JP2013251891A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. ＡＤコンバーターと、プロセッサーと、を有し、
   前記プロセッサーは、演算処理装置と、第１のレジスタと、を有し、
   前記ＡＤコンバーターに、基準信号と、負荷からのフィードバック信号と、が入力され、
   前記演算処理装置に、前記ＡＤコンバーターの出力信号と、前記第１のレジスタの出力信号と、が入力され、
   前記第１のレジスタに、前記演算処理装置の出力信号が入力され、
   前記第１のレジスタは、シリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料をチャネル領域に用いたトランジスタを有する信号処理回路。
2. 請求項１において、
   前記シリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料は、酸化物半導体である信号処理回路。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記シリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料をチャネル領域に用いたトランジスタは、ソース−ドレイン間の電圧が３．１Ｖの条件において、チャネル幅あたりのオフ電流が１×１０ ^−１９ Ａ／μｍ以下である信号処理回路。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記負荷は、ＬＥＤ照明またはＯＬＥＤ照明である信号処理回路。
5. 信号処理回路と、パルス幅変調器と、を有し、
   前記信号処理回路は、ＡＤコンバーターと、プロセッサーと、を有し、
   前記プロセッサーは、演算処理装置と、第１のレジスタと、を有し、
   前記パルス幅変調器は、第２のレジスタを有するデジタルパルス幅変調器と、クロック生成回路と、を有し、
   前記ＡＤコンバーターに、基準信号と、負荷からのフィードバック信号と、が入力され、
   前記演算処理装置に、前記ＡＤコンバーターの出力信号と、前記第１のレジスタの出力信号と、が入力され、
   前記第１のレジスタ及び前記第２のレジスタに、前記演算処理装置の出力信号が入力され、
   前記デジタルパルス幅変調器に前記クロック生成回路の信号が入力され、
   前記第１のレジスタは、シリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料をチャネル領域に用いたトランジスタを有する制御回路。
6. 請求項５において、
   前記シリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料は、酸化物半導体である制御回路。
7. 請求項５または請求項６において、
   前記シリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料をチャネル領域に用いたトランジスタは、ソース−ドレイン間の電圧が３．１Ｖの条件において、チャネル幅あたりのオフ電流が１×１０ ^−１９ Ａ／μｍ以下である制御回路。
8. 請求項５乃至７のいずれか一において、
   前記負荷は、ＬＥＤ照明またはＯＬＥＤ照明である制御回路。