JP2015143828A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明によれば、支持体側から電荷発生層側への電荷注入が抑制され環境変動が抑制され、かつ感度が向上された電子写真感光体を提供することにある。
【解決手段】電子写真感光体の下引き層が、重合性官能基を有する電子輸送物質及び架橋剤を含む組成物の重合物、及び樹脂粒子を含有し、電子輸送物質の含有量が組成物の全質量に対して３０質量％以上７０質量％以下であり、下引き層と電荷発生層との界面に樹脂粒子に由来する凸部が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

現在、プロセスカートリッジや電子写真装置に用いられる電子写真感光体としては、有機光導電性物質を含有する電子写真感光体が主流である。電子写真感光体は、一般的に、支持体及び支持体上に形成された感光層を有する。そして、支持体側から感光層（電荷発生層）側への電荷注入を抑制し、カブリなどの画像欠陥の発生を抑え、かつ支持体の表面の欠陥の隠蔽を目的として支持体と感光層との間には下引き層が設けられている。

電荷発生層からの電子の引き抜き、及び支持体側から電荷発生層側への電荷注入抑制を目的として電子輸送物質を含有させた下引き層が知られている。電子輸送物質を含有させた下引き層は、導電性のあるイオンや金属酸化物粒子を用いた下引き層と比べて、抵抗が高く、支持体側から電荷発生層側への電荷注入の抑制力は高い。

特許文献１にはバインダー樹脂と電子輸送材料としてテトラカルボン酸イミド化合物のみからなる下引き層（電子輸送層）が記載されている。下引き層として移動度は高く、更に電荷注入の抑制力も高い。一方で、電子輸送物質が溶剤に可溶であるため、下引き層上に電荷発生層を塗布によって形成する場合、特に浸漬塗布を行う場合、電子輸送材料が電荷発生層や塗布液に溶出する場合がある。そのため、本来の電子輸送能を得ることができずに、電子移動能が不十分である場合があった。

そこで、電子輸送物質を架橋させる技術がある。特許文献２には、下引き層に非加水分解性重合性官能基を有する電子輸送物質の重合物を含有させることが記載されている。
これにより電子輸送物質を架橋させることによって、溶出の発生は抑えられる。しかしながら、架橋させたことによって、十分に電子の引き抜きが行われないことにより電荷の滞留が生じ、感度が不十分である場合があった。
下引き層上に電荷発生層を塗布により形成する場合、電子輸送物質が溶出せず、かつ、電子移動能が高い下引き層を形成するのは改善の余地があるものであった。

特開２０１０−１４５５０６号公報 特開２００３−３３０２０９号公報

本発明の目的は、支持体側から電荷発生層側への電荷注入が抑制され、かつ感度を向上させた電子写真感光体ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。

本発明は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、該下引き層の直上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された正孔輸送層を有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、
重合性官能基を有する電子輸送物質及び架橋剤を含む組成物の重合物、及び
樹脂粒子
を含有し、
該電子輸送物質の含有量が、該組成物の全質量に対して３０質量％以上７０質量％以下であり、
該下引き層と該電荷発生層との界面に該下引き層の該樹脂粒子に由来する凸部が形成されていることを特徴とする電子写真感光体に関する。

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジに関する。

また、本発明は、上記電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置に関する。

本発明によれば、支持体側から電荷発生層側への電荷注入が抑制され、かつ感度が向上された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することができる。

本発明の下引き層を説明するための模式的な断面を示す図である。 電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図である。

本発明の電子写真感光体は、支持体、支持体上に形成された下引き層、下引き層の直上に形成された電荷発生層、及び電荷発生層上に形成された正孔輸送層を有する。

〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましい。例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄などの金属又は合金製の支持体を用いることができる。ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金などの金属の薄膜を形成した支持体、又は酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成した支持体が挙げられる。
支持体の表面には、電気的特性の改善や干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング処理、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。

〔下引き層〕
本発明における下引き層は支持体上に形成される。
本発明における下引き層は、重合性官能基を有する電子輸送物質及び架橋剤を含む組成物の重合物（硬化物）、及び樹脂粒子を含有する。さらには、組成物中に重合性官能基を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。

本発明の下引き層は、下引き層に樹脂粒子を含有することにより、下引き層と電荷発生層との界面に下引き層の樹脂粒子に由来する凸部が形成されている。そして、樹脂粒子が重合物（硬化物）に被覆されている。

本発明において、下引き層がこのような構成を有することにより、支持体側から電荷発生層側への電荷注入が抑制され、感度が向上する理由を本発明者らは以下のように推測している。
溶出の発生を抑えるために重合性官能基を有する電子輸送物質を重合させた下引き層は、樹脂と電子輸送物質とを含有させた下引き層（溶出の発生が無い場合）と比較すると感度が劣りやすい。この理由としては、下引き層が電子輸送物質の重合物を含有して、架橋構造をとることで、電荷発生物質から電子輸送物質への電子注入が低減されるからと考えている。

そこで本発明にあるように樹脂粒子を電子輸送能のある下引き層に含有させることで凸部を形成でき、電荷発生物質と電子輸送物質の接触確率を高めること可能となる。そのことにより、架橋構造をとることで低減された電子注入分を補うことが可能となったと考えている。また、樹脂粒子は導電性に寄与しないため、支持体から電荷発生層側への電荷注入も生じず、支持体側から電荷発生層側への電荷注入抑制と感度が向上の両立が達成できたと考えている。

図１は本発明の下引き層を説明する模式的な断面図である。支持体１０１上に下引き層１０２が形成され、その直上に電荷発生層１０３が形成される。下引き層１０２には重合性官能基を有する電子輸送物質及び架橋剤を含む組成物の重合物を含有する。樹脂粒子１０６は、下引き層１０２中に分散されている。下引き層と電荷発生層との界面は、下引き層の樹脂粒子１０６に由来する凸部が形成されている。

電子輸送物質の含有量は、組成物の全質量に対して３０質量％以上７０質量％以下である。３０質量％未満だと樹脂粒子が含有されていても感度の向上がみられなく、７０質量％より多いと、溶出の発生が生じる場合がある。

下引き層中の樹脂粒子の含有量は、該組成物の全質量に対して５質量％以上２０質量％以下であることが好ましい。この範囲であると感度の向上と支持体から電荷発生層への電荷注入の抑制効果がより高い。

下引き層は、まず、重合性官能基を有する電子輸送物質、架橋剤、及び場合によっては重合性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む組成物、及び樹脂粒子を含有する下引き層用塗布液の塗膜を形成する。この塗膜を加熱乾燥させることによって、組成物を重合させ、下引き層を形成することができる。
下引き層用塗布液の塗膜を加熱乾燥させるときの加熱温度は、１００〜２００℃の温度であることが好ましい。

重合性官能基を有する電子輸送物質としては、例えば、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物が挙げられる。重合性官能基としては、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、又はメトキシ基が挙げられる。以下に、電子輸送物質の具体例として、下記式（Ａ１）〜（Ａ１１）のいずれかで示される化合物を示す。

式（Ａ１）〜（Ａ１１）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１６、Ｒ^２１〜Ｒ^３０、Ｒ^３１〜Ｒ^３８、Ｒ^４１〜Ｒ^４８、Ｒ^５１〜Ｒ^６０、Ｒ^６１〜Ｒ^６６、Ｒ^７１〜Ｒ^７８、Ｒ^８１〜Ｒ^９０、Ｒ^９１〜Ｒ^９８は、Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０は、Ｒ^１１１〜Ｒ^１２０は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、又は置換もしくは無置換の複素環を示す。アルキル基の主鎖中のＣＨ_２の１つがＯ、Ｓ、ＮＨ又はＮＲ^１２１（Ｒ^１２１はアルキル基）で置き換わっていても良い。Ｒ^１１〜Ｒ^１６の少なくとも１つ、Ｒ^２１〜Ｒ^３０の少なくとも１つ、Ｒ^３１〜Ｒ^３８の少なくとも１つ、Ｒ^４１〜Ｒ^４８の少なくとも１つ、Ｒ^５１〜Ｒ^６０の少なくとも１つ、Ｒ^６１〜Ｒ^６６の少なくとも１つ、Ｒ^７１〜Ｒ^７８の少なくとも１つ、Ｒ^８１〜Ｒ^９０の少なくとも１つ、Ｒ^９１〜Ｒ^９８の少なくとも１つ、Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０の少なくとも１つ、Ｒ^１１１〜Ｒ^１２０の少なくとも１つは、式（Ａ）で示される１価の基を有する。
置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基である。置換のアリール基の置換基、置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシ基である。Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^４１及びＺ^５１は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、又は酸素原子を示す。Ｚ^２１が酸素原子である場合はＲ^２９及びＲ^３０は存在せず、Ｚ^２１が窒素原子である場合はＲ^３０は存在しない。Ｚ^３１が酸素原子である場合はＲ^３７及びＲ^３８は存在せず、Ｚ^３１が窒素原子である場合はＲ^３８は存在しない。Ｚ^４１が酸素原子である場合はＲ^４７及びＲ^４８は存在せず、Ｚ^４１が窒素原子である場合はＲ^４８は存在しない。Ｚ^５１が酸素原子である場合はＲ^５９及びＲ^６０は存在せず、Ｚ^５１が窒素原子である場合はＲ^６０は存在しない。

式（Ａ）中、α、β、及びγの少なくとも１つは重合性官能基を有する基であり、重合性官能基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌ及びｍは、それぞれ独立に、０又は１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
αは、主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、アルコキシカルボニル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、又はフェニル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基を示す。これらの基は、重合性官能基を有しても良い。アルキレン基の主鎖中のＣＨ_２の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^１２２（式中、Ｒ^１２２は、水素原子、又はアルキル基を示す。）で置き換わっても良い。
βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル置換フェニレン基、ニトロ置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、又はアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これらの基は、重合性官能基を有しても良い。
γは、水素原子、主鎖の原子数が１〜６のアルキル基、又は炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基を示す。これらの基は、重合性官能基を有しても良い。アルキル基の主鎖中のＣＨ_２の１つは、Ｏ又はＳ又はＮＲ^１２３（式中、Ｒ^１２３は、水素原子又はアルキル基を示す。）で置き換わっていても良い。

以下に重合性官能基を有する電子輸送物質の具体例を示す。表中、Ａａは、Ａと同様な構造式で表され、その１価の基の具体例をＡ及びＡａの欄に示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、α又はβの欄に示す構造に含めて表示する。

（Ａ２）〜（Ａ６）、（Ａ９）のいずれか構造を有する誘導体（電子輸送物質の誘導体）は、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。（Ａ１）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）、又はジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成可能である。（Ａ７）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）又はシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なフェノール誘導体を原料として合成可能である。（Ａ８）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なペリレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することが可能である。（Ａ１０）の構造を有する誘導体は、例えば特許第３７１７３２０号公報記載の公知の合成方法を用いて、ヒドラゾン構造を有するフェノール誘導体を、有機溶媒中、過マンガン酸カリウム等の適当な酸化剤で酸化することによって合成可能である。（Ａ１１）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）又はジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体とヒドラジンとの反応で合成可能である。

（Ａ１）〜（Ａ１１）のいずれかで示される化合物には、架橋剤と重合可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ１）〜（Ａ１１）のいずれかの構造を有する誘導体に重合性官能基を導入して、（Ａ１）〜（Ａ１１）のいずれかで示される化合物を合成する方法として、以下のような方法が挙げられる。例えば、（Ａ１）〜（Ａ１１）のいずれかの構造を有する誘導体を合成した後、直接重合性官能基を導入する方法がある。また、重合性官能基又は重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。この方法としては、（Ａ１）〜（Ａ１１）のいずれかの構造を有する誘導体のハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基を有するアリール基を導入する方法がある。また、（Ａ１）〜（Ａ１１）のいずれかの構造を有する誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基を有するアルキル基を導入する方法がある。また、（Ａ１）〜（Ａ１１）のいずれかの構造を有する誘導体のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。

耐溶剤性が高く、強固な架橋構造を形成する観点から、重合性官能基を有する電子輸送物質としては、同一分子内に２つ以上重合性官能基を有することが好ましい。

次に、架橋剤について説明する。架橋剤としては、重合性官能基を有する電子輸送物質、及び重合性官能基を有する熱可塑性樹脂と重合又は架橋する化合物を用いることができる。具体的には、山下晋三，金子東助編「架橋剤ハンドブック」大成社刊（１９８１年）等に記載されている化合物等を用いることができる。

下引き層に用いる架橋剤は、好ましくは、イソシアネート基又はブロックイソシアネート基を有するイソシアネート化合物、Ｎ−メチロール基又はアルキルエーテル化Ｎ−メチロール基を有するアミン化合物である。イソシアネート基又はブロックイソシアネート基を２〜６個有しているイソシアネート化合物が好ましい。例えば、トリイソシアネートベンゼン、トリイソシアネートメチルベンゼン、トリフェニルメタントリイソシアネート、リジントリイソシアネートの他、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、メチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、ノルボルナンジイソシアネート等のジイソシアネートのイソシアヌレート変性体、ビウレット変性体、アロファネート変性体、トリメチロールプロパンやペンタエリスリトールとのアダクト変性体等が挙げられる。これらの中でもイソシアヌレート変性体とアダクト変性体がより好ましい。

ブロックイソシアネート基は、−ＮＨＣＯＸ^１（Ｘ^１は保護基）という構造を有する基である。Ｘ^１は、イソシアネート基に導入可能な保護基であれば何れでも良いが、下記式（Ｈ１）〜（Ｈ６）で示される基がより好ましい。

以下に、イソシアネート化合物の具体例（Ｂ１）〜（Ｂ２１）を示す。

アミン化合物としては、例えば、Ｎ−メチロール基又はアルキルエーテル化されたＮ−メチロール基を複数個（２個以上）有しているアミン化合物が好ましい。アミン化合物としては、例えば、メラミン化合物、グアナミン化合物、尿素化合物が挙げられる。具体的には、下記式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物、又は、下記式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物のオリゴマーが好ましい。

式（Ｃ１）〜（Ｃ５）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１６、Ｒ^２２〜Ｒ^２５、Ｒ^３１〜Ｒ^３４、Ｒ^４１〜Ｒ^４４、及びＲ^５１〜Ｒ^５４は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、アシル基又は−ＣＨ_２−ＯＲ^１で示される１価の基を示す。Ｒ^１１〜Ｒ^１６の少なくとも１つ、Ｒ^２２〜Ｒ^２５の少なくとも１つ、Ｒ^３１〜Ｒ^３４の少なくとも１つ、Ｒ^４１〜Ｒ^４４の少なくとも１つ、及びＲ^５１〜Ｒ^５４の少なくとも１つは、−ＣＨ_２−ＯＲ^１で示される１価の基である。Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１以上１０以下のアルキル基を示す。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基）などが、重合性の観点から好ましい。Ｒ^２１は、アリール基、アルキル基置換のアリール基、シクロアルキル基、又はアルキル基置換のシクロアルキル基を示す。

以下に、式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物の具体例を示す。また、式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物のオリゴマー（多量体）を含有していても良い。
上述の多量体の重合度は、２以上１００以下であることが好ましい。また、上述の多量体及び単量体は、２種以上混合して用いることもができる。

上記式（Ｃ１）で示される化合物の一般的に購入可能なものとしては、例えば、スーパーメラミＮｏ．９０（日本油脂社製）、スーパーベッカミン（Ｒ）ＴＤ−１３９−６０、Ｌ−１０５−６０、Ｌ１２７−６０、Ｌ１１０−６０、Ｊ−８２０−６０、Ｇ−８２１−６０（ＤＩＣ社製）、ユーバン２０２０（三井化学）、スミテックスレジンＭ−３（住友化学工業）、ニカラックＭＷ−３０、ＭＷ−３９０、ＭＸ−７５０ＬＭ（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。上記式（Ｃ２）で示される化合物の一般的に購入可能なものとしては、例えば、”スーパーベッカミン（Ｒ）Ｌ−１４８−５５、１３−５３５、Ｌ−１４５−６０、ＴＤ−１２６（ＤＩＣ社製）、ニカラックＢＬ−６０、ＢＸ−４０００（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。上記式（Ｃ３）で示される化合物の一般的に購入可能なものとしては、例えば、ニカラックＭＸ−２８０（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。上記式（Ｃ４）で示される化合物の一般的に購入可能なものとしては、例えば、ニカラックＭＸ−２７０（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。上記式（Ｃ５）で示される化合物の一般的に購入可能なものとしては、例えば、ニカラックＭＸ−２９０（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。

以下に、式（Ｃ１）の化合物の具体例を示す。

以下に、式（Ｃ２）の化合物の具体例を示す。

以下に、式（Ｃ３）の化合物の具体例を示す。

以下に、式（Ｃ４）の化合物の具体例を示す。

以下に、式（Ｃ５）の化合物の具体例を示す。

次に、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂について説明する。重合性官能基を有する熱可塑性樹脂としては、下記式（Ｄ）で示される構造単位を有する熱可塑性樹脂が好ましい。

式（Ｄ）中、Ｒ^６１は、水素原子又はアルキル基を示す。Ｙ^１は、単結合、アルキレン基又はフェニレン基を示す。Ｗ^１は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、又はメトキシ基を示す。

式（Ｄ）で示される構造単位を有する熱可塑性樹脂としては、例えば、アセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、上記式（Ｄ）で示される構造単位以外に、以下に示す特徴的な構造をさらに有する。特徴的な構造を以下の（Ｅ−１）〜（Ｅ−６）に示す。（Ｅ−１）は、アセタール樹脂の構造単位である。（Ｅ−２）は、ポリオレフィン樹脂の構造単位である。（Ｅ−３）は、ポリエステル樹脂の構造単位である。（Ｅ−４）は、ポリエーテル樹脂の構造単位である。（Ｅ−５）は、ポリアミド樹脂の構造単位である。（Ｅ−６）は、セルロース樹脂の構造単位である。

上記式中、Ｒ^２０１〜Ｒ^２０５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ^２０６〜Ｒ^２１０は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアリーレン基を示す。Ｒ^２０１がＣ_３Ｈ_７（プロピル基）である場合は（Ｅ−１）はブチラールを示す。Ｒ^２１１〜Ｒ^２１６は、アセチル基もしくはヒドロキシエチル基もしくはヒドロキシプロピル基もしくは水素原子を示す。

式（Ｄ）で示される構造単位を有する樹脂（以下樹脂Ｄとも称する）は、例えば、シグマアルドリッチジャパン（株）や東京化成工業（株）から購入可能な、重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、又はメトキシ基）を有するモノマーを重合させることで得られる。

また、樹脂Ｄは、一般的に購入することも可能である。購入可能な樹脂としては、例えば、日本ポリウレタン工業（株）製ＡＱＤ−４５７、ＡＱＤ−４７３、三洋化成工業（株）製サンニックスＧＰ−４００、ＧＰ−７００などのポリエーテルポリオール系樹脂、日立化成工業（株）製フタルキッドＷ２３４３、ＤＩＣ（株）製ウォーターゾールＳ−１１８、ＣＤ−５２０、ベッコライトＭ−６４０２−５０、Ｍ−６２０１−４０ＩＭ、ハリマ化成（株）製ハリディップＷＨ−１１８８、日本ユピカ社製ＥＳ３６０４、ＥＳ６５３８などのポリエステルポリオール系樹脂、ＤＩＣ（株）製、バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４などのポリアクリルポリオール系樹脂、（株）クラレ製クラレポバールＰＶＡ−２０３などのポリビニルアルコール系樹脂、積水化学工業（株）製ＢＸ−１、ＢＭ−１などのポリビニルアセタール系樹脂、ナガセケムテックス（株）製トレジンＦＳ−３５０などのポリアミド系樹脂、日本触媒（株）製アクアリック、鉛市（株）製ファインレックスＳＧ２０００などのカルボキシル基含有樹脂、ＤＩＣ（株）製、ラッカマイドなどのポリアミン樹脂、東レ（株）製ＱＥ−３４０Ｍなどのポリチオール樹脂などが挙げられる。これらの中でもポリビニルアセタール系樹脂、ポリエステルポリオール系樹脂などが重合性、下引き層の均一性の観点からより好ましい。

樹脂Ｄの重量平均分子量（Ｍｗ）は５０００〜４０００００の範囲であることがより好ましい。

樹脂中の重合性官能基の定量法は、例えば水酸化カリウムを用いたカルボキシル基の滴定、亜硝酸ナトリウムを用いたアミノ基の滴定、無水酢酸と水酸化カリウムを用いた水酸基の滴定、５，５’−ジチオビス（２−ニトロ安息香酸）を用いたチオール基の滴定が挙げられる。また、重合性官能基導入比率を変化させた試料のＩＲスペクトルから得られる検量線法が挙げられる。

以下表１２に、樹脂Ｄの具体例を示す。表１２中、「特徴的な部位」の欄は、上記（Ｅ−１）〜（Ｅ−６）のいずれかで示される構造単位を示す。

本発明の樹脂粒子は、下引き層と電荷発生層との界面に凸部を形成させる。樹脂粒子の種類は特に限定されるものではないが、シリコーン樹脂粒子、架橋ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子、スチレン樹脂粒子及びフッ素樹脂粒子などを挙げることができる。凸部の形成がしやすい点から、シリコーン樹脂粒子、架橋ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子が好ましい。

樹脂粒子の分散方法としては、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ロールミル、振動ミルを用いた方法が挙げられる。

下引き層の凸部の形成は表面粗さを測定することによって確認することができる。表面粗さが基準長さ０．８ｍｍでの十点平均粗さＲｚｊｉｓが０．５μｍ以上２．５μｍ以下であることが好ましい。この範囲であると感度の向上と支持体側から電荷発生層側への電荷注入の抑制効果がより高い。

樹脂粒子の数平均粒子径は、０．５μｍ以上５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以上３．５μｍ以下がより好ましい。この範囲であると感度の向上と支持体から電荷発生層への電荷注入の抑制効果がより高い。

下引き層の膜厚は、重合物の形成のしやすさの点から、１μｍ以上１５μｍ以下が好ましく、２μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。

〔電荷発生層〕
下引き層の直上には、電荷発生層が設けられる。
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体、イソビオラントロン誘導体、インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、ビスベンズイミダゾール誘導体などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、又はフタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。

オキシチタニウムフタロシアニンとしては、以下のものが好ましい。例えば、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の９．０°、１４．２°、２３．９°及び２７．１°にピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶である。また、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の９．５°、９．７°、１１．７°、１５．０°、２３．５°、２４．１°及び２７．３°にピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶も好ましい。

クロロガリウムフタロシアニンとしては、以下のものが好ましい。例えば、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．２°にピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。また、ブラッグ角（２θ±０．２°）の６．８°、１７．３°、２３．６°及び２６．９°にピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。また、ブラッグ角（２θ±０．２°）の８．７°、９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°及び２８．８°にピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。

ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、以下のものが好ましい。例えば、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．３°、２４．９°及び２８．１°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。また、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。

電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体及び共重合体や、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましく、ポリビニルアセタールがより好ましい。

電荷発生層において、電荷発生物質と結着樹脂との質量比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤又は芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

〔正孔輸送層〕
電荷発生層上には正孔輸送層が形成される。
正孔輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミン、又は、これらの化合物から誘導される基を主鎖又は側鎖に有するポリマーが挙げられる。これらの中でもトリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、又はスチリル化合物が好ましい。

正孔輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂及びポリアリレート樹脂が好ましい。また、これらの分子量としては、重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，０００〜３００，０００の範囲が好ましい。

正孔輸送層において、正孔輸送物質と結着樹脂との質量比率（正孔輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０が好ましく、１０／８〜６／１０がより好ましい。

正孔輸送層の膜厚は、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。下引き層との膜厚との観点から、より好ましくは５μｍ以上１６μｍ以下である。正孔輸送層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤又は芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

また、正孔輸送層上に保護層を形成してもよい。表面保護層は、導電性粒子又は電荷輸送物質と結着樹脂とを含有する。また、保護層は、潤滑剤などの添加剤をさらに含有してもよい。また、保護層の結着樹脂自体に導電性や電荷輸送性を有させてもよく、その場合、保護層には、当該樹脂以外の導電性粒子や電荷輸送物質を含有させなくてもよい。また、保護層の結着樹脂は、熱可塑性樹脂でもよいし、熱、光、放射線（電子線など）などにより重合させてなる硬化性樹脂であってもよい。

下引き層、電荷発生層、正孔輸送層などの電子写真感光体を構成する各層を形成する方法としては、まず、各層を構成する材料を溶剤に溶解及び／又は分散させて得られた塗布液を塗布して塗膜を形成する。次に、得られた塗膜を乾燥及び／又は硬化させることによって形成する方法が好ましい。塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。

〔電子写真感光体特性〕
本発明の電子写真感光体は、暗所における減衰（暗減衰）が小さいことが望ましい。具体的には、電子写真感光体に印加される電界強度が２５Ｖ／μｍのときに、電子写真感光体の帯電から１．０秒後の表面電位（Ｖｄ_１．０）が、帯電から０．１秒後の表面電位（Ｖｄ_０．１）の９５％以上であることが好ましい。９５％以上であると支持体側から電荷発生層側への電荷注入の抑制効果が十分に得られていると推測される。
評価機は特に限定されないが、市販のドラム試験機を用いることができる。
評価方法は、まず、帯電から０．１秒後の表面電位が、下引き層、電荷発生層、正孔輸送層、場合によっては保護層の総膜厚に対して、電界強度が２５Ｖ／μｍになるように帯電器の設定をおこなう。次に、その設定条件で帯電させ、帯電から０．１秒後と１．０秒後の表面電位を測定し、帯電から１．０秒後の表面電位が帯電から０．１秒後の表面電位に対しての低下率を算出する。

〔プロセスカートリッジ及び電子写真装置〕
図２に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
図２において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。回転駆動される電子写真感光体１の表面（周面）は、帯電手段３（一次帯電手段：帯電ローラーなど）により、正又は負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。

電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、次いで現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。なお、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて給送される。

トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。

トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（トナー）の除去を受けて清浄面化される。次いで、前露光手段（不図示）からの前露光光１１により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図２に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。

上記の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６及びクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数のものを選択して容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合する。このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図２では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。

（合成例）
室温下、窒素気流下３００ｍｌ３つ口フラスコに、１，４，５，８―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物２６．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ジメチルアセトアミド１５０ｍｌを入れた。これに、ブタノールアミン８．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）とジメチルアセトアミド２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣に酢酸エチルを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品を酢酸エチル／ヘキサンにより再結晶し、片側にのみブタノール構造が導入されたモノイミド体１０．２ｇを得た。
３００ｍｌ３つ口フラスコに、モノイミド体６．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ヒドラジン一水和物１ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ｐ―トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、式（Ａ１１０１）で表される電子輸送物質を２．５４ｇ得た。

次に、電子写真感光体の製造及び評価について示す。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。

（実施例１）
直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）をホーニング処理し、超音波水洗浄したものを支持体（導電性支持体）とした。

次に、電子輸送物質（Ａ１０１）を４部、架橋剤（Ｂ１：保護基（Ｈ１））＝５．１：２．２（質量比））を５．５部、樹脂（Ｄ１）（式（Ｅ−１）中、Ｒ^２０１がＣ_３Ｈ_７である。）を０．３部、触媒としてのジオクチルスズラウレート０．０５部を、ジメチルアセトアミド５０部とメチルエチルケトン５０部の混合溶媒に溶解した。さらに、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、数平均粒子径２μｍ）１．５部を添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が４μｍの下引き層を形成した。電子輸送物質、架橋剤及び樹脂の全質量（組成物の全質量）に対する電子輸送物質の含有量は４１質量％であった。
電子輸送物質、架橋剤及び樹脂の全質量（組成物の全質量）に対する樹脂粒子量は１５質量％であった。

次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、下記式（１７）で示される化合物０．１部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部及びシクロヘキサノン２５０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１．５時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。

この電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１５μｍの電荷発生層を形成した。

次に、下記式（９−１）示されるトリアリールアミン化合物、及び式（９−２）で示されるベンジジン化合物をそれぞれ４部ずつ、及びビスフェノールＺ型のポリカーボネート（商品名：Ｚ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１０部を、ジメトキシメタン４０部及びクロロベンゼン６０部の混合溶剤に溶解させることによって、正孔輸送層用塗布液を調製した。この正孔輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの正孔輸送層を形成した。

このようにして、電位評価用の電子写真感光体を製造した。また、上記と同様に下引き層まで形成したサンプルを作製し、表面粗さ測定用のサンプルとした。
このようにして作製した電子写真感光体を常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）の環境下において電位評価及び表面粗さ測定を行った。結果を表１３に示す。

（下引き層の表面粗さ評価）
表面粗さ測定用のサンプル（下引き層）の表面を、表面粗さ測定器（サーフコーダーＳＥ−３４００、小坂研究所（株）製）を用いて表面粗さを測定した。表面粗さの測定は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１における十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）評価に則り、基準長さ０．８ｍｍで測定を行った。Ｒｚｊｉｓは１．７μｍであった。

（暗減衰評価）
暗減衰の測定にはジェンテック社製ドラム試験機ＣＹＮＴＨＩＡ９０を用いた。帯電にはコロナ帯電器を用いた。
まず、帯電器の設定をおこなった。帯電から０．１秒後の表面電位（Ｖｄ_０．１）を４７９Ｖ（電界強度は２５Ｖ／μｍ）になるように帯電器を設定した。なお、実施例１において、下引き層、電荷発生層及び正孔輸送層の総膜厚は１９．１５μｍであるので、電界強度を２５Ｖ／μｍにするためには、感光体の表面電位は４７９Ｖに設定される。
上記の帯電器の設定条件で再度帯電を行い、帯電から０．１秒後の表面電位（Ｖｄ_０．１）と帯電から１．０秒後の表面電位（Ｖｄ_１．０）を測定した。Ｖｄ_０．１は４７９Ｖ、Ｖｄ_１．０は４７４Ｖであった。電子写真感光体に印加される電界強度が２５Ｖ／μｍのときの、帯電から１．０秒後の表面電位は０．１秒後の表面電位の９９％であった。

（感度評価）
感度の評価は同一光量で照射したときの明部電位によって判定した。明部電位が低ければ感度が良く、高ければ感度が低いと評価できる。評価はキヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）を露光光量可変に改造した装置に装着して行った。
電子写真感光体の表面電位は、評価機から、現像用カートリッジを抜き取り、そこに電位測定装置を挿入し測定を行った。電位測定装置は、現像用カートリッジの現像位置に電位測定プローブを配置することで構成されており、電子写真感光体に対する電位測定プローブの位置は、ドラム軸方向の中央とした。
暗部電位（Ｖｄ）が−７００Ｖになるように帯電し、光量を０．３μＪ／ｃｍ^２に設定し、明部電位（Ｖｌ）を測定した結果−１７３Ｖであった。

（実施例２〜２８）
下引き層の電子輸送物質及び樹脂を表１３に示す電子輸送物質及び樹脂に変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。

（実施例２９）
下引き層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。
電子輸送物質（Ａ１０１）を４部、架橋剤（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））を５．５部、樹脂（Ｄ１）を０．３部、触媒としてのジオクチルスズラウレート０．５部を、ジメチルアセトアミド５０部とメチルエチルケトン５０部の混合溶媒に溶解し、架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子（商品名：ＴＥＣＨＰＯＬＹＭＥＲ ＳＳＸ−１０２、積水化成品工業（株）製、数平均粒子径２μｍ）２．０部を添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が５μｍの下引き層を形成した。

（実施例３０〜４８）
下引き層の電子輸送物質、架橋剤及び樹脂を表１３に示す電子輸送物質、架橋剤及び樹脂に変更した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。
Ｄ３、Ｄ５、Ｄ１８、Ｄ２１の特徴的な構造（Ｅ−１〜Ｅ−５）の具体的な構造を以下に示す。
Ｄ３：式（Ｅ−１）中、Ｒ^２０１がプロピル基である。
Ｄ５：式（Ｅ−３）中、Ｒ^２０６が（ＣＨ_２）_６、Ｒ^２０７がＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２である。
Ｄ１８：式（Ｅ−３）中、Ｒ^２０６が（ＣＨ_２）_６、Ｒ^２０７がＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２である。
Ｄ２１：式（Ｅ−３）中、Ｒ^２０６が（ＣＨ_２）_６、Ｒ^２０７がＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２である。

（実施例４９）
下引き層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。
電子輸送物質（Ａ１１４）５．０部、アミン化合物（Ｃ１−１）１．７５部、樹脂（Ｄ１）２．０部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．１部を、ジメチルアセトアミド５０部とメチルエチルケトン５０部の混合溶媒に溶解し、架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子（ＴＥＣＨＰＯＬＹＭＥＲ ＳＳＸ−１０２、数平均粒子径２μｍ）２．０部を添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。
この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、溶媒を蒸発させるとともに、重合（硬化）させることによって、膜厚が６μｍの下引き層を形成した。

（実施例５０）
下引き層のアミン化合物（Ｃ１−１）を（Ｃ１−３）に変更した以外は実施例４９と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。

（実施例５１）
下引き層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
電子輸送物質（Ａ１０１）４部、アミン化合物（Ｃ１−９）４部、樹脂（Ｄ１）１．５部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．２部を、ジメチルアセトアミド５０部とメチルエチルケトン５０部の混合溶媒に溶解し、シリコーン樹脂粒子（トスパール１２０、数平均粒径２μｍ）１．５部を添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が６μｍの下引き層を形成した。

（実施例５２、５３）
実施例５１の架橋剤（Ｃ１−９）を表１４に示す架橋剤に変更した以外は実施例５１と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例５４）
下引き層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
電子輸送物質（Ａ１０１）３．６部、イソシアネート化合物（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））７部、樹脂（Ｄ１）１．３部、触媒としてのジオクチルスズラウレート０．５部を、ジメチルアセトアミド５０部とメチルエチルケトン５０部の混合溶媒に溶解し、シリコーン樹脂粒子（トスパール１２０、数平均粒子径２μｍ）１．５部を添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が４μｍの下引き層を形成した。

（実施例５５）
下引き層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
次に、電子輸送物質（Ａ１０１）４部、架橋剤（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））７．３部、樹脂（Ｄ１）０．９部、触媒としてのジオクチルスズラウレート０．５部を、ジメチルアセトアミド５０部とメチルエチルケトン５０部の混合溶媒に溶解し、シリコーン樹脂粒子（トスパール１２０、数平均粒子径２μｍ）１．５部を添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が４μｍの下引き層を形成した。

（実施例５６）
下引き層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
電子輸送物質（Ａ１１４）６部、アミン化合物（Ｃ１−３）２．１部、樹脂（Ｄ１）０．５部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．１部を、ジメチルアセトアミド５０部とメチルエチルケトン５０部の混合溶媒に溶解しシリコーン樹脂粒子（トスパール１２０、数平均粒子径２μｍ）１．５部を添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が４μｍの下引き層を形成した。

（実施例５７〜６０）
実施例１の下引き層のシリコーン樹脂粒子の含有量を１．５部から１．０部、０．７５部、０．５部、０．３部に変更した。それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６１）
実施例１の下引き層のシリコーン樹脂粒子（トスパール１２０）を架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子（商品名：タフチックＦＨ−Ｓ、東洋紡（株）製、数平均粒径０．５μｍ）に変更した。それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６２）
実施例１の下引き層のシリコーン樹脂粒子（トスパール１２０）を架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子（商品名：ＴＥＣＨＰＯＬＹＭＥＲ ＳＳＸ−１０１、積水化成品工業（株）製、数平均粒子径１μｍ）に変更した。それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６３）
実施例２９の架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子量を２．０部から１．５部に変更した以外は実施例２９と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６４）
実施例１の下引き層のシリコーン樹脂粒子（トスパール１２０）をシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１３０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、数平均粒子径３μｍ）に変更した。それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６５）
実施例１の下引き層のシリコーン樹脂粒子（トスパール１２０）をシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、数平均粒子径４．５μｍ）に変更した。それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６６）
実施例１の下引き層のシリコーン樹脂粒子（トスパール１２０）を架橋ポリスチレン粒子（商品名：ケミスノーＳＸ、綜研化学工業（株）製、数平均粒子径３．５μｍ）に変更した。それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６７）
実施例１の下引き層の樹脂（Ｄ１）を添加しなかった以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６８）
実施例２９の下引き層の膜厚を５μｍから７μｍに変更し、樹脂（Ｄ１）を添加しなかった以外は実施例２９と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例６９）
実施例６７の下引き層の電子輸送物質（Ａ１０１）の添加量を４部から３部に変更した以外は実施例６７と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例７０）
実施例６７の下引き層の架橋剤（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））の添加量を５．５部から３．５部に変更した。それ以外は実施例６７と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例７１）
電荷発生層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２゜）の９．０゜、１４．２゜、２３．９゜及び２７．１゜にピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン１０部を用い、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）を、シクロヘキサノン：水＝９７：３の混合溶媒に溶解し５質量％溶液としたものを１６６部用意した。この溶液と、シクロヘキサノン：水＝９７：３の混合溶媒を１５０部、それと共に１ｍｍφガラスビーズ４００部を用いてサンドミル装置で４時間分散した後、シクロヘキサノン：水＝９７：３の混合溶媒を２１０部及びシクロヘキサノン２６０部を加えて電荷発生層用塗布液を調製した。電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を８０℃で１０分間乾燥して膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

（実施例７２）
電荷発生層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
下記構造式（１１）で表されるビスアゾ顔料２０部と、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）１０部とを、テトラヒドロフラン１５０部とともに混合分散させて、電荷発生層用塗布液を調製した。そしてこの塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１１０℃で３０分間乾燥して、膜厚０．３０μｍの電荷発生層を形成した。

（実施例７３）
実施例６１の下引き層の架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子の含有量を１．５部から０．３部に変更し、膜厚を４μｍから１μｍに変更した。それ以外は実施例６１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例７４）
直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）の表面を陽極酸化処理し、超音波水洗浄したものを支持体（導電性支持体）とした以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（実施例７５）
直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）の表面を切削粗面処理し、超音波水洗浄したものを支持体（導電性支持体）とした以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。

（比較例１）
実施例６７の下引き層のシリコーン樹脂粒子を添加しなかった以外は実施例６７と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１５に示す。

（比較例２）
実施例６７の下引き層の電子輸送物質（Ａ１０１）の添加量を４部から２部に変更した以外は実施例６７と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１５に示す。

（比較例３）
実施例５０の下引き層の樹脂（Ｄ１）を添加せず、架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子２．０部をシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０）１．５部に変更した以外は実施例５０と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１５に示す。

（比較例４）
下引き層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１５に示す。
下記式（１８）で示される化合物８部、及びビスフェノールＺ型のポリカーボネート（商品名：Ｚ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１０部を、ジメトキシメタン４０部及びクロロベンゼン６０部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層塗布液を調製した。この下引き層塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が５μｍの下引き層を形成した。

（比較例５）
下引き層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１５に示す。
酸化亜鉛（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ²／ｇ）１００部をテトラヒドロフラン５００部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３：信越化学社製）１．２５部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間）焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛顔料を得た。
前記表面処理した酸化亜鉛顔料６部と、電子輸送物質アリザリン（Ａ９０７）０．１部、イソシアネート化合物（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））２部、樹脂（Ｄ１）１．５部をジメチルアセトアミド５０部とメチルエチルケトン５０部の混合溶媒に溶解した溶液とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間分散した。得られた分散液に触媒としてのジオクチルスズラウレート０．３部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、数平均粒子径２μｍ）１．５部を添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が４μｍの下引き層を形成した。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ クリーニング手段
８ 定着手段
９ プロセスカートリッジ
１０ 案内手段
Ｐ 転写材
１０１ 支持体
１０２ 下引き層
１０３ 電荷発生層
１０４ 正孔輸送層
１０６ 樹脂粒子

Claims (12)

1. 支持体、該支持体上に形成された下引き層、該下引き層の直上に形成された電荷発生層、及び該電荷発生層上に形成された正孔輸送層を有する電子写真感光体であって、
   該下引き層が、
   重合性官能基を有する電子輸送物質及び架橋剤を含む組成物の重合物、及び
   樹脂粒子
   を含有し、
   該電子輸送物質の含有量が、該組成物の全質量に対して３０質量％以上７０質量％以下であり、
   該下引き層と該電荷発生層との界面に該下引き層の該樹脂粒子に由来する凸部が形成されていることを特徴とする電子写真感光体。
2. 前記下引き層の表面粗さが、基準長さ０．８ｍｍでの十点平均粗さＲｚｊｉｓが０．５μｍ以上２．５μｍ以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記電子輸送物質の重合性官能基が、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、又はメトキシ基である請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
4. 前記架橋剤が、
   イソシアネート基もしくはブロックイソシアネート基を有するイソシアネート化合物、又は
   Ｎ−メチロール基もしくはアルキルエーテル化されたＮ−メチロール基を有するアミン化合物
   である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. 前記下引き層の前記組成物が、さらに、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂を含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
6. 前記熱可塑性樹脂の重合性官能基が、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、又はメトキシ基である請求項５に記載の電子写真感光体。
7. 前記樹脂粒子の含有量が前記組成物の全質量に対して５質量％以上２０質量％以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
8. 前記樹脂粒子の数平均粒子径が１．０μｍ以上３．５μｍ以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
9. 前記樹脂粒子が架橋ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子、又はシリコーン樹脂粒子である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
10. 前記電子写真感光体に印加される電界強度が２５Ｖ／μｍのとき、前記電子写真感光体の帯電から１．０秒後の表面電位が、帯電から０．１秒後の表面電位の９５％以上となる電子写真感光体である請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
12. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。

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