所绘示的电荷泵电路的示意图。
附图标记说明
10、100、200、300、400：电荷泵电路
110、410：双相位电荷泵
120、220：控制电路
230、330：调整电路
231、331：电荷储存电路
340：分压电路
C1、C2、Cx：电容器
C3、C4：控制电容器
CK1～CK4：时钟
I_VDDA：电源的电流
Ib：电流源
IOUT：输出电流
Irev：反向漏电流
M1、M2：电源晶体管
M3、M4：控制晶体管
MA1、MA2：调整晶体管
ND1～ND4：节点
P1、P2：传输晶体管
R1、R2：电阻器
SW1、SW2：负载开关
t：时间
t1～t8：时间点
TO：输出端
V_VDDA：电源的电压
VDDA：电源
VOUT：输出电压
VP1、VP2：泵升电压
Vx：辅助偏压值
Vy：基极偏压值
W1、W2：阱
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
请参考图2，图2是依据本发明第一实施例所绘示的电荷泵电路的示意图。在本实施例中，电荷泵电路100包括双相位电荷泵110、负载开关SW1、SW2以及控制电路120。双相位电荷泵110反应于时钟CK1、CK2以对电源VDDA进行电压泵升操作。因此，双相位电荷泵110在节点ND1产生泵升电压VP1并在节点ND2产生泵升电压VP2。泵升电压VP1、VP2的电压值高于电源VDDA的电压值。
在本实施例中，双相位电荷泵110包括电源晶体管M1、M2以及电容器C1、C2。电源晶体管M1的第一端耦接于电源VDDA。电源晶体管M1的第二端以及电源晶体管M1的控制端耦接于节点ND1。电源晶体管M2的第一端耦接于电源VDDA。电源晶体管M2的第二端以及电源晶体管M2的控制端耦接于节点ND2。电容器C1耦接于节点ND1与时钟CK1之间。电容器C2耦接于节点ND2与时钟CK2之间。在本实施例中，当时钟CK1处于高电压准位并且时钟CK2为低电压准位时，在节点ND1的电压会被泵升产生以泵升电压VP1。节点ND2的电压会恢复到大致上等于电源VDDA的电压值。当时钟CK2处于高电压准位并且时钟CK1为低电压准位时，在节点ND2的电压会被泵升以产生泵升电压VP2。节点ND1的电压会恢复到大致上等于电源VDDA的电压值。
在本实施例中，负载开关SW1耦接于节点ND2与双相位电荷泵电路100的输出端TO之间。负载开关SW2耦接于节点ND1与双相位电荷泵电路100的输出端TO之间。控制电路120耦接于负载开关SW1、SW2。控制电路120反应于时钟CK3以控制负载开关SW1并反应于时钟CK4以控制负载开关SW2。在负载开关SW1被断开的期间，负载开关SW2将泵升电压VP1传输至输出端TO。因此，被传输至输出端TO的泵升电压VP1被作为输出电压VOUT。在负载开关SW2被断开的期间，负载开关SW1将泵升电压VP2传输至输出端TO。因此，被传输至输出端TO的泵升电压VP2被作为输出电压VOUT。
在此值得一提的是，控制电路120是基于时钟CK3、CK4来控制负载开关SW1、SW2。在负载开关SW1被断开的期间，负载开关SW2将泵升电压VP1传输至输出端TO。输出电压VOUT的电力并不会经由被断开的负载开关SW1回馈到电源VDDA。在负载开关SW2被断开的期间，负载开关SW1将泵升电压VP2传输至输出端TO。输出电压VOUT的电力并不会经由被断开的负载开关SW2回馈到电源VDDA。在操作中，双相位电荷泵110并不会有反向漏电流。如此一来，电荷泵电路100的效率能够被提升。
负载开关SW1、SW2分别是由任意形式的晶体管或传输闸来实施。以本实施例为例，负载开关SW1、SW2分别是由P型金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)来实施。
请同时参考图2以及图3，图3是依据本发明一实施例所绘示的信号波形图。信号波形图标出了输出电压VOUT的波形、输出电流IOUT的波形、电源VDDA的电压V_VDDA的波形、电源VDDA的电流I_VDDA的波形以及时钟CK1～CK4的波形。信号波形图的横轴统一以时间t来表示。时间t的单位是微秒(micro second，μs)。
在时间点t1，时钟CK3自低电压准位转态至高电压准位。负载开关SW1反应于时钟CK3的高电压准位而被断开。紧接在时间点t1之后，时钟CK2在时间点t2自高电压准位转态至低电压准位。时钟CK1在时间点t3自低电压准位转态至高电压准位。因此，在节点ND1的电压会在时间点t3开始被泵升产生以泵升电压VP1。节点ND2的电压值会恢复到大致上等于电源VDDA的电压值。在本实施例中，时钟CK1自低电压准位转态至高电压准位的转态时间点(即，时间点t3)会晚于时间点t1。也就是说，泵升电压VP1的产生的开始时间点(即，时间点t3)是晚于负载开关SW1被断开的时间点。
接下来，在时间点t4，时钟CK4自高电压准位转态至低电压准位。负载开关SW2反应于时钟CK4的低电压准位而被导通。负载开关SW2被导通的时间点t4晚于时间点t3。也就是说，控制电路120是在泵升电压VP1被产生后才导通负载开关SW2。
在时间点t5，时钟CK4自低电压准位转态至高电压准位。负载开关SW2反应于时钟CK4的高电压准位而被断开。紧接在时间点t5之后，时钟CK1在时间点t6自高电压准位转态至低电压准位。时钟CK2在时间点t7自低电压准位转态至高电压准位。因此，在节点ND2的电压会在时间点t7开始被泵升产生以泵升电压VP2。节点ND1的电压值会恢复到大致上等于电源VDDA的电压值。在本实施例中，时钟CK2自低电压准位转态至高电压准位的转态时间点(即，时间点t7)会晚于负载开关SW2被断开的时间点(即，时间点t5)。也就是说，泵升电压VP2的产生的开始时间点(即，时间点t7)是晚于负载开关SW2被断开的时间点。
接下来，在时间点t8，时钟CK3自高电压准位转态至低电压准位。负载开关SW1反应于时钟CK3的低电压准位而被导通。负载开关SW2被导通的时间点t8晚于时间点t7。也就是说，控制电路120是在泵升电压VP2被产生后才导通负载开关SW1。
在时间点t1到时间点t8的时间区间，负载开关SW1处于断开状态。在负载开关SW1被确定处于断开状态的期间内，泵升电压VP1才会被产生。此外，在泵升电压VP1被产生的期间(即，时间点t3到时间点t6的时间区间)内，负载开关SW2在时间点t4到时间点t5的时间区间被导通。如此一来，流经负载开关SW1的反向漏电流并不会被产生。
相似地，在负载开关SW2被确定处于断开状态的期间内，泵升电压VP2才会被产生。此外，在泵升电压VP2被产生的期间内，负载开关SW1被导通。如此一来，流经负载开关SW2的反向漏电流并不会被产生。
在本实施例中，电源VDDA的电压V_VDDA的电压值维持1.1伏特。电源VDDA的电流I_VDDA的平均电流值的绝对值约为4.0007毫安。输出电压VOUT的电压值约为1.8944伏特。输出电流IOUT的电流值约为2.0018毫安。因此，电荷泵电路100的效率为86.2％。应注意的是，如图1所示的双相位电荷泵电路10的效率约为56％。因此，电荷泵电路100的效率明显高于双相位电荷泵电路10的效率。
请参考图4，图4是依据本发明第二实施例所绘示的电荷泵电路的示意图。在本实施例中，电荷泵电路200包括双相位电荷泵110、负载开关SW1、SW2以及控制电路220。双相位电荷泵110的实施方式已在第一实施例清楚说明，因此不再重述。在本实施例中，控制电路220包括控制晶体管M3、M4以及控制电容器C3、C4。控制晶体管M3的第一端耦接于电压源VDDA。控制晶体管M3的第二端耦接于节点ND3。控制晶体管M3的控制端耦接于节点ND2。控制晶体管M4的第一端耦接于电压源VDDA。控制晶体管M4的第二端耦接于节点ND4。控制晶体管M4的控制端耦接于节点ND1。控制电容器C3耦接于节点ND3与时钟CK3之间。控制电容器C4耦接于节点ND4与时钟CK4之间。
在本实施例中，负载开关SW1的控制端耦接于节点ND3。负载开关SW2的控制端耦接于节点ND4。控制电路220反应于时钟CK3以提供第一控制信号SC1。控制电路220利用第一控制信号SC1来控制负载开关SW1。此外，控制电路220还反应于时钟CK4以提供第二控制信号SC2。控制电路220利用第二控制信号SC2来控制负载开关SW2。
请同时参考图3以及图4，在本实施例中，在泵升电压VP1被产生的时间区间(即，时间点t3到时间点t6的时间区间)内，泵升电压VP2不会被产生。因此，控制晶体管M3被断开。控制晶体管M4则被导通。节点ND3的电压准位会基于时钟CK3而被泵升。节点ND4的电压准位大致上等于电源VDDA的电压准位。由于时间点t1、t2非常接近，因此基于控制电容器C3的延迟，时钟CK3的转态仍旧能够使节点ND3的电压准位被泵升以产生具有第一电压准位的第一控制信号SC1。第一电压准位高于电源VDDA的电压准位。因此，负载开关SW1反应于具有第一电压准位的第一控制信号SC1而被断开。因此，负载开关SW2反应于具有电源VDDA的电压准位的第二控制信号SC2而被导通。
在泵升电压VP2被产生的时间区间内，泵升电压VP1不会被产生。因此，控制晶体管M4被断开。控制晶体管M3则被导通。由于时间点t5、t6非常接近，因此基于控制电容器C4的延迟，时钟CK4的转态仍旧能够使节点ND4的电压准位被泵升以产生具有第一电压准位的第二控制信号SC2。因此，负载开关SW2反应于具有第一电压准位的第二控制信号SC2而被断开。节点ND3的电压准位大致上等于电源VDDA的电压准位。因此，负载开关SW1反应于具有电源VDDA的电压准位的第一控制信号SC1而被导通。
在本实施例中，电荷泵电路200还包括调整电路230。调整电路230耦接于控制电路220以及负载开关SW1、SW2。调整电路230反应于泵升电压VP1、VP2、所述第一控制信号SC1以及第二控制信号SC2来调节负载开关SW1、SW2的基极偏压值。
在本实施例中，调整电路230包括调整晶体管MA1、MA2以及电荷储存电路231。调整晶体管MA1的第一端耦接于节点ND2。调整晶体管MA1的第二端以及调整晶体管MA1的基极耦接于负载开关SW1的基极。调整晶体管MA1的控制端耦接于节点ND3。调整晶体管MA2的第一端耦接于节点ND1。调整晶体管MA2的第二端以及调整晶体管MA2的基极耦接于负载开关SW2的基极。调整晶体管MA2的控制端耦接于节点ND4。电荷储存电路231耦接于调整晶体管MA1的第二端以及调整晶体管MA2的第二端。电荷储存电路231储存泵升电压VP1、VP2的电荷以产生用以决定基极偏压值的辅助偏压值Vx。在本实施例中，基极偏压值基于辅助偏压值Vx而被调节以大于位于输出端TO的电压值。如此一来，调整电路230能够避免负载开关SW1、SW2发生闩锁(latch-up)效应。
应注意的是，控制晶体管M3的第二端耦接于调整晶体管MA1的控制端以及负载开关SW1的控制端。控制晶体管M4的第二端耦接于调整晶体管MA2的控制端以及负载开关SW2的控制端。控制晶体管M3、M4并不会成为反向漏电流的流通路径。此外，调整晶体管MA1、MA2的第二端共同耦接至负载开关SW1、SW2的基极。因此，调整晶体管MA1、MA2并不会成为反向漏电流的流通路径。
在本实施例中，控制电路220并不执行泵升电压VP1、VP2的传输，而是对负载开关SW1、SW2以及调整晶体管MA1、MA2进行控制。因此，控制晶体管M3、M4的布局面积可以被允许以小于电源晶体管M1、M2的布局面积。在一些实施例中，控制电容器C3、C4的布局面积可以被允许以小于电容器C1、C2的布局面积。举例来说，控制电路220的布局面积可以是双相位电荷泵110的布局面积的5％，本发明并不以此为限。
在本实施例中，电荷储存电路231包括电容器Cx。电容器Cx耦接于参考低电压(例如是接地)与调整晶体管MA1、MA2的第二端之间。电容器Cx储存泵升电压VP1、VP2的电荷。
请参考图5，图5是依据本发明第三实施例所绘示的电荷泵电路的示意图。电荷泵电路300包括双相位电荷泵110、负载开关SW1、SW2、控制电路220、调整电路330以及分压电路340。双相位电荷泵110、负载开关SW1、SW2以及控制电路220的实施方式已在第一实施例以及第二实施例清楚说明，因此不再重述。在本实施例中，调整电路330包括调整晶体管MA1、MA2以及电荷储存电路331。调整晶体管MA1的第一端耦接于节点ND2。调整晶体管MA1的第二端以及调整晶体管MA1的基极耦接于负载开关SW1的基极。调整晶体管MA1的控制端耦接于节点ND3。调整晶体管MA2的第一端耦接于节点ND1。调整晶体管MA2的第二端以及调整晶体管MA2的基极耦接于负载开关SW2的基极。调整晶体管MA2的控制端耦接于节点ND4。电荷储存电路331耦接于调整晶体管MA1的第二端以及调整晶体管MA2的第二端。电荷储存电路331储存泵升电压VP1、VP2的电荷以产生辅助偏压值Vx。分压电路340耦接于电荷储存电路331、负载开关SW1、SW2的基极。
在本实施例中，电荷储存电路331储存泵升电压VP1、VP2的电荷以产生辅助偏压值Vx。分压电路340接收来自于电荷储存电路331的辅助偏压值Vx，并对辅助偏压值Vx进行分压以产生基极偏压值Vy。基于分压电路340的分压操作。如此一来，负载开关SW1、SW2的阈值电压被下降。负载开关SW1、SW2的导通电阻值被下降。负载开关SW1、SW2可传输较大的电流值，进而提高电荷泵电路300的效率。
在本实施例中，分压电路340包括电阻器R1、R2以及电流源Ib。电阻器R1的第一端耦接于电荷储存电路331已接收辅助偏压值Vx。电阻器R1的第二端耦接于分压节点。电阻器R2的第一端耦接于分压节点。电流源Ib耦接于电阻器R2的第二端。电流源Ib用以限制分压电路340的操作电流，从而控制电阻器R1两端之间的电压差以及基极偏压值Vy。
进一步来说，电阻器R1两端之间的电压差能够基于电流源Ib所提供的操作电流被决定。电阻器R1两端之间的电压差被定义为小于寄生二极管的顺向偏压值。电阻器R1两端之间的电压差例如是0.5伏特至0.6伏特。因此，分压电路340能够避免电荷泵电路300发生闩锁效应。
在一些实施例中，电阻器R1、R2的至少其中之一可以由可变电阻电路来实施。
请参考图6，图6是依据本发明第四实施例所绘示的电荷泵电路的示意图。在本实施例中，电荷泵电路400被设置于基板。电荷泵电路400可以是单芯片(on-chip)电路。电荷泵电路400包括双相位电荷泵410、负载开关SW1、SW2、控制电路220、调整电路330以及分压电路340。负载开关SW1、SW2、控制电路220、调整电路330以及分压电路340的实施方式已在上述的多个实施例中清楚说明，因此不再重述。在本实施例中，双相位电荷泵410包括电源晶体管M1、M2以及电容器C1、C2。电源晶体管M1的第一端耦接于电源VDDA。电源晶体管M1的第二端以及电源晶体管M1的控制端耦接于节点ND1。电源晶体管M2的第一端耦接于电源VDDA。电源晶体管M2的第二端以及电源晶体管M2的控制端耦接于节点ND2。
应注意的是，在本实施例中，电容器C1的第一端耦接于节点ND1。电容器C1的第二端耦接于基板的阱W1上。电容器C1透过阱W1接收时钟CK1。电容器C2的第一端耦接于节点ND2。电容器C2的第二端耦接于基板的阱W2上。电容器C2透过阱W2接收时钟CK2。
在本实施例中，当电容器C1透过阱W1接收时钟CK1时，电容器C1与阱W1被视为彼此串联耦接。电容器C1与阱W1共同形成提供一等校电容值。由于基板的阱W1具有很低的电容值(也就是，寄生电容值)。因此，等校电容值会明显低于电容器C1的电容值。如此一来，节点ND1会具有较快的向应速度。节点ND1的充电时间以及放电时间都可以被缩短。
同理可推，当电容器C2透过阱W2接收时钟CK2时，电容器C2与阱W2被视为彼此串联耦接。电容器C2与阱W2共同形成提供一等校电容值。由于基板的阱W2具有很低的电容值。因此，等校电容值会明显低于电容器C2的电容值。如此一来，节点ND2会具有较快的向应速度。节点ND2的充电时间以及放电时间都可以被缩短。
在本实施例中，阱W1、W2分别是N型阱。在一些实施例中，阱W1、W2分别是具有重掺杂的N型阱。
综上所述，本发明的电荷泵电路的控制电路反应于第三时钟以控制第一负载开关并反应于第四时钟以控制第二负载开关。在第二负载开关被断开的期间，第一负载开关将第一泵升电压传输至输出端。在第一负载开关被断开的期间，第二负载开关将第二泵升电压传输至输出端。本发明的电荷泵电路并不会发生反向漏电流。如此一来，电荷泵电路的效率能够被提升。在一些实施例中，电荷泵电路的调整电路能够将第一负载开关以及第二负载开关的基极偏压值调节至大于位于输出端的电压值。如此一来，调整电路能够避免第一负载开关以及第二负载开关发生闩锁效应。此外，在一些实施例中，双相位电荷泵的第一电容器透过第一阱来接收第一时钟。双相位电荷泵的第二电容器透过第二阱来接收第二时钟。如此一来，第一节点以及第二节点分别会具有较快的向应速度。第一节点以及第二节点的充电时间以及放电时间都可以被缩短。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电荷泵电路，其特征在于，包括：
双相位电荷泵，经配置以反应于第一时钟以及第二时钟以对电源进行电压泵升操作，从而在第一节点产生第一泵升电压并在第二节点产生第二泵升电压；
第一负载开关，耦接于所述第二节点与所述双相位电荷泵电路的输出端之间；
第二负载开关，耦接于所述第一节点与所述输出端之间；以及
控制电路，耦接于所述第一负载开关以及所述第二负载开关，经配置以反应于所述第三时钟以控制所述第一负载开关并反应于所述第四时钟以控制所述第二负载开关，
其中在所述第一负载开关被断开的期间，所述第二负载开关将所述第一泵升电压传输至所述输出端，并且
其中在所述第二负载开关被断开的期间，所述第一负载开关将所述第二泵升电压传输至所述输出端。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于，所述双相位电荷泵包括：
第一电源晶体管，所述第一电源晶体管的第一端耦接于电源，所述第一电源晶体管的第二端以及所述第一电源晶体管的控制端耦接于所述第一节点；
第二电源晶体管，所述第二电源晶体管的第一端耦接于电源，所述第二电源晶体管的第二端以及所述第二电源晶体管的控制端耦接于所述第二节点；
第一电容器，耦接于所述第一节点与所述第一时钟之间；以及
第二电容器，耦接于所述第二节点与所述第二时钟之间。
3.根据权利要求2所述的电荷泵电路，其特征在于：
所述电荷泵电路被设置于基板，
所述第一电容器的第一端耦接于所述第一节点，
所述第一电容器的第二端耦接于所述基板的第一阱上并透过所述第一阱接收所述第一时钟，
所述第二电容器的第一端耦接于所述第二节点，并且
所述第二电容器的第二端耦接于所述基板的第二阱上并透过所述第二阱接收所述第二时钟。
4.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于：
所述第一时钟自低电压准位转态至高电压准位的第一转态时间点晚于所述第三时钟自低电压准位转态至高电压准位的时间点，
所述第四时钟自高电压准位转态至低电压准位的时间点晚于所述第一转态时间点，
所述第一时钟自高电压准位转态至低电压准位的第二转态时间点晚于所述第四时钟自低电压准位转态至高电压准位的时间点，并且
所述第三时钟自高低电压准位转态至低电压准位时间点晚于所述第二转态时间点。
5.根据权利要求4所述的电荷泵电路，其特征在于：
所述第二时钟自低电压准位转态至高电压准位的第三转态时间点晚于所述第一时钟自高低电压准位转态至低电压准位的时间点，
所述第三时钟自高电压准位转态至低电压准位的时间点晚于所述第三转态时间点，
所述第二时钟自高电压准位转态至低电压准位的第四转态时间点晚于所述第四时钟自低电压准位转态至高电压准位的时间点，并且
所述第四时钟自高电压准位转态至低电压准位的时间点晚于所述第四转态时间点。
6.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于，所述控制电路包括：
第一控制晶体管，所述第一控制晶体管的第一端耦接于电压源，所述第一控制晶体管的第二端耦接于第三节点，所述第一控制晶体管的控制端耦接于所述第二节点；
第二控制晶体管，所述第二控制晶体管的第一端耦接于电压源，所述第二控制晶体管的第二端耦接于第四节点，所述第二控制晶体管的控制端耦接于所述第一节点；
第一控制电容器，耦接于所述第三节点与所述第三时钟之间；以及
第二控制电容器，耦接于所述第四节点与所述第四时钟之间，
其中所述第一负载开关的控制端耦接于所述第三节点，并且
其中所述第二负载开关的控制端耦接于所述第四节点。
7.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于，所述控制电路反应于所述第三时钟以提供用以控制所述第一负载开关的第一控制信号，并反应于所述第四时钟以提供用以控制所述第二负载开关的第二控制信号。
8.根据权利要求7所述的电荷泵电路，其特征在于：
所述第一负载开关以及所述第二负载开关分别为场效晶体管，并且
所述电荷泵电路还包括：
调整电路，耦接于所述控制电路、所述第一负载开关以及所述第二负载开关，经配置以反应于所述第一泵升电压、所述第二泵升电压、所述第一控制信号以及所述第二控制信号来调节所述第一负载开关以及所述第二负载开关的基极偏压值。
9.根据权利要求8所述的电荷泵电路，其特征在于，所述调整电路包括：
第一调整晶体管，所述第一调整晶体管的第一端耦接于所述第二节点，所述第一调整晶体管的第二端以及所述第一调整晶体管的基极耦接至所述第一负载开关的基极，所述第一调整晶体管的控制端耦接于所述第三节点；
第二调整晶体管，所述第二调整晶体管的第一端耦接于所述第一节点，所述第二调整晶体管的第二端以及所述第二调整晶体管的基极耦接至所述第二负载开关的基极，所述第二调整晶体管的控制端耦接于所述第四节点；以及
电荷储存电路，耦接于所述第一调整晶体管的第二端以及所述第二调整晶体管的第二端，经配置以储存电路储存所述第一泵升电压以及所述第二泵升电压的电荷以产生用以决定所述基极偏压值的辅助偏压值。
10.根据权利要求9所述的电荷泵电路，其特征在于，还包括：
分压电路，耦接于所述电荷储存电路、所述第一负载开关的基极以及所述第二负载开关的基极，经配置以接收来自于所述电荷储存电路所述辅助偏压值，并对所述辅助偏压值进行分压以产生所述基极偏压值。
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