JP2012231462A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の論理値を反転させる論理素子と、
   入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
   容量素子と、
   チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子および出力端子の電位をある定められた値にするための手段を有する半導体装置。
2. 第１の論理値を反転させる論理素子と、
   入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子の電位をある定められた値にする配線との接続を制御する第３のスイッチング素子と、
   容量素子と、
   チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、を有する半導体装置。
3. 第１の論理値を反転させる論理素子と、
   入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と出力端子との電気的な接続を制御する第３のスイッチング素子と、
   容量素子と、
   チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、を有する半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子及び前記第２の論理値を反転させる論理素子は、インバータまたはクロックドインバータである半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記トランジスタは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体を有する半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれかに一項に記載の半導体装置において、
   前記容量素子にデータに応じた電荷を蓄積する第１の過程と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子及び前記第２の論理値を反転させる論理素子の電源を停止する第２の過程と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子及び前記第２の論理値を反転させる論理素子の入力端子および出力端子の電位をある定められた値に保つ第３の過程と、
   前記トランジスタをオンとする第４の過程と、
   前記第１の論理値を反転させる論理素子及び前記第２の論理値を反転させる論理素子に電源を供給する第５の過程と、を有する半導体装置の駆動方法。