JP2014142923A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の電流が流れる第１の抵抗と、
   前記第１の電流により前記第１の抵抗の両端に生ずる第１の電圧を増幅して、第２の電圧を出力する第１の回路と、
   前記第２の電圧に対応する第２の電流を出力する第２の回路と、
   前記第２の回路から前記第２の電流が入力され、前記第２の電流に応じた第１の信号を生成する第３の回路と、を有し、
   前記第３の回路は、
   前記第２の電流が入力される第１の端子を有する第１の容量素子と、
   前記第１の端子の電圧に対応する信号を生成し、前記第１の信号として出力する第４の回路と、
   前記第１の端子と前記第２の回路との接続を制御する第１のスイッチと、
   前記第１の端子と第４の電圧が供給されるノードとの接続を制御する第２のスイッチと、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第４の回路は、入力された第３の電圧を第１の基準電圧と比較し、比較結果を前記第１の信号として出力する機能を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１において、
   前記第３の回路は、前記第１の端子の電圧に対応する信号を生成し、第２の信号として出力する第５の回路を有し、
   前記第４の回路は、入力された前記第３の電圧を第１の基準電圧と比較し、比較結果を前記第１の信号として出力する機能を有し、
   前記第５の回路は、前記第３の電圧を第２の基準電圧と比較し、比較結果を前記第２の信号として出力する機能を有することを特徴とする半導体装置。
4. 第１の電流が流れる第１の抵抗と、
   前記第１の電流により前記第１の抵抗の両端に生ずる第１の電圧を増幅して、第２の電圧を出力する第１の回路と、
   前記第２の電圧に対応する第２の電流を出力する第２の回路と、
   前記第２の回路から前記第２の電流が入力され、前記第２の電流に対応する第１の信号を生成する第３の回路と、を有し、
   前記第３の回路は、
   前記第２の電流が入力される第１の端子を有する第１の容量素子と、
   前記第１の端子の第３の電圧の増加を検出し、第２の信号を生成する第４の回路と、
   前記第１の端子の前記第３の電圧の低下を検出し、第３の信号を生成する第５の回路と、
   前記第２の信号及び前記第３の信号の変化の回数を計数し、前記計数結果に対応する前記第１の信号を生成する第６の回路と、
   前記第１の端子と前記第２の回路との接続を制御する第１のスイッチと、
   前記第１の端子と第４の電圧が供給されるノードとの接続を制御する第２のスイッチと、
   前記第２の信号及び前記第３の信号から、前記第２のスイッチの制御信号を生成する第７の回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されているトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１の容量素子は、第２の端子を有し、
   前記第２の端子は、前記第１の抵抗の一方の端子と同じ電位を有することを特徴とする半導体装置。