JP2012009832A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１の信号が入力され、第２の信号を出力する論理回路を具備し、
   前記論理回路は、ゲートに前記第１の信号が入力され、前記ゲートの電圧に応じて前記第２の信号の電圧を第１の電圧に設定するか否かを制御するＰ型トランジスタと、
   エンハンスメント型であり、閾値電圧の絶対値が前記Ｐ型トランジスタより大きく、ゲートに前記第１の信号が入力され、前記ゲートの電圧に応じて前記第２の信号の電圧を前記第１の電圧より高い第２の電圧に設定するか否かを制御するＮ型トランジスタと、を備え、
   前記Ｐ型トランジスタは、第１４族の元素を含有する半導体層を有し、
   前記Ｎ型トランジスタは、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である酸化物半導体層を有する半導体装置。
2. 第１の信号が入力され、第２の信号を出力する第１のインバータと、
   前記第２の信号が入力され、第３の信号を出力する第２のインバータと、を具備し、
   前記第１のインバータは、ゲートに前記第１の信号が入力され、前記ゲートの電圧に応じて前記第２の信号の電圧を第１の電圧に設定するか否かを制御するＰ型トランジスタと、
   エンハンスメント型であり、閾値電圧の絶対値が前記Ｐ型トランジスタより大きく、ゲートに前記第１の信号が入力され、前記ゲートの電圧に応じて前記第２の信号の電圧を前記第１の電圧より低い第２の電圧に設定するか否かを制御するＮ型トランジスタと、を備え、
   前記Ｐ型トランジスタは、第１４族の元素を含有する半導体層を有し、
   前記Ｎ型トランジスタは、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である酸化物半導体層を有する半導体装置。
3. 第１の信号が入力され、第２の信号を出力する第１のインバータと、
   前記第２の信号が入力され、第３の信号を出力する第２のインバータと、を具備し、
   前記第２のインバータは、ゲートに前記第２の信号が入力され、前記ゲートの電圧に応じて前記第３の信号の電圧を第１の電圧に設定するか否かを制御するＰ型トランジスタと、
   エンハンスメント型であり、閾値電圧の絶対値が前記Ｐ型トランジスタより大きく、ゲートに前記第２の信号が入力され、前記ゲートの電圧に応じて前記第３の信号の電圧を前記第１の電圧より低い第２の電圧に設定するか否かを制御するＮ型トランジスタと、を備え、
   前記Ｐ型トランジスタは、第１４族の元素を含有する半導体層を有し、
   前記Ｎ型トランジスタは、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である酸化物半導体層を有する半導体装置。