JP5537099B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
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Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。まず、本発明にかかる半導体装置は、第1の電圧VHを供給する第1の電源と、第1の電圧VHよりも低い第2の電圧VLを供給する第2の電源と、第1の電圧VHと第2の電圧VLとの間の第3の電圧VMを供給する第3の電源とに基づき動作するものである。第1の電圧VHから第3の電圧VMは、任意の電圧値であるが、以下の説明では、第1の電圧VHと第2の電圧VLは、第3の電圧VMに対して等しい電圧差を有し、互いに極性の異なる電圧であるものとする。例えば、第1の電圧VHは5Vであって、第2の電圧VLは−5Vであって、第3の電圧VMは0V(接地電圧GND)であるものとする。
実施の形態2にかかる半導体装置2は、実施の形態1にかかる半導体装置1の出力にバッファ回路29を設けたものである。実施の形態2にかかる半導体装置2では、バッファ回路29に供給される電源の電圧レベルを制御することで、バッファ回路29を構成するトランジスタのゲートとバックゲート領域との電圧差を当該トランジスタの耐圧電圧以下とする。
10、10a 制御回路
11 入力信号解析回路
12〜14 制御信号生成回路
15、16 電源切替回路
17、18 バッファ電源回路
20、20a 出力回路
21〜27 ウェル領域
29 バッファ回路
N1〜N7 NMOSトランジスタ
N10〜N14 NMOSトランジスタ
P1〜P7 PMOSトランジスタ
P10〜P14 PMOSトランジスタ
MVPW、MVNW バックゲート領域
NWE ディープウェル領域
OG ゲート酸化膜
Psub 半導体基板
Claims (9)
- 第1の電圧を供給する第1の電源と、前記第1の電圧よりも低い第2の電圧を供給する第2の電源と、前記第1の電圧と前記第2の電圧との間の第3の電圧を供給する第3の電源とに基づき動作する半導体装置であって、
前記第2の電圧から前記第1の電圧に至る振幅を有する信号がゲートに入力されるトランジスタを少なくとも1つ含み、前記第2の電圧から前記第1の電圧に至る振幅を有する第1の出力信号を出力する出力回路と、
前記出力回路に含まれるトランジスタのゲートの電圧を制御する第1の制御信号と、前記トランジスタのバックゲート領域の電圧を制御する第2の制御信号と、前記バックゲート領域と半導体基板領域とを絶縁するディープウェル領域の電圧を制御する第3の制御信号と、を入力信号に基づき生成する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号との電圧差を、前記第1の電圧と前記第3の電圧との電圧差及び前記第2の電圧と前記第3の電圧との電圧差のうち大きな電圧差以下とする半導体装置。 - 前記制御回路は、前記第2の電圧から前記第1の電圧に至る振幅を有する前記第1の制御信号を生成し、
前記トランジスタのうちNMOSトランジスタを導通状態とする場合、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号との電圧差を前記第1の電圧と前記第3の電圧との電圧差とし、前記第3の制御信号と前記第2の制御信号との電圧差を前記第1の電圧と前記第3の電圧との電圧差とし、
前記NMOSトランジスタを非導通状態とする場合、前記第1乃至第3の制御信号を前記第2の電圧とし、
前記トランジスタのうちPMOSトランジスタを導通状態とする場合、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号との電圧差を前記第2の電圧と前記第3の電圧との電圧差とし、前記第3の制御信号と前記第2の制御信号とを前記第3の電圧とし、
前記PMOSトランジスタを非導通状態とする場合、前記第1乃至第3の制御信号を前記第1の電圧とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記制御回路は、前記第3の電圧となる前記第1の制御信号を生成し、
前記トランジスタのうちNMOSトランジスタを導通状態とする場合、前記第2の制御信号を前記第2の電圧とし、前記第3の制御信号を前記第3の電圧とし、
前記NMOSトランジスタを非導通状態とする場合、前記第2の制御信号を前記第3の電圧とし、前記第3の制御信号を前記第1の電圧とし、
前記トランジスタのうちPMOSトランジスタを導通状態とする場合、前記第2、第3の制御信号を前記第1の電圧とし、
前記PMOSトランジスタを非導通状態とする場合、前記第2、第3の制御信号を前記第3の電圧とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記NMOSトランジスタ及び前記PMOSトランジスタは、前記ディープウェル領域を有する請求項2又は3に記載の半導体装置。
- 前記出力回路は、前記第1の出力信号を電流増幅して第2の出力信号として出力するバッファ回路を有し、
前記制御回路は、
前記バッファ回路の高電位側電源電圧を切り替える第1のバッファ電源回路と、
前記バッファ回路の低電位側電源電圧を切り替える第2のバッファ電源回路と、を有し、
前記第1の出力信号が前記第1の電圧となる場合に前記第1のバッファ電源回路により前記第1の電源を供給し、前記第2のバッファ電源回路により前記第3の電源を供給し、
前記第1の出力信号が前記第2の電圧となる場合に前記第1のバッファ電源回路により前記第3の電源を供給し、前記第2のバッファ電源回路により前記第2の電源を供給する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記制御回路は、
前記入力信号を解析して各トランジスタに与える第1乃至第3の制御信号の電圧レベルを指示する信号レベル指定信号を出力する入力信号解析回路と、
前記信号レベル指定信号に基づき前記第3の電圧から前記第1の電圧に至る振幅を有する前記第1乃至第3の制御信号を生成する第1の制御信号生成回路と、
前記信号レベル指定信号に基づき前記第2の電圧から前記第3の電圧に至る振幅を有する前記第1及び第2の制御信号を生成する第2の制御信号生成回路と、
前記信号レベル指定信号に基づき前記第2の電圧から前記第1の電圧に至る振幅を有する前記第1の制御信号を生成する第3の制御信号生成回路と、
を有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第3の制御信号生成回路は、
前記第3の電源と第1の電源との間に直列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとにより構成される第1のインバータと、
ゲートに前記第3の電圧が与えられ、ソースが前記第1のインバータの出力に接続され、ドレインが出力ノードに接続されるPMOSスイッチトランジスタと、
第2の電源と第3の電源との間に直列に接続されたNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとにより構成される第2のインバータと、
ゲートに前記第3の電圧が与えられ、ソースが前記第2のインバータの出力に接続され、ドレインが出力ノードに接続されるNMOSスイッチトランジスタと、を有し、
前記第1のインバータは、前記信号レベル指定信号のうち前記第3の電圧から前記第1の電圧に至る振幅を有する信号を反転して出力し、
前記第2のインバータは、前記信号レベル指定信号のうち前記第2の電圧から前記第3の電圧に至る振幅を有する信号を反転して出力する請求項6に記載の半導体装置。 - 前記制御回路は、
前記入力信号に応じて前記第1の電源と前記第3の電源とを切り替えて出力する第1の電源切替回路と、
前記入力信号に応じて前記第2の電源と前記第3の電源とを切り替えて出力する第2の電源切替回路と、を有し、
前記出力回路は、
前記第1の電源切替回路の出力に第1の端子が接続される第1のトランスファゲートと、
前記第1のトランスファゲートの第2の端子に第1の端子が接続され、第2の端子が出力端子に接続される第2のトランスファゲートと、
前記出力端子に第1の端子が接続される第3のトランスファゲートと、
前記第3のトランスファゲートの第2の端子に第1の端子が接続され、第2の端子が前記第2の電源切替回路の出力に接続される第4のトランスファゲートと、
前記第3の電源と前記第1、第2のトランスファゲートの間のノードとの間に接続される第1のスイッチトランジスタと、
前記第3の電源と前記第3、第4のトランスファゲートの間のノードとの間に接続される第2のスイッチトランジスタと、を有し、
前記第1乃至第4のトランスファゲート及び前記第1、第2のスイッチトランジスタを構成するトランジスタは、前記制御回路が出力する前記第1乃至第3の制御信号により導通状態が制御され、
前記出力端子から前記第1の電圧が出力される場合、前記第3、第4のトランスファゲート及び前記第1のスイッチトランジスタが導通した状態となり、前記第1、第2のトランスファゲート及び前記第2のスイッチトランジスタが遮断状態となり、前記第1の電源切替回路は前記第1の電源を出力し、前記第2の電源切替回路は前記第3の電源を出力し、
前記出力端子から前記第2の電圧が出力される場合、前記第3、第4のトランスファゲート及び前記第1のスイッチトランジスタが遮断状態となり、前記第1、第2のトランスファゲート及び前記第2のスイッチトランジスタが導通した状態となり、前記第1の電源切替回路は前記第3の電源を出力し、前記第2の電源切替回路は前記第2の電源を出力する請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1のトランスファゲートを構成するトランジスタの前記バックゲート領域及び前記ディープウェル領域には前記第1の電源が供給され、
前記第4のトランスファゲートを構成するトランジスタの前記バックゲート領域及び前記ディープウェル領域には前記第2の電源が供給される請求項8に記載の半導体装置。
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