JP2012256858A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の制御信号に応じて、第１のデータ信号を出力する機能を有する第１の選択回路と、
   前記第１の制御信号に応じて、前記第１のデータ信号の反転信号である第２のデータ信号を出力する機能を有する第２の選択回路と、
   前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号が入力され、電源電圧が供給されている期間において、前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号を保持する機能を有するラッチ回路と、
   第２の制御信号に応じて、前記ラッチ回路に保持された前記第１のデータ信号が入力される機能を有する第１の回路と、
   前記第２の制御信号に応じて、前記ラッチ回路に保持された前記第２のデータ信号が入力される機能を有する第２の回路と、を有し、
   前記第１の回路は、前記電源電圧の供給が停止されている期間において、前記第１のデータ信号を保持する機能を有し、
   前記第２の回路は、前記電源電圧の供給が停止されている期間において、前記第２のデータ信号を保持する機能を有し、
   前記第１の回路は、第１のトランジスタ及び第１の容量素子を有し、
   前記第２の回路は、第２のトランジスタ及び第２の容量素子を有し、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記ラッチ回路は、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを有し、
   前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、単結晶シリコンをチャネル形成領域に含むことを特徴とする半導体装置。