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  1. 1配線と、
    前記第1配線に電気的に接続される回路と、
    前記回路に電気的に接続される第2配線と、
    前記第2配線と電気的に接続される第2プログラマブルロジックエレメントの入力端子と、を有し、
    前記第1の配線に、コンフィギュレーションデータが供給される第1の期間と、第1プログラマブルロジックエレメントから出力される信号が供給される第2の期間とを有し、
    前記回路は、それぞれ、第1スイッチと、第2スイッチと、第3スイッチと、を有し、
    前記第1の期間において、前記コンフィギュレーションデータは、前記第1スイッチを介して、前記第2のスイッチに供給され、
    前記第1の期間に前記第2スイッチに供給された前記コンフィギュレーションデータに応じて、前記第2の期間において、前記第2スイッチ及び前記第3スイッチを介して、前記第1の配線と前記第2の配線とが電気的に接続されるか否かが定まるプログラマブルロジックデバイス。
  2. 1配線と、
    前記第1配線に電気的に接続される回路と、
    前記回路に電気的に接続される第2配線と、
    前記第2配線と電気的に接続されるI/Oエレメントの入力端子と、を有し、
    前記第1の配線に、コンフィギュレーションデータが供給される第1の期間と、第1プログラマブルロジックエレメントから出力される信号が供給される第2の期間とを有し、
    前記回路は、それぞれ、第1スイッチと、第2スイッチと、第3スイッチと、を有し、
    前記第1の期間において、前記コンフィギュレーションデータは、前記第1スイッチを介して、前記第2のスイッチに供給され、
    前記第1の期間に前記第2スイッチに供給された前記コンフィギュレーションデータに応じて、前記第2の期間において、前記第2スイッチ及び前記第3スイッチを介して、前記第1の配線と前記第2の配線とが電気的に接続されるか否かが定まるプログラマブルロジックデバイス。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記第1スイッチは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタであるプログラマブルロジックデバイス。
  4. 請求項3において、
    前記酸化物半導体膜は、In、Ga、又はZnを有するプログラマブルロジックデバイス。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の前記プログラマブルロジックデバイスを有する半導体装置。
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