JP2015165655A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の出力ノードと、
   ｋ個の第１の回路と（ｋは２以上の整数）、を有する半導体装置であって、
   前記第１の回路は、
   第２の出力ノードを有するメモリ回路と、
   第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   キャパシタと、を有し、
   ｋ個の第１の信号は、それぞれ、互いに異なるｋ個の前記第１の回路の何れか１に入力され、
   前記キャパシタの一方の端子は前記第１の出力ノードに電気的に接続され、
   前記キャパシタの他方の端子は前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは前記第１の出力ノードと前記第２の出力ノードとの間の導通状態を制御することができる機能を有し、
   前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの前記ゲートへの前記第１の信号の供給を制御することができる機能を有する半導体装置。
2. 請求項１において、
   ｋ個の前記第１の回路において、前記第２のトランジスタは、共通の第２の信号により導通状態が制御される半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   第２の回路を有し、
   前記第２の回路は、前記第１の出力ノードに第１の電位を印加することができる機能を有する回路である半導体装置。
4. 請求項１又は２において、
   第３のトランジスタおよび第３の回路を有し、
   第３の信号は、前記第３のトランジスタの導通状態を制御することができる機能を有し、
   前記第３のトランジスタは、前記第１の出力ノードと配線との間の導通状態を制御することができる機能を有し、
   前記配線には、第１の電位が供給され、
   前記第３の回路は、前記第３の信号およびｋ個の前記第１の信号を生成することができる機能を有する半導体装置。
5. 請求項１乃至４の何れか１項において、
   前記第２のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体層を有する半導体装置。