JP2011060876A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 第１の電圧を供給する第１の電源と、前記第１の電圧よりも低い第２の電圧を供給する第２の電源と、前記第１の電圧と前記第２の電圧との間の第３の電圧を供給する第３の電源とに基づき動作する半導体装置であって、
    前記第２の電圧から前記第１の電圧に至る振幅を有する信号がゲートに入力されるトランジスタを少なくとも１つ含み、前記第２の電圧から前記第１の電圧に至る振幅を有する第１の出力信号を出力する出力回路と、
    入力信号に基づき前記出力回路に含まれるトランジスタのゲートの電圧を制御する第１の制御信号と、前記トランジスタのバックゲート領域の電圧を制御する第２の制御信号と、前記バックゲート領域と半導体基板領域とを絶縁するディープウェル領域の電圧を制御する第３の制御信号と、を生成する制御回路と、を有し、
    前記制御回路は、前記第１の制御信号と前記第２の制御信号との電圧差を前記第１の電圧と前記第３の電圧との電圧差及び前記第２の電圧と前記第３の電圧との電圧差のうち大きな電圧差以下とする半導体装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI484471B (zh) * 2014-01-16 2015-05-11 Sitronix Technology Corp 閘極驅動器及其電路緩衝器
CN104795029B (zh) 2014-01-16 2017-06-06 矽创电子股份有限公司 栅极驱动器及其电路缓冲器
US9361995B1 (en) * 2015-01-21 2016-06-07 Silicon Storage Technology, Inc. Flash memory system using complementary voltage supplies
US9935633B2 (en) * 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6591375B2 (ja) * 2016-09-09 2019-10-16 株式会社東芝 半導体装置
US10938382B2 (en) 2017-02-08 2021-03-02 Sony Semiconductor Solutions Corporation Electronic circuit and electronic device
JP7109755B2 (ja) * 2018-02-15 2022-08-01 株式会社吉川システック 半導体装置
KR102445814B1 (ko) * 2018-05-31 2022-09-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
US10892750B2 (en) 2018-05-31 2021-01-12 SK Hynix Inc. Semiconductor apparatus
JP7089463B2 (ja) * 2018-12-11 2022-06-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置システム
KR102594977B1 (ko) * 2019-04-09 2023-10-30 에스케이하이닉스 주식회사 신호전달회로 및 이를 포함하는 반도체 장치
JP2021034493A (ja) * 2019-08-22 2021-03-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及び電子機器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0778885A (ja) 1993-09-07 1995-03-20 Seiko Epson Corp Ｃ−ｍｏｓレベルシフタ
JP4067582B2 (ja) * 1993-11-29 2008-03-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体回路
US6437627B1 (en) 1995-08-25 2002-08-20 Winbond Electronics Corporation High voltage level shifter for switching high voltage in non-volatile memory intergrated circuits
JPH11176950A (ja) 1997-12-15 1999-07-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP3389856B2 (ja) * 1998-03-24 2003-03-24 日本電気株式会社 半導体装置
JP3223877B2 (ja) * 1998-03-27 2001-10-29 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JP2001186007A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Sharp Corp 金属酸化膜半導体トランジスタ回路およびそれを用いた半導体集積回路
JP2001217393A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Hitachi Ltd Ｃｍｏｓ集積回路
CN100394346C (zh) * 2002-04-26 2008-06-11 株式会社瑞萨科技 半导体器件和集成电路卡
JP4027279B2 (ja) * 2002-07-19 2007-12-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
JP2006217540A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Fujitsu Ltd 半導体集積回路および半導体集積回路の制御方法
JP2009049872A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Nec Electronics Corp 電圧制御発振器

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