JP5629191B2 - 電源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置およびそれを用いた電源装置に関し、特に力率改善回路を備えたスイッチング電源装置に適用して有益な技術に関するものである。
例えば、特許文献1には、入力電解コンデンサレスのワンコンバータ方式によるスイッチング電源装置において、2乗回路と加算回路を用いてスイッチのパルス幅を制御し、入力電流のひずみ率を低減する技術が記載されている。
特開2002−300780号公報
近年、様々な分野において省エネルギー化が加速している。その一つとして、例えば、照明分野においては、白熱電球に替わって発光効率の良い発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)を用いたLED電球が急速に普及してきている。LED電球は、例えばAC−DCコンバータ等によって生成した電源を発光ダイオードに印加することで駆動される。図28は、本発明の前提として検討したAC−DCコンバータの構成例を示す概略図である。図29は、図28の動作例を示す波形図である。図28に示すAC−DCコンバータは、力率改善(PFC:power factor correction)回路を含んだ昇圧型電力変換回路(昇圧コンバータ)となっている。商用電源を使用するAC−DCコンバータは、AC電源ラインを介して他の機器に高調波電流による障害(誤動作、発熱、焼損等)を生じさせないため、通常、PFC回路を備えている。
図28では、まず、商用電源(AC)(例えば85〜264Vrms等)が整流回路DB1によって全波整流される。このDB1からの入力電力は、トランジスタQ1がオンの際にトランスTR2のインダクタLM1に蓄えられ、LM1の蓄積電力は、Q1がオフの際にダイオードD1を介して出力容量Coutに放出される。この際に、PFC回路PIC10には、TR2の補助巻線LMsを介して検出されたLM1に流れる入力電流Iinの情報(Vz)と、DB1からの入力電圧Vinの情報(Vin’)と、出力電圧Voutの情報(Vout’)と、Q1に流れる電流Iq1の情報(Vcs)とが入力される。PIC10は、VzによってIinがゼロとなったことを検出した際にQ1をオンに駆動し(すなわち電流臨界モードで動作し)、VcsによってIq1がVin’の所定倍(Vout’に応じた倍数)に達したことを検出した際にQ1をオフに駆動する。これによって、LM1に流れる入力電流Iin(AC電源ラインに流れる交流電流Iac)は正弦波状となり、AC電源ラインに生じる高調波電流を低減可能となる。
しかしながら、図28に示すようなAC−DCコンバータでは、出力電圧Voutを入力電圧Vin(例えば85〜264Vrms)よりも高く設定しなければならない制約がある(例えば、ワールドワイド対応ではVout=390V等)。このため、Voutを蓄える出力容量Coutや、後段に接続される制御回路などの回路部品には高耐圧(例えば400V以上等)の部品を用いる必要があり、部品コストの増大ならびに電源装置の大型化を招く恐れがある。更に、例えば、照明分野を代表に、さほど高電圧を必要とされない機器を駆動する際には、例えば、図30の電源システムに示すように、図28のような昇圧コンバータUPCの後段に降圧型電力変換回路(降圧コンバータ)DWCを設ける必要がある。この場合、更なる部品コストの増大ならびに電源システムの大型化が懸念される。
そこで、このような問題を解決するため、照明分野等では、例えば、図31に示すようなフライバック方式のAC−DCコンバータが用いられる場合がある。図31は、本発明の前提として検討したAC−DCコンバータの他の構成例を示す概略図である。図32は、図31の動作例を示す波形図である。図31では、まず、図28の場合と同様に、整流回路DB1からの入力電力が、トランジスタQ1がオンの際にトランスTR1の1次巻線(インダクタ)LM1を介してTR1に蓄えられる。ただし、図28の場合と異なり、このTR1の蓄積電力は、Q1がオフの際にTR1の2次巻線(インダクタ)LM2からダイオードD1を介して出力容量Coutに放出される。
図31のPFC回路PIC10は、図28の場合と同様の構成となっており、TR1の補助巻線LMsを介して検出されたTR1の蓄積電力の情報(Vz)と、DB1からの入力電圧Vinの情報(Vin’)と、出力電圧Voutの情報(Vout’)と、Q1に流れる入力電流Iinの情報(Vcs)とが入力される。PIC10は、Vzを介してTR1の蓄積電力がゼロ(言い換えればLM2に流れる出力電流Ioutがゼロ)となった際にQ1をオンに駆動し(すなわち電流臨界モードで動作し)、Vcsを介してQ1に流れる入力電流IinがVin’の所定倍(Vout’に応じた倍数)に達した際にQ1をオフに駆動する。このような構成例を用いると、照明分野を代表に、さほど高電圧を必要とされない機器を駆動する際には、例えばトランスTR1の1次巻線LM1の巻線数n1を2次巻線LM2の巻線数n2よりも多くし、図31を降圧コンバータDWCとして動作させればよい。これによって、図33の電源システムに示すように、図30の場合と比較して部品の削減が可能となり、コストの低減や電源システムの小型化等が図れる。
しかしながら、図31のような構成例を用いると、次のような問題が生じる恐れがある。第1の問題として、図34(b)に示すようにAC電源ラインに流れる交流電流Iacの波形が台形のように歪んだ形状となってしまうことが挙げられる。図34は、AC電源ラインに流れる交流電流波形の一例を示すものであり、(a)は図28の昇圧コンバータを用いた場合の波形図、(b)は図31のフライバックコンバータを用いた場合の波形図である。このように、図28の構成例を用いると交流電流波形Iacが正弦波となるのに対して、図31の構成例を用いるとIacが歪んだ波形となる。この歪みは、力率を低下させ、AC電源ライン上に高調波電流を生じさせる。
この図34(a)と(b)の違いは、定性的には、図28の構成例を用いた場合には、図29に示すように入力電流IinがトランジスタQ1のオンとオフの期間で連続して流れるのに対して、図31の構成例を用いた場合には、図32に示すように入力電流IinがQ1のオン期間のみで流れることに起因している。より詳細には、図28の構成例を用いた場合、式(1A)に示すように入力電流Iinは正弦波である入力電圧Vinに比例する値となるのに対して、図31の構成例を用いた場合、式(2A)に示すようにIinはVinとの間で単純な比例関係とはならないためである。
Figure 0005629191
Figure 0005629191
第2の問題として、部品コストの増大や電源装置の大型化が挙げられる。前述したように、図31の構成例を用いると、図28の構成例よりは部品コストの低減や電源システムの小型化が図れるものの、例えばLED電球等に適用する場合には、更なる小型化や部品コストの低減等が求められる。図31の構成例では、特に、1次巻線LM1、2次巻線LM2および補助巻線LMsを備えたトランスTR1のサイズが大きく、例えば、LM1のインダクタンス値を1mH等とした場合、TR1は縦×横×高さがそれぞれ15mm程度といった大きさになり得る。
第3の問題として、電力変換効率の低下が挙げられる。図31のようなフライバック方式では、特に、トランジスタQ1がオフ時でトランスTR1の2次巻線LM2側から電力を取り出す際に、1次巻線LM1側に流れる電流(フライバック電流)によって比較的大きな損失が生じてしまう。一般的には、例えば、図28のような昇圧コンバータの電力変換効率が95%等であるのに対して、図31のようなフライバックコンバータの電力変換効率は85%等である。
本発明は、このようなことを鑑みてなされたものであり、前記ならびにそれ以外の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的な実施の形態の概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本実施の形態による電源装置は、整流回路と、スイッチ素子と、インダクタと、電流検出用抵抗と、制御回路と、入力電圧検出回路と、ダイオードと、出力容量とを備え、制御回路によるスイッチ素子のオン・オフ制御によって整流回路に流れる電流波形の力率を改善するものとなっている。整流回路は、交流電源を整流し、第2ノードを基準として第1ノードに電力を供給する。スイッチ素子は、第1ノードに一端が接続される。インダクタは、第2ノードに一端が接続され、スイッチ素子がオンに駆動された際にスイッチ素子を介して第1ノードの電力を蓄積し、この蓄積電力をスイッチ素子がオフに駆動された際に放出する。電流検出用抵抗は、スイッチ素子の他端とインダクタの他端の間に挿入される。制御回路は、電流検出用抵抗の一端となる第3ノードを接地電源電圧としてスイッチ素子のオン・オフを制御する。出力容量およびダイオードは、前述したインダクタの蓄積電力の放出経路上に挿入される。入力電圧検出回路は、第1ノードと第3ノードの間を抵抗分圧することで第1電圧を出力する。ここで、制御回路は、電流検出用抵抗の他端となる第4ノードに生じた第2電圧と第1電圧を用いてスイッチ素子をオフに駆動することで力率の改善を行う。
このような電源トポロジーを用いて力率の改善を行うことで、電源装置ならびに当該電源装置を含めた電源システム全体の小型化が図れる。特に、電流臨界モード動作を行う際には、制御回路が電流検出用抵抗からの第2電圧を検出することで、スイッチ素子をオンに駆動するタイミングとオフに駆動するタイミングを定められるため、小型化等の観点で有益となる。
また、本実施の形態による半導体装置は、第1〜第4端子と、掛算回路と、2乗回路と、第1比較回路と、第2比較回路とを備え、力率改善の機能を担うものとなっている。第1端子には、交流電源を整流した電圧に比例した第1電圧が入力される。第2端子は、外部のスイッチ素子をオンに駆動するオンレベルとオフに駆動するオフレベルを出力する。第2端子がオンレベルを出力した際にはスイッチ素子を介して外部のインダクタに電力が蓄積され、オフレベルを出力した際にはインダクタの電力が放出される。第3端子には、インダクタの電力によって駆動される外部負荷からの帰還信号が入力される。第4端子には、インダクタに流れる電流に比例する第2電圧が入力される。掛算回路は、帰還信号と第1電圧とを掛け算し、2乗回路は、掛算回路の出力電圧を2乗演算する。第1比較回路は、第2電圧が2乗回路の出力電圧に達したことを検出し、第2比較回路は、第2電圧によってインダクタに流れる電流がゼロレベルとなったことを検出する。ここで、第2端子は、第2比較回路からの検出信号を受けてオンレベルを出力し、第1比較回路からの検出信号を受けてオフレベルを出力する。
このように、2乗回路を介した信号に基づいてスイッチ素子をオフに駆動するタイミングを制御することで、幾つかの電源トポロジーとの組み合わせで入力電流波形をより正弦波に近づけることが可能となる。また、2乗回路を設けることによってはさほど面積も増大しないため、力率の改善と共に電源装置の小型化も図れる。また、当該半導体装置は、前述した本実施の形態の電源トポロジーと組み合わせた場合により有益なものとなる。
本願において開示される発明のうち、代表的な実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すると、力率改善回路を備えた電源装置の小型化が実現可能になる。また、力率の改善をより図ることが可能となる。
本発明の実施の形態1による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 図1の概略的な動作例を示す波形図である。 図1における2乗回路の動作概念を表す説明図である。 図1の補足図である。 図2の一部を拡大した波形図である。 図1の比較例となる回路構成を示す概略図である。 (a)、(b)は、図1の電源装置を用いた場合の入力電流波形のシミュレーション結果を示す波形図である。 図1の電源装置を備えたLED照明装置の概略構成例を示す外形図である。 図1の電源装置において、その掛算回路の詳細な構成例を示す回路図である。 図1の電源装置において、その2乗回路の詳細な構成例を示す回路図である。 本発明の実施の形態2による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 本発明の実施の形態3による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 図12の概略的な動作例を示す波形図である。 図13の一部を拡大した波形図である。 (a)、(b)は、図12の電源装置を用いた場合の入力電流波形のシミュレーション結果を示す波形図である。 図12の電源装置を変形した回路構成の一例を示す概略図である。 図12の電源装置を変形した他の回路構成の一例を示す概略図である。 図12の電源装置を変形した更に他の回路構成の一例を示す概略図である。 本発明の実施の形態4による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 図19の電源装置を変形した回路構成の一例を示す概略図である。 本発明の実施の形態5による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 図21の電源装置を変形した回路構成の一例を示す概略図である。 本発明の実施の形態6による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 図23の概略的な動作例を示す波形図である。 図23における発振回路および三角波生成回路の詳細を示すものであり、(a)はその構成例を示す回路図、(b)は(a)の動作例を示す波形図である。 本発明の実施の形態7による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 図26の概略的な動作例を示す波形図である。 本発明の前提として検討したAC−DCコンバータの構成例を示す概略図である。 図28の動作例を示す波形図である。 図28のAC−DCコンバータを適用した電源システム全体の構成例を示すブロック図である。 本発明の前提として検討したAC−DCコンバータの他の構成例を示す概略図である。 図31の動作例を示す波形図である。 図31のAC−DCコンバータを適用した電源システム全体の構成例を示すブロック図である。 AC電源ラインに流れる交流電流波形の一例を示すものであり、(a)は図28の昇圧コンバータを用いた場合の波形図、(b)は図31のフライバックコンバータを用いた場合の波形図である。 本発明の実施の形態8による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 スイッチングロスが生じる状況の一例を示す模式図であり、(a)は図35の電源装置を用いた場合、(b)はその比較例として図1の電源装置を用いた場合を示すものである。 本発明の実施の形態9による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。 図37の電源装置において、その概略動作例を示す波形図である。 図37の電源装置において、その入力電流に含まれる高調波成分を検証した結果を示す図である。
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
また、実施の形態の各機能ブロックを構成する回路素子は、特に制限されないが、公知のCMOS(相補型MOSトランジスタ)等の集積回路技術によって、単結晶シリコンのような半導体基板上に形成される。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態1)
<<電源装置[1]の全体回路構成>>
図1は、本発明の実施の形態1による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。図1に示す電源装置は、整流回路DB1と、力率改善(PFC)回路(半導体装置)PIC1と、トランジスタ(スイッチ素子)Q1と、抵抗Rac1,Rac2,Rcsと、インダクタL1と、ダイオードD1と、出力容量Coutと、電源生成回路VCCGENを備えている。Coutは、正極出力ノードVout(+)と負極出力ノードVout(−)の間に接続され、このVout(+)とVout(−)の間に得られる出力電圧Voutを負荷回路LODの電源電圧として供給する。ここでは、LODの一例として、複数の発光ダイオードLED[1]〜LED[n]が示され、LED[1]〜LED[n]のそれぞれは、Vout(+)側をアノード、Vout(−)側とカソードとして順に直列接続されている。
DB1は、例えば4個のダイオードDa1,Da2,Db1,Db2によって商用電源(AC)(交流電圧Vac、交流電流Iac)を全波整流し、正極出力ノードVout(+)を基準として整流出力ノードNdb1に入力電圧Vinならびに入力電流Iinを出力する。Rac1,Rac2は、Ndb1と接地電源電圧GND1の間に直列接続され、その共通接続ノードからVinを抵抗分圧した値となる入力電圧検出信号Vin’を出力する。トランジスタ(ここではnチャネル型のパワーMOSトランジスタ)Q1は、ドレインがNdb1に、ソースがノードNswに接続され、ゲートがPFC回路PIC1からのデューティ制御信号PWMによって駆動される。Rcsは、NswとGND1の間に接続され、インダクタL1は、GND1とVout(+)の間に接続される。ダイオードD1は、アノードがVout(−)に、カソードがNswに接続される。
PFC回路(半導体装置)PIC1は、接地電源電圧GND1と電源電圧VCCによって動作し、入力電圧検出信号Vin’と、RcsによりノードNswで得られる検出電圧Vcsとを受けて、デューティ制御信号PWMを出力する。VCCは、ここでは、電源生成回路VCCGENによって生成される。VCCGENは、電源投入時には整流出力ノードNdb1の電力をダイオードDvcc1および抵抗Rvcc1を介して容量Cvccに蓄えることでVCCを生成する。一方、電源安定時には正極出力ノードVout(+)の電力をダイオードDvcc2および抵抗Rvcc2を介してCvccに蓄えることでVCCを生成する。
PIC1は、掛算回路MULと、2乗回路SQと、コンパレータ回路CMPp,CMPzと、セットリセットラッチ回路SRLTと、ドライバ回路DRVと、バッファ回路BFと、スイッチ回路SW1と、ロウパスフィルタ回路LPFと、エラーアンプ回路EAを備えている。セットリセットラッチ回路SRLTは、コンパレータ回路CMPpからリセット信号RTが出力された際にドライバ回路DRVを介してデューティ制御信号PWMを‘L’レベル(オフレベル)に駆動し、コンパレータ回路CMPzからセット信号STが出力された際にDRVを介してPWMを‘H’レベル(オンレベル)に駆動する。CMPzは、スイッチノードNswでの検出電圧Vcsが所定の比較電圧Vr1よりも低くなった際にSTを出力する。
バッファ回路BFは、Vcsをゲイン1でバッファリングし、それをSW1を介してロウパスフィルタ回路LPFに出力する。SW1は、SRLTがPWMを‘L’レベル(オフレベル)に駆動している期間でオンとなる。エラーアンプ回路EAは、LPFの出力電圧と所定の比較電圧Vr2との差分を増幅する。掛算回路MULは、EAの出力電圧と入力電圧検出信号Vin’を掛け算し、その結果となる出力信号Vmを生成する。2乗回路SQは、Vmを2乗し、その結果となる出力信号Vsを生成する。CMPpは、VcsがVsを越えた際にリセット信号RTを出力する。
この図1の電源装置は、主に2つの特徴を備えている。第1の特徴は、整流回路DB1の高電位出力ノード(Ndb1)側にトランジスタQ1を設け、DB1の低電位出力ノード(Vout(+))側にインダクタL1を設け、Q1とL1の間のノードとVout(+)の間に出力容量Coutを設けたハイサイド型の反転コンバータの電源トポロジーを用いてPFC回路PIC1による制御を行う点にある。この際に、特に、Q1とL1の間に抵抗Rcsを設け、このRcsの一端をPIC1の接地電源電圧GND1に接続した点や、ノード(Ndb1)とGND1の間を抵抗分圧することで入力電圧検出信号Vin’を得る点が特徴的となっている。第2の特徴は、掛算回路MULの後段に2乗回路SQを備え、このSQの出力信号Vsによってデューティ制御信号PWMのオンレベル期間を定める点にある。これらの特徴の詳細については、以降にて適宜説明を行う。
<<電源装置[1]の全体回路動作>>
図2は、図1の概略的な動作例を示す波形図である。図3は、図1における2乗回路SQの動作概念を表す説明図である。図2に示すように、まず、デューティ制御信号PWMが‘H’レベル(オンレベル)の場合、トランジスタQ1がオンに駆動され、抵抗Rcsを介してインダクタL1に右肩上がりの入力電流Iinが流れ、L1に電力が蓄積される。このIinの増加に伴い、Rcsの一端(ノードNsw)に生じる検出電圧Vcsも右肩上がりに増加する。
一方、このVcsが2乗回路SQの出力信号Vsの電圧値に到達すると、コンパレータ回路CMPpからリセット信号RTが生成され、PWMが‘L’レベル(オフレベル)に遷移し、Q1がオフに駆動される。そうすると、L1に蓄えられた電力を起電力として、正極出力ノードVout(+)→負極出力ノードVout(−)→ダイオードD1→抵抗Rcsの経路で出力電流Ioutが流れ、このIoutによって負荷回路LOD(LED[1]〜LED[n])が駆動される。このQ1がオフの期間では、インダクタL1に流れる電流(出力電流Iout)は右肩下がりに減少し、Rcsの一端(Nsw)に生じるVcsも同様に減少する。そして、このVcsがコンパレータ回路CMPzの比較電圧Vr1を下回ると、セット信号STが生成され、Q1が再びオンに駆動される。
比較電圧Vr1は、例えば数mV〜百mV程度といったゼロに近い値に設定されており、これに伴い、出力電流Ioutの値がほぼゼロとなった際にセット信号(ゼロ電流検出信号)STが生成され、Q1がオンに駆動されることになる。すなわち、図1の電源装置は、電流臨界モードで動作する。また、図1において、ロウパスフィルタ回路LPFには、SW1を介してQ1がオフの期間の検出電圧Vcs(すなわち出力電流Ioutの検出結果)が入力される。エラーアンプ回路EAは、このIoutの検出値と予め定めたIoutの設定値(Vr2)との差分を検出する。掛算回路MULは、入力電圧検出信号Vin’にEAの検出結果を反映して出力信号Vmを生成する。Vin’は、正弦波(厳密には正弦波の絶対値波形)となる入力電圧Vinに比例した波形となるため、Vmは、正弦波(厳密には正弦波の絶対値波形)であると共に、その電圧振幅がEAの検出結果に応じて変動する波形となる。
2乗回路SQの出力信号Vsは、Vmを2乗した値であるため、図2に示すように、正弦波を尖らせたような波形形状となる。前述したように、このような波形形状を持つVsに基づいてデューティ制御信号PWMの‘H’レベル(Q1のオン)期間を定めることで、定性的には、図3のようにして、商用電源ライン(AC)に生じる交流電流Iacを正弦波に近づけることが可能となる。図3において、仮に2乗回路SQを備えない場合、図1の電源装置は、前述した図31のフライバックコンバータと同様に、Q1がオンの期間のみで入力電流Iin(商用電源(AC)の交流電流Iac)が流れる回路方式であるため、図34(b)と同様に正弦波を基準に凸成分が加わった台形波状の電流波形(Iac’)となる。
そこで、この台形波(Iac’)における凸成分を相殺するため、2乗回路SQが正弦波を基準に凹成分を備えた出力信号Vsを生成し、図1の電源装置が、これに基づいて仮想的な電流波形(Iac”)(Iin(Iac)がQ1のオン・オフ期間で流れると仮定した電流波形)を生成する。そうすると、実際には、Q1のオン期間のみでIin(Iac)が流れるため、この凹成分に凸成分が加わり、結果的に、正弦波に近い電流波形(Iac)が得られる。なお、この概念からは、2乗回路SQは、必ずしも2乗である必要はなく、凹成分を相殺するだけの凸成分を持つ乗数であればよい。
ここで、特に限定はされないが、図1の電源装置において、各回路の具体的な数値例を挙げると、次のようになる。入力電圧Vinは、85〜264Vrms等といった商用電源(AC)(交流電圧Vac)を全波整流した値である。抵抗Rac1およびRac2の抵抗値は、それぞれ、3MΩおよび27kΩ等であり、この場合、入力電圧検出信号Vin’はVinの約1/100程度の電圧値となる。PFC回路PIC1の電源電圧VCCは20V等である。インダクタL1のインダクタンス値は1mH等であり、出力容量Coutの容量値は2μF等である。Vout(−)を基準にVout(+)に生じる出力電圧Voutは、順方向電圧3Vを持つLEDを20個接続するものとして60V等である。抵抗Rcsの抵抗値は、1Ω等である。ここで、負荷回路(LED)の消費電力を10W等とすると、出力電流Ioutの電流値は、0.17A(=10/60)となる。この場合、Rcsでの消費電力は29mW(=0.17×0.17×1)となり、これによる損失が電源装置全体の電力変換効率に与える影響は小さい。
また、図2に示したような正弦波状の入力電圧検出信号Vin’は、厳密には、トランジスタQ1がオフの際に生じる。Q1がオンの際、Vin’は、ほぼGND1の電圧レベルに固定される。したがって、実際には、このQ1がオフの際のVin’に応じた正弦波を掛算回路MULに出力するため、例えば、図4に示すような保持回路をMULの入力部分に挿入する。図4に示す保持回路は、Vin’をアノード入力とするダイオードD2と、D2のカソードとGND1の間に並列接続された容量Chおよび抵抗Rh(すなわちCh,Rhからなるロウパスフィルタ回路)を備えている。各素子定数は、低域遮断周波数、AC電圧検出抵抗(Rac1,Rac2)と容量Chでの応答性、ならびにノイズ耐性などから定められる。例えば、ロウパスフィルタ回路は、AC周波数(例えば50Hz、60Hz)を通し、スイッチング周波数(例えば25kHz以上)を十分に遮断するような周波数特性を持つ。このような保持回路を用いると、Q1がオフの際のVin’を時系列的に平均化し、D2のカソード上の電圧をVin’に応じた正弦波に整形することが可能となる。
<<電源装置[1]の詳細回路動作>>
次に、図5を参照して、図1の電源装置における主要部の詳細な動作例について説明する。図5は、図2の一部を拡大した波形図であり、図2におけるデューティ制御信号(トランジスタQ1のゲート電圧)PWMとインダクタL1に流れる電流IL1を抽出したものとなっている。図2では、説明の便宜上、PWMの1周期が長くなっており、各周期毎のインダクタL1に流れる電流IL1のピーク値も大きく異なっているが、実際には、PWMの1周期は短く、ある短時間では、図5に示すように、IL1のピーク値Ipkはほぼ一定とみなせる。このIL1のピーク値Ipkは、インダクタL1のインダクタンス値をL1、Q1のオン期間をTon、オフ期間をToffとし、(抵抗Rcsの両端電圧)≪Vout、ならびに(Q1の電圧降下)≪Voutとすると、式(1B)となる。
Ipk=(Vin/L1)×Ton=(Vout/L1)×Toff (1B)
式(1B)により、PWMの1周期Tswは式(2B)となる。
Tsw=Ton+Toff=((Vin+Vout)/Vout)×Ton (2B)
これらの式を用いて、PWMの1周期における入力電流Iinの平均値Iin_aveは、式(3B)で定められる。
Figure 0005629191
また、トランジスタQ1とインダクタL1の間にPFC回路PIC1の接地電源電圧GND1が接続されているため、入力電圧検出信号Vin’は、式(4B)となり、(Vin+Vout)に比例した値となる。
Vin’=(Rac2/(Rac1+Rac2))×(Vin+Vout) (4B)
式(4B)における(Rac2/(Rac1+Rac2))をK2とおき、エラーアンプ回路EAの出力信号をK1とおくと、掛算回路MULの出力信号VmはVm=K1・K2・(Vin+Vout)となる。したがって2乗回路SQの出力信号Vsは、式(5B)となる。式(5B)において、K=(K1・K2)である。
Vs=K・(Vin+Vout) (5B)
コンパレータ回路CMPpは、抵抗Rcsによる検出電圧Vcsが出力信号Vsに達した際にQ1をオフに制御するため、式(1B)のIpkを用いてRcs×Ipk=式(5B)とおき、その結果、Tonは、式(6B)となる。
Ton=((K・L1)/Rcs)×(Vin+Vout)/Vin (6B)
式(3B)に式(6B)を代入すると、式(7B)となり、Iin_ave(入力電流Iin)は(Vin+Vout)に比例した値となり、その結果、正弦波に近い波形となる。
Iin_ave=(K/(2・Rcs))×Vout・(Vin+Vout)(7B)
このように、図1の電源装置(PFC回路PIC1)は、数式上の概念では、入力電圧検出信号Vin’を(Vin+Vout)の関数で取得し、これを2乗することで式(6B)に示すようにTonに(Vin+Vout)/Vinの項を作り出し、このTonで式(3B)における分母の値(Vin+Vout)を打ち消している。そして、これによって、式(3B)のIin_aveを、正弦波であるVinの関数に近づけている。
一方、Iin_aveを完全なVinの関数とするため、例えば図6に示すような構成例を用いることが考えられる。図6は、図1の比較例となる回路構成を示す概略図である。図6のPFC回路PIC2では、定数(Vout)の関数を生成する定数生成回路VOGENと、2入力の加算回路ADDと、3入力の掛算回路MUL’が設けられる。ADDは、式(4B)に示したVin’からVOGENの出力(K2・Vout)を減算し、これによってK2・Vinを出力する。MUL’は、ADDの出力と、Vin’と、エラーアンプ回路EAの出力信号K1とを掛け算し、これによって出力信号Vm’(=K1・(K2)・Vin・(Vin+Vout))を生成する。図1の出力信号Vsの代わりにこのVm’を用いると、Tonに(Vin+Vout)の項が作り出せるため、これによって式(3B)における分母の値(Vin+Vout)が打ち消され、Iin_aveを完全なVinの関数とすることができる。
しかしながら、図6のような構成例を用いると、例えば次のような点が懸念される。まず、定数生成回路VOGENによって最適な定数(K2・Vout)を生成するために調整用の外部端子が必要となる恐れがある。すなわち、PFC回路PIC1は、例えば少ない外部ピン(例えば6ピンや8ピン)を持つ小型の半導体パッケージで実現されるが、適用製品に応じて変わり得るVoutやK2に対応するためには追加の外部端子が必要とされ、電源装置の小型化が困難となり得る。また、加算回路ADDや3入力の掛算回路MUL’も必要となるため、これに伴うPFC回路(電源装置)の大型化やコストの増大も懸念される。そこで、図1のような電源装置を用いると、小型ならびに低コストな構成によって、完全な正弦波ではないが、実用上は十分な質を持つ(すなわち高調波成分を必要十分に低減可能な)略正弦波状の入力電流波形が生成可能になる。
図7(a)、(b)は、図1の電源装置を用いた場合の入力電流波形のシミュレーション結果を示す波形図である。図7(a)には、正弦波である理想的な入力電流波形(理想系)と、図1の電源装置を用いた場合に式(7B)によって算出される理論上の入力電流波形(2乗回路制御)の一例が示されている。図7(b)には、図1の電源装置を対象として電源回路シミュレータによる検証を行った結果の一例が示されている。図7(a)に示すように、理論上の入力電流波形(2乗回路制御)は、式(7B)から判るように、波形形状自体は正弦波となるが、ゼロクロスの箇所に(K/(2・Rcs))・Voutで算出されるオフセット歪みが存在する。ただし、図7(b)に示すように、電源装置全体の回路動作では、このゼロクロスでの歪みの影響は特に問題とならないレベルであり、実用上は十分な波形品質を確保することが可能となる。
<<電源装置[1]の適用例>>
図8は、図1の電源装置を備えたLED照明装置の概略構成例を示す外形図である。図8に示すLED照明装置SYS_LEDは、電球型のLED照明となっており、その内部に複数の発光ダイオードLEDと、当該LEDに電力を供給し、図1の電源装置に該当する配線基板BDが備わっている。BD上には、例えば、それぞれ独立した部品(パッケージ部品)となるPFC回路(半導体装置)PIC1、抵抗Rac,Rcs、整流回路DB1、ACラインフィルタ回路FLT、トランジスタQ1、ダイオードD1、出力容量Cout、インダクタL1等が実装される。BDの直径は、例えば4cm等である。特に、LED照明装置等では、このような小型の配線基板BDを用いて電源装置を実現する必要があるため、各部品(パッケージ部品)の小型化が求められる。
例えば、図31に示したようなフライバックコンバータを用いた場合、特に、そのトランスTR1のサイズが大きいため(例えば、1次巻線側のインダクタンス値が1mH程度の場合、縦×横×高さがそれぞれ15mm程度)、小型化が十分に図れない恐れがある。そこで、図1の電源装置を用いると、1次巻線および2次巻線を備えたトランスが不要となり、更に、電流検出用の抵抗Rcsからの情報によってデューティ制御信号PWMのオンレベルとオフレベルの両方の切り替えタイミングを定めることができることから、補助巻線を備えたトランスも不要となる。したがって、トランスの代わりにインダクタL1を備えればよく、電源装置の小型化が可能となり、部品コストの低減も図れる。インダクタンス値が1mH程度のインダクタL1は、例えば図31におけるトランスTR1の約半分程度の体積で実現可能である。なお、図8におけるACラインフィルタ回路FLTは、商用電源(AC)から入力される高調波成分を除去するためのフィルタ回路であり、図1における商用電源(AC)と整流回路DB1の間に配置される。
<<掛算回路および2乗回路の詳細>>
図9は、図1の電源装置において、その掛算回路MULの詳細な構成例を示す回路図である。図9に示す掛算回路MULは、npn型のバイポーラトランジスタQN1〜QN6と、pnp型のバイポーラトランジスタQP1,QP2と、電流源IS1,IS2,ISb,IS3を備えている。IS1は、入力電圧IN1(図1のVin’)に比例して電流値I1が変動する可変電流源であり、IS2は、入力電圧IN2(図1のEAの出力電圧)に比例して電流値I2が変動する可変電流源である。IS3の電流値I3は、内部定数に比例し、ISbの電流値は、設計定数で定められる。図9の掛算回路は、一般的にトランスリニア回路と呼ばれるものである。図9において、QN1〜QN6で構成される閉ループ回路に着目すると、QN1〜QN6のエミッタ・ベース間電圧をVBE1〜VBE6として、「VBE1+VBE2+VBE3=VBE4+VBE5+VBE6」の関係が成り立つ。
一方、QN1,QN2,QN3,QN4,QN5,QN6に流れるコレクタ電流(エミッタ電流)は、それぞれ、I1,I2,Iqn3,Io,I3,Iqn3である。ここで、バイポーラトランジスタのエミッタ・ベース間電圧VBEは、そのベース電流が無視できるものとして、コレクタ電流(エミッタ電流)I、定数Vおよび定数Iを用いて、VBE≒V・ln(I/I)で表される。したがって、「I1・I2・Iqn3=Io・I3・Iqn3」の関係が成り立ち、「Io=((I1・I2)/I3)」となる。このIoを電圧値に変換することで、IN1(図1のVin’)とIN2(図1のEAの出力電圧)の掛算結果となる図1の出力信号Vmが得られる。
図10は、図1の電源装置において、その2乗回路SQの詳細な構成例を示す回路図である。図10に示す2乗回路SQは、npn型のバイポーラトランジスタQN11〜QN14と、pnp型のバイポーラトランジスタQP11,QP12と、電流源IS10,ISbを備え、図9と同様にトランスリニア回路となっている。IS10は、入力電圧IN3(図1のVm)に比例して電流値I10が変動する可変電流源である。ISbの電流値Ibは、設計定数で定められる。図10において、QN11〜QN14で構成される閉ループ回路に着目すると、QN11〜QN14のエミッタ・ベース間電圧をVBE11〜VBE14として、「VBE11+VBE12=VBE13+VBE14」の関係が成り立つ。一方、QN11,QN12,QN13,QN14に流れるコレクタ電流(エミッタ電流)は、それぞれ、I10,I10,Ib,Ioである。したがって、「I10・I10=Ib・Io」の関係が成り立ち、「Io=((I10)/Ib)」となる。このIoを電圧に変換することで、IN3(図1のVm)を2乗した図1の出力信号Vsが得られる。
一般的に、掛算回路MULや2乗回路SQは、例えば、オペアンプ回路を用いた演算回路を代表に様々な回路方式で実現可能である。ただし、オペアンプ回路を用いた演算回路は、高精度ではあるが、回路面積が大きく、また消費電力も大きくなる。そこで、図9および図10のようなトランスリニア回路を用いると、回路面積を小さくでき、また消費電力を比較的小さくすることも可能である。なお、ここでは、トランスリニア回路をバイポーラトランジスタを用いて実現したが、例えば、MOSトランジスタのサブスレッショルド領域(ソース・ドレイン間電流がゲート・ソース間電圧に対して指数関数的に上昇する領域)を用いて実現することも可能である。この場合、更なる回路面積の低減や消費電力の低減が図れる。
<<電源装置[1]の効果>>
以上、本実施の形態1の電源装置を用いることによる主要な効果を纏めると、次のようになる。第1の効果として、電源装置の小型化または低コスト化が実現可能になる。この効果は、前述したように、まず、ハイサイド型の反転コンバータ(極性反転型チョッパ方式と呼ばれることもある)の電源トポロジーを用いると共に、電流検出用抵抗Rcsの挿入位置とPFC回路PIC1の接地電源電圧GND1の接続箇所とを最適化し、トランスを不要にしたことから得られる。また、PFC回路PIC1においては、図6に示したような加算回路ADDや3入力掛算回路MUL’等の複雑な回路を用いる代わりに、2乗回路SQを用いたことから得られる。
第2の効果として、入力電流に生じ得る高調波成分を低減することが可能となる。この効果は、前述したように、2乗回路SQを用いたことや、加えて、ハイサイド型の反転コンバータの電源トポロジーとの組み合わせで、入力電圧検出信号Vin’を(Vin+Vout)の関数として取得できるように構成したことから得られる。第3の効果として、電力変換効率の向上が図れる。この効果は、フライバックコンバータのようなトランスを用いる電源トポロジーではなく、ハイサイド型の反転コンバータの電源トポロジーを用いたことから得られる。
なお、図1の電源装置では、入力電圧検出信号Vin’を掛算回路MULによって掛け算したのち、2乗回路SQによって2乗したが、Vin’をSQによって2乗したのち、MULによって掛け算するように構成することも可能である。ただし、この場合、Vin’が2乗されてMULに入力されるため、Vin’が大きい場合と小さい場合でMULに入力される信号レベルの差が非常に大きくなり、PFC回路内部で信号動作範囲を確保することに困難が生じる恐れがある。この観点から図1のような接続順序を用いる方が望ましい。例えば、特許文献1のような構成を用いる場合、2乗回路のゲイン調整が必要となる関係上、前述した接続順序を後者のようにする必要があるが、本実施の形態ではゲイン調整は不要であるため、前者の接続順序を用いることができる。
また、図1の電源装置は、前述したように、主に2つの特徴(2乗回路ならびに電源トポロジー)を備えるが、必ずしも両方の特徴を備える必要はなく、いずれか一方の特徴を備えるのみでも十分に有益な効果が得られる。ただし、より有益な効果を得るためには、両方の特徴を備えることが望ましい。
(実施の形態2)
本実施の形態2では、図1に示した電源装置の変形例について説明する。
<<電源装置[2]の全体回路構成>>
図11は、本発明の実施の形態2による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。ここでは、図1の電源装置との相違点に着目して説明を行う。図11に示す電源装置は、図1の電源装置と比較して、PFC回路の接地電源電圧GND1の接続箇所及びこれに伴う検出電圧Vcsの取得箇所と、ダイオードD1の位置が異なることに加えて、PFC回路に対して出力電圧Voutをフィードバックする方式となっている点が異なっている。すなわち、図11の電源装置では、PFC回路PIC3のGND1が、抵抗RcsのトランジスタQ1側のノードNswに接続され、PIC3が、RcsのインダクタL1側のノードから検出電圧Vcsを取得する構成となっている。また、ダイオードD1は、L1の一端と正極出力ノードVout(+)の間で、L1側をアノード、Vout(+)側をカソードとして挿入されている。これに伴い、負極出力ノードVout(−)はノードNswおよびGND1に接続されている。
さらに、図11に示す電源装置は、Vout(+)とVout(−)の間に直列接続された抵抗Rfb1,Rfb2を備え、これによる出力電圧Voutの抵抗分圧ノードから出力電圧検出信号Vout’を出力する構成となっている。このVout’は、PFC回路PIC3のエラーアンプ回路EAに入力され、EAは、Vout’と、予め定めた出力電圧Voutの設定値(比較電圧Vr2)との差分を検出し、掛算回路MULに出力する。掛算回路MULの出力信号Vmは、図1のPFC回路PIC1と同様に、2乗回路SQを介してコンパレータ回路CMPpに入力される。また、PIC3は、抵抗Rcsによる検出電圧Vcsを入力として、−1倍のゲインで出力を行う反転バッファ回路IBFを備える。このIBFの出力電圧は、図1のPIC1と同様に、CMPpによってSQの出力信号Vsと比較され、コンパレータ回路CMPzによって比較電圧Vr1と比較される。
ここで、仮に、図1の電源装置に対して、電圧フィードバック方式を適用した場合(すなわち図11のような抵抗Rfb1,Rfb2を追加した場合)、PFC回路は、Rfb1,Rfb2の抵抗分圧によって検出した出力電圧に、抵抗RcsおよびダイオードD1で生じた電圧を加算した電圧を検出することになる。この場合、出力電圧の検出値に誤差が生じる恐れがある。一方、図11の電源装置を用いると、PFC回路PIC3がVout(−)をGND1として出力電圧を検出するため、当該出力電圧を高精度に検出することが可能になる。
(実施の形態3)
本実施の形態3では、実施の形態1で述べた2乗回路SQをフライバックコンバータに適用した場合について説明する。
<<電源装置[3]の全体回路構成>>
図12は、本発明の実施の形態3による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。図12に示す電源装置は、整流回路DB1と、力率改善(PFC)回路(半導体装置)PIC4と、トランジスタ(スイッチ素子)Q1と、抵抗Rac1,Rac2,Rcs,Rfb1,Rfb2と、トランスTR1と、ダイオードD1と、出力容量Coutを備えている。Coutは、正極出力ノードVout(+)と負極出力ノードVout(−)の間に接続され、Vout(−)を基準にVout(+)に生成された出力電圧Voutを負荷回路(図示せず)に供給する。Vout(−)は、接地電源電圧GND1に接続される。
DB1は、商用電源(AC)(交流電圧Vac、交流電流Iac)を全波整流し、GND1を基準として整流出力ノードNdb1に入力電圧Vinならびに入力電流Iinを出力する。Rac1,Rac2は、Ndb1とGND1の間に直列接続され、その共通接続ノードからVinを抵抗分圧した値となる入力電圧検出信号Vin’を出力する。トランスTR1は、1次巻線(インダクタ)LM1と2次巻線(インダクタ)LM2と補助巻線(インダクタ)LMsを備える。トランジスタ(ここではnチャネル型のパワーMOSトランジスタ)Q1は、ドレインがLM1を介してNdb1に、ソースが抵抗Rcsの一端に接続され、ゲートがPFC回路PIC4からのデューティ制御信号PWMによって駆動される。Rcsの他端はGND1に接続される。ダイオードD1は、アノードがLM2を介してGND1に接続され、カソードがVout(+)に接続される。Rfb1,Rfb2は、Vout(+)とVout(−)(GND1)の間に直列接続され、その共通接続ノードから出力電圧Voutを抵抗分圧した値となる出力電圧検出信号Vout’を出力する。
PFC回路(半導体装置)PIC4は、接地電源電圧GND1と電源電圧VCCによって動作し、入力電圧検出信号Vin’と抵抗Rcsによる検出電圧Vcsと出力電圧検出信号Vout’を受けて、デューティ制御信号PWMを出力する。PIC4は、掛算回路MULと、2乗回路SQと、コンパレータ回路CMPp,CMPzと、セットリセットラッチ回路SRLTと、ドライバ回路DRVと、エラーアンプ回路EAと、保護用のツェナーダイオードZD1を備えている。
セットリセットラッチ回路SRLTは、コンパレータ回路CMPpからリセット信号RTが出力された際にドライバ回路DRVを介してデューティ制御信号PWMを‘L’レベル(オフレベル)に駆動し、コンパレータ回路CMPzからセット信号STが出力された際にDRVを介してPWMを‘H’レベル(オンレベル)に駆動する。CMPzは、トランスTR1の補助巻線LMsによって得られた検出電圧Vzが所定の比較電圧Vr1よりも低くなった際にSTを出力する。なお、Vzに高電圧が生じた際にはZD1によるクランプ動作によってCMPzが保護される。エラーアンプ回路EAは、出力電圧検出信号Vout’と所定の比較電圧Vr2との差分を増幅する。掛算回路MULは、EAの出力電圧と入力電圧検出信号Vin’を掛け算し、その結果となる出力信号Vmを生成する。2乗回路SQは、Vmを2乗し、その結果となる出力信号Vsを生成する。CMPpは、抵抗Rcsによる検出電圧VcsがVsを越えた際にリセット信号RTを出力する。
<<電源装置[3]の全体回路動作>>
図13は、図12の概略的な動作例を示す波形図である。図13に示すように、まず、デューティ制御信号PWMが‘H’レベル(オンレベル)の場合、トランジスタQ1がオンに駆動され、トランスTR1の1次巻線LM1に右肩上がりの入力電流Iinが流れると共に、TR1に電力が蓄積される。このIinの増加に伴い、検出電圧Vcsも右肩上がりに増加する。一方、このVcsが2乗回路SQの出力信号Vsの電圧値に到達すると、コンパレータ回路CMPpからリセット信号RTが生成され、PWMが‘L’レベル(オフレベル)に遷移し、Q1がオフに駆動される。そうすると、TR1のLM1およびLM2の電圧極性がそれぞれ反転するため、TR1の蓄積電力がLM2を介して放出される。すなわち、ダイオードD1が順方向にバイアスされ、負荷回路に対して出力電流Ioutが供給されると共に出力容量Coutの充電が行われる。このQ1がオフの期間では、LM2に流れる電流(出力電流Iout)は右肩下がりに減少する。そして、TR1の蓄積電力がゼロ(Ioutがゼロ)になると補助巻線LMsの検出電圧Vzがゼロに向けて急激に低下し、このVzがコンパレータ回路CMPzの比較電圧Vr1を下回ると、セット信号STが生成され、Q1が再びオンに駆動される。すなわち、図12の電源装置は、電流臨界モードで動作する。
また、図12において、エラーアンプ回路EAは、出力電圧検出信号Vout’と、予め定めたVout’の設定値(Vr2)との差分を検出する。掛算回路MULは、入力電圧検出信号Vin’にEAの検出結果を反映して出力信号Vmを生成する。Vin’は、正弦波(厳密には正弦波の絶対値波形)となる入力電圧Vinに比例した波形となるため、Vmは、正弦波(厳密には正弦波の絶対値波形)であると共に、その電圧振幅がEAの検出結果に応じて変動する波形となる。2乗回路SQの出力信号Vsは、Vmを2乗した値であるため、図13に示すように、正弦波を尖らせたような波形形状となる。
ここで、図12の電源装置は、前述した図1の電源装置と同様に、トランジスタQ1のオン期間に入力電流Iinが流れ、オフ期間に出力電流Ioutが流れる回路方式となっている。この場合、仮に2乗回路SQを備えない場合には、図34で説明したように、交流電流Iac(入力電流Iin)の波形が台形波状になり得る。そこで、図1の場合と同様にして、正弦波を尖らせたような波形形状を持つVsに基づいてデューティ制御信号PWMの‘H’レベル(Q1のオン)期間を定めることで、商用電源ライン(AC)に生じる交流電流Iacを正弦波に近づけることが可能となる。
<<電源装置[3]の詳細回路動作>>
次に、図14を参照して図12の電源装置における主要部の詳細な動作例について説明する。図14は、図13の一部を拡大した波形図であり、図13におけるデューティ制御信号(トランジスタQ1のゲート電圧)PWMと、トランスTR1の1次側に流れる入力電流Iinおよび2次側に流れる出力電流Ioutを抽出したものとなっている。まず、1次巻線LM1のインダクタンス値をLM1、2次巻線LM2のインダクタンス値をLM2、LM1の巻線数をn1、LM2の巻線数をn2とすると、トランスの特性から式(1C)の関係が成り立つ。
n1×Iin=n2×Iout
LM2=LM1×(n2/n1) (1C)
図14を参照して、Iinのピーク値Ipk1はトランジスタQ1のオン期間Tonを用いて式(2C)となり、Ioutのピーク値Ipk2は、Q1のオフ期間Toffならびに出力電圧Voutを用いて式(3C)となる。
Ipk1=(Vin/LM1)・Ton (2C)
Ipk2=(Vout/LM2)・Toff (3C)
式(3C)に式(1C)および式(2C)を代入すると、式(4C)が得られ、PWMの1周期Tswは、式(5C)となる。
Toff=(Vin/((n1/n2)・Vout))×Ton (4C)
Figure 0005629191
これらの式を用いて、PWMの1周期における入力電流Iinの平均値Iin_aveは、式(6C)で定められる。
Figure 0005629191
一方、Vinに対するRac1とRac2の抵抗分圧比をK2とすると、入力電圧検出信号Vin’はVin’=K2×Vinとなり、エラーアンプ回路EAの出力信号をK1とおくと、掛算回路MULの出力信号VmはVm=K1・K2・Vinとなる。したがって、2乗回路SQの出力信号Vsは、K=(K1・K2)として、式(7C)となる。
Vs=K・Vin (7C)
コンパレータ回路CMPpは、抵抗Rcsによる検出電圧Vcsが出力信号Vsに達した際にQ1をオフに制御するため、式(2C)のIpk1を用いてRcs×Ipk1=式(7C)とおき、その結果、Tonは、式(8C)となる。
Ton=((K・LM1)/Rcs)×Vin (8C)
式(6C)に式(8C)を代入すると、Iin_aveは、式(9C)となる。
Figure 0005629191
このように、図12の電源装置(PFC回路PIC4)は、数式上の概念では、入力電圧検出信号Vin’をVinの関数で取得し、これを2乗することで式(8C)に示すようにTonにVinの項を作り出し、このTonで式(6C)における分母の値(Vin+(n1/n2)・Vout)を打ち消している。そして、これによって、式(6C)のIin_aveを、正弦波であるVinの関数に近づけている。
一方、Iin_aveを完全なVinの関数とするため、更に、加算回路や定数生成回路等を設ける構成例も考えられるが、そうすると、図6の場合と同様に、追加の外部端子が必要となったり、PFC回路の回路面積が大きくなるため、電源装置の小型化が十分に図れない恐れがある。そこで、図12のような電源装置を用いると、小型ならびに低コストな構成によって、完全な正弦波ではないが、実用上は十分な質を持つ(すなわち高調波成分を必要十分に低減可能な)略正弦波状の入力電流波形が生成可能になる。
図15(a)、(b)は、図12の電源装置を用いた場合の入力電流波形のシミュレーション結果を示す波形図である。図15(a)には、正弦波である理想的な入力電流波形(理想系)と、図12の電源装置を用いた場合に式(9C)によって算出される理論上の入力電流波形(2乗回路制御)の一例が示されている。図15(b)には、その比較対象として、前述した図31の電源装置を用いた場合に式(2A)によって算出される理論上の入力電流波形(2乗回路無し)の一例が示されている。図15(a)、(b)の比較から判るように、図12の電源装置を用いることで、入力電流波形を正弦波に近づけることが可能となり、実用上は十分に高調波成分を低減することが可能となる。
<<電源装置[3]の各種変形例>>
図16〜図18のそれぞれは、図12の電源装置を変形したそれぞれ異なる回路構成の一例を示す概略図である。ここでは、図12の電源装置との差異に着目して説明を行う。図16の電源装置は、図12の電源装置と比較して出力情報のフィードバック方法が異なっている。すなわち、図12の電源装置は、出力電圧Voutの情報(すなわち出力電圧検出信号Vout’)をPFC回路PIC4にフィードバックする構成例となっていたが、図16の電源装置は、出力電流Ioutの情報を出力電流検出信号Iout’としてPFC回路PIC5にフィードバックする構成例となっている。例えば、図12の電源装置は、電圧駆動型の負荷回路を組み合わせる際に適した構成例となっており、図16の電源装置は、発光ダイオードLED等のような電流駆動型の負荷回路を組み合わせる際に適した構成例となっている。
図16において、出力電流Ioutは、負極出力ノードVout(−)の電流経路上(Vout(−)とGND1の間)に挿入された抵抗Rfb3によって電圧に変換される。PFC回路PIC5の外部に設けられたエラーアンプ回路EAは、Rfb3の一端(Vout(−))に生じたIoutの大きさを表す電圧と予め定めたIoutの設定値(比較電圧Vr2)との差分を検出する。そして、この検出結果によってPIC5の外部に設けられたpnp型のバイポーラトランジスタQP20のベースが制御され、そのエミッタから出力電流検出信号Iout’が生成される。
一方、PFC回路PIC5は、図12のPIC4が備えたエラーアンプ回路EAの代わりに、掛算回路MULにおける2入力の一方をQP20のエミッタに接続するための配線ノードNiofと、Niofを介してQP20の動作点を定めるための電流を供給する定電流源IBSとを備えている。このIBSとQP20は、Ioutの大きさを反映した可変電流源となり、この可変電流源は、図9に示した掛算回路MULの定電流源IS2として用いることも可能である。
図17の電源装置は、図12に示した非絶縁型の電源装置を絶縁型に変更した構成例となっている。同様に、図18の電源装置は、図16に示した非絶縁型の電源装置を絶縁型に変更した構成例となっている。例えば、出力電力が大きい負荷回路を対象とする電源装置では、安全性等の観点から非絶縁型の構成が必要とされる場合があり、このような場合には、図17または図18のような電源装置を用いるとよい。
図17において、トランスTR1の1次巻線LM1側は、接地電源電圧GND1を基準に動作するのに対して、TR1の2次巻線LM2側は、接地電源電圧GND2を基準に動作する。すなわち、負極出力ノードVout(−)はGND2に接続される。Vout(−)を基準に正極出力ノードVout(+)に生成された出力電圧Voutは、抵抗Rfb1,Rfb2によって抵抗分圧され、この抵抗分圧ノードがシャントレギュレータSR1の制御ノードに接続される。SR1のカソードとVout(+)の間には、Vout(+)側から順に抵抗Rfb4およびフォトカプラPC1の入力経路が直列接続される。SR1は、その制御ノードの電圧がSR1内部の基準電圧Vrefとなるように(すなわちVout=Vref×(Rfb1+Rfb2)/Rfb2となるように)カソードの電圧を変動させる。これに応じてPC1の入力経路に流れる電流が変動し、この電流を反映した電流がPC1の出力経路から取り出され、抵抗Rfb5を介して出力電圧検出信号Vout’として電圧に変換される。PFC回路PIC4は、図12と同様の構成であり、このVout’を受けて動作を行う。
図18においても、図17の場合と同様に、トランスTR1の1次巻線LM1側は、接地電源電圧GND1を基準に動作するのに対して、TR1の2次巻線LM2側は、接地電源電圧GND2を基準に動作する。2次巻線LM2側に流れる出力電流Ioutは、負極出力ノードVout(−)の電流経路上(Vout(−)とGND2の間)に挿入された抵抗Rfb3によって電圧に変換される。エラーアンプ回路EAは、Rfb3の一端(Vout(−))に生じたIoutの大きさを表す電圧と予め定めたIoutの設定値(比較電圧Vr2)との差分を検出し、この検出結果に応じてフォトカプラPC1の入力経路に流れる電流を制御する。そして、このPC1の入力経路に流れる電流を反映した電流が出力電流検出信号Iout’としてPC1の出力経路から取り出される。PFC回路PIC5は、図16と同様の構成であり、このIout’を受けて動作を行う。
以上、本実施の形態3の電源装置を用いることで、代表的には、小型または低コストな構成によって、入力電流に生じ得る高調波成分を低減することが可能となる。この効果は、PFC回路において、加算回路等を組み合わせた複雑な回路を用いる代わりに、2乗回路SQを用いたことから得られる。また、当該電源装置は、実施の形態1の電源装置と比較すると、トランスが必要となることから、小型化または低コスト化の観点では実施の形態1の電源装置の方が望ましい。ただし、例えば、絶縁型の電源装置が必要とされるような場合には、本実施の形態3の電源装置を用いることが有益となる。
(実施の形態4)
前述した実施の形態1では、整流回路DB1の高電位出力側にトランジスタQ1が配置され、低電位出力側にインダクタL1が配置されるハイサイド型の反転コンバータに対して2乗回路SQを適用した構成例を示した。本実施の形態4では、整流回路の高電位出力側にインダクタが配置され、低電位出力側にトランジスタが配置されるロウサイド型の反転コンバータに対して2乗回路SQを適用した構成例について説明する。
<<電源装置[4]の全体回路構成>>
図19は、本発明の実施の形態4による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。図19に示す電源装置は、整流回路DB1と、力率改善(PFC)回路(半導体装置)PIC4と、トランスTR2と、トランジスタQ1と、ダイオードD1と、出力容量Coutと、抵抗Rac1,Rac2,Rcs,Rfb11〜Rfb14と、オペアンプ回路OP1を備えている。Coutは、正極出力ノードVout(+)と負極出力ノードVout(−)の間に接続され、Vout(−)を基準にVout(+)に生成された出力電圧Voutを負荷回路(図示せず)に供給する。
DB1は、商用電源(AC)(交流電圧Vac、交流電流Iac)を全波整流し、接地電源電圧GND1を基準として整流出力ノードNdb1に入力電圧Vinならびに入力電流Iinを出力する。Rac1,Rac2は、Ndb1とGND1の間に直列接続され、その共通接続ノードからVinを抵抗分圧した値となる入力電圧検出信号Vin’を出力する。トランスTR2は、インダクタLM1と補助巻線(インダクタ)LMsを備える。トランジスタ(ここではnチャネル型のパワーMOSトランジスタ)Q1は、ドレインがLM1を介してNdb1に、ソースが抵抗Rcsの一端に接続され、ゲートがPFC回路PIC4からのデューティ制御信号PWMによって駆動される。Rcsの他端はGND1に接続される。ダイオードD1は、アノードがQ1のドレインに接続され、カソードがVout(+)に接続される。
Rfb11は、Vout(−)とOP1の負極入力ノードの間に接続され、Rfb12は、Vout(+)とOP1の正極入力ノードの間に接続される。Rfb13は、OP1の負極入力ノードとOP1の出力ノードの間に接続され、Rfb14は、OP1の正極入力ノードとGND1の間に接続される。このように、OP1は、差動増幅回路となっており、その出力ノードから出力電圧検出信号Vout’を生成する。Rfb11とRfb12の抵抗値を共にR11とし、Rfb13とRfb14の抵抗値を共にR13とした場合、Vout’=(R13/R11)×(Vout(+)−Vout(−))となる。なお、PFC回路PIC4は、図12の場合と同様の構成であり、入力電圧検出信号Vin’と、Q1とRcsの接続ノードから出力される検出電圧Vcsと、補助巻線LMsによる検出電圧Vzを受けて、デューティ制御信号PWMを出力する。
<<電源装置[4]の全体回路動作>>
このような構成において、デューティ制御信号PWMが‘H’レベル(オンレベル)の場合、トランジスタQ1がオンに駆動され、トランスTR2のインダクタLM1に右肩上がりの入力電流Iinが流れると共に、LM1に電力が蓄積される。このIinの増加に伴い、抵抗Rcsによる検出電圧Vcsも右肩上がりに増加する。一方、このVcsが2乗回路SQの出力信号Vsの電圧値に到達すると、コンパレータ回路CMPpからリセット信号RTが生成され、PWMが‘L’レベル(オフレベル)に遷移し、Q1がオフに駆動される。そうすると、LM1の蓄積電力を起電力として、ダイオードD1→Vout(+)→Vout(−)の経路で出力電流Ioutが流れると共にCoutの充電が行われる。このQ1がオフの期間では、出力電流Ioutは右肩下がりに減少する。そして、Ioutがゼロになると補助巻線LMsの検出電圧Vzがゼロに向けて急激に低下し、このVzがコンパレータ回路CMPzの比較電圧Vr1を下回ると、セット信号STが生成され、Q1が再びオンに駆動される。すなわち、図19の電源装置は、電流臨界モードで動作する。
また、図19において、Vout(+)とVout(−)の間の出力電圧Voutは、OP1等からなる差動増幅回路によって出力電圧検出信号Vout’としてPFC回路PIC4に帰還される。この際に、当該差動増幅回路は、PFC回路PIC4が接地電源電圧GND1を基準としてVout(−)とVout(+)の間の出力電圧Voutを検出できるようにするために備わっている。例えば、前述した抵抗値R11と抵抗値R13の比(R13/R11)を数10分の1に設定することで、Voutの電圧レベル(例えば数10V)に応じて、GND1を基準に数Vの電圧レンジで変動するVout’が生成できる。PIC4において、エラーアンプ回路EAは、このVout’と比較電圧Vr2(例えば数V程度)との差分を増幅し、掛算回路MULは、入力電圧検出信号Vin’にEAの検出結果を反映して出力信号Vmを生成し、2乗回路SQは、Vmを2乗した出力信号Vsを生成する。
ここで、図19の電源装置は、実施の形態1〜3の電源装置と同様に、トランジスタQ1のオン期間に入力電流Iinが流れ、オフ期間に出力電流Ioutが流れる回路方式となっている。この場合、仮に2乗回路SQを備えない場合には、入力電流Iinの波形が台形波状になり得る。そこで、図1等の場合と同様に、2乗回路SQによって正弦波を尖らせたような波形形状を持つVsを生成し、これに基づいてデューティ制御信号PWMの‘H’レベル(Q1のオン)期間を定めることで、商用電源ライン(AC)に生じる交流電流Iacを正弦波に近づけることが可能となる。
<<電源装置[4]の変形例>>
図20は、図19の電源装置を変形した回路構成の一例を示す概略図である。ここでは、図19の電源装置との差異に着目して説明を行う。図20の電源装置は、図19の電源装置と比較して出力情報のフィードバック方法が異なっている。すなわち、図19の電源装置は、出力電圧Voutの情報(すなわち出力電圧検出信号Vout’)をPFC回路PIC4にフィードバックする構成例となっていたが、図20の電源装置は、出力電流Ioutの情報を出力電流検出信号Iout’としてPFC回路PIC5にフィードバックする構成例となっている。
図20において、出力電流Ioutは、負極出力ノードVout(−)の電流経路上(Coutの一端とVout(−)の間)に挿入された抵抗Rfb3によって電圧に変換される。PFC回路PIC5の外部に設けられたエラーアンプ回路EAは、Rfb3の一端(Vout(−))に生じたIoutの大きさを表す電圧と予め定めたIoutの設定値(比較電圧Vr2)との差分を検出する。そして、この検出結果によってPIC5の外部に設けられたpnp型のバイポーラトランジスタQP40のベースが制御される。QP40は、エミッタが抵抗Rfb21を介してVout(+)に接続され、コレクタ電流がnpn型のバイポーラトランジスタQN40のコレクタ(ベース)に入力される。QN40は、npn型のバイポーラトランジスタQN41との間でカレントミラー回路を構成し、QN40に入力された電流は、QN41に転写される。このQN41に転写された電流は、出力電流検出信号Iout’としてPFC回路PIC5に帰還される。
例えば、Vout(−)を接地電源電圧としてエラーアンプ回路EAを動作させた場合、EAの出力電圧は、PFC回路PIC5の接地電源電圧GND1から見ると適切な電圧レンジではないため、図16の場合のように1個のバイポーラトランジスタを介してPIC5に帰還することは困難となっている。そこで、ここでは、QP40によってIoutに応じた電流信号を生成し、これをカレントミラー回路で折り返してPIC5に帰還している。PIC5は、図16の場合と同様な構成となっており、入力電圧検出信号Vin’、補助巻線LMsによる検出電圧Vz、抵抗Rcsによる検出電圧Vcs、ならびに出力電流検出信号Iout’を受けて、デューティ制御信号PWMを出力する。
以上、本実施の形態4の電源装置を用いることで、代表的には、小型または低コストな構成によって、入力電流に生じ得る高調波成分を低減することが可能となる。この効果は、PFC回路において、加算回路等を組み合わせた複雑な回路を用いる代わりに、2乗回路SQを用いたことから得られる。ただし、当該電源装置は、実施の形態1の電源装置と比較すると、トランスが必要となることから、小型化または低コスト化の観点では実施の形態1の電源装置の方が望ましい。
(実施の形態5)
前述した実施の形態4では、ロウサイド型の反転コンバータに対して2乗回路SQを適用すると共に補助巻線LMsを用いて電流臨界モードの制御を行う構成例を示したが、本実施の形態5では、補助巻線の代わりに抵抗を用いて電流臨界モードの制御を行う構成例について説明する。
<<電源装置[5]の全体回路構成>>
図21は、本発明の実施の形態5による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。ここでは、図19の電源装置との相違点に着目して説明を行う。図21に示す電源装置は、図19の電源装置と比較して、図19のトランスTR2がインダクタL1に置き換わり、L1と正極出力ノードVout(+)の間に抵抗Rcs2が備わった構成となっている。トランジスタQ1がオフの際に、L1に流れる出力電流Ioutがゼロになると、Rcs2の両端の間に生じる検出電圧Vzもゼロになるため、これをPFC回路PIC4’内のコンパレータ回路CMPzで検出することで電流臨界モードの制御が可能となる。なお、PIC4’は、図19のPFC回路PIC4と比較してコンパレータ回路CMPzの入力部分が異なっている。すなわち、PIC4のCMPzには、接地電源電圧GND1を基準に補助巻線で生じた検出電圧Vzと、GND1を基準とする比較電圧Vr1とが入力されるのに対して、PIC4’のCMPzには、Vout(+)を基準に抵抗Rcs2で生じた検出電圧Vzと、Vout(+)を基準とする比較電圧Vr1とが入力される。
<<電源装置[5]の変形例>>
図22は、図21の電源装置を変形した回路構成の一例を示す概略図である。図22の電源装置は、図21の電源装置が出力電圧情報をPFC回路PIC4’にフィードバックする構成例となっていたのに対して、出力電流情報をPFC回路PIC5’にフィードバックする構成例となっている。すなわち、図22の電源装置は、図20の電源装置を比較対象として、図21の電源装置の場合と同様に、電流臨界モード動作用の抵抗Rcs2が設けられ、また、図20のPFC回路PIC5におけるコンパレータ回路CMPzの入力部分を図21の電源装置の場合と同様に変更したものとなっている。
本実施の形態5の電源装置を用いると、実施の形態4の電源装置と比較して補助巻線(すなわちトランス)が不要となることから、更なる電源装置の小型化等が実現可能となる。ただし、当該電源装置では、GND1を基準として動作するPFC回路PIC4’,PIC5’に対してVout(+)に生じる電圧レベル(GND1を基準にすると100V以上にもなり得る)が入力されるため、PIC4’,PIC5’の耐圧確保が必要となる。したがって、この観点からは、実施の形態1の電源装置を用いることが望ましい。
(実施の形態6)
本実施の形態6では、実施の形態1,2と同様にハイサイド型の反転コンバータの電源トポロジーを用いて、電流臨界モードではなく電流連続モードの動作を行う電源装置について説明する。
<<電源装置[6]の全体回路構成>>
図23は、本発明の実施の形態6による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。ここでは、実施の形態2で説明した図11の電源装置との相違点に着目して説明を行う。図23に示す電源装置は、図11の電源装置と比較して、抵抗Rcsの位置と、PFC回路PIC6の内部回路構成が異なったものとなっている。抵抗Rcsの一端は、図11と同様にPFC回路PIC6の接地電源電圧GND1に接続されているが、Rcsの他端は、図11と異なり、トランジスタQ1に接続されている。このRcsのQ1側のノードから検出電圧Vcsが出力される。また、これに伴いインダクタL1の一端は、GND1ならびに負極出力ノードVout(−)に接続される。
PFC回路(半導体装置)PIC6は、接地電源電圧GND1と電源電圧VCCによって動作し、入力電圧検出信号Vin’と、Rcsによって得られる検出電圧Vcsと、出力電圧検出信号Vout’を受けて、デューティ制御信号PWMを出力する。PIC6は、掛算回路MULと、2個のエラーアンプ回路EA1,EA2と、コンパレータ回路CMPpと、セットリセットラッチ回路SRLTと、ドライバ回路DRVと、アンプ回路AMPiと、発振回路OSCと、三角波生成回路TWGENを備えている。
セットリセットラッチ回路SRLTは、コンパレータ回路CMPpからリセット信号RTが出力された際にドライバ回路DRVを介してデューティ制御信号PWMを‘L’レベル(オフレベル)に駆動し、発振回路OSCからセット信号STが出力された際にDRVを介してPWMを‘H’レベル(オンレベル)に駆動する。アンプ回路AMPiは、Vcsを増幅し、エラーアンプ回路EA2の2入力の一方に出力する。エラーアンプ回路EA1は、抵抗Rfb1,Rfb2によって検出された出力電圧検出信号Vout’を比較電圧Vr2を基準に増幅する。掛算回路MULは、入力電圧検出信号Vin’とEA1の出力電圧とを掛け算し、EA2の2入力の他方に出力する。EA2は、AMPiの出力電圧とMULの出力電圧との差分を増幅し、コンパレータ回路CMPpの2入力の一方に出力する。三角波生成回路TWGENは、OSCの出力信号を用いて三角波信号を生成し、CMPpの2入力の他方に出力する。
<<電源装置[6]の全体回路動作>>
図24は、図23の概略的な動作例を示す波形図である。まず、発振回路OSCがセット信号STを出力すると、デューティ制御信号PWMが‘H’レベル(オンレベル)となり、トランジスタQ1がオンに駆動される。これにより、Q1ならびに抵抗Rcsを介してインダクタL1に右肩上がりの入力電流Iinが流れ、L1に電力が蓄積される。このIinの増加に伴い、Rcsの一端に生じる検出電圧Vcsも右肩上がりに増加し、その後、コンパレータ回路CMPpからリセット信号RTが出力されると、PWMが‘L’レベル(オンレベル)となり、Q1がオフに駆動される。そうすると、L1に蓄えられた電力を起電力として、正極出力ノードVout(+)→ダイオードD1→負極出力ノードVout(−)の経路で出力電流Ioutが流れ、このIoutによって負荷回路(図示せず)が駆動されると共に出力容量Coutが充電される。
このQ1がオンの際、エラーアンプ回路EA1からは、設定電圧(Vr2)に対する出力電圧Voutの誤差成分が出力され、掛算回路MULは、入力電圧検出信号Vin’にこの誤差成分を反映させた出力電圧を生成する。エラーアンプ回路EA2は、MULの出力電圧とAMPiの出力電圧との差分を増幅する。MULの出力電圧を基準として、AMPiの出力電圧が小さい場合にはEA2の出力電圧レベルが上がり、その結果、セット信号STが出力されてからCMPpによりリセット信号RTが出力されるまでの期間(すなわちQ1のオンデューティ)が増大する。逆に、AMPiの出力電圧が大きい場合にはEA2の出力電圧レベルが下がり、その結果、Q1のオンデューティが減少する。そして、OSCの1周期の期間を経過すると、再びSTが出力され、Q1がオンに駆動される。このような制御動作により、図24に示すように、Q1に流れる入力電流Iin(AC電源ラインに流れる交流電流Iac)は、入力電圧Vinに追従し、正弦波状となる。
<<発振回路および三角波生成回路の詳細>>
図25は、図23における発振回路OSCおよび三角波生成回路TWGENの詳細を示すものであり、(a)はその構成例を示す回路図、(b)は(a)の動作例を示す波形図である。図25(a)には、ヒステリシスコンパレータ回路CMPhと、CMPhの出力に応じてオン・オフが制御されるNMOSトランジスタMN1と、CMPhの(+)入力ノードに接続された容量C1と、C1に充電を行う定電流源IScgと、C1からMN1を介して放電を行う定電流源ISdcgが示されている。ここでは、ISdcgの駆動能力がIScgの駆動能力よりも十分に高く設定されている。CMPhの(−)入力ノードには、高電位側しきい値Vhと低電位側しきい値Vlの一方が設定され、VhはCMPhが‘L’レベルを出力している際に設定され、VlはCMPhが‘H’レベルを出力している際に設定される。
このような構成例を用いると、CMPhの出力が‘L’レベルの際に、IScgからC1に充電が行われ、CMPhの(+)入力ノードの電圧レベルが上昇する。当該電圧レベルがVhに到達すると、CMPhの出力が‘H’レベルに遷移し、これに伴いC1の電荷がISdcgを介して放電され、CMPhの(+)入力ノードの電圧レベルが下降する。当該電圧レベルがVlに到達すると、CMPhの出力が再び‘L’レベルに遷移し、同様の動作が繰り返される。この結果、CMPhの出力からは、一定周期の発振信号が生成され、CMPhの(+)入力ノードからは三角波信号が生成される。この発振信号が図23の発振回路OSCの出力信号となり、三角波信号が図23の三角波生成回路TWGENの出力信号となる。
(実施の形態7)
本実施の形態7では、実施の形態1,2と同様にハイサイド型の反転コンバータの電源トポロジーを用いて、電流臨界モードではなく電流不連続モードの動作を行う電源装置について説明する。
<<電源装置[7]の全体回路構成>>
図26は、本発明の実施の形態7による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。ここでは、実施の形態2で説明した図11の電源装置との相違点に着目して説明を行う。図26に示す電源装置は、図11の電源装置と比較して、電流検出用の抵抗Rcsおよび入力電圧検出用の抵抗Rac1,Rac2が削除され、PFC回路PIC7の内部回路構成が異なったものとなっている。PFC回路(半導体装置)PIC7は、接地電源電圧GND1と電源電圧VCCによって動作し、出力電圧検出電圧Vout’を受けて、デューティ制御信号PWMを出力する。PIC7は、エラーアンプ回路EA1と、コンパレータ回路CMPpと、セットリセットラッチ回路SRLTと、ノア演算回路NORと、ドライバ回路DRVと、発振回路OSCと、三角波生成回路TWGENを備えている。
セットリセットラッチ回路SRLTは、コンパレータ回路CMPpからセット信号STが出力された際にノア演算回路NORの2入力の一方に‘H’レベルを出力し、発振回路OSCからリセット信号RTが入力された際に、NORの2入力の一方に‘L’レベルを出力する。NORの2入力の他方には発振回路OSCの出力が入力され、NORの出力は、ドライバ回路DRVを介してデューティ制御信号PWMとして出力される。エラーアンプ回路EA1は、出力電圧検出信号Vout’と比較電圧Vr2との差分を増幅し、コンパレータ回路CMPpの2入力の一方に出力する。CMPpの2入力の他方には、三角波生成回路TWGENの出力信号が入力される。発振回路OSCおよび三角波生成回路TWGENは、例えば、前述した図25の構成例によって実現される。
<<電源装置[7]の全体回路動作>>
図27は、図26の概略的な動作例を示す波形図である。まず、発振回路OSCがリセット信号RT(‘H’パルス)を出力すると、当該‘H’パルスの‘L’レベル遷移によって、デューティ制御信号PWMが‘H’レベル(オンレベル)となり、トランジスタQ1がオンに駆動される。これにより、Q1を介してインダクタL1に右肩上がりの入力電流Iinが流れ、L1に電力が蓄積される。その後、コンパレータ回路CMPpからセット信号ST(‘H’パルス)が出力されると、PWMが‘L’レベル(オンレベル)となり、Q1がオフに駆動される。そうすると、L1に蓄えられた電力を起電力として、正極出力ノードVout(+)→ダイオードD1→負極出力ノードVout(−)の経路で出力電流Ioutが流れ、このIoutによって負荷回路(図示せず)が駆動されると共に出力容量Coutが充電される。
このQ1がオンの際、エラーアンプ回路EA1からは、設定電圧(Vr2)に対する出力電圧Voutの誤差成分が出力される。Voutが高すぎるとEA1の出力電圧が下がり、その結果、リセット信号RTが出力されてからCMPpによりセット信号STが出力されるまでの期間(すなわちQ1のオンデューティ)が減少する。逆に、Voutが低すぎるとEA1の出力電圧が上がり、その結果、Q1のオンデューティが増加する。そして、OSCの1周期の期間を経過すると、OSCの‘H’パルスの‘L’レベル遷移に応じて再びQ1がオンに駆動される。
このような制御動作を用いると、図27を参照して、例えば、Q1に流れる入力電流Iinのピーク値Ipkは、整流回路DB1からの入力電圧Vinと、L1のインダクタンス値(L1)と、Q1のオン時間(Ton)を用いて、Ipk=(Vin/L1)×Tonとなる。このIpkを用いて、PWMの1周期(Tsw)当たりのIinの平均値Iin_aveは、式(1D)となる。
Iin_ave=(1/2)×(Ipk・Ton)/Tsw
=1/(2・L1)×(Ton/Tsw)×Vin (1D)
式(1D)において、L1およびTswは固定値であり、TonはVinの影響を受けない変数であるため、入力電流Iin(AC電源ラインに流れる交流電流Iac)はVinと比例関係になり、正弦波状となる。
(実施の形態8)
本実施の形態8では、実施の形態1で述べたハイサイド型の反転コンバータの電源トポロジーを変形して降圧コンバータを構成した一例について説明する。
<<電源装置[8]の全体回路構成>>
図35は、本発明の実施の形態8による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。図35と図1を比較すると、前述した図1の電源装置では、整流回路DB1の出力における基準ノード側が正極出力ノードVout(+)に接続されていたが、図35の電源装置では、このDB1の基準ノード側が負極出力ノードVout(−)に接続された点が異なっている。すなわち、図35では、DB1がVout(−)を基準にノードNdb1に入力電圧Vinおよび入力電流Iinを生成している。これ以外の接続関係は、図1と同様であり、ダイオードD1は、トランジスタQ1のソースとなるノードNswとVout(−)の間にVout(−)側をアノードとして接続され、電流検出用の抵抗Rcsは、NswとインダクタL1の一端との間に接続される。また、L1の他端は、Vout(+)に接続され、Vout(−)とVout(+)の間に容量Coutが接続されると共に、これと並列に発光ダイオードLED等の負荷回路LODが接続される。
<<電源装置[8]の全体回路動作>>
図35の電源装置において、まず、トランジスタQ1がオンの際には、Ndb1→Q1→Rcs→L1→Vout(+)→Vout(−)の経路で電流が流れ、L1に電力が蓄えられると共に負荷回路LODに出力電流Ioutが供給される。一方、Q1がオフの際には、L1に蓄えられた電力を起電力として、L1→Vout(+)→Vout(−)→D1→Rcsの経路で電流が流れ、LODにIoutが供給される。このような構成においても、図1の電源装置と同様に、Q1がオンの期間のみで入力電流Iin(商用電源(AC)の交流電流Iac)が流れるが、前述した2乗回路SQを含むPFC回路PIC1を備えているため、正弦波に近い電流波形(Iac)が得られる。
<<電源装置[8]の効果>
このように、図35の電源装置を用いると、図1の電源装置とほぼ同様の効果が得られることに加えて、更に、次のような効果が得られる。第1に、トランジスタQ1としてソース・ドレイン間の耐圧が低い素子を用いることが可能となり、低コスト化が図れる。すなわち、図1の電源装置では、Q1がオフの際のソース・ドレイン間電圧Vdsが「Vin+Vout」(Voutは、Vout(+)とVout(−)間の電圧)となるが、図35の電源装置では、Q1がオフの際のVdsをほぼVinとすることができる。したがって、図35では、図1よりもVout(例えばVinは85〜264Vrmsの全波整流値、Voutは60Vや70V等)だけ耐圧が低い素子を用いることが可能となる。
第2に、電力変換効率の向上が実現可能になる。図1と図35の電源装置は、共に電流臨界モードで動作するため、Q1がオンに遷移する際には共にゼロ電流スイッチングとなり、所謂ハードスイッチング方式に比べてスイッチングロスの低減が可能となる。しかしながら、図1と図35の電源装置では、Q1がオフに遷移する際に、前述したVdsの違いに伴いスイッチングロスに違いが生じる。図36は、スイッチングロスが生じる状況の一例を示す模式図であり、(a)は図35の電源装置を用いた場合、(b)はその比較例として図1の電源装置を用いた場合を示すものである。図36(a)、(b)に示すように、Q1がオフに遷移する際には、Q1の電流Imの立ち下がり波形と、Q1のVdsの立ち上がり波形が一部重なるため、この重なり部分(SLA1,SLA2)でロスが生じる。
この際に、図35の電源装置を用いると、Vdsの値が小さいことからその重なり部分(SLA1)の面積を図1の電源装置の重なり部分(SLA2)よりも小さくでき、スイッチングロスの低減が可能となる。より詳細には、Q1がオフに遷移する際のスイッチングロスPs_offは、IpをImのピーク値として、式(10)で表され、スイッチングロスを低減する上でVdsの値を小さくすることが有益であることが判る。一例として、Vin=100Vrms、Vout=70V、Pout(負荷回路LODの消費電力)=8Wの条件で検証を行ったところ、電力変換効率は、図1の電源装置の場合には86.0%であったのに対して、図35の電源装置の場合には90.3%という結果が得られた。
Figure 0005629191
なお、図35において、電流臨界モードに伴うゼロ電流検出用の抵抗Rcsは、特に限定はされないが、LED照明装置等の小型化のため、例えば1.2Ω等の抵抗値を持つ金属皮膜のチップ抵抗を用いることができる。その前提について具体的に説明すると、まず、仮に負荷回路LODがVout=70V、Pout=8W、100VrmsのLEDである場合、その消費電流IoutはIout=8W/70V=約114mAとなる。この場合、入力電圧Vinのピーク時における入力電流Iinのピーク電流Ipは、電流臨界モードで動作するので、Ioutの2√2倍となる。仮に、効率90%、力率0.9とすると、Ip=0.114×2×√2/(0.9×0.9)=398mAとなる。ここで、Rcsの抵抗値を定める上でのマージンを考慮してIp=0.5A等とし、PFC回路PIC1に入力できるRcsの検出電圧Vcsの上限値を例えば0.6Vとすると、Rcsの抵抗値は、Rcs=0.6V/0.5A=1.2Ωとなる。このように、Rcs=1.2Ω程度の場合、Rcsでの消費電力は、0.114×0.114×1.2=15.6mWであり、一般的な1/4W型などの抵抗を使用できる。
(実施の形態9)
本実施の形態9では、実施の形態8で述べた降圧コンバータの電源トポロジーを用いてPFC回路の構成を変形した一例について説明する。
<<電源装置[9]の全体回路構成>>
図37は、本発明の実施の形態9による電源装置において、その回路構成の一例を示す概略図である。図37に示す電源装置は、図35の電源装置と比較して、PFC回路の内部構成が異なり、それ以外は同様の構成となっている。図37において、PFC回路PIC11は、ランプ回路RMP1と、コンパレータ回路CMPp,CMPzと、セットリセットラッチ回路SRLTと、ドライバ回路DRVと、エラーアンプ回路EAを備えている。図37のPFC回路PIC11は、図1のPFC回路PIC1と異なり、2乗回路SQを搭載せず、電流検出用の抵抗Rcsからの検出電圧Vcsとランプ回路RMP1による充電電圧を用いてオン時間を制御する臨界式コンバータとなっている。
セットリセットラッチ回路SRLTは、コンパレータ回路CMPpからリセット信号RTが出力された際にドライバ回路DRVを介してデューティ制御信号PWMを‘L’レベル(オフレベル)に駆動し、コンパレータ回路CMPzからセット信号STが出力された際にDRVを介してPWMを‘H’レベル(オンレベル)に駆動する。CMPzは、電流検出用の抵抗Rcsによる検出電圧Vcsが所定の比較電圧Vr1よりも低くなった際にSTを出力する。CMPpは、ランプ回路RMP1からの出力信号Vsの電圧が、エラーアンプ回路EAの出力電圧を超えた際にRTを出力する。EAは、Vcsを負極(−)入力として、比較電圧Vr2との差分を増幅する。RMP1は、電流源IS20、容量C20、およびスイッチ回路SW20を備え、PWMが‘L’レベル(SRLTの反転出力(/Q)が‘H’レベル)の際にはSW20を介してVsを‘L’レベルに固定し、PWMが‘H’レベルに遷移した際には、IS20の電流をC20に充電することでVsの電圧を徐々に増加させる。
<<電源装置[9]の全体回路動作>>
図38は、図37の電源装置において、その概略動作例を示す波形図である。図38に示すように、まず、SRLTにセット信号STが入力されると、PWMが‘H’レベルに遷移し、トランジスタQ1を介してインダクタL1側に向けて電流が流れる。これに伴い抵抗Rcsによる検出電圧Vcsは徐々に上昇する。また、PWMが‘H’レベルに遷移すると、ランプ回路RMP1内のスイッチ回路SW20がオフに制御され、これに伴いRMP1の出力信号Vsの電圧も徐々に上昇する。一方、Vcsの上昇に応じて、エラーアンプ回路EAの出力電圧は徐々に下降する。ここで、Vsの電圧がEAの出力電圧に到達すると、リセット信号RTが出力され、これに応じてPWMが‘L’レベルに遷移する。PWMが‘L’レベルに遷移すると、L1の起電力によって負荷回路LODが駆動され、Vcsは徐々に下降し、反対にEAの出力電圧は徐々に上昇する。また、PWMが‘L’レベルに遷移すると、RMP1内のSW20はオンに制御され、これに伴いVsは0Vに放電される。その後、Vcsがほぼ0Vまで下降すると(L1に流れる電流IL1がゼロになると)、再びSRLTにSTが入力され、以降同様な動作が繰り返される。
<<電源装置[9]の効果>>
このように、図37の電源装置を用いると、図35の電源装置よりも力率は低下するものの図35とほぼ同様の効果が得られ、更に、図35の場合よりも電源装置の小型化および低コスト化が図れる。すなわち、図35における入力電圧Vinの検出用抵抗Rac1,Rac2を削減することができる。ただし、力率の低下に伴い、例えば照明器具の高調波規格を満たせなくなることが懸念されるが、本発明者等の検証によると、図39に示すように、規格を十分に満たせるという結果が得られた。図39は、図37の電源装置において、その入力電流Iin(AC電源ラインに流れる交流電流Iac)に含まれる高調波成分を検証した結果を示す図である。ここでは、入力電圧Vinを100Vrms、出力電圧Voutを70V、負荷回路LODの消費電力Poutを8Wとして検証を行っている。図39には、併せて照明器具の高調波規格であるクラスCの規格値も示されており、ここから判るように、図37の電源装置を用いた場合でも、規格を十分に満足できる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
AC 交流電源
ADD 加算回路
AMP アンプ回路
BD 配線基板
BF バッファ回路
C 容量
CMP コンパレータ回路
D ダイオード
DB 整流回路
DRV ドライバ回路
DWC 降圧コンバータ
EA エラーアンプ回路
FLT ACラインフィルタ
IBF 反転バッファ回路
IS,IBS 電流源
L インダクタ
LED 発光ダイオード
LM 巻線
LOD 負荷回路
LPF ロウパスフィルタ回路
MN MOSトランジスタ
MUL 掛算回路
NOR ノア演算回路
OP オペアンプ回路
OSC 発振回路
PC フォトカプラ
PIC PFC回路
Q トランジスタ
QN,QP バイポーラトランジスタ
R 抵抗
RMP ランプ回路
SQ 2乗回路
SR シャントレギュレータ
SRLT セットリセットラッチ回路
SW スイッチ回路
SYS_LED LED照明装置
TR トランス
TWGEN 三角波生成回路
UPC 昇圧コンバータ
VCCGEN 電源生成回路
ZD ツェナーダイオード

Claims (3)

  1. 交流電源を整流し、第2ノードを基準として第1ノードに電力を供給する整流回路と、
    前記第1ノードと第3ノードの間に設けられたスイッチ素子と、
    前記第3ノードと第4ノードの間に設けられた電流検出用抵抗と、
    前記第4ノードと第5ノードの間に設けられたインダクタと、
    前記第2ノードと前記第3ノードの間で、前記第2ノード側をアノードとして設けられたダイオードと、
    前記第5ノードと前記第2ノードの間に設けられた出力容量と、
    前記第4ノードを接地電源電圧として動作し、前記第3ノードで生じた第1電圧に基づいて前記スイッチ素子のオン・オフを制御する制御回路と、
    前記第1ノードと前記第4ノードの間を分圧することで第2電圧を生成する抵抗分圧回路と、
    を備え、
    前記制御回路は、
    前記出力容量によって電源電圧が供給される負荷回路からの帰還信号と、前記第2電圧とを掛け算する掛算回路と、
    前記掛算回路の出力電圧を2乗演算する2乗回路と、
    前記第1電圧が前記2乗回路の出力電圧に達したことを検出する第1比較回路と、
    前記第1電圧がゼロレベルとなったことを検出する第2比較回路と、
    を備え、
    前記制御回路は、前記第2比較回路からの検出信号を受けて前記スイッチ素子をオンに駆動し、前記第1比較回路からの検出信号を受けて前記スイッチ素子をオフに駆動する、
    電源装置。
  2. 請求項1記載の電源装置において、
    前記第2ノードと前記第5ノードの間には、少なくも1以上の発光ダイオードを含む負荷回路が結合される、電源装置。
  3. 交流電源を整流し、第2ノードを基準として第1ノードに電力を供給する整流回路と、
    前記第1ノードと第3ノードの間に設けられたスイッチ素子と、
    前記第3ノードと第4ノードの間に設けられた電流検出用抵抗と、
    前記第4ノードと第5ノードの間に設けられたインダクタと、
    前記第2ノードと前記第3ノードの間で、前記第2ノード側をアノードとして設けられたダイオードと、
    前記第5ノードと前記第2ノードの間に設けられた出力容量と、
    前記第4ノードを接地電源電圧として動作し、前記第3ノードで生じた第1電圧に基づいて前記スイッチ素子のオン・オフを制御する制御回路と、
    前記第1ノードと前記第4ノードの間を分圧することで第2電圧を生成する抵抗分圧回路と、
    を備え、
    前記スイッチ素子は、ゲート、前記第1ノードに結合されるドレイン、および前記第3ノードに結合されるソースを持つMOSトランジスタであり、
    前記制御回路は、
    出力が前記MOSトランジスタのゲートに結合されるドライバ回路と、
    セットノードおよびリセットノードと、前記ドライバ回路の入力に結合される第1出力と、第2出力と、を持つセットリセットラッチ回路と、
    第1入力および第2入力を持ち、出力が前記リセットノードに結合される第1コンパレータ回路と、
    第1参照電圧が印加される第1入力と、前記第3ノードに結合される第2入力とを持ち、出力が前記セットノードに結合される第2コンパレータ回路と、
    第2参照電圧が印加される第1入力と、前記第3ノードに結合される第2入力とを持ち、出力が前記第1コンパレータ回路の前記第2入力に結合されるエラーアンプ回路と、
    ランプ回路と、
    を備え、
    前記ランプ回路は、
    電流源と、
    前記電流源に結合され、前記電流源によって充電される容量と、
    前記電流源と前記容量との結合ノードに結合され、前記セットリセットラッチ回路の前記第2出力に応じて前記容量を放電するスイッチ回路と、
    を備え、
    前記ランプ回路の前記結合ノードは、前記第1コンパレータ回路の前記第1入力に結合される、
    電源装置。
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