JP2013009368A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１のインバータと第２のインバータを有し、
   ｐ型トランジスタである第１のトランジスタ及び第５のトランジスタと、
   ｎ型トランジスタである第２乃至第４のトランジスタ及び第６乃至第８のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、第１の電源と、電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第７のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第７のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、第２の電源と、電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと、前記第８のトランジスタのゲートと、前記第１のインバータの入力と、電気的に接続され、
   前記第８のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、電気的に接続され、
   前記第８のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第７のトランジスタのゲートと、電気的に接続され、
   前記第２のインバータの入力は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、電気的に接続され、
   前記第２のインバータの出力は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと、電気的に接続され、
   前記第１のインバータの出力は、前記第４のトランジスタのゲートと、前記第５のトランジスタのゲートと、電気的に接続されていることを特徴とする分周回路。
2. 請求項１において、
   前記第１の電源は、前記第２の電源よりも高い電位を供給することを特徴とする分周回路。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第８のトランジスタのソースもしくはドレインの一方または前記第２のインバータの入力の少なくとも一方に、容量素子が電気的に接続されていることを特徴とする分周回路。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第４のトランジスタは、チャネルが形成される半導体層が酸化物半導体であることを特徴とする分周回路。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第８のトランジスタは、チャネルが形成される半導体層が酸化物半導体であることを特徴とする分周回路。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第２のトランジスタまたは前記第３のトランジスタの少なくとも一方は、チャネルが形成される半導体層が酸化物半導体であることを特徴とする分周回路。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第６のトランジスタまたは前記第７のトランジスタの少なくとも一方は、チャネルが形成される半導体層が酸化物半導体であることを特徴とする分周回路。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記分周回路を用いた半導体装置。