JP2015062278A5 - 信号処理回路 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１のバイアス発生回路と、電位保持回路と、増幅回路と、を有し、
   前記電位保持回路は、スイッチと、容量素子と、を有し、
   前記スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有し、
   前記電位保持回路は、第１の電位を保持する機能を有し、
   前記第１のバイアス発生回路は、前記第１の電位を用いて第２の電位を生成する機能を有し、
   前記第２の電位に入力信号の電位が加わることで生成される第３の電位と、前記第２の電位とが、前記増幅回路に供給される信号処理回路。
2. 第１のバイアス発生回路と、第２のバイアス発生回路と、電位保持回路と、増幅回路と、電源スイッチと、を有し、
   前記電位保持回路は、スイッチと、容量素子と、を有し、
   前記スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有し、
   前記電源スイッチは、前記第２のバイアス発生回路への電力の供給を制御する機能を有し、
   前記第２のバイアス発生回路は、第１の電位を生成する機能を有し、
   前記電位保持回路は、前記第１の電位を保持する機能を有し、
   前記第１のバイアス発生回路は、前記第１の電位を用いて第２の電位を生成する機能を有し、
   前記第２の電位に入力信号の電位が加わることで生成される第３の電位と、前記第２の電位とが、前記増幅回路に供給される信号処理回路。
3. 第１のバイアス発生回路と、第２のバイアス発生回路と、電位保持回路と、増幅回路と、電源スイッチと、を有し、
   前記電位保持回路は、スイッチと、容量素子と、を有し、
   前記スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有し、
   前記電源スイッチは、前記第２のバイアス発生回路への電力の供給を制御する機能を有し、
   前記第２のバイアス発生回路は、第１の電位を生成する機能を有し、
   前記電位保持回路は、前記第１の電位を保持する機能を有し、
   前記第１のバイアス発生回路は、前記第１の電位を用いて第２の電位を生成する機能を有し、
   前記第２の電位に入力信号の電位が加わることで生成される第３の電位と、前記第２の電位とが、前記増幅回路に供給される信号処理回路であって、
   第１の期間を有し、
   前記第１の期間において、前記スイッチがオフであり、かつ、前記電源スイッチがオフである信号処理回路。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   第３のバイアス発生回路を有し、
   前記第３のバイアス発生回路には、前記電位保持回路から前記第１の電位が供給される信号処理回路。