JP2013030263A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 複数段のパルス出力回路を有し、
   前記パルス出力回路は、
   第１のノード及び第２のノードの電位に応じて出力信号を出力することができる機能を有する第１の回路と、
   前記第１のノードに、前段のパルス出力回路の出力信号に応じた信号を供給することができる機能を有する第２の回路と、
   前記第２のノードに間欠的に高電源電位の信号を供給することができる機能を有する第３の回路と、
   前記第２のノードがゲートに電気的に接続され、前記第２のノードの電位に応じて、前記第１のノードの電位を制御することができる機能を有する第１のトランジスタと、
   前記前段のパルス出力回路の出力信号に応じた信号がゲートに供給され、前記第２のノードの電位を制御することができる機能を有する第２のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタのソース端子と、低電源電位を供給することができる機能を有する配線との間に、前記第１のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位より昇圧することができる機能を有する第４の回路と、
   前記第２のトランジスタのソース端子と、低電源電位を供給することができる機能を有する前記配線との間に、前記第２のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位より昇圧することができる機能を有する第５の回路と、
   前記第１のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位にすることができる機能を有する第１のスイッチと、
   前記第２のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位にすることができる機能を有する第２のスイッチと、を有し、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体を有し、
   前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチは、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタがエンハンスメント型、またはディプレッション型であるかを判定することができる機能を有する判定回路によって制御され、
   前記第４の回路を構成するトランジスタのゲート長（Ｌ）とゲート幅（Ｗ）の比（Ｌ／Ｗ）は、前記第１のトランジスタのゲート長（Ｌ）とゲート幅（Ｗ）の比（Ｌ／Ｗ）よりも大きいことを特徴とする駆動回路。
2. 複数段のパルス出力回路を有し、
   前記パルス出力回路は、
   第１のノード及び第２のノードの電位に応じて出力信号を出力することができる機能を有する第１の回路と、
   前記第１のノードに、前段のパルス出力回路の出力信号に応じた信号を供給することができる機能を有する第２の回路と、
   前記第２のノードに間欠的に高電源電位の信号を供給することができる機能を有する第３の回路と、
   前記第２のノードがゲートに電気的に接続され、前記第２のノードの電位に応じて、前記第１のノードの電位を制御することができる機能を有する第１のトランジスタと、
   前記前段のパルス出力回路の出力信号に応じた信号がゲートに供給され、前記第２のノードの電位を制御することができる機能を有する第２のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタのソース端子と、低電源電位を供給することができる機能を有する配線との間に、前記第１のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位より昇圧することができる機能を有する第４の回路と、
   前記第２のトランジスタのソース端子と、低電源電位を供給することができる機能を有する前記配線との間に、前記第２のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位より昇圧することができる機能を有する第５の回路と、
   前記第１のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位にすることができる機能を有する第１のスイッチと、
   前記第２のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位にすることができる機能を有する第２のスイッチと、を有し、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体を有し、
   前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチは、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタがエンハンスメント型、またはディプレッション型であるかを判定することができる機能を有する判定回路によって制御され、
   前記第４の回路を構成するトランジスタの半導体層の膜厚は、前記第１のトランジスタの半導体層の膜厚よりも小さいことを特徴とする駆動回路。